1、內(nèi)容目錄 HYPERLINK l _TOC_250015 一、2020/2021 年全球半導(dǎo)體市場投資展望5 HYPERLINK l _TOC_250014 二、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)應(yīng)用篇上行周期的產(chǎn)品驅(qū)動力6 HYPERLINK l _TOC_250013 1、計(jì)算機(jī)應(yīng)用篇拐點(diǎn)已現(xiàn)6 HYPERLINK l _TOC_250012 2、智能手機(jī)應(yīng)用篇5G, TWS, 屏下指紋8 HYPERLINK l _TOC_250011 3、車用電子應(yīng)用篇百花齊放10 HYPERLINK l _TOC_250010 4、電力功率應(yīng)用篇IGBT, SiC, Ga N12 HYPERLINK l _TOC_25000

2、9 三、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)篇核心競爭力何在？16 HYPERLINK l _TOC_250008 1、晶圓代工業(yè)5G、服務(wù)器、功率16 HYPERLINK l _TOC_250007 2、邏輯封測業(yè)國產(chǎn)替代17 HYPERLINK l _TOC_250006 3、存儲封測業(yè)靜待三大存儲器大廠量產(chǎn)21 HYPERLINK l _TOC_250005 4、存儲器行業(yè)全球復(fù)蘇，國內(nèi)暴量靜待 2020 下半年22 HYPERLINK l _TOC_250004 5、半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)重中之重25 HYPERLINK l _TOC_250003 6、半導(dǎo)體材料領(lǐng)域遍地開花27 HYPERLINK l _TOC_25

3、0002 7、顯示面板行業(yè)供給大降，只待需求爆點(diǎn)28 HYPERLINK l _TOC_250001 8、非美核芯設(shè)計(jì)替代的贏家31 HYPERLINK l _TOC_250000 四、風(fēng)險(xiǎn)提示41圖表目錄圖表 1：5G 帶動的半導(dǎo)體需求5圖表 2：全球半導(dǎo)體市場預(yù)測6圖表 3：中國大陸半導(dǎo)體生產(chǎn)銷售額，自給率，全球份額預(yù)測6圖表 4：計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體 vs. 全球邏輯半導(dǎo)體營收同比增長比較7圖表 5：全球服務(wù)器市場增量預(yù)估7圖表 6：四大服務(wù)器行業(yè)同比數(shù)據(jù)比較7圖表 7：臺積電的 Chiplets 小芯片策略8圖表 8：智能手機(jī)半導(dǎo)體 vs. 全球邏輯半導(dǎo)體營收同比增長比較8圖表 9：4G vs

4、. 5G 手機(jī)及基地站半導(dǎo)體價(jià)值比較表9圖表 10：國產(chǎn)芯片替代進(jìn)行式10圖表 11：車用工業(yè)用 vs. 邏輯半導(dǎo)體同比增長比較10圖表 12：全球車廠 vs. 車用半導(dǎo)體營收同比10圖表 13：人駕汽油車 vs. 2025 L5 自動駕駛電動車半導(dǎo)體價(jià)值比較表11圖表 14：MLCC 廠商營收同比增長比較11圖表 15：電力功率 vs. 邏輯半導(dǎo)體同比增長比較12圖表 16：2017 年功率器件各產(chǎn)品中國市場占比13圖表 17：2018M5 不同電動化汽車車用半導(dǎo)體價(jià)值量13圖表 18：2020 年全球各類輕型車銷量預(yù)測13圖表 19：2023 年 MOSFET 市場規(guī)模預(yù)測14圖表 20：

5、2022 年 MOSFETs 各應(yīng)用領(lǐng)域市場占比預(yù)測14圖表 21：全球不同應(yīng)用 IGBT 市場規(guī)模（含模組）14圖表 22：2025 年中國 IGBT 市場規(guī)模預(yù)測（億元）14圖表 23：2017 年 MOSFET 全球各公司市場占比15圖表 24：2017 年分立IGBT 全球市場競爭格局15圖表 25：GaN vs. SiC MOSFET 應(yīng)用場景16圖表 26：電動車驅(qū)動 SiC/GaN 電力功率半導(dǎo)體16圖表 27：全球 vs. 中國大陸晶圓代工同比增長比較16圖表 28：先進(jìn)晶圓代工價(jià)格上漲可期17圖表 29：ASM Pacific 集團(tuán)新增訂單與 BB 值18圖表 30：ASM

6、Pacific 物料分部新增訂單與環(huán)比18圖表 31：全球 vs. 中國大陸邏輯封測同比增長比較19圖表 32：Intel Agilex FPGA20圖表 33：Intel 7nm GPU20圖表 34：SIP 射頻前端市場結(jié)構(gòu)預(yù)測20圖表 35：5G sub 6Ghz 設(shè)計(jì)21圖表 36：5G 毫米波 設(shè)計(jì)21圖表 37：全球 vs. 中國大陸存儲器封測同比增長比較22圖表 38：Intel Core i7 980X 邏輯芯片設(shè)計(jì)22圖表 39：DDR4 DRAM 內(nèi)存設(shè)計(jì)22圖表 40：全球存儲器大廠季度財(cái)物數(shù)字變化23圖表 41：DRAM/3D NAND 制造商及模組庫存月數(shù)23圖表 4

7、2：全球 vs. 中國大陸存儲器行業(yè)同比增長比較23圖表 43：全球 DRAM 大廠資本開支 (百萬美元)24圖表 44：全球 NAND 大廠資本開支 (百萬美元)24圖表 45：中國大陸存儲器行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度24圖表 46：全球半導(dǎo)體設(shè)備營收同比 (按行業(yè)別分類)25圖表 47：全球半導(dǎo)體營收及美國晶圓封測設(shè)備營收同比25圖表 48：全球 vs. 中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)同比增長比較26圖表 49：長江存儲、合肥長鑫和紫光存儲合計(jì)資本開支預(yù)測26圖表 50：不同領(lǐng)域國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商匯總27圖表 51：全球半導(dǎo)體材料需求展望28圖表 52：國際和國內(nèi)半導(dǎo)體材料廠商匯總28圖表 53：全球顯示面板行

8、業(yè)整體供需關(guān)系29圖表 54：柔性 OLED 手機(jī)面板需求v 供給29圖表 55：折疊手機(jī)面板需求 v 供給29圖表 56：2016-2025 不同國家/地區(qū)顯示面板產(chǎn)能占比30半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告 - 3 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告圖表 57：新型顯示材料國內(nèi)外主要供應(yīng)商31圖表 58：全球半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)份額31圖表 59：全球 vs. 中國大陸半導(dǎo)體設(shè)計(jì)行業(yè)同比增長比較32圖表 60：全球模擬芯片市場32圖表 61：中國模擬芯片市場32圖表 62：2017-2022 半導(dǎo)體市場增速預(yù)測33圖表 63：模擬芯片廠商盈利較穩(wěn)定34圖表 64：模擬芯片下游應(yīng)用占比變化34圖表 65：后置攝像頭多

