1、,名稱： 密碼：123319,第5章 內(nèi)存的認識與選購,5.1 內(nèi)存的認識 5.2 如何選擇理想的內(nèi)存 5.3 DDR內(nèi)存選購實戰(zhàn) 5.4 RDRAM內(nèi)存 5.5 內(nèi)存防偽技巧,宇瞻512MB DDR400 （停產(chǎn)）,金士頓DDR2 800 120,金士頓2GB DDR3 1333 130,威剛2GB DDR3 1333（萬紫千紅）85,海盜船TW3X4G2000C9DF (7500),5.1 內(nèi)存的認識,5.1.1 內(nèi)存的分類 1ROM ROM的特點是斷電后不丟失其中所儲存的程序或數(shù)據(jù)，主要用來保存一般無需修改就可以長期使用的信息，如主板上的BIOS、部分打印機中的漢字庫、網(wǎng)卡上的啟動程序等

2、。ROM中的信息能在特定的條件下擦除并重寫。,目前電腦等設備中常用的ROM芯片擦寫方式可分為紫外光擦寫的EPROM(Erasable Programmable ROM，可擦寫編程ROM)和電擦除的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM，電擦寫編程ROM)兩種，其中電擦寫ROM即常說的快閃ROM或快擦寫ROM(Flash ROM)。 紫外光擦寫的ROM芯片最突出的特征是芯片上有一個透明的小孔，這個孔就是為了能讓紫外光照進去擦除信息才開的。這種芯片在寫入數(shù)據(jù)后一般都用黑色或鋁箔不干膠紙貼上，過去的486以下檔次的電腦中常用它來保存主板的BIOS程

3、序。,隨著電腦技術的發(fā)展，主板BIOS程序也經(jīng)常因為添加新型CPU或其他器件的支持而需要升級，所以現(xiàn)在電腦主板上已經(jīng)改用快閃ROM保存BIOS。由于快閃ROM使用方便，所以目前已經(jīng)完全在電腦主板、高速圖形顯示卡等器件中取代了紫外光擦寫ROM，用來保存這些設備所必須具備的BIOS程序。 2RAM RAM是電腦中使用最多的存儲器，它最重要的特點在于存取速度比ROM快，但在斷電后就會丟失所有已經(jīng)保存的數(shù)據(jù)。RAM根據(jù)其保存數(shù)據(jù)時的工作原理可分為SRAM(Static RAM，靜態(tài)存儲器)和DRAM(Dynamic RAM，動態(tài)存儲器)兩大類。,SRAM的工作原理是利用數(shù)字電路中觸發(fā)器的導通和截止來表

4、示數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)的改變速度取決于晶體管的完全導通和截止時間。一般來說，SRAM通常只作為CPU上的高速緩存使用。另外，主板上的BIOS芯片中也有一片SRAM用于保存用戶設置的數(shù)據(jù)，所以主板上都有一塊電池用于在電腦關機后繼續(xù)為BIOS芯片供電。 DRAM是利用半導體MOS電容充電成高電平后表示數(shù)據(jù)“1”，放電后表示“0”。但由于電容存在著不能避免的漏電現(xiàn)象，所以在要求某內(nèi)存單元由“1”變?yōu)椤?”之前必須設計讓電容繼續(xù)保持高電位。由于電容充、放電需要一定的時間，而且還必須經(jīng)常刷新，所以DRAM的存取速度比SRAM慢，故被稱為動態(tài)存儲器。DRAM可根據(jù)工作方式分為FPM DRAM(快頁式DRAM)、ED

5、O DRAM(擴展數(shù)據(jù)輸出DRAM)、SDRAM(同步DRAM)以及目前的DDR(雙倍速度的SDRAM)和RDRAM(Rambus DRAM)。,緩存又分L1緩存和L2緩存。L1緩存是最重要的，它是最接近CPU的，因此訪問速度也最快。但由于制造技術和成本的問題，它的容量很有限。L2緩存也非常重要，尤其是當它在高速狀態(tài)下更是如此。,5.1.2 常用的內(nèi)存條類型 1SDRAM 圖5-1所示的是SDRAM內(nèi)存條。SDRAM(Synchronous Burst RAM)的中文意思是同步突發(fā)內(nèi)存，具有168線，工作電壓為3.3 V，帶寬為64 bit，速度可達6ns(pc133)。SDRAM是雙存儲體結(jié)

