模擬電路自測(cè)題2(晶體管及放大電路)_第1頁(yè)
模擬電路自測(cè)題2(晶體管及放大電路)_第2頁(yè)
模擬電路自測(cè)題2(晶體管及放大電路)_第3頁(yè)
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1、.晶體管及放大電路基礎(chǔ)1. 晶體管能夠放大的外部條件是 _C_ 。( A )發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏( B )發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏(C)發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏2. 當(dāng)晶體管工作于飽和狀態(tài)時(shí),其_A_ 。( A )發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏( B )發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏(C)發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏3.測(cè)得晶體管三個(gè)電極的靜態(tài)電流分別為0.06mA , 3.66mA 和 3.6mA 。則該管的為 _。( A) 40( B) 50( C)604. 反向飽和電流越小,晶體管的穩(wěn)定性能_A_ 。( A)越好( B)越差( C)無(wú)變化5. 與鍺晶體管相比,硅晶體管的溫度穩(wěn)定性能_A_ 。( A)高( B)低

2、( C)一樣6.溫度升高,晶體管的電流放大系數(shù)b_A_ 。( A)增大( B)減小( C)不變7. 溫度升高,晶體管的管壓降 |UBE|_B_ 。( A)升高( B)降低( C)不變8. 溫度升高,晶體管輸入特性曲線_B_。( A)右移( B)左移( C)不變9. 溫度升高,晶體管輸出特性曲線_A_ 。( A)上移( B)下移( C)不變10. 溫度升高,晶體管輸出特性曲線間隔_C_ 。( A)不變( B)減?。?C)增大11. 對(duì)于電壓放大器來(lái)說(shuō), _B_ 越小,電路的帶負(fù)載能力越強(qiáng)。( A)輸入電阻( B)輸出電阻( C)電壓放大倍數(shù)12.在單級(jí)共射放大電路中,若輸入電壓為正弦波形,則輸出

3、與輸入電壓的相位_B_ 。( A)同相( B)反相( C)相差 90 度13. 在單級(jí)共射放大電路中,若輸入電壓為正弦波形,而輸出波形則出現(xiàn)了底部被削平的現(xiàn)象,這種失真是 _A_ 失真。( A)飽和( B)截止( C)飽和和截止14. 引起上題放大電路輸出波形失真的主要原因是_C_ 。( A)輸入電阻太?。?B)靜態(tài)工作點(diǎn)偏低( C)靜態(tài)工作點(diǎn)偏高.15. 利用微變等效電路可以計(jì)算晶體管放大電路的_C_ 。( A)輸出功率( B)靜態(tài)工作點(diǎn)( C)交流參數(shù)16. 既能放大電壓,也能放大電流的是_A_ 放大電路。( A)共射極( B)共集電極( C)共基極17. 引起放大電路靜態(tài)工作不穩(wěn)定的主要

4、因素是_C_。( A )晶體管的電流放大系數(shù)太大(B )電源電壓太高(C)晶體管參數(shù)隨環(huán)境溫度的變化而變化18. 在放大電路中,直流負(fù)反饋可以_C_。( A )提高晶體管電流放大倍數(shù)的穩(wěn)定性( B)提高放大電路的放大倍數(shù)( C)穩(wěn)定電路的靜態(tài)工作點(diǎn)19. 可以放大電壓,但不能放大電流的是_C_ 放大電路。( A)共射極( B)共集電極( C)共基極20. 射極輸出器無(wú)放大 _A_ 的能力。( A)電壓( B)電流( C)功率21.在共射、共集和共基三種基本放大電路中,輸出電阻最小的是_B_ 放大電路。( A)共射極( B)共集電極( C)共基極22.某放大電路在負(fù)載開(kāi)路時(shí)的輸出電壓為4V ,接

5、入的負(fù)載后輸出電壓降為3 V ,則此電路的輸出電阻為 _B_。( A) 0.5kW( B) 1kW( C) 2kW23.在多級(jí)放大電路中,即能放大直流信號(hào),又能放大交流信號(hào)的是_C_多級(jí)放大電路。( A)阻容耦合( B)變壓器耦合( C)直接耦合24. 直接耦合式多級(jí)放大電路與阻容耦合式(或變壓器耦合式)多級(jí)放大電路相比,低頻響應(yīng)_A_ 。( A)好( B)差( C)相同25. 在多級(jí)放大電路中,不能抑制零點(diǎn)漂移的_C_多級(jí)放大電路。( A)阻容耦合( B)變壓器耦合( C)直接耦合26.由于放大電路對(duì)非正弦輸入信號(hào)中不同頻率分量有不同的放大能力和相移,因此會(huì)引起放大電路的輸出信號(hào)產(chǎn)生失真。這種失真

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