1、微電子器件原理知識(shí)點(diǎn)小結(jié)重要知識(shí)點(diǎn)PN結(jié)：半導(dǎo)體的一個(gè)區(qū)均勻摻雜了受主雜質(zhì)，而相鄰的區(qū)域均勻摻雜了施主雜質(zhì)，這種PN結(jié)稱為同質(zhì)結(jié)。在冶金結(jié)兩邊的p區(qū)與n區(qū)內(nèi)分別形成了空間電荷區(qū)或耗盡區(qū)，該區(qū)內(nèi)不存在任何可以移動(dòng)的電子或空穴。由于耗盡區(qū)內(nèi)存在凈空間電荷密度，耗盡區(qū)內(nèi)有一個(gè)電場(chǎng)，電場(chǎng)方向由n區(qū)指向p區(qū)。空間電荷區(qū)內(nèi)部存在電勢(shì)差，在零偏壓的條件下，該電勢(shì)差即內(nèi)建電勢(shì)差維持熱平衡狀態(tài)，并且在阻止n區(qū)內(nèi)多子電子向p區(qū)擴(kuò)散的同時(shí)，阻止p區(qū)內(nèi)多子空穴向n區(qū)擴(kuò)散。PN結(jié)的反偏電壓增加了勢(shì)壘的高度，增加了空間電荷區(qū)的寬度，并且增強(qiáng)了電場(chǎng)。理想PN結(jié)的電流-電壓推導(dǎo)的4個(gè)假設(shè)基礎(chǔ)：耗盡層突變近似；載流子的統(tǒng)計(jì)分布

2、采用麥克斯韋-玻爾茲曼近似；小注入假設(shè)； PN結(jié)內(nèi)的電流值處處相等；PN結(jié)內(nèi)的電子電流與空穴電流分別為連續(xù)函數(shù)；耗盡區(qū)內(nèi)的電子電流與空穴電流為恒定值。PN結(jié)二極管：當(dāng)pn結(jié)外加正偏電壓時(shí)（p區(qū)相對(duì)于n區(qū)為正），pn結(jié)內(nèi)部的勢(shì)壘就會(huì)降低，于是p區(qū)空穴與n區(qū)電子就會(huì)穿過空間電荷區(qū)流向相應(yīng)的區(qū)域。注入到n區(qū)內(nèi)的空穴與注入到p區(qū)內(nèi)的電子成為相應(yīng)區(qū)域內(nèi)的過剩少子。過剩少子的行為由雙極輸運(yùn)方程描述。由于少子濃度梯度的存在，pn結(jié)內(nèi)存在少子擴(kuò)散電流。反偏pn結(jié)的空間電荷區(qū)內(nèi)產(chǎn)生了過剩載流子。在電場(chǎng)作用下，這些載流子被掃出了空間電荷區(qū)，形成反偏產(chǎn)生電流。產(chǎn)生電流是二極管反偏電流的一個(gè)組成部分。pn結(jié)正偏時(shí)，穿

3、過空間電荷區(qū)的過剩載流子可能發(fā)生復(fù)合，產(chǎn)生正偏復(fù)合電流。復(fù)合電流是pn結(jié)正偏電流的另一個(gè)組成部分。當(dāng)pn結(jié)的外加反偏電壓足夠大時(shí)，就會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。此時(shí)，pn結(jié)體內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)較大的反偏電流。擊穿電壓為pn結(jié)摻雜濃度的函數(shù)。在單邊pn結(jié)中，擊穿電壓時(shí)低摻雜一側(cè)摻雜濃度的函數(shù)。當(dāng)pn結(jié)由正偏狀態(tài)轉(zhuǎn)換到反偏狀態(tài)時(shí)，pn結(jié)內(nèi)存儲(chǔ)的過剩少數(shù)載流子會(huì)被移走，即電容放電。放電時(shí)間稱為存儲(chǔ)時(shí)間，它是二極管開關(guān)速度的一個(gè)限制因素。將熱平衡狀態(tài)下P區(qū)內(nèi)少子電子的濃度與N區(qū)內(nèi)多子電子的濃度聯(lián)系在了一起。少子濃度隨著從空間電荷區(qū)邊緣向中性區(qū)內(nèi)延伸的距離的增大而指數(shù)衰減，并逐漸趨向其熱平衡值。遠(yuǎn)離結(jié)區(qū)域的P區(qū)多子空穴漂移

