1、1、鍵的本質(zhì)和配位化合物的分類、鍵的本質(zhì)和配位化合物的分類 鍵的本質(zhì)鍵的本質(zhì)Pauling將價(jià)鍵理論應(yīng)用于配合物，經(jīng)他人修正補(bǔ)充，形成近代配將價(jià)鍵理論應(yīng)用于配合物，經(jīng)他人修正補(bǔ)充，形成近代配合物價(jià)鍵理論合物價(jià)鍵理論要點(diǎn)：配合物中心離子與配位體之間的結(jié)合，一般是要點(diǎn)：配合物中心離子與配位體之間的結(jié)合，一般是 由配位原子孤對(duì)電子軌道與中心離子由配位原子孤對(duì)電子軌道與中心離子（或原子）的空軌道重疊，兩者共享該（或原子）的空軌道重疊，兩者共享該電子對(duì)而形成電子對(duì)而形成配位鍵配位鍵。本質(zhì)：配位鍵是共價(jià)性質(zhì)的本質(zhì)：配位鍵是共價(jià)性質(zhì)的 配位鍵的形成條件配位鍵的形成條件配體必須含有孤對(duì)電子；中心離子（或配體必

2、須含有孤對(duì)電子；中心離子（或原子）必須具備相應(yīng)的空軌道原子）必須具備相應(yīng)的空軌道以以FeF63 配離子為例配離子為例 外軌型配合物外軌型配合物 （高自旋型配合物）（高自旋型配合物）凡配位體的孤對(duì)電子填入中心離子外層雜化軌道所形成的配合物稱為外軌凡配位體的孤對(duì)電子填入中心離子外層雜化軌道所形成的配合物稱為外軌型配合物型配合物(outer orbital coordination compound)。像鹵素、氧（如像鹵素、氧（如H2O配位體）等配位原子電負(fù)性較高，不易給出孤對(duì)電子，配位體）等配位原子電負(fù)性較高，不易給出孤對(duì)電子，它們傾向于占據(jù)中心離子的外軌，而對(duì)其內(nèi)層電子排布幾乎無(wú)影響，故內(nèi)它們傾

3、向于占據(jù)中心離子的外軌，而對(duì)其內(nèi)層電子排布幾乎無(wú)影響，故內(nèi)層層d電子盡可能分占每個(gè)電子盡可能分占每個(gè)3d軌道而自旋平行，因此未成對(duì)電子數(shù)較高，所以軌道而自旋平行，因此未成對(duì)電子數(shù)較高，所以這類配合物又被稱為這類配合物又被稱為高自旋型配合物高自旋型配合物。它們常常具有順磁性，未成對(duì)電子。它們常常具有順磁性，未成對(duì)電子數(shù)目越多，順磁磁矩越高數(shù)目越多，順磁磁矩越高 Fe3+(3d5)FeF63 3dsp3d2雜化軌道雜化軌道電子對(duì)均由電子對(duì)均由F-離子提供離子提供4s4d4p某些高自旋配合物的電子結(jié)構(gòu)和磁矩某些高自旋配合物的電子結(jié)構(gòu)和磁矩Fe(CN)63 配離子的情況配離子的情況 內(nèi)軌型配合物（低自

4、旋型配合物）內(nèi)軌型配合物（低自旋型配合物）凡配位體的孤對(duì)電子填入中心離子內(nèi)層雜化軌道所形成的配合物稱凡配位體的孤對(duì)電子填入中心離子內(nèi)層雜化軌道所形成的配合物稱為內(nèi)軌型配合物（為內(nèi)軌型配合物（inner orbital coordination compound）像碳（如像碳（如CN 配體以配體以C配位）、氮（配位）、氮（NO2 配體以配體以N配位）等配位體配位）等配位體原子電負(fù)性較低，容易給出孤對(duì)電子，它們?cè)诮咏行碾x子時(shí)，對(duì)原子電負(fù)性較低，容易給出孤對(duì)電子，它們?cè)诮咏行碾x子時(shí)，對(duì)其內(nèi)層其內(nèi)層d電子排布影響較大，使電子排布影響較大，使d電子發(fā)生重排，電子擠入少數(shù)軌電子發(fā)生重排，電子擠入少數(shù)軌

