1、Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。AMPS說(shuō)明書(shū)中文版-第三章：材料參數(shù)那么多參數(shù)，從哪里入手呢？從AMPS的原理為切入點(diǎn)，AMPS是基于對(duì)泊松方程，電子和空穴的連續(xù)性方程，復(fù)合/產(chǎn)生方程的求解來(lái)對(duì)要設(shè)計(jì)器件的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行模擬的。那么，求解方程需要哪些參數(shù)，我們就要設(shè)置哪些參數(shù)。AMPS適用與對(duì)半導(dǎo)體（單晶，非晶，多晶），絕緣體，金屬的模擬。3.1：半導(dǎo)體材料的參數(shù)【載流子壽命圖像】對(duì)S-R-H或B-T-B過(guò)程進(jìn)行模擬（3.1）（3.2）（1）在穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)候，Rn一般等于Rp。所以只能在滿(mǎn)足n-n0=p-p0的時(shí)候，這個(gè)壽命能同時(shí)應(yīng)用

2、于兩種載流子。用這種方法計(jì)算，AMPS提供了一種通過(guò)計(jì)算n/R和p/R的自洽檢驗(yàn)（Self-Consistancy-Check：SCC）的方法。那么，如果你相信線(xiàn)性模型很好地適用于兩種載流子，而且存在一個(gè)壽命值可以同時(shí)適用于兩種載流子，那么你就可以通過(guò)看AMPS計(jì)算出來(lái)的SCC壽命是否相等（和你自己輸入的值）來(lái)檢查結(jié)果是否是自洽的。如果你想要壽命的概念和R的線(xiàn)性化應(yīng)用于電子，那么你就可以假設(shè)方程（3.1）是有效的。在這種情況下，就不同對(duì)空穴進(jìn)行任何的限制了。在運(yùn)行的最后，AMPS將計(jì)算SCC的值。如果你剛開(kāi)始就是正確的，那么SCC的值會(huì)和你輸入的值相等。這是空穴的的SCC是沒(méi)有意義的。同樣，這

3、個(gè)方法適用于空穴。在不確定電子和空穴的線(xiàn)性模型對(duì)某些器件內(nèi)區(qū)域是否很好地適用的時(shí)候，可以假設(shè)線(xiàn)性化的壽命適用于電子和空穴，在運(yùn)行AMPS，然后檢查輸出的SCC值，如果相等的話(huà)，那么你就可以繼續(xù)做以后的步驟了。如果在某些區(qū)域，SCC中電子壽命空穴壽命,情況剛好相反。（2）用方程（3.1）（3.2）對(duì)方程的描述不會(huì)涉及到S-R-H復(fù)合的細(xì)節(jié)。比如，它沒(méi)有考慮載流子通過(guò)缺陷能級(jí)時(shí)候的影響（不管是DOS或者是捕獲面積（capture-cross-sections）這個(gè)充放電都被過(guò)重的看待了）。因此，這種描述不會(huì)涉及有可能在器件工作時(shí)候由于凈電荷的出現(xiàn)而導(dǎo)致的場(chǎng)分布效應(yīng)。（3）對(duì)于S-R-H，凈復(fù)合通過(guò)

4、缺陷密度Nt的束縛如下：（3.3）其中和是熱速率-空穴/電子交叉捕獲面積（thermalvelocity-hole/electroncapturecrosssection）和Nt的乘積的倒數(shù)。nt和pt的數(shù)量和缺陷在禁帶能級(jí)中的位置成指數(shù)關(guān)系。對(duì)于B-T-B凈復(fù)合：（3.4）其中R是和材料有關(guān)的常數(shù)，（tofirstorder：在一階條件下？）和載流子的數(shù)量無(wú)關(guān)?！綝OS圖像】用DOS進(jìn)行模擬，復(fù)合的機(jī)制，束縛和缺陷的電荷狀態(tài)等的細(xì)節(jié)都可以很完全的描述。用這個(gè)方法，需要輸入禁帶中缺陷的分布和各空間區(qū)域的變化。還需要交叉捕獲面積的信息來(lái)量化多種缺陷對(duì)于電子和空穴的吸引能力。當(dāng)處理具有很大的缺陷密