4、電流既提供了穿過空間電荷區(qū)向N區(qū)注入的空穴，又提供了因與過剩少子電子復(fù)合而損失的空穴。隨著外加電壓的變化，Q不斷被交替地充電與放電，少子電荷存儲(chǔ)量的變化與電壓變化量的比值，即為擴(kuò)散電容。金屬半導(dǎo)體和半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：輕摻雜半導(dǎo)體上的金屬可以與半導(dǎo)體形成整流接觸，這種接觸稱為肖特基勢(shì)壘二極管。金屬與半導(dǎo)體間的理想勢(shì)壘高度會(huì)因金屬功函數(shù)和半導(dǎo)體電子親合能的不同而不同。當(dāng)在n型半導(dǎo)體與金屬之間加一個(gè)正電壓時(shí)（即反偏），半導(dǎo)體與金屬之間的勢(shì)壘增加，因此基本上沒有載流子的流動(dòng)。當(dāng)在金屬與n型半導(dǎo)體之間加一個(gè)正電壓時(shí)（即正偏），半導(dǎo)體與金屬之間的勢(shì)壘降低，因此電子很容易從半導(dǎo)體流向金屬，這種現(xiàn)象稱為熱電子發(fā)射

5、。肖特基勢(shì)壘二極管的理想I-V關(guān)系與pn結(jié)二極管的相同。然而，電流值的數(shù)量級(jí)與pn結(jié)二極管的不同，肖特基二極管的開關(guān)速度要更快一些。另外，肖特基二極管的反向飽和電流比pn結(jié)的大，所以達(dá)到與pn結(jié)二極管一樣的電流時(shí)，肖特基二極管需要的正偏電壓要低。兩種不同能帯隙的半導(dǎo)體材料可以形成半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)。異質(zhì)結(jié)一個(gè)有用的特性就是能在表面形成勢(shì)阱。在與表面垂直的方向上，電子的活動(dòng)會(huì)受到勢(shì)阱的限制，但電子在其他兩個(gè)方向上可以自由地流動(dòng)。對(duì)于均勻摻雜的半導(dǎo)體來(lái)說，場(chǎng)強(qiáng)是距離的線性函數(shù)，在金屬與半導(dǎo)體接觸處，場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到最大值。由于金屬中場(chǎng)強(qiáng)為零，所以在金屬-半導(dǎo)體結(jié)的金屬區(qū)中一定存在表面負(fù)電荷。任何半導(dǎo)體器件或是集

6、成電路都要與外界接觸，這種接觸通過歐姆接觸實(shí)現(xiàn)。歐姆接觸即金屬與半導(dǎo)體接觸，這種接觸不是整流接觸。半導(dǎo)體材料在整個(gè)結(jié)構(gòu)中都是相同的，稱為同質(zhì)結(jié)。兩種不同的半導(dǎo)體材料組成一個(gè)結(jié)，稱為異質(zhì)結(jié)。雙極晶體管：當(dāng)晶體管工作在正向有源區(qū)時(shí)，晶體管一端的電流（集電極電流）受另外兩個(gè)端點(diǎn)所施加的電壓（B-E結(jié)電壓）的控制。這就是其基本的工作原理。共基極電流增益是三個(gè)因子的函數(shù)發(fā)射極注入效率系數(shù)、基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)和復(fù)合系數(shù)。發(fā)射極注入效率考慮了從基區(qū)注入到發(fā)射區(qū)的載流子，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)反映了載流子在基區(qū)中的復(fù)合，復(fù)合系數(shù)反映了載流子在正偏發(fā)射結(jié)內(nèi)部的復(fù)合。雙極晶體管需要考慮的六個(gè)非理想效應(yīng)：（1）基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，或

