1、P 1中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD一次清洗工藝簡介東莞南玻光伏科技技術(shù)部 許欣翔2019年10月13日P 2中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD一次清洗目錄1 引言2 原理概述2.1 清洗2.2 去機械損傷層2.3 制絨3 工藝相關(guān)3.1 單晶工藝3.2 多晶工藝4 本卷須知及平安相關(guān)P 3中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD1 引言分分選測試選測試PECVD一次清洗一次清洗二次清洗二次清洗燒結(jié)燒結(jié)印刷印刷電電極極周周邊邊刻刻蝕蝕檢驗檢驗

2、入入庫庫分散分散P 4中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD1 引言一次清洗工序包括了三個過程，分別是硅片的清洗、去除機械損傷層和制備絨面。清洗浸透在整個工序的多個環(huán)節(jié)，去除機械損傷、制絨的過程也是對硅片的清洗過程。一次清洗清洗去損傷制絨P 5中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD2.1.1 硅片主要污染源分類有機物污染油脂食用油、人體分泌的油脂等礦物油光滑油、泵油、凡士林、蠟等無機物污染金屬及其氧化物灰塵、微小顆粒 P 6中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO

3、.,LTD2.1.2 污染的危害有機物殘留在硅片外表，影響制絨的出絨率，容易產(chǎn)生白斑等，導(dǎo)致電池片外觀不良。硅片外表假設(shè)有金屬雜質(zhì)，分散時會進入硅片內(nèi)部，使少子壽命下降，還會導(dǎo)致漏電流添加。去損傷層和制絨都運用氫氧化鈉溶液，引入了鈉離子。鈉離子假設(shè)殘留在硅片外表，能夠會構(gòu)成反型層，嚴(yán)重影響電池性能。P 7中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD2.1.3 污染物的處置方法對于較大的顆粒和可溶污染物，可以經(jīng)過沖洗將其去除。對于有機物，可以經(jīng)過有機溶劑如IPA或者清洗劑將其洗去；或者利用堿洗將其減少。對于不溶于水的污染物，需求經(jīng)過化學(xué)方法，將其轉(zhuǎn)變成溶

4、于水的化合物或者絡(luò)合物，再用大量純水清洗將其去除。P 8中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD2.1.4 去除污染物的主要手段電池消費中去除污染物的主要手段超聲波清洗去除灰塵、有機物污染。氫氧化鈉、硅酸鈉可去有某些機物。油脂皂化；礦物油乳化。鹽酸減少Na+沾污去除金屬雜質(zhì)，如鎂、鋅、鋁、鐵等去除氧化物雜質(zhì)，如堿性氧化物、氫氧化物、兩性氧化物去除碳酸鹽雜質(zhì)絡(luò)協(xié)作用去除難溶的金屬離子，如Au3+、Pt2+、Ag+、Cu+P 9中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD2.2.1 去機械損傷層的必要性普通的硅

5、片經(jīng)過切割，外表構(gòu)成機械損傷層。損傷層由多晶層、裂紋層、過渡層、彈性應(yīng)變層組成。制造電池之前，假設(shè)不將損傷層完全去除，在硅外表會留下大量的復(fù)合中心，降低電池的短路電流和開路電壓。損傷層的厚度取決于切割的設(shè)備和切割工藝，不同片源的損傷層厚度普通不同，不可一概而論 。 損傷層模型表示圖 有損傷層的硅片外表形貌圖 P 10中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD2.2.2 硅及其氧化物的濕化學(xué)腐蝕 在普通的水溶液中，硅外表因生成了不溶性的氧化物而呈惰性；而只需在堿溶液和氫氟酸溶液中，硅的氧化物是可溶的。普通用氫氟酸腐蝕硅片，還需求參與氧化劑，如硝酸、鉻酸