5、度比如非晶硅材料和多晶材料的紋理邊界區(qū)域的時(shí)候，需要用到DOS圖像來(lái)描述。.如果沒(méi)有用DOS，我們就無(wú)法描述由于在缺陷狀態(tài)下凈電荷的出現(xiàn)導(dǎo)致電場(chǎng)分布的變化。第一部分：?jiǎn)尉О雽?dǎo)體材料的參數(shù)1能帶參數(shù)（3.5）（3.6）這些表達(dá)式在熱平衡，即Efn=Epn=0時(shí)（相對(duì)于費(fèi)米能級(jí)而言，一般Efn為正，Efp為負(fù)），是有效的。即使在有偏壓的情況下，它們?nèi)匀贿m用。從（3.5）和（3.6）中可以看出，我們必須給出材料層的能帶有效狀態(tài)密度Nv和Nc，電子親和能Xe，禁帶寬度Eg，x=L處的勢(shì)壘高度，和半導(dǎo)體中靠近x=L這個(gè)接觸的電子親和能。2.定域（禁帶中）參數(shù)實(shí)際上，在禁帶中還存在著很多不同類(lèi)型的能級(jí)，即

6、使這種材料是單晶材料。AMPS把這些能級(jí)歸為兩類(lèi)：一類(lèi)是缺陷（結(jié)構(gòu)的和雜質(zhì)）引起的，一類(lèi)是由有意地?fù)诫s引入的。兩類(lèi)可能會(huì)有類(lèi)施主態(tài)和類(lèi)受主態(tài)。一：摻雜能級(jí)的參數(shù)我們這里說(shuō)的摻雜能級(jí)包括離散的能級(jí)和具有一定寬度（較高的能級(jí)邊界和較低的能級(jí)邊界之間）的帶能級(jí)。當(dāng)重?fù)诫s的時(shí)候，類(lèi)似后者的禁帶中的定域能帶會(huì)出現(xiàn)。這兩種情況的任意結(jié)合，AMPS都是可以應(yīng)付的。離散摻雜能級(jí)參數(shù)如上圖所示，離散的是以單能級(jí)的形態(tài)出現(xiàn)的。AMPS允許有九個(gè)施主能級(jí)和九個(gè)受主能級(jí)。我們可以假設(shè)這些能級(jí)上的雜質(zhì)已經(jīng)全部電離，或者是用AMPS用費(fèi)米-狄拉克分布計(jì)算這些狀態(tài)的數(shù)量。如果假設(shè)全部電離，第i個(gè)施主能級(jí)上的施主濃度NdDj

7、或第j個(gè)受主能級(jí)上的受主濃度NdAj都必須被設(shè)置，于是這些能級(jí)上帶電滿(mǎn)足。在這種情況下，AMPS計(jì)算全部電離的單位體積的施主狀態(tài)和受主狀態(tài)。如果假設(shè)雜質(zhì)沒(méi)有全部電離，AMPS計(jì)算出它們的電離程度。就是我們討論的離散能級(jí)，可以用下列公式進(jìn)行計(jì)算：（3.7）（3.8）（3.9）（3.10）在這些表達(dá)式中的n和p是作為半導(dǎo)體層的常數(shù)特性。以上四個(gè)表達(dá)式在動(dòng)態(tài)熱平衡和有偏的狀態(tài)下都是適用的。在前者情況下，當(dāng)動(dòng)態(tài)熱平衡的值用于n和p時(shí)候，fDi和fAj的表達(dá)式就可以忽略了，轉(zhuǎn)變成叫合理的費(fèi)米方程。假設(shè)摻雜的離散能級(jí)全部電離，它們沒(méi)有參與到復(fù)合；然而，如果沒(méi)有全部電離，那么他們占有能級(jí)的概率有fDi和fA

8、j給出。這些fDi和fAj是由通過(guò)這些能級(jí)時(shí)候的S-R-H復(fù)合機(jī)制決定的。因此，這些能級(jí)對(duì)復(fù)合有貢獻(xiàn)。（3.11）這些貢獻(xiàn)是由上表達(dá)式等號(hào)右邊的第一項(xiàng)和第三項(xiàng)來(lái)表述的。從（3.7）-（3.10）中可以看出，基于不完全電離的假設(shè)，對(duì)于離散摻雜的模擬需要一些額外的信息。在設(shè)置了各能級(jí)上受主和施主的濃度NdAi和NdDj后，我們也需要設(shè)置其能級(jí)距離導(dǎo)帶和價(jià)帶的距離（施主的為EDONi，受主的為EACPj），還有各能級(jí)的交叉捕獲面積。帶摻雜能級(jí)參數(shù)前面已經(jīng)提過(guò)，即使在單晶體材料中，在中摻雜的情況下也會(huì)導(dǎo)致帶摻雜能級(jí)。這些帶能級(jí)的帶電量有以下兩個(gè)式子給出：（3.12）如果是類(lèi)施主能級(jí)的話(huà)；（3.13）如