6、構(gòu)，也就是說有兩個儲存陣列，一個被CPU讀取數(shù)據(jù)的時候，另一個已經(jīng)做好被讀取數(shù)據(jù)的準備，兩者相互自動切換，使得存取效率成倍提高。同時，它將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間.。,圖5-1 SDRAM內(nèi)存條,圖5-1 SDRAM內(nèi)存條,2DDR SDRAM 圖5-2所示的是DDR內(nèi)存條。DDR(Double Data Rate RAM)的中文意思是雙倍數(shù)據(jù)傳速率的SDRAM內(nèi)存，它的速度比SDRAM提高一倍，其核心建立在SDRAM的基礎上，但在速度和容量上有了提高。DDR的工作電壓是2.5V，這使得DDR內(nèi)存減少了耗能。DDR接口與SDRAM不兼容，它使用1

7、84線取代了SDRAM的168線。,圖5-2 DDR內(nèi)存條,3RDRAM 圖5-3所示的是RDRAM內(nèi)存條。RDRAM(Rambus DRAM)的中文意思是動態(tài)隨機存儲器，這是Intel所推崇的內(nèi)存發(fā)展方向，它將RISC(精簡指令集)引入其中，依靠高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量。它具有相對SDRAM較高的工作頻率(不低于300MHz)，但其數(shù)據(jù)通道接口帶寬較低，只有16bit。當工作時鐘為300MHz時，Rambus利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸數(shù)據(jù)，因此它的數(shù)據(jù)傳輸率能達到300162/8=1.2GB/s，若是兩個通道，就是2.4GB/s。,RDRAM與傳統(tǒng)DRAM的區(qū)別在于引腳定義會隨

8、命令變化，同一組引腳線既可以被定義成地址線，也可以被定義成控制線，其引腳數(shù)僅為普通DRAM的三分之一。當需要擴展芯片容量時，只需要改變命令，不需要增加芯片引腳。DRDRAM要求RIMM中必須都插滿，空余的插槽中必須插上傳接板(也叫終結(jié)器)。針腳數(shù)184.,圖5-3 RDRAM內(nèi)存條,3DDR2 SDRAM內(nèi)存條 DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR

9、內(nèi)存預讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。,在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標準DDR內(nèi)存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用 DDR2內(nèi)存的頻率 了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。,在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的

10、兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標準DDR內(nèi)存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用 DDR2內(nèi)存的頻率 了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。,封裝和發(fā)熱量 DDR2內(nèi)存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。 DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形

11、式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，,FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。 DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。,3DDR3 SDRAM內(nèi)存條 DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快，使用了SSTL 15的I/

12、O接口，運作I/O電壓是1.5V，采用CSP、FBGA封裝方式包裝，除了延續(xù)DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更為精進進的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。,18bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有等效數(shù)據(jù)頻率的1/8，DDR13-800的核心工作頻率（內(nèi)核頻率）只有100MHz。 2采用點對點的拓撲架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。 3采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至 1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。,5.1.3 內(nèi)存的性能指標 1存儲容量 存儲器

13、可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。Z早期內(nèi)存條的存儲容量一般為128 MB、256 MB和512 MB。目前內(nèi)存條的存儲容量一般為1GB、2GB和4GB MB。,2存取周期 存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀/寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數(shù)時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存取周期一般為3ns10ns。 3存儲器的可靠性 存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即

14、保持正確工作能力越強。,4性能價格比 性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內(nèi)容。性能價格比是一個綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大；而對緩沖存儲器則要求速度非?？?，容量不一定大。因此性能價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的指標。 5.1.4 內(nèi)存的封裝技術 如今電腦的CPU技術日趨成熟和完善，但只有一個速急力猛的CPU好像還遠遠不夠，為了讓電腦的性能真正提高，整個內(nèi)外系統(tǒng)都需要提高，而內(nèi)存是一個關鍵因素。作為電腦的“數(shù)據(jù)倉庫”，內(nèi)存的性能直接影響電腦的整體表現(xiàn)，其重要性是不言而喻的。,與CPU一樣，內(nèi)存的制造工藝同樣對其性能高低具有決定意義，而在內(nèi)存制造

15、工藝流程上的最后一步，也是最關鍵的一步就是內(nèi)存的封裝技術。我們所使用的每一條內(nèi)存，其實是由數(shù)量龐大的集成電路組合而成的，只不過這些電路都需要最后打包完成，這種將集成電路打包的技術就是所謂的封裝技術。封裝也可以是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼，它不僅起著安放、固定、密封、保護芯片和增強導熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件建立連接。因此，對于很多集成電路產(chǎn)品而言，封裝技術都是非常關鍵的一環(huán)。,在電腦里，CPU需要嚴格的封裝，內(nèi)存條也同樣不可怠慢。對于常見的內(nèi)存條而言，我們實際看到的體積和外觀并