6、。 SiO2+2OH- = 2SiO32- + H2O Si + 2OH- + H2O = SiO32- + 2H2 SiO2 + 6HF = H2SiF62 + 2H2O3Si + 18HF + 4HNO3 = 3H2SiF2 + 8H2O + 4NOP 11中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD2.2.3 去損傷層的濕化學(xué)腐蝕方法 堿腐蝕：NaOH溶液，濃度10%20%，溫度60C 90C 酸腐蝕：HF-HNO3溶液，濃度范圍廣，室溫或者更低 單晶硅濃堿腐蝕SEM圖像 多晶硅濃堿腐蝕顯微鏡圖像 P 12中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份

7、有限公司CSG HOLDING CO.,LTD2.3.1 制絨的必要性 硅片的外表可以近似看作平面，光照到硅片外表，30%的能量由于反射損失掉。經(jīng)過化學(xué)腐蝕等方法，可以在硅片外表構(gòu)成一定形貌，即制造絨面，減少光線反射損失。以單晶為例：平坦的硅外表平坦的硅外表織構(gòu)化硅外表通常反射率為30%反射率可降至13%P 13中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD2.3.1 制絨的必要性未經(jīng)任何處置的硅片與單晶絨面硅片反射率比較曲線制絨前制絨后P 14中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD2.3.2 制絨的化學(xué)腐

8、蝕方法 化學(xué)腐蝕方法制造絨面，參與反響的化學(xué)試劑與去損傷層一樣，只是在濃度、溫度和添加劑上有所改動。單晶硅片低濃度堿腐蝕僅適用于100面單晶硅片酸腐蝕恣意面的單晶硅片多晶硅片酸腐蝕P 15中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.1 單晶堿制絨機理 根據(jù)反響的動力學(xué)模型，反響速率由外表晶格構(gòu)造決議。不同晶面的晶格構(gòu)造的差別產(chǎn)生了不同的外表鍵密度、電子密度和外表自在能等差別，這些參數(shù)又決議著硅原子的溶解速率。一切的腐蝕機理都涉及到了對次外表Si-Si鍵的侵蝕，這一反響的速率是由外表硅原子的鍵合條件決議的。111面只需一個Si-OH鍵而100面有

9、兩個。111和100面的外表晶格構(gòu)造可以簡單地用以下圖表示。由于OH-具有較大的電負(fù)性，100面的原子與底下硅原子的背鍵比111面的弱。因此，100面上的硅原子比111面的硅原子有著更快的腐蝕速率。P 16中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.1 單晶堿制絨機理 堿對硅片外表的腐蝕，由于111面的腐蝕速率最慢，最終的腐蝕面都將趨于111面。P 17中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.1 單晶堿制絨機理 對100面的硅片腐蝕，由于對稱性腐蝕得到的一切111面都與底面即100面呈54.

10、7的角，腐蝕形貌為正四棱錐型。P 18中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.2 絨面構(gòu)成過程金字塔的構(gòu)成首先從某些點開場，逐漸長大，布滿整個硅片外表。假設(shè)腐蝕時間過長，金字塔頂開場崩塌，絨面質(zhì)量下降。P 19中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.3 單晶絨面顯微鏡暗場照片P 20中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.4 單晶制絨化學(xué)試劑氫氧化鈉、異丙醇、硅酸鈉氫氧化鈉、異丙醇、硅酸鈉氫氧化鈉氫氧化鈉主要反響物。主要反響物。異丙醇

11、異丙醇降低溶液的外表張力，有助于減少氫氣泡在硅片外降低溶液的外表張力，有助于減少氫氣泡在硅片外表的附著。表的附著。硅酸鈉硅酸鈉對對OH-腐蝕硅片有妨礙作用，從而添加金字塔構(gòu)呵腐蝕硅片有妨礙作用，從而添加金字塔構(gòu)呵斥核的起始點，使得絨面覆蓋率更高、更均勻。硅斥核的起始點，使得絨面覆蓋率更高、更均勻。硅酸鈉是反響的主要產(chǎn)物，也會水解產(chǎn)生氫氧化鈉，酸鈉是反響的主要產(chǎn)物，也會水解產(chǎn)生氫氧化鈉，在初配溶液參與硅酸鈉可提高溶液的穩(wěn)定性。在初配溶液參與硅酸鈉可提高溶液的穩(wěn)定性。P 21中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.5 單晶一次清洗工藝流程 去損