5、道，故自旋平行的道，故自旋平行的d電子數(shù)目減少，磁性降低，甚至變?yōu)榉创判晕镫娮訑?shù)目減少，磁性降低，甚至變?yōu)榉创判晕镔|(zhì)。所以這類配合物又稱為質(zhì)。所以這類配合物又稱為低自旋配合物低自旋配合物3dd2sp3雜化軌道雜化軌道電子對(duì)均由電子對(duì)均由CN-離子提供離子提供4d4s4p某些低自旋型配合物的電子結(jié)構(gòu)和磁矩某些低自旋型配合物的電子結(jié)構(gòu)和磁矩 外軌型配合物中心離子軌道采取外軌型配合物中心離子軌道采取ns-np-nd雜化形式。一般而雜化形式。一般而言，言，X 、H2O分子等配位體與中心離子易形成外軌型配合物。分子等配位體與中心離子易形成外軌型配合物。 內(nèi)軌型采取內(nèi)軌型采取(n 1)d-ns-np雜化形

6、式。雜化形式。CN 、NO2 等配位體傾等配位體傾向于與中心離子結(jié)合成內(nèi)軌型配合物。向于與中心離子結(jié)合成內(nèi)軌型配合物。 NH3分子則隨中心離子不同，既有高自旋，也有低自旋配合物。分子則隨中心離子不同，既有高自旋，也有低自旋配合物。 由于由于(n 1)d 軌道能量比軌道能量比nd軌道低，所以一般內(nèi)軌型配合物比外軌道低，所以一般內(nèi)軌型配合物比外軌型穩(wěn)定，這一推測(cè)與實(shí)驗(yàn)測(cè)得前者配位鍵長(zhǎng)較短的結(jié)果也是一軌型穩(wěn)定，這一推測(cè)與實(shí)驗(yàn)測(cè)得前者配位鍵長(zhǎng)較短的結(jié)果也是一致的致的 2 2、配位離子的空間構(gòu)型、配位離子的空間構(gòu)型幾種配離子空間立體構(gòu)型幾種配離子空間立體構(gòu)型 3 它不能解釋化合物的電子光譜躍遷問(wèn)題。因?yàn)?/p>

7、沒(méi)有提它不能解釋化合物的電子光譜躍遷問(wèn)題。因?yàn)闆](méi)有提到反鍵軌道到反鍵軌道; 現(xiàn)在，在過(guò)渡元素配位化學(xué)中現(xiàn)在，在過(guò)渡元素配位化學(xué)中VB理論已逐步為配位場(chǎng)理理論已逐步為配位場(chǎng)理論和分子軌道理論所代替。論和分子軌道理論所代替。 這是因?yàn)?，這是因?yàn)椋瑑r(jià)鍵理論價(jià)鍵理論有它不可克服有它不可克服的缺點(diǎn)的缺點(diǎn)，例如，例如: 1 這一理論認(rèn)為配合物中所有的這一理論認(rèn)為配合物中所有的3d軌道能量均相同，這軌道能量均相同，這是不真實(shí)的；是不真實(shí)的； 2 3d和和4d的能量差較大，但人為地一會(huì)兒用的能量差較大，但人為地一會(huì)兒用3d，一會(huì)兒，一會(huì)兒又用又用4d來(lái)成鍵，至少是不恰當(dāng)?shù)?；?lái)成鍵，至少是不恰當(dāng)?shù)模?4 應(yīng)用這

8、一理論時(shí)，有時(shí)需要把一個(gè)電子激發(fā)到較高能級(jí)應(yīng)用這一理論時(shí)，有時(shí)需要把一個(gè)電子激發(fā)到較高能級(jí)的空軌道，這樣就加進(jìn)了不切實(shí)際的大量能量。的空軌道，這樣就加進(jìn)了不切實(shí)際的大量能量。 這里這里, X是一價(jià)陰離子的配位體。在此過(guò)程中是一價(jià)陰離子的配位體。在此過(guò)程中, 自由離子自由離子 Cu2要由要由3d激發(fā)一個(gè)激發(fā)一個(gè)電子到電子到 4p需要的激發(fā)能為需要的激發(fā)能為1422.6 kJmol1, 看不出這么大的能量從何而來(lái)。要補(bǔ)償看不出這么大的能量從何而來(lái)。要補(bǔ)償這個(gè)能量這個(gè)能量, 必須使必須使CuX鍵鍵鍵能至少要達(dá)到鍵能至少要達(dá)到356 kJmol1, 已知已知ClCl鍵鍵鍵能為鍵能為243 kJmol1