9、果是類(lèi)受主能級(jí)能級(jí)的話(huà)；第i施主帶和第j受主帶能級(jí)的（帶電量）分別由一下兩個(gè)式子給出：（3.14）（3.15）在這些表達(dá)式中，能級(jí)被電子占據(jù)的概率方程由以下式子給出：（3.16）（3.17）【其實(shí)（3.16）和（3.17）是對(duì)熱平衡表達(dá)式的修正，使用與在有偏壓的情況下，熱平衡的式只有以下式子給出：（3.18）（3.19）】有以上各式可以看出，要模擬這樣的情況，我們要設(shè)置很多的參數(shù)。如第i層這樣的摻雜帶，需要能級(jí)參數(shù)E1i和E2i，濃度（NDi和NAj），還有交叉捕獲面積（）。二：缺陷能級(jí)的參數(shù)我們知道，即使在單晶材料中，也會(huì)出現(xiàn)有結(jié)構(gòu)缺陷和雜志引起的定域能級(jí)。這些能級(jí)會(huì)是類(lèi)施主的，類(lèi)受主的，離

10、散的或是帶形狀的，就跟我們剛討論的摻雜能級(jí)類(lèi)似。AMPS允許我們對(duì)一些據(jù)連續(xù)的方程形式（指數(shù)式，高斯式，常數(shù)式）的能級(jí)進(jìn)行模擬。離散和帶缺陷能級(jí)的參數(shù)通過(guò)這種形式的缺陷能級(jí)的數(shù)量和復(fù)合機(jī)制的機(jī)制同摻雜能級(jí)的計(jì)算沒(méi)有區(qū)別，也就是說(shuō)其數(shù)學(xué)表達(dá)式和要輸入的參數(shù)是一樣的。然而，AMPS對(duì)這兩種能級(jí)（摻雜能級(jí)和缺陷能級(jí)）的輸入?yún)?shù)設(shè)置是不一樣的。連續(xù)缺陷能級(jí)的參數(shù)所謂的連續(xù)缺陷能級(jí)是指在禁帶中連續(xù)分布的定域能級(jí)，要注意區(qū)分它們跟在禁帶中的特定能級(jí)和特定區(qū)域能級(jí)的不同。AMPS對(duì)三種連續(xù)形式進(jìn)行模擬：指數(shù)型，高斯型，常數(shù)型。指數(shù)型從價(jià)帶延伸出來(lái)的類(lèi)施主的Urbach帶尾狀態(tài)數(shù)在AMPS中是這樣表示的：（3

11、.20）其中E為正；同理，從導(dǎo)帶延伸出來(lái)的類(lèi)受主的Urbach帶尾狀態(tài)數(shù)可以這樣表示：（3.21）其中E為負(fù)；Ed和Ea是決定這些帶尾斜率的特征能級(jí)。這也是我們要自己設(shè)定的，當(dāng)然還有Gdo和Gao（單位體積單位能級(jí)的狀態(tài)數(shù)）。由于這些能級(jí)會(huì)交換載流子，所以必須設(shè)置這些帶尾中電子和空穴的交叉捕獲面積。高斯型數(shù)學(xué)表達(dá)式為：（3.22）GGd（施主）和GGa（受主）是單位體積單位能級(jí)的狀態(tài)數(shù)。Epkd是施主高斯分布均值和導(dǎo)帶底能級(jí)Ec的差，Epka式受主高斯分布均值和價(jià)帶頂Ev的差值。是分布的標(biāo)準(zhǔn)差。對(duì)這種形式的缺陷進(jìn)行模擬，不關(guān)需要以上的參數(shù)，還要有表征單位體積內(nèi)全部的狀態(tài)數(shù)的量，還有每種高斯分布