7、者說是厄爾利效應(yīng)中性基區(qū)寬度隨B-C結(jié)電壓變化而發(fā)生變化，于是集電極電流隨B-C結(jié)或C-E結(jié)電壓變化而變化。（2）大注入效應(yīng)使得集電極電流C-E結(jié)電壓增加而以低速率增加。（3）發(fā)射區(qū)禁帶變窄效應(yīng)使得發(fā)射區(qū)摻雜濃度非常高時(shí)發(fā)射效率變小。（4）電流集邊效應(yīng)使得發(fā)射極邊界的電流密度大于中心位置的電流密度。（5）基區(qū)非均勻摻雜在基區(qū)中感生出靜電場(chǎng)，有助于少子渡越基區(qū)。（6）兩種擊穿機(jī)理穿通和雪崩擊穿。晶體管的三種等效電路或數(shù)學(xué)模型。E-M模型和等效電路對(duì)于晶體管的所有工作模式均適用?；鶇^(qū)為非均勻摻雜時(shí)，應(yīng)用G-P模型很方便。小信號(hào)H-P模型應(yīng)用于線性放大電路中的正向有源晶體管。晶體管的截止頻率是表征晶

8、體管品質(zhì)的一個(gè)重要參數(shù)，它是共發(fā)射極電流增益的幅值變?yōu)?時(shí)的頻率。頻率響應(yīng)是E-B結(jié)電容充電時(shí)間、基區(qū)渡越時(shí)間、集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間和集電結(jié)電容充電時(shí)間的函數(shù)。雙極晶體管不是對(duì)稱的器件，晶體管有兩個(gè) N型慘雜區(qū)或是兩個(gè)P型慘雜區(qū)，發(fā)射區(qū)和集電區(qū)的摻雜濃度是不一樣的，而且這些區(qū)域的集合形狀可能有很大的不同。雙極晶體管中的電流由少子的擴(kuò)散決定，我們必須確定在穩(wěn)態(tài)下晶體管的三個(gè)區(qū)中少子的梯度分布。雙極晶體管的工作原理是用B-E結(jié)電壓控制集電極電流，集電極電流是從發(fā)射區(qū)躍過B-E結(jié)注入到基區(qū)，最后到達(dá)集電區(qū)的多子數(shù)量的函數(shù)。理想效應(yīng)晶體管的條件：均勻摻雜；小注入；發(fā)射區(qū)和基區(qū)寬度恒定；禁帶寬度為定值；

9、電流密度為均勻值；所有的結(jié)都在非擊穿區(qū)。造成雙極晶體管實(shí)際結(jié)構(gòu)復(fù)雜的原因：各端點(diǎn)引線要做在表面上，為了降低半導(dǎo)體的電阻，必須有重?fù)诫s的N+型掩埋層；由于在一片半導(dǎo)體材料上要制造很多雙極晶體管，晶體管彼此之間必須隔離起來(lái)，因?yàn)椴⒉皇撬械募姌O都在同一個(gè)電位上。雙極擴(kuò)散（雙極輸運(yùn)）是帶負(fù)電的電子和帶正電的空穴以同一個(gè)遷移率或擴(kuò)散系數(shù)一起漂移或擴(kuò)散。雙極輸運(yùn)過程的電中性條件為過剩少子的濃度等于過剩多數(shù)載流子的濃度。晶體管截止與飽和相互轉(zhuǎn)換過程的4個(gè)時(shí)間段：延遲時(shí)間；上升時(shí)間；存儲(chǔ)時(shí)間；下降時(shí)間。低頻共基極電流增益中三個(gè)因子考慮的影響：發(fā)射極注入效率系數(shù)考慮了發(fā)射區(qū)中的少子空穴擴(kuò)散電流對(duì)電流增益的影

10、響；基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)考慮了基區(qū)中過剩少子電子的復(fù)合的影響；復(fù)合系數(shù)考慮了正偏B-E結(jié)中的復(fù)合的影響。金屬_氧化物_半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管：MOSFET的核心為MOS電容器。與氧化層-半導(dǎo)體界面相鄰的半導(dǎo)體能帶是彎曲的，它由加在MOS電容器上的電壓決定。表面處導(dǎo)帶和價(jià)帶相對(duì)于費(fèi)米能級(jí)的位置是MOS電容器電壓的函數(shù)。氧化層-半導(dǎo)體界面處的半導(dǎo)體表面可通過施加正偏柵壓由p型到n型發(fā)生反型，或者通過施加負(fù)偏柵壓由n型到p型發(fā)生反型。因此，在與氧化層相鄰處產(chǎn)生了反型層流動(dòng)電荷?；綧OS場(chǎng)效應(yīng)原理是由反型層電荷密度的調(diào)制作用體現(xiàn)的。 兩類基本的MOSFET為n溝和p溝，n溝中的電流由反型層電子的流動(dòng)形成，p溝中