9、, 這表明這表明, 形成形成CuCl鍵放出的能量比形成鍵放出的能量比形成ClCl鍵放出的能量還要鍵放出的能量還要大大, 這可能是不真實(shí)的。這可能是不真實(shí)的。 根據(jù)這個(gè)結(jié)構(gòu)根據(jù)這個(gè)結(jié)構(gòu), 可以推測(cè)可以推測(cè)Cu2的的配合物應(yīng)當(dāng)很容易地失去未配對(duì)的配合物應(yīng)當(dāng)很容易地失去未配對(duì)的4p電子而迅電子而迅速氧化為速氧化為Cu3, 但事實(shí)并非如此。但事實(shí)并非如此。 例如，為了說(shuō)明例如，為了說(shuō)明Cu2配合物的平面四方形構(gòu)型問(wèn)題，認(rèn)為配合物的平面四方形構(gòu)型問(wèn)題，認(rèn)為3d電子電子被激發(fā)到被激發(fā)到4p能級(jí)從而發(fā)生能級(jí)從而發(fā)生dsp2雜化。雜化。Cu2dsp24XCuX42 發(fā)展歷史發(fā)展歷史創(chuàng)建于創(chuàng)建于1928年，年，

10、1953年成功解釋年成功解釋Ti(H2O)63+ 的光譜特性和過(guò)渡金的光譜特性和過(guò)渡金屬配合物其它性質(zhì)后，才受到化學(xué)界的普遍重視屬配合物其它性質(zhì)后，才受到化學(xué)界的普遍重視 基本要點(diǎn)基本要點(diǎn)(1) 配合物中化學(xué)鍵的本質(zhì)是純粹的配合物中化學(xué)鍵的本質(zhì)是純粹的靜電作用力靜電作用力。即中心離子和周圍配位。即中心離子和周圍配位體的相互作用可以被看作離子晶體中體的相互作用可以被看作離子晶體中正負(fù)離子間的相互作用，中心離子與正負(fù)離子間的相互作用，中心離子與配位負(fù)離子或配位極性分子之間由于配位負(fù)離子或配位極性分子之間由于靜電吸引而放出能量，體系能量降低靜電吸引而放出能量，體系能量降低7. 7. 晶晶 體體 場(chǎng)場(chǎng)

11、 理理 論（論（Crystal field theory）(2) 過(guò)渡金屬中心離子有過(guò)渡金屬中心離子有5個(gè)個(gè)d軌道。當(dāng)它們受到周圍非球形對(duì)稱的軌道。當(dāng)它們受到周圍非球形對(duì)稱的配位負(fù)電場(chǎng)（負(fù)離子或偶極分子的負(fù)端）的作用時(shí)，配位體的負(fù)電配位負(fù)電場(chǎng)（負(fù)離子或偶極分子的負(fù)端）的作用時(shí)，配位體的負(fù)電荷與荷與d軌道上的電子相互排斥，不僅使得各軌道上的電子相互排斥，不僅使得各d軌道電子能量普遍升高，軌道電子能量普遍升高，而且不同而且不同d軌道的電子因受到的影響不一樣，各軌道能量升高值不軌道的電子因受到的影響不一樣，各軌道能量升高值不同，從而發(fā)生同，從而發(fā)生d軌道能級(jí)分裂軌道能級(jí)分裂 All equal in