12、的交叉捕獲面積。常數(shù)型常數(shù)型的也類(lèi)施主帶和類(lèi)受主帶，主要式靠Eda來(lái)作為分界線(xiàn)的，所以要我們自己設(shè)置Eda。在Eda和Ec之間的可以看做是類(lèi)受主態(tài)，在Eda和Ev之間的可以看成是類(lèi)施主態(tài)。類(lèi)受主態(tài)和類(lèi)施主態(tài)的分別的單位體積單位能級(jí)狀態(tài)數(shù)GMGA和EMGD沒(méi)有必要相等。這“轉(zhuǎn)變能級(jí)”Eda是個(gè)正數(shù)，是以Ev為零點(diǎn)進(jìn)行衡量的。既然這里也是各缺陷能級(jí)，它們勢(shì)必對(duì)載流子的輸運(yùn)產(chǎn)生影響，所以還要設(shè)置空穴和電子的交叉捕獲面積。AMPS中用來(lái)計(jì)算Urbach尾態(tài)，高斯型，和任意常數(shù)型分布的類(lèi)施主態(tài)捕獲的空穴數(shù)和類(lèi)受主態(tài)捕獲的電子數(shù)分別由以下兩個(gè)式子給出：（3.23）（3.24）電子和空穴占據(jù)這些能級(jí)的概率方

13、程由（3.16）（3.17）給出。其中的n和p由（3.5）和（3.6.）兩式給出。這些表達(dá)式同時(shí)適用于有偏的和熱平衡的狀態(tài)下。AMPS計(jì)算通過(guò)指數(shù)型尾帶，高斯型，和任意常數(shù)型缺陷分布時(shí)候的符合機(jī)制是用到式（3.11）中等號(hào)右邊的第七項(xiàng)和第八項(xiàng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。3：光特性參數(shù)這個(gè)比較簡(jiǎn)單，主要就是設(shè)置材料的光吸收系數(shù)和相對(duì)介電常數(shù)。第二部分：非晶半導(dǎo)體材料參數(shù)在這里，我們假設(shè)非晶半導(dǎo)體的材料特征由圖3.1中顯示的那樣，不管它是在器件中的哪一個(gè)位置。而且我們還假設(shè)在單晶體中所討論的定域態(tài)等等所有的態(tài)和光學(xué)參數(shù)在這里也全部都適用。相對(duì)于半導(dǎo)體，主要的區(qū)別在于非晶體由很低的遷移率，而且在在禁帶中還有很大的定域

14、態(tài)數(shù)量。所以，我們要注意的只是在輸入?yún)?shù)的時(shí)候?qū)τ趨?shù)值大小的改變就行了。還有一點(diǎn)由必要注意一下，也是蠻重要的，就是在非晶體中有遷移率隙EGu和光學(xué)隙EGop的區(qū)分。在單晶材料中，EGu=EGop=Eg；然而，在非晶體中，由于定域的帶型能級(jí)和帶-帶之間的光的躍遷有可能存在不同的臨界值。于是，在非晶體智能光，EGu=Ec-Ev；但是EGop就需要我們自己輸入了。值得一提的是，AMPS中衡量材料的禁帶寬帶都是利用EGu的。實(shí)際上，Egop也只是作為一個(gè)課本上的內(nèi)容來(lái)講，真正決定哪個(gè)波長(zhǎng)產(chǎn)生光載流子的是吸收系數(shù)表。只要在表中存在對(duì)哪個(gè)波長(zhǎng)的吸收系數(shù)，AMPS就假設(shè)這個(gè)吸收會(huì)在帶中產(chǎn)生光載流子。因此，

15、Egop和吸收系數(shù)表要一致，但是真正起作用的是吸收系數(shù)表，它控制這臨界光載流子的產(chǎn)生。第三部分：多晶半導(dǎo)體材料參數(shù)多晶半導(dǎo)體含有由無(wú)規(guī)則區(qū)域組成的晶界。為了用AMPS模擬多晶體，我們需要設(shè)置一個(gè)多區(qū)域的結(jié)構(gòu)，由單晶體區(qū)域夾雜在薄的非晶體區(qū)域所構(gòu)成，這個(gè)非晶體區(qū)域是用來(lái)表示晶界的無(wú)規(guī)則的。接下來(lái)就是設(shè)置單晶和非晶參數(shù)的問(wèn)題了。3.2：絕緣體材料的參數(shù)絕緣體可以通過(guò)假設(shè)材料有一個(gè)很寬的禁帶來(lái)實(shí)現(xiàn)模擬。如果是理想絕緣體，其電導(dǎo)率可以由下式給出：（3.25）當(dāng)然在單晶中討論的內(nèi)容在這里也都適用。3.3：金屬材料的參數(shù)在AMPS中，金屬是存在于x=0和x=L的地方。我們輸入器件結(jié)構(gòu)x=0和x=L處的勢(shì)壘