9、攝像頭滲透情況（2019Q2）35圖表 66：高端智能手機(jī)旗艦相機(jī)配置方案預(yù)測35圖表 67：單個手機(jī)攝像頭用量不斷增加35圖表 68：CIS 芯片在手機(jī)中的 ASP 變化36圖表 69：2019 年 10 月新增設(shè)備屏下指紋份額36圖表 70：存量設(shè)備屏下指紋份額36圖表 71：手機(jī)銷量預(yù)測（百萬）37圖表 72：手機(jī)射頻前端市場空間37圖表 73：射頻前端結(jié)構(gòu)性增長38圖表 74：不同手機(jī)射頻前端價(jià)值量測算 (3G/4G)，201838圖表 75：5G 射頻前端價(jià)值量測算39圖表 76：主要半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵性能39圖表 77：各材料體系的射頻器件工作區(qū)間40圖表 78：不同技術(shù)路線的基站

10、PA 占比變化40圖表 79：5G 基站 RF 半導(dǎo)體市場機(jī)會40圖表 80：5G 宏基站射頻原理圖41圖表 81：5G 小基站射頻原理圖41 - 4 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告一、2020/2021 年全球半導(dǎo)體市場投資展望在經(jīng)歷持續(xù)一年多的中美關(guān)稅戰(zhàn)、貿(mào)易戰(zhàn)及技術(shù)禁售戰(zhàn)，造成中國及美國 的消費(fèi)者買方成本增加及企業(yè)資本投資轉(zhuǎn)趨保守，而減少汽車、消費(fèi)性電子、 手機(jī)、電腦的消費(fèi)，以及減少對工業(yè)用及數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的投資，加上部分半 導(dǎo)體產(chǎn)品像是內(nèi)存 DRAM、閃存 3D NAND、 挖礦機(jī) GPU、12”8”大硅片、LCD 顯示屏、各種電力功率、微控制單元 (MCU)、電阻/電容（Chip Resi

11、stor,、MLCC）產(chǎn)品在制造商、客戶，通路堆積了大量庫存而造成的各產(chǎn)品價(jià)格下跌， 需求銳減加上部分產(chǎn)品下跌造成全球半導(dǎo)體市場于 2019 年同比下跌近 13%到4,102 億美元，而存儲器行業(yè)同比下跌超過 30%，邏輯半導(dǎo)體同比下跌近 2%。存儲器市場占全球半導(dǎo)體市場達(dá)到近三年低點(diǎn)的 27%。圖表 1：5G 帶動的半導(dǎo)體需求來源：Intel、國金證券研究所但受惠于中美貿(mào)易戰(zhàn)不再惡化、消費(fèi)者信心改善、企業(yè)資本投資逐步增加、數(shù)據(jù)中心增加先進(jìn)制程 10nm/7nm 服務(wù)器在云端及邊緣運(yùn)算端的投資、谷歌力推 Stadia 云端游戲平臺、全球電動、半自駕自駕車出貨比例的提升（目前占不到 2%）、5G

12、 所帶動的手機(jī)/ 邊緣運(yùn)算網(wǎng)絡(luò)/ 基地站/ 核心網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)中心的需 求（650 億美元增量 vs. 2019 年 4,100 億美元市場）、3-5 顆攝像頭、真無線耳 機(jī) TWS、屏下指紋、射頻前端及毫米波射頻天線在手機(jī)的需求大增，配合內(nèi)閃存存儲器、7.5/8.5 代線 LCD、電阻/電容大廠持續(xù)砍資本開支，降價(jià)清庫存， 減產(chǎn)出產(chǎn)能，各產(chǎn)品價(jià)格逐步趨穩(wěn)，有些產(chǎn)品甚至因?yàn)槟柖哨吘徳斐删A代工成本漲價(jià)而跟漲，我們國金證券研究所因此估計(jì)全球半導(dǎo)體市場將在2020/2021 年同比增長 9%12%達(dá)到 4,471/5,008 億美元，先進(jìn)晶圓代工市場從過去 10 年的 5-10%營收同比增長轉(zhuǎn)變到未

13、來 10 年的 10-15%同比增長。因?yàn)轭A(yù)期明年下半年現(xiàn)貨價(jià) 合約價(jià)格同步反彈， 存儲器行業(yè)復(fù)蘇幅度(12%/26% y/y) 應(yīng)該會高于邏輯半導(dǎo)體市場同比增長幅度 (7.9%/6.6%)。這兩年半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇應(yīng)該會帶動國際及國內(nèi)半導(dǎo)體公司估值的提升，我們因此 決定維持對國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的“買入”評級。在這篇 2020 年國金半導(dǎo)體展望及投資策略報(bào)告中，我們上調(diào)一個半導(dǎo)體評級，看到摩爾定律趨緩造成的芯片單價(jià)提升及小芯片架構(gòu)的二個趨勢，評估 服務(wù)器手機(jī)車用半導(dǎo)體的三個驅(qū)動力復(fù)蘇，看好國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)，設(shè)備， 存儲器，存儲器封測四個次行業(yè)的加速增長，還有五家重點(diǎn)關(guān)注公司長電科技、太極實(shí)業(yè)、中微公司

14、、瀾起科技和三安光電。 - 5 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告圖表 2：全球半導(dǎo)體市場預(yù)測2019202020212022202320242025CAGR全球半導(dǎo)體市場 (US$bn)410.2447.1500.8525.8567.9624.7637.28%同比 (y/y)-12.5%9.0%12.0%5.0%8.0%10.0%2.0%全球存儲器市場 (US$bn)110.7124.0156.3179.7179.7215.7213.512%同比 (y/y)-32.0%12.0%26.0%15.0%0.0%20.0%-1.0%存儲器占全球半導(dǎo)體比27%28%31%34%32%35%34%全球內(nèi)存 DR

15、AM66728899941081078%全球閃存 NAND455269818510810716%全球邏輯 IC (US$bn)299.5323.1344.5346.1388.1409.0423.66%同比 (y/y)-2.1%7.9%6.6%0.5%12.2%5.4%3.6%來源： Statista、WSTS、DRAMeXchange、TrendForce、彭博、國金證券研究所,圖表 3：中國大陸半導(dǎo)體生產(chǎn)銷售額，自給率，全球份額預(yù)測2019202020212022202320242025中國大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)銷售額 y/y-5%16%15%7%15%12%8%中國邏輯封測生產(chǎn)銷售額 y/y