12、 energy in the absence of ligands !yzd(a) 正八面體配合物（中心離子置于八面體電場(chǎng)中）正八面體配合物（中心離子置于八面體電場(chǎng)中）yzd自由離子軌道能量簡(jiǎn)并自由離子軌道能量簡(jiǎn)并球形對(duì)稱靜電場(chǎng)中球形對(duì)稱靜電場(chǎng)中八面體電場(chǎng)中八面體電場(chǎng)中5個(gè)個(gè)d軌道能級(jí)分裂軌道能級(jí)分裂egt2g o o o在八面體配合物中，由于中心金屬離子的在八面體配合物中，由于中心金屬離子的d軌道電子與配位體負(fù)電軌道電子與配位體負(fù)電荷的相互作用，導(dǎo)致原來(lái)能量相等的荷的相互作用，導(dǎo)致原來(lái)能量相等的5個(gè)個(gè)d軌道分裂為二組：能量軌道分裂為二組：能量較高的較高的dz2和和dx2-y2稱為稱為eg (

13、或或d )軌道；能量較低的軌道；能量較低的dxz, dxy, dyz軌道稱為軌道稱為t2g (或或d )軌道。兩組軌道能量差常記作軌道。兩組軌道能量差常記作 o，也稱為分裂能。，也稱為分裂能。(b) 正四面體配合物正四面體配合物 （中心離子置于四面體電場(chǎng)中）（中心離子置于四面體電場(chǎng)中）e四面體電場(chǎng)中四面體電場(chǎng)中5個(gè)個(gè)d軌道能級(jí)分裂軌道能級(jí)分裂自由離子軌道能量簡(jiǎn)并自由離子軌道能量簡(jiǎn)并球形對(duì)稱靜電場(chǎng)中球形對(duì)稱靜電場(chǎng)中t2 t t t在正四面體配合物中，在正四面體配合物中，4個(gè)配位體接近中心離子時(shí)正好和坐標(biāo)軸個(gè)配位體接近中心離子時(shí)正好和坐標(biāo)軸x, y, z錯(cuò)開(kāi)，避開(kāi)了錯(cuò)開(kāi)，避開(kāi)了dz2和和dx2-y

14、2的極大值方向，而靠近的極大值方向，而靠近dxy, dxz, dyz的極大的極大值。因此中心離子值。因此中心離子5個(gè)個(gè)d軌道分裂正好與八面體場(chǎng)時(shí)相反，分裂能軌道分裂正好與八面體場(chǎng)時(shí)相反，分裂能記作記作 t(c) 平面四方體配合物平面四方體配合物 （中心離子置于平面四方體電場(chǎng)中）（中心離子置于平面四方體電場(chǎng)中） 配位體構(gòu)型的影響配位體構(gòu)型的影響在不同構(gòu)型的配合物中，在不同構(gòu)型的配合物中，d軌道能級(jí)分裂的情況不同。例如，在軌道能級(jí)分裂的情況不同。例如，在四面體中，因沒(méi)有任何四面體中，因沒(méi)有任何d軌道正對(duì)著配位體，軌道正對(duì)著配位體，其分裂能其分裂能 t比在八面比在八面體中體中 o的要小得多的要小得多

15、。其它構(gòu)型的配合物不僅分裂能不同，。其它構(gòu)型的配合物不僅分裂能不同，d軌道軌道分裂成的能級(jí)數(shù)目也各異分裂成的能級(jí)數(shù)目也各異(3) 分裂能的影響因素分裂能的影響因素八面體場(chǎng)和四面體場(chǎng)分裂能比較t(4/9)o 八面體場(chǎng)八面體場(chǎng)2E(eg)3E(t2g)0 E(eg)E(t2g)o E(eg)0.6o = 6DqE(t2g)0.4o =4Dq解得：解得： E(t2)1.78Dq E(e)2.67Dq tE(t2)E(e)(4/9)o3E(t2)2 E(e)0 四面體場(chǎng)四面體場(chǎng) 中心離子的影響中心離子的影響 同一種構(gòu)型的配合物，分裂能的大小與中心離子（或原子）同一種構(gòu)型的配合物，分裂能的大小與中心離子

16、（或原子）的種類、價(jià)態(tài)、在周期表中的位置有關(guān)。一般來(lái)說(shuō)，的種類、價(jià)態(tài)、在周期表中的位置有關(guān)。一般來(lái)說(shuō)，中心離子電中心離子電荷越高，半徑越大，分裂能也越大荷越高，半徑越大，分裂能也越大 周期表中第二過(guò)渡系列的金屬離周期表中第二過(guò)渡系列的金屬離子作為中心離子時(shí)，比第一過(guò)渡子作為中心離子時(shí)，比第一過(guò)渡系列的分裂能大系列的分裂能大40 50 %，第三，第三過(guò)渡系列的又比第二過(guò)渡系列的過(guò)渡系列的又比第二過(guò)渡系列的大大20 25 %。這些差別都可以根。這些差別都可以根據(jù)分子吸收光譜實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)合模據(jù)分子吸收光譜實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)合模型推算得知。型推算得知。 配位體的影響配位體的影響 在同一種構(gòu)型的配合物中，對(duì)于同一