16、高度和電子親和能，這樣就可以建立如下的金屬功函數(shù)：（3.26）（3.27）通過(guò)選擇勢(shì)壘高度和表面復(fù)合速度（與界面的質(zhì)量有關(guān)），我們可以加強(qiáng)或降低半導(dǎo)體接觸的質(zhì)量，因此，理想的歐姆接觸，非理想的歐姆接觸或者是整流接觸都可以被模擬。例如，低的勢(shì)壘高度和高的表面復(fù)合速度可以代表一個(gè)理想的金屬接觸，而一個(gè)同樣勢(shì)壘高度和低的表面復(fù)合速度的組合可以代表一個(gè)很差的表面或者式電解質(zhì)接觸。3.4：不同區(qū)域間界面的參數(shù)在x=0和x=L處的界面可以看做是一種較為特殊的界面。如果在這里考慮到隧穿效應(yīng)，那么它起的作用和其他的傳輸機(jī)制式是等重要的，那么我們就有必要輸入有效的載流子隧穿質(zhì)量。然而，AMPS-1D無(wú)法對(duì)隧穿進(jìn)

17、行模擬。在x=0和x=L處的界面也是有光學(xué)特性的，如反射系數(shù)RF和RB。不單單在兩端的界面，AMPS允許在器件中任意位置的界面。這種界面可以是有很多缺陷能級(jí)的薄的區(qū)域。那么，我們就可以通過(guò)增加具有不同特性的薄區(qū)域?qū)觼?lái)實(shí)現(xiàn)在任意的位置輸入一個(gè)界面層。我們經(jīng)常提起的是界面的缺陷密度，這個(gè)可以通過(guò)狀態(tài)密度和界面區(qū)域的厚度的乘積來(lái)求得。由于這個(gè)界面區(qū)域有它自己的材料參數(shù)，所以我們可以創(chuàng)建一個(gè)與周?chē)牧贤耆珶o(wú)關(guān)界面層?？偟目磥?lái)，AMPS能模擬的范圍是很廣的，包括不同區(qū)域，不同材料，不同界面。只要我們輸入正確的材料參數(shù)，AMPS就能夠模擬，給我們對(duì)于器件結(jié)構(gòu)的研究帶來(lái)巨大的靈活性。第四章：運(yùn)行AMPS的步

18、驟首先，AMPS會(huì)計(jì)算出在沒(méi)有任何偏壓下器件的的基本能帶圖，內(nèi)建勢(shì)場(chǎng)和電場(chǎng)，自由載流子數(shù)目和束縛載流子數(shù)目。然后AMPS將以這個(gè)熱平衡狀態(tài)下的解開(kāi)始進(jìn)行在偏壓下（光偏壓，電偏壓，或者是兩者同時(shí)加上去）的特征的求解。這下AMPS將會(huì)輸出能帶圖（包括準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)），載流子數(shù)目，電流，復(fù)合，I-V特征和光反應(yīng)等等。一：器件的輸出特征暗IV特征在輸入光偏壓條件的窗口中，我們只要給出光偏壓的范圍。例如，光偏壓從-1V至1V。這個(gè)電壓范圍不單單應(yīng)用到暗I-V，而且可以應(yīng)用在有光情況下的I-V。有這樣的情況，如果你選在01V范圍內(nèi)步長(zhǎng)為0.0aa5V的計(jì)算條件，但是你想看到在0.88V條件下的能帶圖，那么AM

19、PS只能讓你看到0.9V的能帶圖，除非你把步長(zhǎng)改為0.04V或者式更小。當(dāng)然了，步長(zhǎng)越小，AMPS計(jì)算的時(shí)間就越長(zhǎng)。光IV特征這和暗IV特征的唯一區(qū)別在于你要在窗口上選中“l(fā)ighton”。AMPS默認(rèn)提供了AM1.5，但是我們也可以自己設(shè)置。光譜響應(yīng)如果我們想看到在每個(gè)波長(zhǎng)上產(chǎn)生的光電流，就必須設(shè)置“spectralresponse”不管是在有光或者式無(wú)光的條件下，AMPS都會(huì)給出頻譜反應(yīng)。二：輸入?yún)?shù)的步驟1：應(yīng)用于整個(gè)器件的參數(shù)2：應(yīng)用于特定區(qū)域的參數(shù)3：確定光譜的參數(shù)應(yīng)用域整個(gè)器件的參數(shù)邊界條件表面復(fù)合速度SNO=SNO:電子在x=0處界面的復(fù)合速度（cm/sec）SPO=SPO:空穴