16、不是真正的內(nèi)存的大小和面貌，那一個一個整齊排列的小黑塊即內(nèi)存芯片是經(jīng)過打包封裝后的成果。 對于內(nèi)存這樣以芯片為主的產(chǎn)品來說，封裝技術不僅保證芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電學性能下降，而且封裝技術的好壞還直接關系到與芯片連接的PCB(印刷電路板)的設計和制造，從而對芯片自身性能的表現(xiàn)和發(fā)揮產(chǎn)生深刻的影響。 如此而言，封裝技術好比內(nèi)存的一件外衣，而內(nèi)存品質(zhì)在這里則是典型的“以貌取人”，越“高檔”的外衣身價也就越高。,如同微處理器一樣，內(nèi)存條的技術也是在不斷更新。人們手中內(nèi)存條上的顆粒模樣 漸漸在變，變得比以前更小、更精致。變化不僅在表面上，而且這些新型的芯片在適用頻率和電

17、氣特性上比老前輩又有了長足的進步。這一結(jié)果應歸功于新型的內(nèi)存芯片封裝技術。,5.2 如何選擇理想的內(nèi)存,5.2.1 憑“芯”而論最重要 從內(nèi)存芯片上來評價內(nèi)存條的優(yōu)劣，大概有以下三個方面。 1時鐘頻率 時鐘頻率是指內(nèi)存所能穩(wěn)定運行的最大頻率。當然，支持時鐘頻率越高的內(nèi)存其性能也更出眾。 2存取時間 存取時間是指讀取數(shù)據(jù)所延遲的時間。存取時間和時鐘頻率一樣，越小越好。,3CAS的延遲時間 這是指縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內(nèi)存的重要標志之一。 在Intel公司的PC100內(nèi)存技術白皮書中指出：“符合PC100標準的內(nèi)存芯片應該以CAS Latency（以下簡稱CL）

18、= 2的情況穩(wěn)定工作在100MHZ的頻率下?！盋L=2所表示的意義是此時內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)的延遲時間是兩個時鐘周期當CL=3時。內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)的延遲時間就應該是三個時鐘周期，因此，這“2”與“3”之間的差別是1個時鐘周期。,工作在相同頻率下的同種內(nèi)存，將CL設置為2會得到比3更優(yōu)秀的性能（當然你的內(nèi)存必須支持CL=2的模式）。為了使主板正確地為內(nèi)存設定CAS延遲時間，內(nèi)存生產(chǎn)廠商都將其內(nèi)存在不同工作頻率下所推薦的CAS延遲時間記錄在了內(nèi)存PCB板上的一塊EEPROM上，這塊芯片就是我們所說的SPD。當系統(tǒng)開機時，主板BIOS會自動檢測SPD中的信息并最終確定是以CL=2還是CL=3來運行。,通常情況下

19、，我們用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示一個內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency,也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。 選擇購買內(nèi)存時，最好選擇同樣CL設置的內(nèi)存，因為不同速度的內(nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，系統(tǒng)會以較慢的速度來運行，也就是當CL2.5和CL2的內(nèi)存同時插在主機內(nèi)，系統(tǒng)會自動讓兩條內(nèi)存都工作在CL2.5狀態(tài)，造成資源浪費。,DDR到DDR2，頻率提高了，CL延遲也增加了；從DDR2到D

20、DR3，同樣的問題依舊存在，而且更為嚴重。 CL即CAS Latency，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單說就是內(nèi)存接到CPU指令后的反應速度。作為衡量內(nèi)存品質(zhì)的重要指標，CL延遲越小越好。 DDR3-800的工作時序(timing)為5-5-5，CL延遲5，相比之下，DDR2也能做得更好，質(zhì)量好的可以工作在時序3-4-4、CL延遲3。對DDR3-1066來說，時序是7-7-7，CL延遲也是7；同頻率的DDR2-1066時序是5-5-5，CL延遲也不過5。,DDR3的優(yōu)勢在于高頻率，但代價是高延遲。到了DDR3-1333，我們將得到時序8-8-8、CL延遲8，最快的DDR3-1600更是

21、時序9-9-9、CL延遲9。好消息是，這些模組都只需要1.5V電壓，DDR2加壓到2.3V也很難超過1300MHz。 當然，OCZ、Corsair等高端內(nèi)存廠商肯定會推出低延遲的DDR3產(chǎn)品，但這些精品的價格也會高高在上，并非普通消費者所能享受。,5.2.2 看類型 現(xiàn)在大家主要是購買DDR內(nèi)存。必須了解DDR和SDRAM的區(qū)別，認清它們在結(jié)構(gòu)上的不同，才能保證自己購買的是真的DDR內(nèi)存。 5.2.3 看PCB(印刷電路板) 剛才已經(jīng)說過，內(nèi)存條由內(nèi)存芯片和PCB組成，所以，PCB對內(nèi)存性能也有著很大的影響。決定PCB好壞的一個因素是板材。一般來說，如果內(nèi)存條使用四層板，那么其VCC、Grou