17、中心金屬離子，分裂能還與在同一種構(gòu)型的配合物中，對(duì)于同一中心金屬離子，分裂能還與配位體的電荷或偶極矩密切相關(guān)。根據(jù)光譜實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)合理論計(jì)配位體的電荷或偶極矩密切相關(guān)。根據(jù)光譜實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)合理論計(jì)算，可以歸納出不同配位體配位場(chǎng)強(qiáng)弱的順序如下表所示。大體算，可以歸納出不同配位體配位場(chǎng)強(qiáng)弱的順序如下表所示。大體上可以把水和上可以把水和NH3作為分界而將各種配位體分成作為分界而將各種配位體分成“強(qiáng)場(chǎng)配位體強(qiáng)場(chǎng)配位體”和和“弱場(chǎng)配位體弱場(chǎng)配位體”。對(duì)不同的中心離子，該順序有所差異。對(duì)不同的中心離子，該順序有所差異。CN NO2 en py NH3 EDTA4 SCN H2O ONO ox2 OH F SC

18、N Cl Br I Large Strong field ligandsSmall Weak field ligands(Spectrochemical Series) 電子成對(duì)能電子成對(duì)能 (P)：當(dāng)軌道上已有一個(gè)電子時(shí)，再進(jìn)入一個(gè)電子按當(dāng)軌道上已有一個(gè)電子時(shí)，再進(jìn)入一個(gè)電子按自旋方向相反的方式配對(duì)，也會(huì)導(dǎo)致能量升高。這個(gè)升高的能量在自旋方向相反的方式配對(duì)，也會(huì)導(dǎo)致能量升高。這個(gè)升高的能量在量子力學(xué)中稱為量子力學(xué)中稱為“電子成對(duì)能電子成對(duì)能” (P) d軌道填充原則：一般來(lái)說(shuō)軌道填充原則：一般來(lái)說(shuō)，在弱配位場(chǎng)中，在弱配位場(chǎng)中, P, d電子盡可能占據(jù)能量較低的軌道形成電子盡可能占據(jù)能量較低的

19、軌道形成低自旋配合物低自旋配合物 P low spin d4在弱配位場(chǎng)中八面體配合物中心離子的在弱配位場(chǎng)中八面體配合物中心離子的d d 電子排布情況電子排布情況Fe(III)八面體配合物八面體配合物d軌道分裂和軌道分裂和d電子的排布電子的排布Fe Ar3d64s2Fe3+ Ar3d5P = 30,000 cm 1 P PTwo d6 complexes:晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能和配合物的熱力學(xué)性質(zhì)晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能和配合物的熱力學(xué)性質(zhì)晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能(CFSE，Crystal Field Stabilization Energy)晶體場(chǎng)中部分晶體場(chǎng)中部分d d軌道能量下降的結(jié)構(gòu)是使某些配合物的總

20、能量降軌道能量下降的結(jié)構(gòu)是使某些配合物的總能量降低而穩(wěn)定化。由此降低的能量就稱為配合物的低而穩(wěn)定化。由此降低的能量就稱為配合物的晶體穩(wěn)定化能晶體穩(wěn)定化能。 這種因這種因d軌道分裂和電子填入低能級(jí)軌道給配合物帶來(lái)的額外穩(wěn)軌道分裂和電子填入低能級(jí)軌道給配合物帶來(lái)的額外穩(wěn)定化作用將產(chǎn)生一種附加的成鍵作用效應(yīng)。定化作用將產(chǎn)生一種附加的成鍵作用效應(yīng)。 晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能的大小與下列因素有關(guān)：晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能的大小與下列因素有關(guān)： 配合物的幾何構(gòu)型；配合物的幾何構(gòu)型； 中心原子的中心原子的d電子的數(shù)目；電子的數(shù)目； 配體場(chǎng)的強(qiáng)弱；配體場(chǎng)的強(qiáng)弱； 電子成對(duì)能。電子成對(duì)能。 表表中中列出幾種配位場(chǎng)下的晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能