16、0%15%15%5%14%12%7%中國大陸存儲芯片封測生產(chǎn)銷售額 y/y3%16%60%30%50%25%25%中國大陸無晶圓設(shè)計(jì)銷售額 y/y16%30%26%10%22%18%8%中國大陸存儲芯片生產(chǎn)銷售額 y/y38%91%126%89%50%35%28%中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)銷售額 y/y15%45%30%20%40%30%20%晶圓代工自給率 ()20%21%21%22%22%22%23%邏輯封測自給率 ()41%43%43%43%43%44%44%存儲器封測自給率 ()9%10%14%16%23%25%31%無晶圓設(shè)計(jì)自給率 ()26%31%36%37%40%43%44%內(nèi)閃存儲

17、器自給率 ()2%4%7%11%16%18%22%半導(dǎo)體設(shè)備自給率 ()13%16%17%17%20%22%22%晶圓代工占全球份額 ()10%11%11%11%12%12%12%邏輯封測占全球份額 ()22%22%23%24%24%25%26%存儲器封測占全球份額 ()5%5%7%8%12%13%16%無晶圓設(shè)計(jì)占全球份額( )14%17%20%21%23%26%27%內(nèi)閃存儲器占全球份額 ()1%2%4%6%9%10%13%半導(dǎo)體設(shè)備占全球份額( )3%4%5%6%7%9%10%來源： WSTS、國金證券研究所二、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)應(yīng)用篇上行周期的產(chǎn)品驅(qū)動力1、計(jì)算機(jī)應(yīng)用篇拐點(diǎn)已現(xiàn)我們國金證券研究

18、所估計(jì)全球計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體（服務(wù)器，桌上型計(jì)算機(jī)，筆電 x86 CPU, GPU, AI） 市場將在 2020/2021 年同比增長 6%6%, 但預(yù)期整個市場應(yīng)該是由 AMD 的 7 納米 ROME, 華為 7nm 鯤鵬服務(wù)器 ARM CPU, 中國長城 16nm 的 四核飛騰 FT-2000/4, 信驊及新唐的服務(wù)器遠(yuǎn)端控制芯片 BMC (Baseboard Management Controller)，AI ASIC/GPU, 瀾起的內(nèi)存接口芯片所帶動超過 10%同比營收的增長。 - 6 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告圖表 4：計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體 vs. 全球邏輯半導(dǎo)體營收同比增長比較35%30%25%

19、20%15%10%5%0%-5%-10%電腦, 服務(wù)器, 圖形, AI芯片 營業(yè)利潤率(%)電腦, 服務(wù)器, 圖形, AI芯片 營收y/y (%)全球邏輯半導(dǎo)體營收 y/y來源：各公司財(cái)報(bào)、國金證券研究所2020 年服務(wù)器半導(dǎo)體市場增長 10%：我們的假設(shè)基礎(chǔ)是服務(wù)器市場于2019 年衰退近 8%，（英特爾之前公布其今年服務(wù)器 x86 CPU 出貨量在 1Q/2Q/3Q19 同比衰退了 8%/12%/6%）。但在三季度同比需求拐點(diǎn)出現(xiàn)后，我們估計(jì)全球服務(wù)器市場出貨量在 2020/2021 年有 8%24%的同比增長機(jī)會， 而統(tǒng)計(jì)彭博分析師對全球服務(wù)器制造商及半導(dǎo)體相關(guān)公司營收的預(yù)期，全球服務(wù)器

20、制造商（浪潮，中科曙光，緯穎，廣達(dá)）于 2020 年應(yīng)該可以同比增長 15%，全球服務(wù)器半導(dǎo)體市場可以同比增長 7%，但我們認(rèn)為， 服務(wù)器朝向更先進(jìn)制程（Intel 10nm, 10nm+, AMD 7nm, 7nm+,5nm）, 更多核芯運(yùn)算，更多 PCI Express 接口, 及更多內(nèi)存通道方向邁進(jìn)， 加上良率不佳，產(chǎn)能短缺，所以我們不排除單價(jià)的提升會讓 2020 年全球服務(wù)器半導(dǎo)體市場同比增長輕易地超過 10%。圖表 5：全球服務(wù)器市場增量預(yù)估圖表 6：四大服務(wù)器行業(yè)同比數(shù)據(jù)比較25.020.015.010.05.0-24%30%16%14% 10%8%8%-8%25%20%15%10

21、%5%0%-5%-10%10.501.5全球服務(wù)器市場 (mn)同比增長 (y/y)-0.5 全球服務(wù)器制造商y/y全球數(shù)據(jù)中心資本開支y/y全球服務(wù)器半導(dǎo)體y/y英特爾服務(wù)器CPU出貨量 y/y來源：IDC, 國金證券研究所來源：各公司財(cái)報(bào)，國金證券研究所服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芑菘善冢寒?dāng)然服務(wù)器及服務(wù)器半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇，也會帶動內(nèi)存 DRAM，閃存 3D NAND 市場，以及 x86 CPU 大載板，服務(wù)器CPU 插槽 （嘉澤），服務(wù)器 x86 CPU 晶圓代工（臺積電 7nm, 7nm+, 5nm），封測（通富微-AMD, 日月光長電-海思鯤鵬）市場的復(fù)蘇。Chiplets 小芯片架構(gòu)利好封測及

22、ABF 大載板行業(yè)：尤其當(dāng)英特爾未來也要跟隨 AMD 在 2021 年推出小芯片(chiplets) 大載板架構(gòu) 10nm+ 的服務(wù)器 x86 Eagle Stream CPU 及FPGA 來改善良率及成本, 我們期待這趨勢利 - 7 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告好于封測及 ABF （Ajinomoto Build-up Film）大載板行業(yè)及其龍頭廠商Ebiden, Shinko, 欣興 Unimicron, 南亞電路板Nanya PCB。ABF 樹酯載板是由英特兒所主導(dǎo)的材料，適合高腳數(shù)，細(xì)線路，高傳輸，耐高溫 x86 CPU 封裝。圖表 7：臺積電的 Chiplets 小芯片策略來源：TSM

23、C，國金證券研究所2、智能手機(jī)應(yīng)用篇5G, TWS, 屏下指紋因?yàn)?5G（AP, 基頻，射頻前端，基地站，天線射頻），真無線耳機(jī)(True Wireless Stereo), 屏下指紋的需求帶動下，國金證券研究所估計(jì)全球智能手機(jī)半導(dǎo)體（AP，基頻，射頻前端，天線模組，基地站，內(nèi)存，閃存，TWS MCU, NOR, 光學(xué)屏下指紋, AR/ToF VCSEL）市場將在 2020 年同比大幅增長 15%， 遠(yuǎn)優(yōu)于智能手機(jī)出貨量同比增長的 0-5%。圖表 8：智能手機(jī)半導(dǎo)體 vs. 全球邏輯半導(dǎo)體營收同比增長比較60%50%智能手機(jī)芯片 營業(yè)利潤率(%) 智能手機(jī)芯片 營收y/y (%)全球邏輯半導(dǎo)體