22、nd(接地線)和正常的信號線就得布置在一起，這樣，內(nèi)存條在工作過程中由于信號干擾所產(chǎn)生的雜波就會很大，有時會產(chǎn)生不穩(wěn)定現(xiàn)象。而使用六層板設計的內(nèi)存條，VCC線和Ground線可以各自獨占一層，相應的干擾就會小得多。,還有兩個因素會影響內(nèi)存條的好壞：一是布線(Layout)，二是電阻的搭配。布線的重要性很多人都知道，而電阻的重要性很多時候還無人提及。 用于內(nèi)存上的電阻一般有兩種阻值：10和22。使用10電阻的內(nèi)存的信號很強，對主板兼容性較好，但隨之帶來的問題是其阻抗也很低，經(jīng)常由于信號過強導致系統(tǒng)死機。而使用22電阻的內(nèi)存其優(yōu)缺點與前者正好相反。內(nèi)存廠商往往從成本考慮使用10電阻。使用什么樣阻值

23、的電阻往往會對內(nèi)存的穩(wěn)定性產(chǎn)生巨大的影響，不能小看那幾個不起眼的電阻，好內(nèi)存必定有合適的電阻搭配。,電腦里使用的線路板是由很多層構(gòu)成的，我們平時看見的是最表層的線路。在最表層的下面，還存在許多層，每層的線路都是互相獨立的。要使得最外層的線路與里層的線路導通，就必須利用通透孔。有些設計不成熟的內(nèi)存條，甚至在表層的線路之間的導通都要先從通透孔進入里層，繞上一圈后再從另一個通透孔穿出。這樣一來，導致了線路總長度的增加。而在高達100MHz的工作頻率下，無謂地加長線路極容易產(chǎn)生雜波干擾。這就很可能導致超頻失敗。 當然，挑選一個比較有信譽的商家購買內(nèi)存會讓你更加放心。內(nèi)存銷售一般有半年至一年的保質(zhì)期，如

24、果經(jīng)常出現(xiàn)內(nèi)存地址錯誤或不明原因的死機，很可能內(nèi)存有問題，要及時找商家調(diào)換。,5.3 DDR內(nèi)存選購實戰(zhàn),5.3.1 解讀DDR內(nèi)存 DDR內(nèi)存的中文名字是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，通常簡稱為DDR。由于它在時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能夠進行數(shù)據(jù)傳輸，所以在相同的總線頻率下，DDR內(nèi)存具有更高的數(shù)據(jù)帶寬。從外形上看，DDR與傳統(tǒng)的SDRAM相比差別并不大，它們具有同樣的長度與同樣的管腳距離。然而，DDR內(nèi)存具有184只管腳和一個小缺口，從管腳數(shù)上看DDR內(nèi)存比傳統(tǒng)的SDRAM多出16只管腳，這些管腳主要包含了新的閥門控制、時鐘、電源和接地等信號。,說到DDR的發(fā)展，NVIDIA可以說是功不可沒。

25、NVIDIA意識到普通SDRAM所能夠提供的帶寬已經(jīng)幾乎達到了極限，為了有效解決SDRAM帶寬不足的問題，NVIDIA選擇了技術門坎較低、具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸能力的DDR內(nèi)存來作為提高顯存帶寬的解決方案。而后至今，DDR技術依然被廣泛應用在中高端的圖形卡上面，從此也帶動了整個DDR相關技術的成熟。 DDR規(guī)格，其特點是使用184pin針腳，工作電壓為1.8V。DDR內(nèi)存的發(fā)展也是循序漸進的。最早的標準是DDR200，其工作頻率是100MHz，隨后又推出了DDR333，它的實際工作頻率是166MHz，能夠達到將近2.7Gb/s的內(nèi)存帶寬。,但DDR333所提供的2.7Gb/s的內(nèi)存帶寬遠遠不能滿足I

26、ntel Pentium 4對于內(nèi)存帶寬的需求，特別是出現(xiàn)FSB為533MHz的Pentium 4之后，Pentium 4的數(shù)據(jù)傳輸率更遠高于目前的內(nèi)存帶寬。因此，CPU往往會處于數(shù)據(jù)欠載的狀態(tài)，可以說內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸率一直是系統(tǒng)的瓶頸，提高內(nèi)存帶寬對于提升系統(tǒng)性能有非常明顯的作用。于是DDR400的標準被人們提了出來，各內(nèi)存顆粒制造商不遺余力地生產(chǎn)自己的DDR400內(nèi)存顆粒，這也是能夠拉近和RDRAM差距最直接的做法。,與DDR333一樣，DDR400也就是指工作頻率為400MHz的DDR SDRAM內(nèi)存。從內(nèi)存結(jié)構(gòu)體系上來說，DDR400和先前的DDR333、DDR266并沒有什么本質(zhì)上的改進