11、的電流由反型層空穴的流動(dòng)形成。這兩類器件都可以是增強(qiáng)型的，通常情況下器件是“關(guān)”的，需施加一個(gè)柵壓才能使器件開啟；也可以是耗盡型的，此時(shí)在通常情況下器件是“開”的，需施加一個(gè)柵壓才能使器件關(guān)閉。平帶電壓是滿足平帶條件時(shí)所加的柵壓，這時(shí)導(dǎo)帶和價(jià)帶不發(fā)生彎曲，并且半導(dǎo)體中沒有空間電荷區(qū)。平帶電壓是金屬-氧化層勢(shì)壘高度、半導(dǎo)體-氧化層勢(shì)壘高度以及固定氧化層陷阱電荷數(shù)量的函數(shù)。閾值電壓是指半導(dǎo)體表面達(dá)到閾值反型點(diǎn)所加的柵壓，此時(shí)反型層電荷密度的大小等于半導(dǎo)體摻雜濃度。閾值電壓是平帶電壓、半導(dǎo)體摻雜濃度和氧化層厚度的函數(shù)。當(dāng)晶體管偏置在非飽和區(qū)（VDSVDS(sat)）時(shí)，反型電荷密度在漏端附近被夾斷，

12、此時(shí)理想漏電流僅是柵源電壓的函數(shù)。亞閾值電導(dǎo)是指在MOSFET中當(dāng)柵-源電壓小于閾值電壓時(shí)漏電流不為零。這種情況下，晶體管被偏置在弱反型模式下，漏電流由擴(kuò)散機(jī)制而非漂移機(jī)制控制。亞閾值電導(dǎo)可以在集成電路中產(chǎn)生一個(gè)較明顯的靜態(tài)偏置電流。當(dāng)MOSFET工作于飽和區(qū)時(shí)，由于漏極處的耗盡區(qū)進(jìn)入了溝道區(qū)，有效溝道長(zhǎng)度會(huì)隨著漏電壓的增大而減小。漏電流與溝道長(zhǎng)度成反比，成為漏-源電壓的函數(shù)。該效應(yīng)稱為溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。反型層中的載流子遷移率不是常數(shù)。當(dāng)柵壓增大時(shí)，氧化層界面處的電場(chǎng)增大，引起附加的表面散射。這些散射的載流子導(dǎo)致遷移率的下降，使其偏離理想的電流-電壓曲線?；綧OS晶體管的工作機(jī)理為柵壓對(duì)溝道

13、電導(dǎo)的調(diào)制作用，而溝道電導(dǎo)決定漏電流。跨導(dǎo)是器件結(jié)構(gòu)、載流子遷移率和閾值電壓的函數(shù)。隨著器件溝道寬度的增加、溝道長(zhǎng)度的減小伙氧化層厚度的減小，跨導(dǎo)都會(huì)增大。p溝MOSFET的等效電路與n溝器件的完全相同，只是所有電壓的極性和電流的方向都與n溝器件相反。P溝模型中的各個(gè)電容、電阻和n溝中的也相同。離子注入已經(jīng)成為控制閾值電壓的常用方法，n阱和p阱均可被優(yōu)化地?fù)诫s，從而控制每個(gè)晶體管的閾值電壓和跨導(dǎo)。有效遷移率是穿過反型層電荷密度的柵壓的函數(shù)。隨著柵壓的增大，載流子遷移率將變小。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管：JFET中的電路由垂直于直流方向的電場(chǎng)控制，電流存在于源極和漏極接觸之間的溝道區(qū)中。在pn JFET中