24、營收 y/y40%30%20%10%0%-10%來源：各公司財(cái)報(bào)，國金證券研究所5G 提高手機(jī)半導(dǎo)體價(jià)值：手機(jī)半導(dǎo)體市場 2020/2021 年同比增長將大幅超過手機(jī)出貨同比增量，主要是因?yàn)槊恐?5G 手機(jī)所用到的半導(dǎo)體價(jià)值是4G 手機(jī)半導(dǎo)體價(jià)值的 2 倍以上。根據(jù)我們及高通的預(yù)期，5G 手機(jī)會從今年的 500-1,000 萬支，成長到 2020 年的 1.8-2.2 億臺，及 2021 年的 4 億臺，而每支 4G 智能手機(jī)的半導(dǎo)體價(jià)值（AP+基頻）將從 20-40 美元，提升到 5G 手機(jī)的 50-80 美元，這將是帶動全球智能手機(jī)半導(dǎo)體市場同比大幅增長的主因。 - 8 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策

25、略報(bào)告圖表 9：4G vs. 5G 手機(jī)及基地站半導(dǎo)體價(jià)值比較表4G5G+4G/3G開始年份20102020傳輸速度Cat 4: 50Mbps 上傳, 150Mbps 下傳 vs. Cat 16: 150Mbps 上傳, 1Gbps 下傳10Gbps 上傳, 20Gpbs 下傳通訊頻譜700-3500 Mhz (1G-4G)28-300 Ghz基帶芯片和應(yīng)用處理器10-50 美元50-75 美元射頻功率放大器 IC5-7 砷化鎵 GaAs (異質(zhì)結(jié)型晶體管 HBT技術(shù)制造), 硅 (Silicon CMOS)16 氮化鎵 GaN, 砷化鎵 GaAs, 硅 (Silicon CMOS), 硅 鍺

26、 (SiGe)相控陣天線 (Phased-array antenna硅 (Silicon CMOS), 硅鍺(SiGe) 4硅 (Silicon CMOS), 硅鍺 (SiGe) 6-10封裝 OSAT方形扁平無引腳封裝 QFN, 多芯片模組Multi chips module基地站集成電路6mn 基站, 橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS 射頻功率管, 砷化鎵 GaAs扇出 Fan out, 嵌入式 Embedded18mn 基站, 微蜂窩基站 (Microcell), 氮化鎵 (GaN)基地站云端服務(wù)器x86 中央處理器, 現(xiàn)場可編程門陣列加速器, 圖形處理器, 伺服器遠(yuǎn)端管理晶片正交振幅

27、調(diào)變 (QAM Quadrature Amplitude Modulation)64/256-QAM512/1,024-QAM濾波器 SAW/BAW12xBAW/45x total/ US$7-825-30 x BAW/67x total/ US$10前端體聲波濾波器 (RF front-end BAW (Bulk acoustic wave) filter)氮化鋁 (Aluminum Nitride (AlN)薄膜鈮酸鋰 (Lithium Niobate) 薄膜中繼器 (repeater)較少因?yàn)?5G 是 150-200 公尺短距傳輸, 需要更多中繼器端到端延遲十幾毫秒幾毫秒來源：各公司財(cái)

28、報(bào)、國金證券研究所非美國產(chǎn)替代是進(jìn)行式：除了 5G 所帶動的半導(dǎo)體增值成長外，我們還看到了國產(chǎn)手機(jī)芯片替代進(jìn)行式，尤其是美國 Trump 政府自從技術(shù)封鎖中興通訊，華為，中科曙光，海光，?？?，大華，科大訊飛，曠視，商湯， 美亞柏科，依圖，頤信科技以來，國內(nèi)系統(tǒng)廠商，尤其是手機(jī)制造商，從此立志采取非美替代策略，其順位以中國大陸半導(dǎo)體設(shè)計(jì)為優(yōu)先，然后是中國臺灣，韓國，日本，最后是歐洲。這也將造成高通, Skyworks, Qorvo, Broadcom，鎂光在中國大陸市場的份額逐季減少，海思，聯(lián)發(fā)科，瑞昱, 穩(wěn)懋，三安，卓勝微，三星，海力士的份額增加, 雖然這對整體市場同比增長不會有影響，但對國內(nèi)

29、及非美手機(jī)半導(dǎo)體增長有正面的幫助。 - 9 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告圖表 10：國產(chǎn)芯片替代進(jìn)行式60%50%40%30%20%10%0%1Q182Q183Q184Q181Q192Q193Q194Q19高通華為海思聯(lián)發(fā)科蘋果來源：國金證券研究創(chuàng)新數(shù)據(jù)中心、powered by 亞智、 國金證券研究所3、車用電子應(yīng)用篇百花齊放因?yàn)橹忻狸P(guān)稅戰(zhàn)趨緩，全球汽油及電動車需求觸底緩步回升，全球電動車持續(xù)增加份額對 Power MOSFET, IGBT, SiC, Ga N 半導(dǎo)體電力功率分立器件的需求，還有輔助駕駛進(jìn)化到 SAE 3, 4, 5 自動駕駛對各種 AI，MCU，CPU， GPU， FPGA，

30、感測器，毫米波雷達(dá)，光達(dá)，攝像頭 CIS, WiFi, 藍(lán)牙, 有線網(wǎng)絡(luò)，電源管理 PMIC, 存儲器半導(dǎo)體的需求帶動下，國金證券研究所估計(jì)全球車用半導(dǎo)體市場將從 2019 年的同比衰退 2%，到 2020 年的同比增長 8%，遠(yuǎn)優(yōu)于全球汽油車/電動車出貨量同比增長的 0-5%。圖表 11：車用工業(yè)用 vs. 邏輯半導(dǎo)體同比增長比較 圖表 12：全球車廠 vs. 車用半導(dǎo)體營收同比20%15%10%5%0%-5%25%0.3-10%車/工業(yè)用芯片 營業(yè)利潤率(%)車/工業(yè)用芯片 營收y/y (%)全球邏輯半導(dǎo)體營收 y/y全球車廠平均營收同比y/y0.20.10-0.1全球車用半導(dǎo)體y/y車用