27、，它是通過提高工作頻率來提升性能。DDR400將DDR內(nèi)存的有效工作頻率提升到4002MHz(物理工作頻率為200MHz)，位寬仍然為64bit。DDR400的理論內(nèi)存帶寬已經(jīng)達到3.2Gb/s，足以與稱霸Pentium 4平臺的PC800規(guī)格RDRAM所能提供的帶寬相抗衡。DDR400和其他DDR內(nèi)存非常相似，除頻率不同外，工作方式、針腳定義、工作電壓都完全一樣，而在生產(chǎn)工藝方面則基本與DDR333一樣，都需要非常先進的封裝技術和更為精細的制造工藝。,電子元件工程聯(lián)合委員會不推行DDR400，而是準備提前推出下一代DDR內(nèi)存DDR規(guī)格。因此，各大主板芯片組廠商紛紛表示放棄了對DDR400的支

28、持，可以說DDR400的發(fā)展前景一片暗淡。但不可否認，DDR400所能提供的3.2Gb/s帶寬，比DDR333提供的2.7 Gb/s帶寬來說，帶寬方面的確有了不少的提高，也是目前構(gòu)建廉價、高性能Pentium 4平臺的最佳選擇。,與雙倍速運行的數(shù)據(jù)緩沖相結(jié)合，DDR2內(nèi)存實現(xiàn)了在每個時鐘周期處理多達4bit的數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存可以處理的2bit數(shù)據(jù)高了一倍。DDR2內(nèi)存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。 然而，盡管DDR2內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DR2內(nèi)存，因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是

29、接口不一樣，DDR2的針腳數(shù)量為240針，而DDR內(nèi)存為184針；其次，DDR2內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。優(yōu)勢主要在： 1.延遲小 2.好的封裝帶來低的發(fā)熱量,DDR內(nèi)存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產(chǎn)生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。

30、DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。,DDR2內(nèi)存起始頻率從DDR內(nèi)存最高標準頻率400Mhz開始，現(xiàn)已定義可以生產(chǎn)的頻率支持到533Mhz到667Mhz,標準工作頻率工作頻率分別是200/266/333MHz，工作電壓為1.8V。DDR2采用全新定義的240 PIN DIMM接口標準，完全不兼容于DDR的184PIN DIMM接口標準。 DDR2和DDR一樣，采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但是最大的區(qū)別在于，DDR2內(nèi)存可進行4bit預讀取。兩倍于標準DDR內(nèi)存的2

31、BIT預讀取，這就意味著，DDR2擁有兩倍于DDR的預讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDR2則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力。,DDR3 概述 針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術（可以用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下： (1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。 (2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現(xiàn)。 (3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規(guī)格多為1

32、6M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存顆粒規(guī)格多為32M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后，顯存功耗也能進一步降低。,(4)通用性好：相對于DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。 目前，DDR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應用。 DDR3在DDR2基礎上采用的新型設計： DDR3 18bit預取設計，而D

33、DR2為4bit預取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。 2采用點對點的拓樸架構(gòu)，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。 3采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。,5.3.2 主流品牌的DDR內(nèi)存 1Kingmax品牌 在市場中銷售DDR內(nèi)存最齊全的首推Kingmax系列，從DDR266到DDR400都是由 Kingmax公司在市場中率先推出的，而且經(jīng)過很多評測后證明，其綜合性能指標也相當高。Kingmax內(nèi)存都是采用Kingmax自行開發(fā)研制的Kingmax顆粒，并且采用

34、獨有的TingBGA封裝形式?，F(xiàn)在Kingmax品牌在市場中銷售較多的是DDR333與DDR400系列，雖然市面上支持DDR400的主板還不太多，但Kingmax DDR400也是現(xiàn)有銷售的惟一一款400MHz外頻DDR內(nèi)存，因此受到一些發(fā)燒友用戶的青睞。 Kingmax DDR266內(nèi)存如圖5-4所示。,圖5-4 Kingmax DDR266內(nèi)存,Kingmax DDR333內(nèi)存如圖5-5所示。,圖5-5 Kingmax DDR333內(nèi)存,Kingmax DDR400內(nèi)存如圖5-6所示。,圖5-6 Kingmax DDR400內(nèi)存,2Kingston品牌 Kingston品牌雖然進入中國市場

