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文檔簡介

班級(jí) 姓名 學(xué)號(hào) 核磁共振波譜作業(yè)參考答案核磁譜圖分析有點(diǎn)混亂,請(qǐng)參考譜圖分析第8題。一、判斷題1核磁共振波譜法與紅外吸收光譜法一樣,都是基于吸收電磁輻射的分析法。()2質(zhì)量數(shù)為奇數(shù),荷電荷數(shù)為偶數(shù)的原子核,其自旋量子數(shù)為零。()3自旋量子數(shù)I=2的原子核在靜磁場中,相對(duì)于外磁場,可能有兩種取向。()4核磁共振波譜儀的磁場越強(qiáng),其分辨率越高。()5在核磁共振波譜中,偶合質(zhì)子的譜線裂分?jǐn)?shù)目取決于鄰近氫核的個(gè)數(shù)。()6化合物CH3CH2OCH(CH3)2的1H-NMR中,各質(zhì)子信號(hào)的強(qiáng)度比為9:2:1。()7核磁共振波譜中出現(xiàn)的多重峰是由于鄰近核的核自旋相互作用。()8苯環(huán)和雙鍵氫質(zhì)子的共振頻率出現(xiàn)在低場是由于電子的磁各向異性效應(yīng)。()9碳譜的相對(duì)化學(xué)位移范圍較寬(0200),所以碳譜的靈敏度高于氫譜。()10氫鍵對(duì)質(zhì)子的化學(xué)位移影響較大,所以活潑氫的化學(xué)位移在一定范圍內(nèi)變化。()二、選擇題1在、原子中沒有核磁共振信號(hào)的是(B)A;B;C;D2核磁共振的弛豫過程是(D)A自旋核加熱過程;B自旋核由低能態(tài)向高能態(tài)的躍遷過程;C自旋核由高能態(tài)返回低能態(tài),多余能量以電磁輻射形式發(fā)射出去;D高能態(tài)自旋核將多余的能量以無輻射途徑釋放而返回低能態(tài)。3用頻率表示的化學(xué)位移值與外加磁場強(qiáng)度的關(guān)系是(B)A無關(guān);B成比例;C不成比例4偶合常數(shù)2JHH值,與外加磁場強(qiáng)度的關(guān)系是(A)A無關(guān);B成比例;C不成比例5化學(xué)全同質(zhì)子(B)A一定屬磁全同;B不一定屬磁全同;C視情況而定6磁全同質(zhì)子(A)A一定屬化學(xué)全同;B不一定屬化學(xué)全同;C視情況而定7TMS的=0,從化合物的結(jié)構(gòu)出發(fā),它的正確含義是(B)A不產(chǎn)生化學(xué)位移;B化學(xué)位移最大;C化學(xué)位移最小8在外加磁場中,H2C=CH2乙烯分子中四個(gè)質(zhì)子位于(B)A屏蔽區(qū);B去屏蔽區(qū);C屏蔽區(qū)和去屏蔽區(qū)9在外加磁場中HC=CH乙炔分子的兩個(gè)質(zhì)子位于(A)A屏蔽區(qū);B去屏蔽區(qū);C屏蔽區(qū)和去屏蔽區(qū)10在外加磁場中醛基質(zhì)子位于(C)A屏蔽區(qū)并受氧原子的電負(fù)性影響;B受氧原子的電負(fù)性影響;C去屏蔽區(qū)并受氧原子的電負(fù)性影響11在外加磁場中,苯環(huán)上的質(zhì)子都位于(B)A屏蔽區(qū);B去屏蔽區(qū);C屏蔽區(qū)和去屏蔽區(qū)12取決于原子核外電子屏蔽效應(yīng)大小的參數(shù)是(A)A相對(duì)化學(xué)位移;B偶合常數(shù);C積分曲線;D譜峰強(qiáng)度13下列化合物的1HNMR譜,各組峰全是單峰的是(C)ACH3OOCCH2CH3;B(CH3)2CHOCH(CH3)2;CCH3OOCCH2COOCH3;DCH3CH2OOCCH2CH2COOCH2CH313影響化學(xué)位移的因素有(D)A誘導(dǎo)效應(yīng)、共軛效應(yīng)、轉(zhuǎn)動(dòng)效應(yīng);B各向異性效應(yīng)、氫鍵效應(yīng)、振動(dòng)效應(yīng);C各向異性效應(yīng)、振動(dòng)效應(yīng)、轉(zhuǎn)動(dòng)效應(yīng);D誘導(dǎo)效應(yīng)、共軛效應(yīng)、各向異性效應(yīng)、氫鍵效應(yīng)。14在核磁共振波譜分析中,當(dāng)質(zhì)子核外的電子云密度增加時(shí)(C)A屏蔽效應(yīng)增強(qiáng),相對(duì)化學(xué)位移大,峰在高場出現(xiàn);B屏蔽效應(yīng)減弱,相對(duì)化學(xué)位移大,峰在高場出現(xiàn);C屏蔽效應(yīng)增強(qiáng),相對(duì)化學(xué)位移小,峰在高場出現(xiàn); D屏蔽效應(yīng)增強(qiáng),相對(duì)化學(xué)位移大,峰在低場出現(xiàn)。15下列參數(shù)可以確定分子中基團(tuán)的連接關(guān)系的是(B)A相對(duì)化學(xué)位移;B裂分峰數(shù)及偶合常數(shù);C積分曲線;D譜峰強(qiáng)度16乙烯質(zhì)子的相對(duì)化學(xué)位移比乙炔質(zhì)子的相對(duì)化學(xué)位移值大還是小及其原因以下說法正確的是(B)A大,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū);B大,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū);C小,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在屏蔽區(qū); D小,因?yàn)榇诺母飨虍愋孕?yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙炔質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)。三、譜圖分析1某化合物C9H10O2,根據(jù)如下IR和1H NMR譜圖推斷其結(jié)構(gòu),并說明依據(jù)。2某化合物C6H10O3,根據(jù)如下IR和1H-NMR譜圖確定結(jié)構(gòu),并說明依據(jù)。3化合物C9H12O,根據(jù)如下IR和1H-NMR譜圖確定結(jié)構(gòu),并說明依據(jù)。4化合物C4H10O,根據(jù)如下IR和1H NMR譜圖推斷其結(jié)構(gòu),并說明依據(jù)。5某化合物C5H7O2N,根據(jù)如下IR和1H NMR譜圖推斷其結(jié)構(gòu),并說明依據(jù)。6某化合物C7H9N,根據(jù)如下IR和1H NMR譜圖推斷其結(jié)構(gòu),并說明依據(jù)。7某化合物C4H8O2,根據(jù)如下IR和1H NMR譜圖推斷其結(jié)構(gòu),并說明依據(jù)。8某化合物C5H10O2,根據(jù)如下IR和1H NMR譜圖推斷其結(jié)構(gòu),并說明依據(jù)。答案:不飽和度=1,可能有一個(gè)雙鍵 1分核磁共振:6H (CH3)2CH 1分3H CH3C=O 1分1H (CH3)2CHO 1分紅外光譜:2984cm-1 甲基上的C-H伸縮振動(dòng)吸收峰 1分1738cm-1

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