31、半導(dǎo)體細(xì)分y/y來源：各公司財(cái)報(bào)、國金證券研究所來源：各公司財(cái)報(bào)、國金證券研究所車用半導(dǎo)體增值篇：不同于手機(jī)半導(dǎo)體市場 2020/2021 年同比增長將大幅超過手機(jī)出貨同比增量，主要是因?yàn)槊恐?5G 手機(jī)所用到的半導(dǎo)體價(jià)值是4G 手機(jī)半導(dǎo)體價(jià)值的 2 倍以上， 每部 SAE Level 5 自動駕駛電動車所用到的半導(dǎo)體價(jià)值可能是 2019 年人駕汽油車半導(dǎo)體價(jià)值的 10 倍以上，我們初估最基本的 Power MOSFET 就需要 10 倍以上增量，攝像頭，CIS，雷達(dá)傳感器，MLCC，電源管理芯片要五倍增量，2 倍的傳感器 Sensor，更不用說大量的射頻功率放大器，有線通訊，人工智能，及多種

32、電力功率芯片，這將是帶動未來 20 年全球車用半導(dǎo)體市場 5-10%復(fù)合增長率，每車半導(dǎo)體價(jià)值從 2019 年不到 3%的比重，逐年拉高的主因，即使未來 20 年全球汽油車/電動車出貨量同比增長 50 以太網(wǎng)端口人工智能芯片NXP/MobileyeTesla ASIC, Google TPU, Nvidia Xavier/Pegasus 320, EyeQ4/5 Intel人工智能系統(tǒng)高級駕駛輔助系統(tǒng)Waymo, Uber, Baidu Apollo, 地平線 Matrix 1.0, Toyotas e-Palette, Honda Xcelerator電力功率器件 (Power)二極管, 低

33、壓 MOS 器件, 18x Power MOSFET (US$71)250 x MOSFET (US$455), IGBT 絕緣柵雙極型晶體管, 碳化硅 SiC, 氮化鎵 GaN多層陶瓷電容器 MLCC2.5k13k電源管理 (PMIC)20-30 單位100-150 單位每單位半導(dǎo)體價(jià)值US$300-500 CNY$ 35,000 或 US$5,000來源：各公司財(cái)報(bào)，國金證券研究所電動車可能將再次拉動高階 MLCC 需求：剛才提到電動車需要 5 倍MLCC 的增量，2020/2021 年電動車重啟增長應(yīng)該會大幅改善 MLCC 的供給過剩，減少市場庫存，穩(wěn)定價(jià)格崩跌，讓 MLCC 行業(yè)逐步復(fù)

34、蘇，我們建議重點(diǎn)關(guān)注中國大陸的風(fēng)華高科， 中國臺灣的國巨，華新科，美國的Vishay, 還有日本的 Murata 等 MLCC 龍頭大廠。圖表 14：MLCC 廠商營收同比增長比較100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%MLCC 資本開支y/yMLCC 營收同比y/yMLCC 營業(yè)利潤來源：各公司財(cái)報(bào)，國金證券研究所 - 11 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告4、電力功率應(yīng)用篇IGBT, SiC, GaN2017 年全球功率分立器件市場規(guī)模約 154 億美元，同比增長 12.2%，主要是電動汽車及 IOT 等新興市場需求，預(yù)計(jì) 2023 年將達(dá)到 188 億美元，2016- 202

35、3 年均復(fù)合增速 4.4%。除了電動車外，電力功率半導(dǎo)體的應(yīng)用場景還包括電力傳送，高鐵，充電站，冷氣，微波爐，照明系統(tǒng)，光伏，風(fēng)電，工業(yè)用等等。功率半導(dǎo)體器件按照下游應(yīng)用領(lǐng)域，主要可以分為五大類，包括工業(yè)控制（市場占比約為 23%），消費(fèi)電子（20%），計(jì)算機(jī)（20%），汽車電子（18%），網(wǎng)絡(luò)通信（15%）。MOSFET、IGBT 、整流橋是功率半導(dǎo)體中最為重要的三個 細(xì)分產(chǎn)品，2017 年 MOSFET 在功率器件中的占比達(dá)到 41%，整流橋 21%， 功率模塊占比 23%，IGBT 則為 7%。而根據(jù) Yole Developpement 統(tǒng)計(jì)和預(yù)測， 17-21 年功率器件市場規(guī)模 C

36、AGR 為 5.39%，其中 MOSFETs（5.23%）， IGBT（9.02%），功率模塊（6.20%），二極管（2.8%），晶閘管（2.71%），整 流橋（4.72%）。目前的電力功率半導(dǎo)體還是以低功率的硅 MOSFET 還有高功率的 IGBT 為主，但當(dāng)消費(fèi)者為了 600V 以下低電力功率應(yīng)用，需求更輕薄短小的電源供應(yīng)器（Power Supply）及 筆電用電源適配器（AC adapter），預(yù)計(jì)將轉(zhuǎn)用 GaN HEMT；而 600V 以上的中，高電力功率光伏變頻器，馬達(dá)控制，服務(wù)器不斷電系統(tǒng)電源供應(yīng)器，智慧電網(wǎng)充電站，車載充電器，降壓轉(zhuǎn)換器，電動車傳動 系統(tǒng)的主驅(qū)直流交流逆變器（DC

37、AC Inverter）應(yīng)用，預(yù)計(jì)將以高壓，高頻， 高效率的 SiC MOSFET 來逐步取代現(xiàn)在主流的 IGBT。國金證券研究所估計(jì)全球電力功率半導(dǎo)體市場將從 2019 年的同比衰退 3%，到 2020 年的同比增長9%, 但根據(jù) Yole Developpement 之前的預(yù)測，2018-2024 SiC 半導(dǎo)體市場復(fù)合增長率有 29%，而 2017-2023 GaN 半導(dǎo)體市場復(fù)合增長率有 24%。圖表 15：電力功率 vs. 邏輯半導(dǎo)體同比增長比較25%20%15%10%5%0%-5%-10%來源：各公司財(cái)報(bào)，國金證券研究所電力功率芯片 營業(yè)利潤率(%) 電力功率芯片 營收y/y (%

38、)全球邏輯半導(dǎo)體營收 y/y市場大，但國產(chǎn)份額低：中國大陸電力功率市場占比全球達(dá) 40%，電力功率器件細(xì)分的主要幾大產(chǎn)品在中國的市場份額均處于第一位。其中， Power MOSFET 中國市場規(guī)模占比全球?yàn)?39%，IGBT 為 43%，BJT 為49%，電源管理 IC 為 47%，其他如晶閘管，整流器，IGBT 模組等等產(chǎn)品中國市場占比均在 40%左右。國內(nèi)龍頭全球市占率依舊很低，與國際大廠差距明顯：與整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)類似，對比海外的功率器件 IDM 大廠，國內(nèi)的功率器件龍頭企業(yè)（揚(yáng)杰科技、華微電子、士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)體等）的年銷售額仍是巨頭們的幾十分之一且產(chǎn)品結(jié)構(gòu)偏低端，表示中國大陸電力功率器

