1、第十章填空題在CMOS工藝制作過程中，一般采用 結(jié)構(gòu)避免熱電子問題和短溝道效應(yīng)。MOS集成電路中的隔離目的是防止形成寄生的 ，即防止場區(qū)的寄生 開啟。有源器件之間通過生長 實現(xiàn)芯片上不同器件相互之間的電學(xué)隔離。提高場效應(yīng)晶體管閾值電壓的方法有兩種：一是增加場區(qū) ，二是形成 。答案1 LDD 2 導(dǎo)電溝道，場效應(yīng)晶體管 3 一層較厚的SiO2層 4 SiO2層的厚度，溝道阻擋層判斷題STI是一種全新的MOS集成電路隔離方法，它可以在全平坦化的條件下使鳥嘴區(qū)的寬度接近零。（ ）BiMOS工藝就是將雙極器件工藝和CMOS器件工藝機械地加在一起。（ ）在進行源漏區(qū)的離子注入前，先要生長一個較薄的二氧化

2、硅屏蔽層，原因是為了對源漏區(qū)進行隔離。（ ）問答題畫一個pnp晶體管管芯的工序流程圖并用文字簡要說明。畫一個npn晶體管管芯的工序流程圖并用文字簡要說明。畫一個pn結(jié)隔離工藝的工序流程圖并用文字簡要說明。畫一個雙阱工藝制作的工序流程圖并用文字簡要說明。畫出典型CMOS工藝的流程簡圖。答案1.答：圖8分，文字說明6分。第一步：襯底準備，選取輕摻雜的P-Si材料；第二步：初始氧化，生長一層二氧化硅；第三步：形成基區(qū)。根據(jù)版圖進行第一次光刻，刻蝕出基區(qū)。注入磷，退火使其擴散形成基區(qū)；第四步：形成發(fā)射區(qū)。基區(qū)上生長一層氧化層，進行第二次光刻，刻蝕出發(fā)射區(qū)。注入硼，退火使其擴散形成發(fā)射區(qū)；第五步：金屬接

3、觸和互聯(lián)。淀積二氧化硅，進行第三次光刻，刻蝕出引線孔，實現(xiàn)電極的引出。引線孔中淀積金屬形成歐姆接觸和互聯(lián)引線。隨后進行第四次光刻，形成金屬互聯(lián)。2.答：圖8分，文字說明6分。第一步：襯底準備，選取輕摻雜的N-Si材料；第二步：初始氧化，生長一層二氧化硅；第三步：形成基區(qū)。根據(jù)版圖進行第一次光刻，刻蝕出基區(qū)。注入硼，退火使其擴散形成基區(qū)；第四步：形成發(fā)射區(qū)?；鶇^(qū)上生長一層氧化層，進行第二次光刻，刻蝕出發(fā)射區(qū)。注入磷，退火使其擴散形成發(fā)射區(qū)；第五步：金屬接觸和互聯(lián)。淀積二氧化硅，進行第三次光刻，刻蝕出引線孔，實現(xiàn)電極的引出。引線孔中淀積金屬形成歐姆接觸和互聯(lián)引線。隨后進行第四次光刻，形成金屬互聯(lián)。3.答：圖5分，文字說明5分。PN結(jié)隔離工藝流程(1)襯底硅片(P型) (2) 外延生長N型硅 (3)隔離氧化 (4)隔離光刻 (5)隔離擴散4.答：圖5分，文字說明7分。工藝流程：1.熱氧化，形成緩沖層，減少下一步淀積產(chǎn)生的應(yīng)力。 2.LPCVDSi3N4；3.第一次光刻可形成n阱（涂膠、壓版、顯影、堅膜）；4. n阱注入，先注入P+，然后注入As+。5. n阱進行氧化，形成較厚的氧化層作為掩蔽層；6.P阱形成，進行P阱注入，隨后進行第二次深B注入；7.退火使雜質(zhì)推進到所需的深度。5. 典型CMOS工藝的流程簡圖。