12、傷層制絨鹽酸處置氫氟酸處置甩干清洗機甩干機 預(yù)清洗超聲波清洗機P 22中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.6 單晶一次清洗設(shè)備工位引見槽位工序名稱功能處理液時間（sec）溫度（ C）1去損傷層去除機械損傷氫氧化鈉60802熱水漂洗去離子水30603制絨制作絨面氫氧化鈉硅酸鈉異丙醇12002000824制絨5制絨6制絨7熱水漂洗去離子水360室溫89漂洗去離子水360室溫10鹽酸清洗去金屬離子鹽酸360室溫11漂洗去離子水360室溫12氫氟酸清洗去氧化層，硅酸鈉氫氟酸360室溫13純水稀釋去離子水120室溫14純水稀釋去離子水120室溫1

13、5噴淋去離子水180室溫16漂洗去離子水360室溫17預(yù)脫水去離子水6060P 23中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD 3.1.7 單晶一次清洗流程表示圖去損傷熱水漂洗制絨熱水漂洗漂洗鹽酸清洗漂洗氫氟酸清洗稀釋噴淋預(yù)脫水稀釋漂洗下料上料花籃P 24中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.8 單晶一次清洗操作流程上料控制、補液檢片，插片下料甩干傳送P 25中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.8 單晶一次清洗檢測與不合格處置n腐蝕深度檢

14、測腐蝕深度檢測腐蝕深度是判別機械損傷層能否被去除腐蝕深度是判別機械損傷層能否被去除的規(guī)范。我們以為平均腐蝕深度應(yīng)該超越的規(guī)范。我們以為平均腐蝕深度應(yīng)該超越5微米單面才干將損傷層去除。丈量腐蝕微米單面才干將損傷層去除。丈量腐蝕深度采取稱重的方法，即稱量腐蝕前后的分深度采取稱重的方法，即稱量腐蝕前后的分量變化，再根據(jù)硅片面積與密度計算平均腐量變化，再根據(jù)硅片面積與密度計算平均腐蝕深度。蝕深度。對于腐蝕缺乏的硅片，需求重新制絨，對于腐蝕缺乏的硅片，需求重新制絨，確保機械損傷層被去除。確保機械損傷層被去除。P 26中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3

15、.1.8 單晶一次清洗檢測與不合格處置n清洗效果檢測清洗效果檢測丈量最后一槽漂洗廢水電阻率。漂洗廢丈量最后一槽漂洗廢水電阻率。漂洗廢水電阻率可以反映漂洗廢水中導(dǎo)電離子數(shù)量，水電阻率可以反映漂洗廢水中導(dǎo)電離子數(shù)量，電阻率越高，闡明導(dǎo)電離子數(shù)量越少，硅片電阻率越高，闡明導(dǎo)電離子數(shù)量越少，硅片越干凈。當(dāng)然，并不是一切導(dǎo)電離子都對電越干凈。當(dāng)然，并不是一切導(dǎo)電離子都對電池性能有負(fù)面影響，如氯離子、氫離子。池性能有負(fù)面影響，如氯離子、氫離子。丈量清洗后硅片少子壽命。假設(shè)少子壽丈量清洗后硅片少子壽命。假設(shè)少子壽命偏低，闡明硅片外表復(fù)合大，硅片外表不命偏低，闡明硅片外表復(fù)合大，硅片外表不夠干凈。少子壽命高，