39、件的市場規(guī)模與自主化率嚴(yán)重不相匹配，國產(chǎn)替代的空間巨大，目前，中國大陸電力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在快速發(fā)展，聞泰科技收購了安世半導(dǎo)體后，后期有望積極擴(kuò)產(chǎn)，有望充分受益國產(chǎn)化替代。 - 12 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告圖表 16：2017 年功率器件各產(chǎn)品中國市場占比來源：Yole、國金證券研究所汽車電動化和智能化為功率器件行業(yè)的核心驅(qū)動力：根據(jù) 2019 年 IHS 報(bào)告，汽車電子增長最快的細(xì)分市場將由高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和混 合動力/電動汽車電子產(chǎn)品所帶領(lǐng)，年復(fù)合增長率有望分別達(dá)到 13%和29%。汽車電動化是大勢所趨，世界各國都在大力發(fā)展新能源汽車，出臺 了燃油車禁售時(shí)間表。預(yù)計(jì)到 202

40、5 年，新能源汽車將占據(jù)新車銷量的半壁江山，其中純電動將占全球汽車銷量的 10%，混動將占據(jù)全球新車銷量的 40%。新能源車行業(yè)有望繼續(xù)保持快速增長：2018 年全球新能源車銷量 201.8 萬輛，預(yù)測 2022 年將達(dá)到 600 萬輛，18-22 年銷量 CAGR 達(dá)到25.86%。根據(jù)中汽協(xié)發(fā)布的產(chǎn)銷數(shù)據(jù)，2018 年，新能源汽車產(chǎn)量及銷量分別為 127 萬輛和 125.6 萬輛，同比分別增長 59.9%和 61.7%，產(chǎn)量及銷量連續(xù)三年位居全 球第一。預(yù)測到 2020 年，中國新能源汽車實(shí)現(xiàn)當(dāng)年產(chǎn)銷 230 萬輛，新能源車將在全球范圍內(nèi)（尤其是中國）加速滲透。輕型車功率器件 2020 年

41、市場超百億美元。汽車中采用大量的半導(dǎo)體器件，根據(jù)Strategy Analytics 和 Infineon 數(shù)據(jù)，燃油車單車半導(dǎo)體價(jià)值量約 375 美元， 純電動增加一倍，約 750 美元。其中，傳統(tǒng)燃油車中功率器件單車價(jià)值量71 美元，48V 輕度混動車中功率器件單車價(jià)值量 146 美元，重度混動車和插電混動車中功率器件單車價(jià)值量 371 美元，而純電動車中功率器件成本為 455 美元，占比車用半導(dǎo)體 61%，相較于燃油車增長 541%。我們認(rèn)為混動和純電動汽車的加速滲透將成為功率器件行業(yè)最強(qiáng)勁的驅(qū)動力。圖表 17：2018M5 不同電動化汽車車用半導(dǎo)體價(jià)值量圖表 18：2020 年全球各類

42、輕型車銷量預(yù)測來源：Strategy Analytics、Infineon、國金證券研究所來源：Infineon、國金證券研究所汽車和工控領(lǐng)域，2017-2021 年 MOSFETs 復(fù)合增速 5.23%：2016 年， 全球 MOSFETs 市場規(guī)模接近 62 億美元，受益于汽車和工控領(lǐng)域的穩(wěn)定增長，功率 MOSFETs 在汽車應(yīng)用市場的市場占到整體的 20%，超過了在計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用中的表現(xiàn)。預(yù)計(jì)到 2022 年，隨著新能源汽車銷量的快速放量，功率 MOSFETs 在汽車應(yīng)用市場占比將提升至 22%，而計(jì)算存 - 13 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告儲和工控領(lǐng)域的市場占比則分別達(dá)到 19%和

43、 14%，三者合計(jì)占到 55%。MOSFETs 被用于汽車的剎車系統(tǒng)，引擎管理，動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和其他小型電機(jī)控制電路：隨著汽車電動化提升，MOSFETs 在純電動汽車和混動汽車中的轉(zhuǎn)換器（Converter），小型插電式混動汽車和純電動汽車的充電器（3-6 kW），48V 的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，以及其他啟動/停止功能模塊的微型逆變器等等汽車零部件中的應(yīng)用將會更加廣泛。未來 5-10 年，電動車用MOSFETs 在整個 MOSFETs 市場中會變得越來越重要。圖表 19：2023 年 MOSFET 市場規(guī)模預(yù)測圖表 20：2022 年 MOSFETs 各應(yīng)用領(lǐng)域市場占比預(yù)測 來源：Yole、國金

44、證券研究所來源：Yole、國金證券研究所預(yù)測 IGBT 16-22 年復(fù)合增速 15.7%：2017 年，全球 IGBT 芯片和模組的市場規(guī)模約為 37.3 億美元，Yole 預(yù)測，2022 年 IGBT（含 IGBT 模組）市場空間將達(dá)到 55 億美金，年均復(fù)合增長 8.1%，主要的增長即來自于IGBT 模組。下游應(yīng)用領(lǐng)域的主要驅(qū)動力主要來自于汽車電動化帶來的需求， 2016 年汽車 IGBT 市場為 8.64 億美元，2022 年將增長至約 20.7 億美元， 16-22 年 CAGR 為 15.7%，2022 年汽車 IGBT 市場占比整體市場將達(dá)到接近 40%。另一個驅(qū)動力是電機(jī) IG

45、BT，Yole 預(yù)測電機(jī) IGBT 市場 16-22 年CAGR 為 4.6%。消費(fèi)電子、白電等領(lǐng)域未來將會向節(jié)能方向發(fā)展，因此對400-1700 V 功率的 IGBT 仍然有比較穩(wěn)定增長的需求，16-22 年白電領(lǐng)域?qū)?IGBT 需求 CAGR 為 6%。2018- 2025 年，中國 IGBT 市場年復(fù)合增長率達(dá) 19.11%。集邦咨詢2019 中國 IGBT 產(chǎn)業(yè)發(fā)展及市場報(bào)告顯示， 2017 年中國 IGBT 市場規(guī)模約為 128 億元，2018 年預(yù)計(jì) 153 億元，相較2017 年同比增長 19.91%。受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加， 中國 IGBT 市場規(guī)模仍將持續(xù)增

46、長，到 2025 年，中國 IGBT 市場規(guī)模將達(dá)到 522 億人民幣，年復(fù)合增長率達(dá) 19.11%。圖表 21：全球不同應(yīng)用 IGBT 市場規(guī)模（含模組）圖表 22：2025 年中國 IGBT 市場規(guī)模預(yù)測（億元）2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025F1000128200500400300522600來源：Yole、國金證券研究所來源：集邦咨詢、國金證券研究所海外巨頭壟斷：據(jù)IHS 統(tǒng)計(jì)，2017 年全球功率半導(dǎo)體器件與模組市場規(guī)模為 185 億美元，歐美日呈現(xiàn)三足鼎立之勢，英飛凌位居第一，占比 18.6%， 安森美次之，占比 8.9%，前