20、在x=0處界面的復(fù)合速度（cm/sec）SNL=SNL:電子在x=L處界面的復(fù)合速度（cm/sec）SPL=SPL:空穴在x=L處界面的復(fù)合速度（cm/sec）光在前后表面的反射系數(shù)RF=RF:在x=0處的反射系數(shù)RB=RB：在x=L處的反射系數(shù)溫度T(K)應(yīng)用于特定區(qū)域的參數(shù)區(qū)域的寬度W或者式XLAYER(A)材料的基本參數(shù)EPS:在溫度為T(mén)時(shí)候的折射率NC：溫度為T(mén)時(shí)候?qū)У挠行顟B(tài)密度NV:溫度為T(mén)時(shí)候價(jià)帶的有效狀態(tài)密度EG：溫度為T(mén)時(shí)候的禁帶寬度EGOP：溫度為T(mén)時(shí)候的光學(xué)帶隙CHI:溫度為T(mén)時(shí)候電子親和能MUN:溫度為T(mén)時(shí)候電子的遷移率MUP：溫度為T(mén)時(shí)候空穴的遷移率離散的定域缺陷能

21、級(jí)DLVS是離散類(lèi)施主能級(jí)的數(shù)目（0=DLVS=25）；ALVS是離散類(lèi)施主能級(jí)的數(shù)目（0=DLVS0（即存在離散類(lèi)施主能級(jí)）,那我們就需要設(shè)置有關(guān)第i個(gè)離散能級(jí)的如下有關(guān)參數(shù)：ND(i)=NDi:第i個(gè)施主能級(jí)帶濃度；EDON(i)：第i個(gè)施主能級(jí)帶電離能，為正，以EC為零點(diǎn)；WDSD(i)=WDi：第i個(gè)施主摻雜帶能級(jí)帶寬度；DSIG/ND(i):第i個(gè)離散施主能級(jí)電子的交叉捕獲面積；DSIG/PD(i):第i個(gè)離散施主能級(jí)空穴的交叉捕獲面積離散受主能級(jí)濃度和電離能對(duì)于全部電離的情況，ALVS=0NA(i)=NAi：第i個(gè)受主能級(jí)的受主濃度對(duì)于部分電離的情況，如果ALVS0（即存在離散類(lèi)受

22、主能級(jí)）,那我們就需要設(shè)置有關(guān)第i個(gè)離散能級(jí)的如下有關(guān)參數(shù)：a.NA(i)=NAi:第i個(gè)受主能級(jí)的濃度；b.EACP(i)：第i個(gè)受主能級(jí)帶電離能，為正，以EV為零點(diǎn)；c.WDSA(i)=WAi：第i個(gè)受主摻雜帶能級(jí)的寬度；d.DSIG/NA(i):第i個(gè)離散受主能級(jí)電子的交叉捕獲面積；e.DSIG/PA(i):第i個(gè)離散受主能級(jí)空穴的交叉捕獲面積連續(xù)的定域缺陷能級(jí)（在帶尾和禁帶中部），分為V型和U型如果是V型，需要以下帶參數(shù)：GDO，GAO:如上圖中的表達(dá)式帶表示的：ED:類(lèi)施主尾帶的特征能量Ed：EA:類(lèi)受主尾帶的特征能量Ea：TSIG/ND：類(lèi)施主尾帶電子的交叉捕獲面積TSIG/PD：類(lèi)施主尾帶空穴的交叉捕獲面積TSIG/NA：類(lèi)受主尾帶電子的交叉捕獲面積TSIG/PA：類(lèi)受主尾帶空穴的交叉捕獲面積如果是U型，除了要用到V型中要用帶參數(shù)以外，還要加上以下的參數(shù)：GMGA:禁帶中部類(lèi)受主能級(jí)狀態(tài)密度GMGaGMGD:禁帶中部類(lèi)施主能級(jí)狀態(tài)密度GMGdEDA:轉(zhuǎn)變能級(jí)EdaMSIG/ND:禁帶中部類(lèi)施主能級(jí)電子的交叉捕獲面積MSIG/PD:禁帶中部類(lèi)施主能級(jí)空穴的交叉捕獲面積MSIG/NA:禁帶中部類(lèi)受主能級(jí)電子的交叉捕獲面積MSIG/PA:禁帶中部類(lèi)受主能級(jí)空穴