14、，溝道形成了pn結(jié)的一邊，用于調(diào)制溝道電導(dǎo)。JFET的兩個(gè)主要參數(shù)是內(nèi)建夾斷電壓Vp0和夾斷電壓Vp（閾電壓）。內(nèi)建夾斷電壓定義為正值，它是引起結(jié)的空間電荷層完全填滿溝道區(qū)的柵級(jí)與溝道之間的總電勢(shì)。夾斷電壓（閾電壓）定義成形成夾斷時(shí)所需加的柵極電壓。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，溝道電流受與溝道相垂直的電場(chǎng)所引起的溝道電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)影響，該電場(chǎng)由反偏pn結(jié)或肖特基壘結(jié)的空間電荷區(qū)產(chǎn)生，調(diào)制電場(chǎng)是柵電壓的函數(shù)。夾斷電壓（閾電壓）是使JFET夾斷時(shí)的柵電壓，所以一定存在一個(gè)滿足電路設(shè)計(jì)要求的范圍。夾斷電壓的數(shù)值一定低于結(jié)的擊穿電壓。增強(qiáng)型JFET的設(shè)計(jì)通過薄的溝道厚度和低溝道摻雜濃度實(shí)現(xiàn)。通過對(duì)溝道厚度和溝道

15、摻雜濃度的精確控制，可以獲得零點(diǎn)幾伏的內(nèi)建夾斷電壓，這正是制造增強(qiáng)型MESFET的難點(diǎn)。光器件：光電探測(cè)器是將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。光電導(dǎo)體是最簡(jiǎn)單的光電探測(cè)器。入射光子會(huì)引起過剩載流子電子和空穴，從而引起半導(dǎo)體導(dǎo)電性的變化，這是這種器件的基本原理。光電二極管是加反偏電壓的二極管。入射光子在空間電荷區(qū)產(chǎn)生的過剩載流子被電場(chǎng)掃過形成電流。光電流正比于入射光子強(qiáng)度。PIN和雪崩光電二極管是基本的光電二極管。光電晶體管產(chǎn)生的光電流是晶體管增益的倍數(shù)。由于密勒效應(yīng)和密勒電容，光電晶體管的頻率響應(yīng)比光電二極管的慢很多。在pn結(jié)中光子吸收的反轉(zhuǎn)就是注入電致發(fā)光。在直接帶隙半導(dǎo)體中，過剩電子和空穴

16、的復(fù)合會(huì)導(dǎo)致光子的發(fā)射。輸出的光信號(hào)波長(zhǎng)取決于禁帶寬度。發(fā)光二極管（LED）是一種pn結(jié)二極管，其光子的輸出是過剩電子和空穴自發(fā)復(fù)合的結(jié)果。重要術(shù)語(yǔ)解釋PN結(jié)：（1）突變結(jié)近似：認(rèn)為從中性半導(dǎo)體區(qū)到空間電荷區(qū)的空間電荷密度有一個(gè)突然的不連續(xù)。（2）內(nèi)建電勢(shì)差：熱平衡狀態(tài)下pn結(jié)內(nèi)p區(qū)與n區(qū)的靜電電勢(shì)差。（3）耗盡區(qū)電容：勢(shì)壘電容的另一種表達(dá)。（4）耗盡區(qū)：空間電荷區(qū)的另一種表達(dá)。（5）超突變結(jié)：一種為了實(shí)現(xiàn)特殊電容-電壓特性而進(jìn)行冶金結(jié)處高摻雜的pn結(jié)，其特點(diǎn)為pn結(jié)一側(cè)的摻雜濃度由冶金結(jié)處開始下降。（6）勢(shì)壘電容（結(jié)電容）：方向偏置下pn結(jié)的電容。（7）線性緩變結(jié)：冶金結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度可以由

17、線性分布近似的pn結(jié)。（8）冶金結(jié)：pn結(jié)內(nèi)p型摻雜與n型摻雜的分界面。（9）單邊突變結(jié)：冶金結(jié)一側(cè)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于另一側(cè)的摻雜濃度的pn結(jié)。（10）反偏：pn結(jié)的n區(qū)相對(duì)于p區(qū)加正電壓，從而使p區(qū)與n區(qū)之間勢(shì)壘的大小超過熱平衡狀態(tài)時(shí)勢(shì)壘的大小。（11）空間電荷區(qū)：冶金結(jié)兩側(cè)由于n區(qū)內(nèi)施主電離和p區(qū)內(nèi)受主電離而形成的帶凈正電與負(fù)電的區(qū)域。（12）空間電荷區(qū)寬度：空間電荷區(qū)延伸到p區(qū)與n區(qū)內(nèi)的距離，它是摻雜濃度與外加電壓的區(qū)域。（13）變?nèi)荻O管：電容隨著外加電壓的改變而改變的二極管。PN結(jié)二極管：（1）雪崩擊穿：電子和（或）空穴穿越空間電荷區(qū)時(shí)，與空間電荷區(qū)內(nèi)原子的電子發(fā)生碰撞產(chǎn)生電子-空穴對(duì)