35、較晚，但是一直以質(zhì)量和售后服務在市場中頗有口碑，不管是商家還是消費者對其品牌都有相當?shù)恼J可。 Kingston的返修率非常低，穩(wěn)定性也很好。Kingston內(nèi)存多采用HY和三星顆粒，其DDR333系列也有采用南亞芯片的。 Kingston 256M DDR內(nèi)存如圖5-7所示。,圖5-7 Kingston 256M DDR內(nèi)存,3Hyundai(現(xiàn)代)品牌 HY內(nèi)存一直占據(jù)市場最大的銷售份額，因為價格比較便宜，而且質(zhì)量也不錯，只是近年來某些經(jīng)銷商為賺取利潤，在內(nèi)存顆粒上打主意，因此造成市場中HY內(nèi)存打磨的芯片非常多，這在選購過程中是非常值得大家注意的。 HY 256M DDR266內(nèi)存和內(nèi)存顆粒

36、如圖5-8所示。,圖5-8 HY 256M DDR266內(nèi)存,4Kinghorse品牌 Kinghorse內(nèi)存曾在市場中大力推廣，而且價格不是很高，卻可以享受終身質(zhì)保。據(jù)說，Kinghorse將加大力度推廣其DDR333系列產(chǎn)品。如圖5-9所示，其帶有小方孔的金屬外殼不但增強了DDR內(nèi)存的防靜電能力，防止電磁波對內(nèi)存的損傷，還增強了DDR內(nèi)存的散熱性能。這款產(chǎn)品的價格相對較高，不過能對內(nèi)存起到雙重的保護作用。,圖5-9 Kinghorse 256M DDR333內(nèi)存,5三星品牌 三星內(nèi)存的品質(zhì)相當不錯，市場中銷售較多的是三星 DDR333系列，而其他系列則非常少見。三星256M DDR333內(nèi)

37、存和內(nèi)存顆粒如圖5-10所示。,圖5-10 三星256M DDR333內(nèi)存,6REMOS品牌 REMOS內(nèi)存進入市場的時間不是很長，也屬于韓國品牌。該品牌內(nèi)存進入市場后，其同系列產(chǎn)品的價格遠低于HY內(nèi)存，因此在網(wǎng)吧機和教學用機方面占有了一定份額。REMOS內(nèi)存采用的是自行開發(fā)的REMOS芯片顆粒，質(zhì)量一般。由于進入市場時間較短，因此廠商方面的需求比較少，而個人裝機采用者也不是很多。市場中銷售的DDR266與DDR333系列都有，相對于HY品牌其內(nèi)存價格要便宜得多。REMOS 256M DDR內(nèi)存如圖5-11所示。,圖5-11 REMOS 256M DDR內(nèi)存,7Apacer(宇瞻)品牌 宇瞻內(nèi)

38、存質(zhì)量不錯，價格上僅比HY高少許，其盒裝產(chǎn)品也享受終身質(zhì)保。宇瞻內(nèi)存多采用Acer顆粒，DDR333系列也有采用南亞芯片的。其產(chǎn)品包括DDR266、DDR333和DDR400系列。 宇瞻內(nèi)存和內(nèi)存顆粒如圖5-12所示，終身質(zhì)保的盒包宇瞻內(nèi)存如圖5-13所示。,圖5-12 宇瞻DDR內(nèi)存,圖5-13 終身質(zhì)保的盒包宇瞻內(nèi)存,8Tracscend(創(chuàng)見)品牌 創(chuàng)見內(nèi)存進入市場較晚，其價格又過于偏高，與Kingston的價格接近，而知名度又與后者相差較遠，因此銷量不大。創(chuàng)見內(nèi)存采用的顆粒品牌較多，在三星市場中銷售范圍也僅限D(zhuǎn)DR266和DDR333系列，雖然市場中有較充足的貨源，但需求卻很小。 創(chuàng)見

39、256M DDR266內(nèi)存如圖5-14所示，創(chuàng)見256M DDR333內(nèi)存如圖5-15所示。,圖5-14 創(chuàng)見256M DDR266內(nèi)存,圖5-15 創(chuàng)見256M DDR333內(nèi)存,9富豪品牌 富豪公司本來是HY內(nèi)存的總代理，近年來他們也開始獨立采用DRAM芯片通過生產(chǎn)線自行封裝，其芯片多采用HY與三星顆粒，質(zhì)量和售后都有保障，價格與HY品牌旗鼓相當，其盒包產(chǎn)品亦屬終身質(zhì)保產(chǎn)品。 富豪 256M DDR333內(nèi)存如圖5-16所示，它采用三星顆粒。富豪 256M DDR333終身質(zhì)保盒裝內(nèi)存如圖5-17所示。,圖5-16 富豪 256M DDR333內(nèi)存,圖5-17 富豪256M DDR333終