16、未必闡明硅片外表一夠干凈。少子壽命高，未必闡明硅片外表一定干凈，也能夠是由于短暫的鈍化效應(yīng)呵斥定干凈，也能夠是由于短暫的鈍化效應(yīng)呵斥的。的。對于一次清洗后少子壽命不合格的硅片，對于一次清洗后少子壽命不合格的硅片，應(yīng)該重新酸洗，去除金屬離子，不需求重新應(yīng)該重新酸洗，去除金屬離子，不需求重新制絨。制絨。P 27中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.8 單晶一次清洗檢測與不合格處置n外觀檢測外觀檢測經(jīng)過制絨后的硅片，我們希望它的顏色經(jīng)過制絨后的硅片，我們希望它的顏色盡能夠深且均勻；在顯微鏡下察看，金字塔盡能夠深且均勻；在顯微鏡下察看，金字塔密集

17、、細(xì)小、均勻。密集、細(xì)小、均勻。假設(shè)硅片發(fā)白、發(fā)亮，視為不合格片，假設(shè)硅片發(fā)白、發(fā)亮，視為不合格片，根據(jù)硅片剩余厚度判別能否可以返工。對于根據(jù)硅片剩余厚度判別能否可以返工。對于厚度仍在厚度仍在165微米以上的硅片，可以重新制微米以上的硅片，可以重新制絨；厚度不到絨；厚度不到165微米的片子，不建議返工，微米的片子，不建議返工，以免影響后續(xù)工序。以免影響后續(xù)工序。P 28中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.9 單晶一次清洗常見問題及處理方法理想絨面應(yīng)該是金字塔覆蓋率到達100，并且小而均勻。金字塔覆蓋率低導(dǎo)致片子發(fā)白，電池片反射率高，電流

18、偏?。唤鹱炙?、大小不均勻，導(dǎo)致背電場印刷漿料中有機物難以排出，容易產(chǎn)生鋁包。影響單晶堿制絨效果的要素很多，其中最具決議性的是硅片本身的外表情況。對于外表污染嚴(yán)重的硅片，需求進展預(yù)處置。另外，設(shè)備材質(zhì)等也對制絨有很大影響，如pp槽容易吸附有機污染物，導(dǎo)致出絨率低及溶液壽命縮短。P 29中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.9 單晶一次清洗常見問題及處理方法n指紋印及手套印指紋印及手套印經(jīng)過預(yù)清洗可以在一定程度上減輕這些經(jīng)過預(yù)清洗可以在一定程度上減輕這些印記，但很難徹底處理。在硅片制絨前應(yīng)該印記，但很難徹底處理。在硅片制絨前應(yīng)該盡量減少與硅

19、片的接觸，取片時盡量只接觸盡量減少與硅片的接觸，取片時盡量只接觸硅片側(cè)面，不接觸硅片外表；同時，也要減硅片側(cè)面，不接觸硅片外表；同時，也要減少硅片與泡沫、衣物等物體的接觸。少硅片與泡沫、衣物等物體的接觸。P 30中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.9 單晶一次清洗常見問題及處理方法n花籃印花籃印新花籃印子比較明顯，經(jīng)過一段時間運新花籃印子比較明顯，經(jīng)過一段時間運用后有所好轉(zhuǎn)；制絨槽中反響產(chǎn)物積累過多用后有所好轉(zhuǎn)；制絨槽中反響產(chǎn)物積累過多也會使花籃印更明顯。新花籃用堿浸泡一段也會使花籃印更明顯。新花籃用堿浸泡一段時間可以減少花籃?。患皶r換

