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1、D/P、CUI制程知識(shí) 講師:生產(chǎn)一部電鍍加工課1主要內(nèi)容實(shí)質(zhì)工藝流程工藝說(shuō)明2實(shí)質(zhì): PTH (PLATED THROUGH HOLE)鍍通孔系列,實(shí)質(zhì)上是非金屬的金屬化. 3工藝流程:(DESMEAR + PTH) 上工序(鉆孔)刷磨插架 膨松(TC-1050)水洗二次 除膠渣(TC-1200)預(yù)中和 水洗二次中和TC-1300 水洗二次脂平整劑水洗二次 粗化水洗二次微蝕(酸洗) 水洗二次預(yù)活化活化 水洗二次速化水洗二次 化學(xué)銅下工序 4 工藝說(shuō)明: 為保證產(chǎn)品品質(zhì),防止槽液污染過(guò)于嚴(yán)重,本公司在該制程采取二級(jí)逆流水洗以確保水洗徹底,對(duì)于比較難清洗的制程還增設(shè)打氣,目的也是為保證水洗徹底,
2、確保產(chǎn)品品質(zhì). 51.刷磨:作用:利用機(jī)械刷磨去除板面氧化物及污物, 利用高壓水洗清除孔內(nèi)鉆屑及板(孔) 邊毛刺(巴厘)。要點(diǎn):刷磨時(shí)刷輪調(diào)試不能太緊或太松,太緊 會(huì)使板面形成不平銅面(刷痕),太松 起不到刷磨的作用.另外必須對(duì)刷磨機(jī) 進(jìn)行定時(shí)的保養(yǎng).放板,接板必須戴手套.2.插架: 輕拿輕放,保證每格只插一片板,插好后鎖 緊螺絲,搖晃以不重疊為原則. 63.膨松:(TC-1050)作用:利用膨松劑和氫氧化鈉對(duì)線路板孔內(nèi)鉆 污及環(huán)氧樹(shù)脂的攻擊作用,使之膨松,以便于 后工序之除膠渣作業(yè)。操作條件及工藝參數(shù): TC-1050:250-300ml/l NaOH:10-15g/l T: 70-75 T
3、IME: 6-10 MIN 要點(diǎn):嚴(yán)格控制NaOH含量,NaOH含量低,膨松效果 差,NaOH含量高,膨松劑易分層,NaOH添加不 當(dāng)也極易分層,必須將之溶解后再緩慢加入到 膨松槽內(nèi). 74.除膠渣(TC-1200)作用:利用KMnO4的強(qiáng)氧化性對(duì)已經(jīng)膨松的環(huán)氧 樹(shù)脂或玻璃纖維的攻擊作用使孔內(nèi)銅環(huán)顯 露出來(lái),便于內(nèi)外層導(dǎo)電,為化學(xué)銅作準(zhǔn)備.條件及工藝參數(shù): KMnO4: 45-70g/l K2MnO4: 20g/l TC-1200: 80-100ml/l8 NaOH: 30-40g/l T: 75-85再生鹽作用: Mn6+ 失去一個(gè)電子 e得 到 Mn7+再生機(jī)必須24小時(shí)連續(xù)工作,而且 電
4、流控制在10-25 A.正負(fù)極方向不能接反.95.預(yù)中和:作用:清除板面及孔內(nèi)的KMnO4和MnO2,中和板面 及孔內(nèi)NaOH,以防污染后工序.條件及工藝參數(shù): H2SO4: 3%-5% H2O2: 1.5%-2.5% T : 常溫 TIME: 5-15 sec要點(diǎn):因H2SO4,H2O2混和溶液對(duì)銅層浸蝕現(xiàn)象 十分嚴(yán)重,必須嚴(yán)格控制溶液之浸泡時(shí)間. 106.中和: TC-1300作用:進(jìn)一步清洗板面及孔內(nèi)KMnO4和 MnO2, 并中和板面及孔內(nèi)NaOH,以防污染后 工序.條件及工藝參數(shù): TC-1300 :100-200ml/l T :55-65 TIME :6MIN注意:中和劑Mn7+去
5、除不徹底極易產(chǎn)生孔破 現(xiàn)象. 117.去脂平整劑:OPC-380作用:去除板面油脂及輕微氧化物;將孔 內(nèi)進(jìn)行初步狀況之整理.條件及工藝參數(shù): OPC380 T: 55-65 TIME: 6 MIN要點(diǎn):嚴(yán)格控制OPC-380之濃度,太高,泡 沫多,帶出損失大,太低,去脂效果差會(huì) 出現(xiàn)脫皮現(xiàn)象。(Peeling) 128.微蝕:作用:剝?nèi)グ迕娑嘤嗟谋砻婊钚詣植阢~ 面便于后工序化學(xué)銅接合力。條件及工藝參數(shù): H2SO4: 8%-10% H2O2 : 1%-2% T : 常溫 TIME : 2-5 MIN139.酸洗:作用:利用H2SO4洗掉板面及孔內(nèi)氧 化物及粗化過(guò)程中生成的銅鹽條件及工藝參數(shù)