40、身 質(zhì)保盒裝內(nèi)存,富豪256M DDR266內(nèi)存如圖5-18所示，它采用現(xiàn)代顆粒。富豪 256M DDR266終身質(zhì)保盒裝內(nèi)存如圖5-19所示。,圖5-18 富豪256M DDR266內(nèi)存,圖5-19 富豪256M DDR266終身質(zhì)保盒裝內(nèi)存正面和背面,5.3.4 DDR內(nèi)存選購及超頻 當今世界科技發(fā)展速度越來越快，讓人應接不暇。當我們聽說已經(jīng)出現(xiàn)了速度最快的內(nèi)存或處理器時，就不禁想擁有其中一款。但要購買一款DDR內(nèi)存，有許多方面需要格外留意。 如今市面上有各種類型速度不同的DDR內(nèi)存，最常見的內(nèi)存類型規(guī)格如下： PC2100-DDR266 MHz(1332) PC2700-DDR333 M

41、Hz(1662) PC3000-DDR366 MHz(1832) PC3200-DDR400 MHz(2002) PC3500-DDR433 MHz(2162),生產(chǎn)內(nèi)存模塊的廠商也有不少，這些廠商用一些數(shù)值來標稱內(nèi)存產(chǎn)品的速率。速率代表其產(chǎn)品可以運作的工作頻率，盡管也有其他因素制約著內(nèi)存速率。例如，你使用的是一款DDR333的主板，這就是說你的主板明確支持DDR333或PC2700內(nèi)存規(guī)范。想讓內(nèi)存運行在PC2700以上速率，就只有超頻內(nèi)存了。如果你購買一條PC3500規(guī)格的內(nèi)存，也不能讓系統(tǒng)內(nèi)存運行在433 MHz(DDR)下，因為主板只支持PC2700規(guī)格。我們只有超頻系統(tǒng)才能達到更高的

42、頻率。想要超頻內(nèi)存，首先得提高系統(tǒng)的外頻，讓AGP/PCI插槽、CPU和DIMM插槽的運行頻率也提高。要知道超頻得冒著損壞計算機部件的風險，也可能導致系統(tǒng)的穩(wěn)定性和狀態(tài)不佳。所以說內(nèi)存直接影響著整個系統(tǒng)的狀態(tài)。,因此，首先要考慮的是購買何種主板，主板直接限制了內(nèi)存的工作速率，這是購買DDR內(nèi)存之前首先要考慮的事情。我們要注意主板能超頻的最高頻率有多少，它的BIOS是否有超頻內(nèi)存的相關選項，這一點很關鍵，而且直接決定了應該購買的內(nèi)存類型。 1基于AMD系統(tǒng)的DDR內(nèi)存的選擇 對于AMD系統(tǒng)的DDR內(nèi)存的選購是非常講究的。目前市面上有不少基于AMD的主板可以運行DDR400的速率，其中大部分都支持

43、333 MHz外頻，但各主板之間的超頻性能參差不齊。AMD平臺的優(yōu)點在于可以破除處理器的倍頻(倍頻外頻=處理器頻率)，例如10倍頻的處理器外頻為133 MHz，那它的頻率就是1330 MHz(13310)或是1.33 GHz。,提升外頻可以超頻內(nèi)存，CPU的頻率同樣也得到提高。如果CPU品質(zhì)較好，則有助于超頻；如果它超不上去也就可能限制內(nèi)存的超頻。所以說破解并降低處理器的倍頻，就可以把系統(tǒng)外頻超得盡可能高。 如果有塊好的主板，在處理器頻率計算示例里，可以將倍頻設為6.5后，讓處理器頻率同樣為1.3GHz(2006.5)，這樣破解并降低處理器的倍頻可以不超頻處理器，只是最大限度地提高系統(tǒng)的外頻，

44、自然也提高了內(nèi)存的工作頻率，比如將內(nèi)存運行在400MHz(2002)下。,注意，如此高的外頻會使PCI/AGP頻率超出正常值，這樣可能導致系統(tǒng)不穩(wěn)定、顯示失真或者硬盤故障。所幸的是大部分DDR333主板都提供了1/5分頻，能讓AGP/PCI頻率在系統(tǒng)總線超頻后依然處在正常水平下。 通常，DDR333主板在133 MHz外頻運作時，AGP/PCI 頻率為66/33，PCI 使用了1/4分頻；系統(tǒng)外頻在166 MHz時，我們可以選擇1/5分頻讓AGP/PCI頻率符合規(guī)范，但系統(tǒng)外頻在166 MHz以上時就會導致PCI頻率無法分頻合乎規(guī)范了。所以內(nèi)存頻率超出PC2700以上時就會出現(xiàn)AGP/PCI頻