18、，在pn結(jié)內(nèi)形成一股很大的反偏電流，這個(gè)過程就稱為雪崩擊穿。（2）載流子注入：外加偏壓時(shí)，pn結(jié)體內(nèi)載流子穿過空間電荷區(qū)進(jìn)入p區(qū)或n區(qū)的過程。（3）臨界電場(chǎng)：發(fā)生擊穿時(shí)pn結(jié)空間電荷區(qū)的最大電場(chǎng)強(qiáng)度。（4）擴(kuò)散電容：正偏pn結(jié)內(nèi)由于少子的存儲(chǔ)效應(yīng)而形成的電容。（5）擴(kuò)散電導(dǎo)：正偏pn結(jié)的低頻小信號(hào)正弦電流與電壓的比值。（6）擴(kuò)散電阻：擴(kuò)散電導(dǎo)的倒數(shù)。（7）正偏：p區(qū)相對(duì)于n區(qū)加正電壓。此時(shí)結(jié)兩側(cè)的電勢(shì)差要低于熱平衡時(shí)的值。（8）產(chǎn)生電流：pn結(jié)空間電荷區(qū)內(nèi)由于電子-空穴對(duì)熱產(chǎn)生效應(yīng)形成的反偏電流。（9）長(zhǎng)二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)的長(zhǎng)度大于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的二極管。（10）復(fù)合電流：穿越空間電荷區(qū)時(shí)

19、發(fā)生復(fù)合的電子與空穴所產(chǎn)生的正偏pn結(jié)電流。（11）反向飽和電流：pn結(jié)體內(nèi)的理想反向電流。（12）短二極管：電中性p區(qū)與n區(qū)中至少有一個(gè)區(qū)的長(zhǎng)度小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度的pn結(jié)二極管。（13）存儲(chǔ)時(shí)間：當(dāng)pn結(jié)二極管由正偏變?yōu)榉雌珪r(shí)，空間電荷區(qū)邊緣的過剩少子濃度由穩(wěn)態(tài)值變成零所用的時(shí)間。金屬半導(dǎo)體和半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：（1）反型異質(zhì)結(jié)：摻雜劑在冶金結(jié)處變化的異質(zhì)結(jié)。（2）電子親合規(guī)則：這個(gè)規(guī)則是指，在一個(gè)理想的異質(zhì)結(jié)中，導(dǎo)帶處的不連續(xù)性是由于兩種半導(dǎo)體材料的電子親合能不同引起的。（3）異質(zhì)結(jié)：兩種不同的半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)。（4）鏡像力降低效應(yīng)：由于電場(chǎng)引起的金屬-半導(dǎo)體接觸處勢(shì)壘峰值降低的現(xiàn)象。（5）

20、同型異質(zhì)結(jié)：摻雜劑在冶金結(jié)處不變的異質(zhì)結(jié)。（6）歐姆接觸：金屬半導(dǎo)體接觸電阻很低，且在結(jié)兩邊都能形成電流的接觸。（7）理查德森常數(shù)：肖特基二極管的I-V關(guān)系中的一個(gè)參數(shù)A*。（8）肖特基勢(shì)壘高度：金屬-半導(dǎo)體結(jié)中從金屬到半導(dǎo)體的勢(shì)壘Bn。（9）肖特基效應(yīng)：鏡像力降低效應(yīng)的另一種形式。（10）單位接觸電阻：金屬半導(dǎo)體接觸的J-V曲線在V=0時(shí)的斜率的倒數(shù)。（11）熱電子發(fā)射效應(yīng)：載流子具有足夠的熱能時(shí)，電荷流過勢(shì)壘的過程。（12）隧道勢(shì)壘：一個(gè)薄勢(shì)壘，在薄勢(shì)壘中，起主要作用的電流是隧道電流。（13）二維電子氣（2-DEG）：電子堆積在異質(zhì)結(jié)表面的勢(shì)阱中，但可以沿著其他兩個(gè)方向自由流動(dòng)。雙極晶體管