20、液，控制制絨時間可以減少花籃?。患皶r換液，控制制絨槽中硅酸鈉含量也可減少花籃印。槽中硅酸鈉含量也可減少花籃印。P 31中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.9 單晶一次清洗常見問題及處理方法n水痕水痕大面積的水痕狀印記普通由于硅片從制大面積的水痕狀印記普通由于硅片從制絨槽出來，外表過快枯燥而殘留在外表的堿絨槽出來，外表過快枯燥而殘留在外表的堿及硅酸鈉等呵斥，酸洗以后也無法完全除去。及硅酸鈉等呵斥，酸洗以后也無法完全除去。消除的方法是，硅片經(jīng)制絨槽出來后，迅速消除的方法是，硅片經(jīng)制絨槽出來后，迅速放入漂洗槽中，或中途灑水堅持硅片潮濕。放入漂

21、洗槽中，或中途灑水堅持硅片潮濕。及時換液，控制制絨槽中硅酸鈉含量也能減及時換液，控制制絨槽中硅酸鈉含量也能減少水痕。少水痕。P 32中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.9 單晶一次清洗常見問題及處理方法n片子出現(xiàn)雨點狀痕跡片子出現(xiàn)雨點狀痕跡硅片制絨后豎直方向上雨點狀的痕跡是硅片制絨后豎直方向上雨點狀的痕跡是由于異丙醇缺乏引起的。當(dāng)異丙醇缺乏時，由于異丙醇缺乏引起的。當(dāng)異丙醇缺乏時，硅片上的氫氣泡無法及時溢出，附著在硅片硅片上的氫氣泡無法及時溢出，附著在硅片上阻撓反響，產(chǎn)生規(guī)那么的雨點狀痕跡。添上阻撓反響，產(chǎn)生規(guī)那么的雨點狀痕跡。添加異丙

22、醇濃度可以處理。加異丙醇濃度可以處理。P 33中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.9 單晶一次清洗常見問題及處理方法n制絨后硅片發(fā)白制絨后硅片發(fā)白硅片發(fā)白微觀上表現(xiàn)為金字塔覆蓋率不硅片發(fā)白微觀上表現(xiàn)為金字塔覆蓋率不高，普通由于硅片外表不干凈引起。經(jīng)過延高，普通由于硅片外表不干凈引起。經(jīng)過延伸制絨時間或者適量減少異丙醇濃度可以改伸制絨時間或者適量減少異丙醇濃度可以改善或者處理。但是硅片外表金字塔大小均勻善或者處理。但是硅片外表金字塔大小均勻性差無法防止。性差無法防止。P 34中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLD

23、ING CO.,LTD3.1.9 單晶一次清洗常見問題及處理方法n制絨后片子發(fā)亮制絨后片子發(fā)亮發(fā)亮的片子微觀上表現(xiàn)為出絨率低，即發(fā)亮的片子微觀上表現(xiàn)為出絨率低，即使延伸制絨時間甚至返工也沒有太大改善。使延伸制絨時間甚至返工也沒有太大改善。這種片子主要由于來料硅片外表污染嚴(yán)重所這種片子主要由于來料硅片外表污染嚴(yán)重所致，暫時沒有太多的手段處置，添加初配溶致，暫時沒有太多的手段處置，添加初配溶液中的硅酸鈉含量有細(xì)微改善。液中的硅酸鈉含量有細(xì)微改善。P 35中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.1.9 單晶一次清洗常見問題及處理方法n絨面情況逐漸惡化

24、絨面情況逐漸惡化在工藝和片源沒有更改的情況下，絨面在工藝和片源沒有更改的情況下，絨面情況隨制絨次數(shù)添加而逐漸惡化，普通由槽情況隨制絨次數(shù)添加而逐漸惡化，普通由槽中污染物積累引起。由于槽壁、加熱管等會中污染物積累引起。由于槽壁、加熱管等會吸附污染物，假設(shè)長時間不清理，槽液中污吸附污染物，假設(shè)長時間不清理，槽液中污染物的含量勢必會逐漸升高，影響制絨。每染物的含量勢必會逐漸升高，影響制絨。每次換液后充分清洗槽體，定期對槽做徹體清次換液后充分清洗槽體，定期對槽做徹體清洗都有助于防止絨面情況惡化。洗都有助于防止絨面情況惡化。P 36中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING

