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文檔簡介
1、會計學1第一第一(dy)部分晶體二極管及應用電路部分晶體二極管及應用電路第一頁,共80頁。第1頁/共79頁第二頁,共80頁。第2頁/共79頁第三頁,共80頁。第3頁/共79頁第四頁,共80頁。第4頁/共79頁第五頁,共80頁。第5頁/共79頁第六頁,共80頁。第6頁/共79頁第七頁,共80頁。第7頁/共79頁第八頁,共80頁。第8頁/共79頁第九頁,共80頁。第9頁/共79頁第十頁,共80頁。第10頁/共79頁第十一頁,共80頁。第11頁/共79頁第十二頁,共80頁。第12頁/共79頁第十三頁,共80頁。第13頁/共79頁第十四頁,共80頁。第14頁/共79頁第十五頁,共80頁。第15頁/共7
2、9頁第十六頁,共80頁。第16頁/共79頁第十七頁,共80頁。第17頁/共79頁第十八頁,共80頁。第18頁/共79頁第十九頁,共80頁。第19頁/共79頁第二十頁,共80頁。第20頁/共79頁第二十一頁,共80頁。第21頁/共79頁第二十二頁,共80頁。第22頁/共79頁第二十三頁,共80頁。第23頁/共79頁第二十四頁,共80頁。第24頁/共79頁第二十五頁,共80頁。第25頁/共79頁第二十六頁,共80頁。第26頁/共79頁第二十七頁,共80頁。第27頁/共79頁第二十八頁,共80頁。第28頁/共79頁第二十九頁,共80頁。第29頁/共79頁第三十頁,共80頁。第30頁/共79頁第三十一
3、頁,共80頁。第31頁/共79頁第三十二頁,共80頁。第32頁/共79頁第三十三頁,共80頁。第33頁/共79頁第三十四頁,共80頁。第34頁/共79頁第三十五頁,共80頁。第35頁/共79頁第三十六頁,共80頁。第36頁/共79頁第三十七頁,共80頁。第37頁/共79頁第三十八頁,共80頁。第38頁/共79頁第三十九頁,共80頁。第39頁/共79頁第四十頁,共80頁。第40頁/共79頁第四十一頁,共80頁。第41頁/共79頁第四十二頁,共80頁。第42頁/共79頁第四十三頁,共80頁。第43頁/共79頁第四十四頁,共80頁。第44頁/共79頁第四十五頁,共80頁。第45頁/共79頁第四十六頁
4、,共80頁。第46頁/共79頁第四十七頁,共80頁。第47頁/共79頁第四十八頁,共80頁。第48頁/共79頁第四十九頁,共80頁。第49頁/共79頁第五十頁,共80頁。第50頁/共79頁第五十一頁,共80頁。第51頁/共79頁第五十二頁,共80頁。第52頁/共79頁第五十三頁,共80頁。第53頁/共79頁第五十四頁,共80頁。第54頁/共79頁第五十五頁,共80頁。第55頁/共79頁第五十六頁,共80頁。第56頁/共79頁第五十七頁,共80頁。(tiojin)反偏電壓6V。溫度增加,擊穿電壓增大。第57頁/共79頁第五十八頁,共80頁。第58頁/共79頁第五十九頁,共80頁。第59頁/共79
5、頁第六十頁,共80頁。第60頁/共79頁第六十一頁,共80頁。第61頁/共79頁第六十二頁,共80頁。第62頁/共79頁第六十三頁,共80頁。第63頁/共79頁第六十四頁,共80頁。第64頁/共79頁第六十五頁,共80頁。第65頁/共79頁第六十六頁,共80頁。第66頁/共79頁第六十七頁,共80頁。第67頁/共79頁第六十八頁,共80頁。第68頁/共79頁第六十九頁,共80頁。第69頁/共79頁第七十頁,共80頁。第70頁/共79頁第七十一頁,共80頁。第71頁/共79頁第七十二頁,共80頁。第72頁/共79頁第七十三頁,共80頁。第73頁/共79頁第七十四頁,共80頁。第74頁/共79頁第七十五頁,共80頁。第75頁/共79頁第七十六頁,共80頁。第76頁/共79頁第七十七頁,共80頁。第77頁/共79頁第七十八頁,共80頁。第78頁/共79頁第七十九頁,共80頁。NoImage內(nèi)容(nirng)總結會計學。本征濃度ni:平衡狀態(tài)下本征半導體單位體積內(nèi)的自由電子數(shù)(空穴數(shù))。在本征Si和Ge中摻入微量族元素后形成的雜質(zhì)半導體稱為N型半導體。內(nèi)建電場:由N區(qū)指向P區(qū)的電場E。(1)低頻及脈沖電路中,做整流、限幅、鉗位、穩(wěn)壓、波形變換。(2)集成運放加二
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