47、十大公司合計(jì)市占率達(dá)到 58.9%，日本企業(yè)占 - 14 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告據(jù) 5 席，合計(jì)占比達(dá)到 19.7%。2017 年，全球 MOSFET 市場規(guī)模達(dá)到66.5 億美元，英飛凌以絕對優(yōu)勢排名第一，市占率達(dá)到 26.3%，前五大公司市占率達(dá)到 62.5%。2017 年，分立 IGBT 市場規(guī)模為 11 億美元，英飛凌排名第一，市占率高達(dá) 38.5%，前五大公司合計(jì)占比達(dá)到 71.5%。圖表 23：2017 年 MOSFET 全球各公司市場占比 圖表 24：2017 年分立 IGBT 全球市場競爭格局來源：IHS、國金證券研究所來源：IHS、國金證券研究所國內(nèi)電力功率半導(dǎo)體突圍：我國

48、是全球最大的功率半導(dǎo)體市場，國際龍頭企業(yè)較大部分收入來自中國地區(qū)，以達(dá)爾科技和恩智浦為例，其收入的58%和 41%來自中國大陸。由此可見，我國功率半導(dǎo)體市場需求量巨大， 本土廠商擁有非常大的國產(chǎn)替代空間。在全球功率半導(dǎo)體市場上，中高端 產(chǎn)品生產(chǎn)廠商主要集中在歐洲、美國和日本地區(qū)。歐美日的功率半導(dǎo)體廠 商大部分屬于 IDM 廠商，英飛凌、達(dá)爾科技、安森美、恩智浦等是行業(yè)中 的龍頭企業(yè)。我國功率半導(dǎo)體市場占據(jù)全球 50%左右的需求份額，在高端 產(chǎn)品領(lǐng)域，90%依賴進(jìn)口。我國電力功率半導(dǎo)體廠商主要為 IDM 模式，生產(chǎn)鏈較為完善，但產(chǎn)品主要集中在二極管、低壓 MOS 器件、晶閘管等低端領(lǐng)域，生產(chǎn)工藝

49、成熟且具有成本優(yōu)勢。而在新能源、軌道交通等高端產(chǎn) 品領(lǐng)域，國內(nèi)僅有極少數(shù)廠商擁有生產(chǎn)能力，高端產(chǎn)品市場主要被英飛凌、安森美、瑞薩、東芝等歐美日廠商所壟斷。目前國內(nèi)外 IGBT 市場仍主要由外國企業(yè)占據(jù)，雖然我國 IGBT 市場需求增長迅速，但由于國內(nèi)相關(guān)人才缺乏，工藝基礎(chǔ)薄弱，國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚， IGBT 模塊至今仍幾乎全部依賴進(jìn)口，市場主要由歐洲、日本及美國企業(yè)占領(lǐng)。同時(shí)，國內(nèi)企 業(yè)由于芯片供應(yīng)主要源于國外，制約性較強(qiáng)，因此發(fā)展較為緩慢。 重點(diǎn)關(guān)注龍頭：全球電力功率半導(dǎo)體龍頭有 Infineon, STMicroelectronics, On Semi, ROHM, 而提供 SiC 基

50、板的主要供應(yīng)商有 Wolfspeed/Cree (SiC for Delphi, STM, ZF Friedrichshafen), II-VI, Norstel AB, Rohm (20 -25% 全球份額)。 國內(nèi)電力功率半導(dǎo)體產(chǎn)品龍頭有聞泰/安世, 楊杰，士蘭微，華微電子，斯達(dá)半導(dǎo)體，三安光電，捷捷微電，富滿電子，新節(jié)能。而國內(nèi)6”/8”/12”電力功率晶圓代工有華虹，華潤微電子，中車株洲所，積塔, 萬國半導(dǎo)體。就國內(nèi) MOSFET 電力功率半導(dǎo)體而言， 龍頭完成收購安世MOSFET、分立器件及邏輯器件的聞泰科技，安世是全球知名的模擬半導(dǎo)體公司，公司產(chǎn)品 40%以上應(yīng)用于汽車電子，我們看

51、好后期的整合發(fā)展。國內(nèi) IGBT 龍頭。斯達(dá)半導(dǎo)體在 2017 年 IGBT 模塊全球市場份額占 有率約為 2.0%，全球排名第 10 位，在中國企業(yè)中排名第 1 ，是國內(nèi) IGBT 行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。但是與排名第一的英飛凌 22.4%的市場份額仍有較大的差距，后期成長空間較大。中國新能源汽車發(fā)展較快，以斯達(dá)半導(dǎo)體為首的中國 IGBT 廠商本土化優(yōu)勢明顯，但由于起步較晚，目前市占率還不高， 隨著技術(shù)的進(jìn)一步成熟和成本下降的要求，未來有望通過新車型的導(dǎo)入進(jìn)一步提升國產(chǎn)化配套比例；安世半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體及邏輯器件領(lǐng)域優(yōu)勢非常明顯，聞泰科技收購安世半導(dǎo)體，有望通過整合，在中國市場發(fā)揮更大優(yōu)勢，從而實(shí)現(xiàn)

52、在汽車電子、消費(fèi)電子、工業(yè)及通信等領(lǐng)域的快速增長 - 15 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告圖表 25：GaN vs. SiC MOSFET 應(yīng)用場景圖表 26：電動車驅(qū)動 SiC/GaN 電力功率半導(dǎo)體來源：Yole Developpement、國金證券研究所來源：Yole Developpement、國金證券研究所三、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)篇核心競爭力何在？1、晶圓代工業(yè)5G、服務(wù)器、功率在受到中美關(guān)稅提升對低階消費(fèi)性電子，車用零組件，工業(yè)用產(chǎn)品需求的影響，及美國對華為及其 68 家子公司，中科曙光，天津海光先進(jìn)技術(shù)，成都海光集成，成都海光微電子，?？?，大華，科大訊飛，曠視，商湯，廈門美亞柏科，依圖，頤信科技