25、CO.,LTD3.1.10 單晶一次清洗工藝特點小結(jié)制絨和去損傷都需求在高溫下進展絨面為突起的金字塔形貌，外表反射率較低，外表高低起伏較大只能用于100面的單晶硅片消費過程中引入鈉離子沾污，需求特別留意對鈉離子的處置，對電池性能有一點負(fù)面影響P 37中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.1 多晶制絨機理 用堿對多晶硅腐蝕，只能在100面的晶粒上構(gòu)成正金字塔形貌，在接近100面的晶粒上可以構(gòu)成傾斜的金字塔，而在其他面的晶粒上那么能夠構(gòu)成三角形、三棱柱形等形貌。不同晶面的晶粒，腐蝕速率也不一樣，在晶界兩側(cè)可以察看到明顯的臺階景象。 經(jīng)過堿腐蝕

26、的多晶硅片反射率比拋光片略有下降，但依然較高。在不同位置丈量，測得的反射率差別可達7。經(jīng)過這種外表處置的硅片，制成的電池外表顏色不均勻，影響外觀。 P 38中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.1 多晶制絨機理 利用HF-HNO3體系對硅片的各向同性腐蝕的特點，在硅片外表制造出橢球冠形凹坑，當(dāng)光線射到凹坑上時，能夠構(gòu)成多次反射，從而到達減反射效果。 A1A2A3B1B2RHm P 39中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.2 多晶絨面構(gòu)成過程 腐蝕最先從損傷層的晶格缺陷處開場，漸漸布

27、滿整個硅片，最終構(gòu)成橢球冠狀的絨面構(gòu)造。P 40中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.3 多晶絨面顯微鏡明場照片P 41中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.4 多晶絨面3D形貌圖P 42中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.5 多晶制絨化學(xué)試劑氫氟酸、硝酸氫氟酸、硝酸 、氫氧化鈉、氫氧化鈉氫氟酸、硝酸氫氟酸、硝酸腐蝕制絨的化學(xué)試劑腐蝕制絨的化學(xué)試劑氫氧化鈉氫氧化鈉制絨后去除外表構(gòu)成的多孔硅和外表殘留的酸性氧制絨后去除外表構(gòu)成的

28、多孔硅和外表殘留的酸性氧化物化物P 43中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.6 多晶一次清洗工藝流程 去損傷層、制絨氫氧化鈉處置鹽酸/氫氟酸處置甩干清洗機甩干機P 44中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.7 多晶一次清洗設(shè)備工位引見槽位工序名稱功能處理液時間（sec）溫度（ C）12345678制絨去損傷層制作絨面氫氟酸、硝酸100600109制絨10制絨11純水清洗去離子水360室溫12氫氧化鈉清洗去多孔硅、酸性氧化物氫氧化鈉30室溫13純水清洗去離子水360室溫14鹽酸/氫氟

29、酸清洗去金屬離子、氧化層鹽酸、氫氟酸360室溫15純水噴淋去離子水180室溫16純水清洗去離子水360室溫17預(yù)脫水去離子水6060P 45中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.8 多晶一次清洗流程表示圖制絨漂洗氫氧化鈉清洗漂洗鹽酸/氫氟酸清洗噴淋漂洗預(yù)脫水下料上料花籃P 46中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD4.3.2 多晶絨面外觀及檢測制絨后的硅片外表比制絨前略暗，晶粒之間的差別不太明顯。晶格缺陷處不能腐蝕過深。 腐蝕深度適宜 腐蝕過深P 47中國南玻集團股份有限公司中國南玻集團股份有限公司CSG HOLDING CO.,LTD3.2.9 多晶一次清洗工藝特點小結(jié)制絨在較低溫度溫下進展絨面為橢球冠形凹坑，外表反射率比單晶金字塔構(gòu)造高，外表高低起伏較小也可用于任何面的單晶硅片消費