45、率問題，這樣顯卡、硬盤、聲卡都可能出現(xiàn)問題。,2基于Intel系統(tǒng)的DDR內(nèi)存的選擇 為Intel平臺挑選內(nèi)存并不比AMD容易，但在Intel平臺上更容易對內(nèi)存進行超頻。與AMD系統(tǒng)不同，Pentium 4處理器的倍頻是不可改變的，只有通過提高外頻來對內(nèi)存超頻。我們可以在Intel平臺上把AGP/PCI頻率鎖定在66/33，這樣就不必擔心顯卡、聲卡、硬盤工作在非標準頻率下，但內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)對于Intel平臺來說是同樣重要的。,如果不能破解處理器倍頻，那該怎么提高內(nèi)存頻率呢？要知道Northwood 核心的Pentium 4處理器一直擁有良好的超頻能力，它們在普通空氣制冷下就可以達到很高的外頻。例

46、如，用一塊Abit IT7主板，再使用一塊P4 1.6A，在普通風冷散熱的條件下就能讓系統(tǒng)外頻達到160 MHz，這樣處理器的頻率就達到了2.56 GHz。Abit IT7主板使用了3:4分頻(內(nèi)存:外頻)，這樣，內(nèi)存在160 MHz系統(tǒng)外頻下達到了213 MHz2，也就是426 MHz。這對于想使用PC3500內(nèi)存或是追求極限內(nèi)存頻率的用戶來說是個好消息，這樣只要處理好散熱問題就行了。,如果能將系統(tǒng)外頻超到190 MHz，這樣內(nèi)存在3:4分頻下就達到了506 MHz(2532)。也許你想使用PC3500內(nèi)存，但市面上能運行在506 MHz的內(nèi)存條并不多。當內(nèi)存速率為1:1時，內(nèi)存就運行在38

47、0 MHz下，將內(nèi)存速度降低到規(guī)范以下運行。我們可找一款倍頻高的處理器，如倍頻為21的Pentium 4 2.8G處理器，加上良好的散熱將它使用在160 MHz外頻下。 綜上所述，在購買內(nèi)存條時，原則是能讓各計算機部件之間完全發(fā)揮性能的潛力達到完美平衡。所有的AMD和Intel 平臺都可以達到最大平衡點，也就是內(nèi)存帶寬和處理器之間的完美協(xié)調(diào)。,5.4 RDRAM內(nèi)存,5.4.1 Kingston Kingston是一個內(nèi)存市場的多面好手，它的質(zhì)量得到了廣大用戶的絕對肯定，對于要追求既穩(wěn)定又兼容的P4平臺的用戶，Kingston是一個好的選擇。 5.4.2 三星 P4處理器上市之初和RDRAM捆

48、綁銷售的時候，三星是Intel的獨家RDRAM內(nèi)存提供商，也就是說，如果那個時候買P4，所用的RDRAM內(nèi)存一定是三星的。同時，它的價格也要比其他品牌稍微便宜一點，對價格較敏感的用戶可以選擇。,5.4.3 現(xiàn)代 市面上常見到的128 MB現(xiàn)代 RDRAM，采用兩片內(nèi)存芯片，每片芯片容量為64 MB，芯片類型為Rambus RIMM，184線封裝，運行速度為800 MHz。現(xiàn)代 RDRAM在性能和穩(wěn)定性上無可挑剔，只可惜價格有點高。,5.5 內(nèi)存防偽技巧,5.5.1 Kingston內(nèi)存防偽 1雙重防偽 打開產(chǎn)品包裝后，請在內(nèi)存的芯片上找到熒光短信防偽標貼。 第一重：熒光隱形防偽。通過使用紫外燈(驗鈔筆)照射在防偽標上，可看到印制有熒光隱形的圖案，如圖5-26所示。 第二重：短信查詢防偽。揭開防偽標貼標層，可看到底層20位產(chǎn)品保修碼，如圖5-27所示。,圖5-26 熒光隱形防偽,圖5-27 短信查詢防偽,2雙重查詢 第一重：查詢真?zhèn)?。用戶通過手機短信，輸入產(chǎn)品保修數(shù)碼，發(fā)送到12008查詢真?zhèn)巍?第二重：注冊會員。用戶通過手機短信，輸入產(chǎn)品保修數(shù)碼+用戶姓名，發(fā)送到12008申請注冊。,5.5.2 看編號輕松識別內(nèi)存真?zhèn)?內(nèi)存是計算機中不可缺少的部件