53、進(jìn)行半導(dǎo)體產(chǎn)品及應(yīng)用作業(yè)系統(tǒng)軟件封鎖，晶圓代工行業(yè)的美國客戶多少受到程度不等的影響，而直接造成 2019 的半導(dǎo)體及晶圓代工景氣下行周期（同比衰退 1%），這是繼 2014 年以來首度衰退，但受惠于服務(wù)器半導(dǎo)體行業(yè)超過 10%的增長，5G 所帶動的智能手機(jī)半導(dǎo)體市場將在2020 年同比大幅增長 15%，車用，工業(yè)用，電力功率半導(dǎo)體市場約 8-9%的同比增長，英特爾 x86 CPU 及 FPGA14 及 10 納米良率不佳所造成的產(chǎn)能不足， 補(bǔ)新產(chǎn)品庫存，及全球晶圓代工份額增加，國金證券研究所估計(jì)全球晶圓代工市場將于 2020/2021 年的同比增長 14%/11%，并估計(jì)國內(nèi)晶圓代工生產(chǎn)銷售額

54、將于 2020/2021 年的同比增長 16%/15%，自給率從 2019 年的 20%，緩步提升到 2020/2021 年的 21%。圖表 27：全球 vs. 中國大陸晶圓代工同比增長比較CAGR(%)全球晶圓代工市場566471748291959%同比 y/y-1%14%11%3%12%10%5%中國大陸晶圓代工市場2932363843485110%中國大陸占全球晶圓代工市場份額 (%)52%50%51%52%52%53%54%中國大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)銷售額5.836.777.88.39.610.711.612%同比 y/y-5%16%15%7%15%12%8%中國大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)自給率

55、(%)20%21%21%22%22%22%23%中國大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)占全球份額(%)10%11%11%11%12%12%12%來源：各公司財(cái)報(bào)，國金證券研究所單位: 美金 10 億2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 6 年 臺積電將帶動同業(yè)大幅拉高未來的資本開支：為了能趁三星 7 納米量產(chǎn)不順，英特爾產(chǎn)能短缺拿下更多 7 納米， 7 納米EUV, 5 納米 EUV 的服務(wù)器CPU 及 5G 應(yīng)用處理器基頻芯片的份額，臺積電日前宣布大幅提高2019 年資本開支到 140-150 億美元（為了 7 納米加了 US$15 億美元，為了 5 納米需求加了 25 億美元

56、），2020 年還是保持在 140-150 億美元資本開支，2019 年的 capex to sales 一口氣從之前的 35%拉到 42%。臺積電CEO 魏哲家博士說看到 5G 及高速運(yùn)算帶動明年上半年即將量產(chǎn)的 5 納米制程工藝的需求，并上修其對 2020 年 5G 手機(jī)的預(yù)測從 6 個月前的個位數(shù) - 16 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告占全球智能手機(jī)比重到 15%（15 億 x15%2.25 億）。加上我們預(yù)估臺積電晶圓代工價(jià)格每年以 3-5%同比增長率逐步提升，除了預(yù)估臺積電明年同比增長達(dá) 15%外，我們預(yù)期臺積電將上修其未來五年?duì)I收復(fù)合增長率從過去的 5-10% 調(diào)整到 10-15%，而

57、同業(yè)跟進(jìn)拉高資本開支可期。而因?yàn)橄冗M(jìn)制程工藝晶圓代工價(jià)格每年增長，加上摩爾定律微縮速度（每片晶圓因微縮而增加芯片數(shù)量的增幅）慢于晶圓代工漲價(jià)，我們預(yù)期同大小芯片代工成本也會逐年增加。圖表 28：先進(jìn)晶圓代工價(jià)格上漲可期4,5004,0003,5003,0002,5002,0001,5001,0005001Q991Q001Q011Q021Q031Q041Q051Q061Q071Q081Q091Q101Q111Q121Q131Q141Q151Q161Q171Q181Q191Q20-臺積電 US$/12聯(lián)電US$/12中芯國際 US$/12華虹US$/8來源：各公司財(cái)報(bào)，國金證券研究所中芯國際華虹營

58、收增長可期， 但獲利受技術(shù)影響： 雖然中芯國際于2020 年將量產(chǎn) 14 納米制程，及試產(chǎn) 12/7 納米產(chǎn)品，即使 2020 年底產(chǎn)能將拉高到每月 15,000 片，但因初期折舊費(fèi)過高及良率問題，我們估計(jì)2020 年 14 納米量產(chǎn)營收貢獻(xiàn)將低于 10%，獲利貢獻(xiàn)應(yīng)為減項(xiàng)。而華虹于2020 年將首次量產(chǎn) 12” 9055 納米 MCU, 電力功率芯片，兩年同比營收增長可各達(dá) 20%， 但因?qū)⒚吭?40000 片擴(kuò)產(chǎn)提前于三年完成（本預(yù)計(jì)四年），2020 年整體折舊費(fèi)用增加近倍，我們預(yù)估其 2020 年毛利率將比 2019 年下滑超過 5 個點(diǎn)，低于市場預(yù)期，毛利率 25%, 營業(yè)利潤率 80

59、%） 的存儲器芯片測試機(jī)臺（測良率，測存儲芯片數(shù)據(jù)的傳輸速度），再配合少 量的邏輯芯片測試機(jī)臺，因?yàn)闇y試設(shè)備和設(shè)備配置的大不同，加上封裝生 產(chǎn)模式及封裝技術(shù)的截然不同，邏輯封測大廠想要利用其現(xiàn)有設(shè)備兼差跨 入存儲器封測市場是不具備技術(shù)及成本競爭力的,所以我們認(rèn)為通富微電想 要跨入存儲器封測是不具備技術(shù)與成本競爭力的，而紫光宏茂過去是南茂 在中國大陸的 DRAM 內(nèi)存封測廠，要全面轉(zhuǎn)向 3D NAND 閃存封測接下長 江存儲的全部訂單，我們估計(jì)也是有相當(dāng)?shù)碾y度。圖表 38：Intel Core i7 980X 邏輯芯片設(shè)計(jì)圖表 39：DDR4 DRAM 內(nèi)存設(shè)計(jì)來源：Overclockers C

60、lub、國金證券研究所來源：Extreme Tech、國金證券研究所4、存儲器行業(yè)全球復(fù)蘇，國內(nèi)暴量靜待 2020 下半年受惠于全球 5G 市場更新?lián)Q代，云端數(shù)據(jù)中心重啟服務(wù)器建制的資本開支， 全球存儲器庫存月數(shù)逐步合理化，我們預(yù)期存儲器行業(yè) 2020 下半年存儲器價(jià)漲量增逐步復(fù)蘇，但在 2020 下半年復(fù)蘇之前，目前各存儲器大廠庫存仍高達(dá) - 22 -半導(dǎo)體行業(yè)年度策略報(bào)告四個月以上，DRAM 內(nèi)存短期現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)破底，但 3D NAND， SLC NAND， NOR 合約價(jià)反彈，現(xiàn)貨價(jià)持穩(wěn)， 存儲器大廠持續(xù)減產(chǎn)及降低資本開支，也影響到存儲器設(shè)備商大廠 Lam Research 泛林，Appl