21、值列出幾種配位場(chǎng)下的晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能值, , 為了簡(jiǎn)化為了簡(jiǎn)化, , 忽略忽略了成對(duì)能。了成對(duì)能。 在弱場(chǎng)中在弱場(chǎng)中，相差相差5個(gè)個(gè) d 電子的各對(duì)組態(tài)的穩(wěn)定化能相電子的各對(duì)組態(tài)的穩(wěn)定化能相等，等，如如d1與與d6、d3與與d8，這是因?yàn)椋谌鯃?chǎng)中無(wú)論何種幾，這是因?yàn)?，在弱?chǎng)中無(wú)論何種幾何構(gòu)型的場(chǎng)，多出的何構(gòu)型的場(chǎng)，多出的5個(gè)電子，根據(jù)重心守恒原理，對(duì)穩(wěn)個(gè)電子，根據(jù)重心守恒原理，對(duì)穩(wěn)定化能都沒(méi)有貢獻(xiàn)。定化能都沒(méi)有貢獻(xiàn)。從表中可以發(fā)現(xiàn)以下幾點(diǎn)規(guī)律：從表中可以發(fā)現(xiàn)以下幾點(diǎn)規(guī)律： 在弱場(chǎng)中在弱場(chǎng)中, d0、d5、d10構(gòu)型的離子構(gòu)型的離子的的CFSE均為均為0。 除除d0、d5、d10外外，無(wú)論是弱場(chǎng)

22、還是強(qiáng)場(chǎng)，無(wú)論是弱場(chǎng)還是強(qiáng)場(chǎng)，CFSE的次的次序都是正方形八面體四面體。序都是正方形八面體四面體。 在弱場(chǎng)中在弱場(chǎng)中，正方形與八面體穩(wěn)定化能的差值以正方形與八面體穩(wěn)定化能的差值以d4、d9為最大，而在強(qiáng)場(chǎng)中則以為最大，而在強(qiáng)場(chǎng)中則以d8為最大為最大。 過(guò)渡金屬配合物的顏色過(guò)渡金屬配合物的顏色物質(zhì)吸收的可見(jiàn)光波長(zhǎng)與物質(zhì)顏色的關(guān)系物質(zhì)吸收的可見(jiàn)光波長(zhǎng)與物質(zhì)顏色的關(guān)系吸收波長(zhǎng)吸收波長(zhǎng)/102pm波長(zhǎng)波長(zhǎng)/cm1被吸收光的顏色被吸收光的顏色觀察到物質(zhì)的顏色觀察到物質(zhì)的顏色4000-435025,000-23,000紫紫綠黃綠黃4350-480023,000-20,800藍(lán)藍(lán)黃黃4800-490020,

23、800-20,400綠藍(lán)綠藍(lán)橙橙4900-500020,400-20,000藍(lán)綠藍(lán)綠紅紅5000-560020,000-17,000綠綠紅紫紅紫5600-580017,900-17,200黃綠黃綠紫紫5800-595017,200-16,800黃黃藍(lán)藍(lán)5950-605016,800-16,500橙橙綠藍(lán)綠藍(lán)6050-750016,500-13,333紅紅藍(lán)綠藍(lán)綠 過(guò)渡金屬配合物的顏色：過(guò)渡金屬配合物的顏色：此類配合物大部分都有鮮明的顏色。此類配合物大部分都有鮮明的顏色。原因是它們的原因是它們的d軌道分裂能（軌道分裂能（ ）相當(dāng)于可見(jiàn)光的能量。在白光照）相當(dāng)于可見(jiàn)光的能量。在白光照射下，射下，d電子吸收其中部分可見(jiàn)光能而從能量較低的電子吸收其中部分可見(jiàn)光能而從能量較低的t2g軌道躍遷軌道躍遷到能量較高的到能量較高的eg軌道（稱為軌道（稱為d-d躍遷）。分裂能越大，電子躍遷所躍遷）。分裂能越大，電子躍遷