6、: H2SO4:5% T:常溫 TIME : 3 MIN1410.預(yù)活化:作用:利用NaCl2與HCl處理孔,使之吸附于孔 壁上,SnCl2給予PdCl2電子,使Pd沉 積到孔壁上,此外防止雜質(zhì)及水進(jìn)入活 化槽.條件及工藝參數(shù): TC-601:250-270g/l HCl :0.15-0.35N 溫度 :常溫 TIME :6分鐘1511.活化:作用:有含有SnCl2,SnCl2等藥劑的溶液處 理線路板使Pd沉積到孔壁上,成為無(wú) 電銅的附著基礎(chǔ)。條件及工藝參數(shù): TC-601:250-270g/l TC-602:25-30ml/l HCl :0.4-0.7N TIME :6min1612.速化:
7、作用:除去四價(jià)錫的膠體物,使板面露出 金屬Pd,便于化學(xué)銅沉積在其上面條件及工藝參數(shù): TC-901:0.4-0.9N(酸當(dāng)量) T :常溫 TIME :6分鐘1713.化學(xué)銅:作用:在線路板表面及孔內(nèi)沉積一層均勻之銅層, 以保證電鍍時(shí)能導(dǎo)電.條件及工藝參數(shù): 化學(xué)銅A:10% 化學(xué)銅B:10% 攪拌 :打氣 T :20-27 TIME :12-18 分鐘化學(xué)銅在沉積時(shí),Pd原子起催化作用,Cu2+Cu, Cu自身取代Pd原子,起催化作用,促使反應(yīng)進(jìn)行下去.CO2是一種鎮(zhèn)定劑,為保證槽液之穩(wěn)定必須連續(xù)打氣. 1814.水洗: 在PTH全流程中水洗起著十分重要的作用,為保證水洗充分,本廠采用二級(jí)
8、逆流水洗,以保證水洗干凈避免污染下一工序,在整個(gè)制程中,難于清洗的工序還加裝打氣管,以確保水洗徹底.另外:濃度,溫度,時(shí)間及充分水洗的嚴(yán)格控制,是保證產(chǎn)品品質(zhì)的重要因素. 19一 次 銅 講 義 一.目的:采用電鍍方式加厚孔內(nèi)及板面銅層.二.工藝流程 上工序(化學(xué)銅)上架預(yù)浸電鍍水洗下架浸抗氧化劑磨板烘干驗(yàn)孔送下工序20三.操作條件及工藝參數(shù): CuSO4.5H2O:60-90g/l H2SO4 :180-225g/l Cl- :30-80PPM 光澤劑:0.3%-1% 陽(yáng)極磷銅塊:含P0.004%-0.0065%陰極電流密度:25ASF左右21四.槽液維護(hù)及注意事項(xiàng): 1.正常生產(chǎn)時(shí),每周必
9、須添加陽(yáng)極銅塊并做弱電解. 2.每班必須對(duì)陰,陽(yáng)極桿進(jìn)行擦拭,保證陰,陽(yáng)極桿之清潔. 3.槽液成份嚴(yán)格按化驗(yàn)單添加. 4.每月必須進(jìn)行一次小過(guò)濾,每年進(jìn)行一次大過(guò)濾. 5.不生產(chǎn)時(shí)應(yīng)將槽子蓋好,避免槽液被污染.五.主要問(wèn)題點(diǎn): 燒焦,發(fā)紅,梯鍍(花斑),氧化. 22Cu、蝕刻制知識(shí)主要內(nèi)容去墨蝕刻剝錫鉛 23一.去墨:利用NaOH的強(qiáng)堿性對(duì)油墨(或干膜)的高分子碳鏈進(jìn)行攻擊,使之?dāng)嗔?從板面上剝離下來(lái)。 我公司去墨形式有兩種:手動(dòng)去墨:對(duì)于干膜板去墨機(jī):對(duì)于傳統(tǒng)印刷線路。 嚴(yán)格控制NaOH濃度,溫度及去墨時(shí)間是保證產(chǎn)品品質(zhì)的捷徑,以油墨剛好去除為原則,控制不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致銅面氧化及流錫現(xiàn)象,均會(huì)導(dǎo)致
10、后制程之蝕刻不凈,去墨之后必須及時(shí)清洗,清洗不及時(shí)或不干凈,會(huì)導(dǎo)致蝕刻不凈而出現(xiàn)短路現(xiàn)象. 24二.蝕刻: 根據(jù)阻擋層之不同,所采取的蝕刻流程有差異,單面,雙面及多層板之內(nèi)層的蝕刻流程相同,而鍍錫鉛板的蝕刻流程不同. 我公司所采用的是堿性蝕刻液其母液主要成份為NH4+,Cl-,Cu2+而其子液不含有Cu2+,其蝕刻效果受Cu2+,Cl-含量,溫度,壓力,比重,PH值蝕刻速度等因素之相互制約,蝕刻效果的優(yōu)劣,除蝕刻液本身性能影響外,還應(yīng)嚴(yán)格控制以上各參數(shù). 因此該工序是技術(shù)加經(jīng)驗(yàn)的有機(jī)結(jié)合體,一旦出現(xiàn)問(wèn)題,不能從單一方面分析其原因,否則會(huì)誤入岐途.新?lián)Q蝕刻液其蝕刻效率隨Cu2+含量的變化而變化。 25三.剝錫鉛: 錫鉛作為蝕刻阻擋層,在蝕刻完成后,其使命已完成,因此須將其剝除,使我們所需之銅層裸露出來(lái).本公司所采用的雙液型剝錫鉛液.操作要點(diǎn):1.從
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