21、：（1）截止頻率：共基極電流增益幅值變?yōu)槠涞皖l值的時(shí)的頻率，就是截止頻率。（2）禁帶變窄：隨著發(fā)射區(qū)重?fù)诫s，禁帶的寬度減小。（3）基區(qū)渡越時(shí)間：少子通過中性基區(qū)所用的時(shí)間。（4）基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)：共基極電流增益中的一個(gè)系數(shù)，體現(xiàn)了中性基區(qū)中載流子的復(fù)合。（5）基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)：隨C-E結(jié)電壓或C-B結(jié)電壓的變化，中性基區(qū)寬度的變化。（6）截止頻率：共發(fā)射極電流增益幅值下降到其低頻值的時(shí)的頻率。（7）集電結(jié)電容充電時(shí)間：隨發(fā)射極電流變化，B-C結(jié)空間電荷區(qū)和集電區(qū)-襯底結(jié)空間電荷區(qū)寬度發(fā)生變化的時(shí)間常數(shù)。（8）集電結(jié)耗盡區(qū)渡越時(shí)間：載流子被掃過B-C結(jié)空間電荷區(qū)所需的時(shí)間。（9）共基極電流增益：集電

22、極電流與發(fā)射極電流之比。（10）共發(fā)射極電流增益：集電極電流與基極電流之比。（11）電流集邊：基極串聯(lián)電阻的橫向壓降使得發(fā)射結(jié)電流為非均勻值。（12）截止：晶體管兩個(gè)結(jié)均加零偏或反偏時(shí)，晶體管電流為零的工作狀態(tài)。（13）截止頻率：共發(fā)射極電流增益的幅值為1時(shí)的頻率。（14）厄爾利電壓：反向延長(zhǎng)晶體管的I-V特性曲線與電壓軸交點(diǎn)的電壓的絕對(duì)值。（15）E-B結(jié)電容充電時(shí)間：發(fā)射極電流的變化引起B(yǎng)-E結(jié)空間電荷區(qū)寬度變化所需的時(shí)間。（16）發(fā)射極注入效率系數(shù)：共基極電流增益的一個(gè)系數(shù)，描述了載流子從基區(qū)向發(fā)射區(qū)的注入。（17）正向有源：B-E結(jié)正偏、B-C結(jié)反偏時(shí)的工作模式。（18）反向有源：B-

23、E結(jié)反偏、B-C結(jié)正偏時(shí)的工作模式。（19）輸出電導(dǎo)：集電極電流對(duì)C-E兩端電壓的微分之比。金屬_氧化物_半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管：（1）堆積層電荷：由于熱平衡載流子濃度過剩而在氧化層下面產(chǎn)生的電荷。（2）體電荷效應(yīng)：由于漏源電壓改變而引起的沿溝道長(zhǎng)度方向上的空間電荷寬度改變所導(dǎo)致的漏電流偏離理想情況。（3）溝道電導(dǎo)：當(dāng)VDS0時(shí)漏電流與漏源電壓之比。（4）溝道電導(dǎo)調(diào)制：溝道電導(dǎo)隨柵源電壓改變的過程。（5）CMOS：互補(bǔ)MOS；將p溝和n溝器件制作在同一芯片上的電路工藝。（6）截止頻率：輸入交流柵電流等于輸出交流漏電流時(shí)的信號(hào)頻率。（7）耗盡型MOSFET：必須施加?xùn)烹妷翰拍荜P(guān)閉的一類MOSFET。

24、（8）增強(qiáng)型MOSFET：必須施加?xùn)烹妷翰拍荛_啟的一類MOSFET。（9）等價(jià)固定氧化層電荷：與氧化層-半導(dǎo)體界面緊鄰的氧化層中的有效固定電荷，用Qss表示。（10）平帶電壓：平帶條件發(fā)生時(shí)所加的柵壓，此時(shí)在氧化層下面的半導(dǎo)體中沒有空間電荷區(qū)。（11）柵電容充電時(shí)間：由于柵極信號(hào)變化引起的輸入柵電容的充電或放電時(shí)間。（12）界面態(tài)：氧化層-半導(dǎo)體界面處禁帶寬度中允許的電子能態(tài)。（13）反型層電荷：氧化層下面產(chǎn)生的電荷，它們與半導(dǎo)體摻雜的類型是相反的。（14）反型層遷移率：反型層中載流子的遷移率。（15）閂鎖：如在CMOS電路中那樣，可能發(fā)生在四層pnpn結(jié)構(gòu)中的高電流、低電壓現(xiàn)象。（16）最大

25、空間電荷區(qū)寬度：閾值反型時(shí)氧化層下面的空間電荷區(qū)寬度。（17）金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差：金屬功函數(shù)和電子親合能之差的函數(shù)，用ms表示。（18）臨界反型：當(dāng)柵壓接近或等于閾值電壓時(shí)空間電荷寬度的微弱改變，并且反型層電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形。（19）柵氧化層電容：氧化層介電常數(shù)與氧化層厚度之比，表示的是單位面積的電容，記為Cox。（20）飽和：在漏端反型電荷密度為零且漏電流不再是漏源電壓的函數(shù)的情形。（21）強(qiáng)反型：反型電荷密度大于摻雜濃度時(shí)的情形。（22）閾值反型點(diǎn)：反型電荷密度等于摻雜濃度時(shí)的情形。（23）閾值電壓：達(dá)到閾值反型點(diǎn)所需的柵壓。（24）跨導(dǎo)：漏電流的改變量與其對(duì)應(yīng)的柵壓改變量之比

26、。（25）弱反型：反型電荷密度小雨摻雜濃度時(shí)的情形。（26）溝道長(zhǎng)度調(diào)制：當(dāng)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)有效溝道長(zhǎng)度隨漏-源電壓的改變。（27）熱電子：由于在高場(chǎng)強(qiáng)中被加速，能量遠(yuǎn)大于熱平衡時(shí)的值得電子。（28）輕摻雜漏（LDD）：為了減小電壓擊穿效應(yīng)，在緊鄰溝道處制造一輕摻雜漏區(qū)的MOSFET。（29）窄溝道效應(yīng)：溝道寬度變窄后閾值電壓的偏移。（30）漏源穿通：由于漏-源電壓引起的源極和襯底之間的勢(shì)壘高度降低，從而導(dǎo)致漏電流的迅速增大。（31）短溝道效應(yīng)：溝道長(zhǎng)度變短引起的閾值電壓的偏移。（32）寄生晶體管擊穿：寄生雙極晶體管中電流增益的改變而引起的MOSFET擊穿過程中出現(xiàn)的負(fù)阻效應(yīng)。（33）

27、亞閾值導(dǎo)電：當(dāng)晶體管柵偏置電壓低于閾值反型點(diǎn)時(shí)，MOSFET中的導(dǎo)電過程。（34）表面散射：當(dāng)載流子在源極和漏極漂移時(shí)，氧化層-半導(dǎo)體界面處載流子的電場(chǎng)吸引作用和庫(kù)倫排斥作用。（35）閾值調(diào)整：通過離子注入改變半導(dǎo)體摻雜濃度，從而改變閾值電壓的過程。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管：（1）電容電荷存儲(chǔ)時(shí)間：柵極輸入信號(hào)改變使柵極輸入電容存儲(chǔ)或釋放電荷的時(shí)間。（2）溝道電導(dǎo)：當(dāng)漏源電壓趨近于極限值零時(shí)，漏電流隨著漏源電壓的變化率。（3）溝道電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)：溝道電導(dǎo)隨柵極電壓的變化過程。（4）溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)：JFET處于飽和區(qū)時(shí)，有效溝道長(zhǎng)度隨漏源電壓而變化。（5）電導(dǎo)參數(shù)：增強(qiáng)型MESFET的漏電流與柵源電壓的表達(dá)式中的倍數(shù)因子kn。（6）截止頻率：小信號(hào)柵極輸入電流值與小信