1、第一章1、材料的根本概念材料是人類賴以生存的根底，材料的進(jìn)展和進(jìn)步伴隨著人類文明進(jìn)展和進(jìn)步的全過程。材料是國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)， 國(guó)防建設(shè)和人民生活不行缺少的重要組成局部，是社會(huì)現(xiàn)代化的物質(zhì)根底與先導(dǎo)。材料，尤其是材料的爭(zhēng)辯、開發(fā)與應(yīng)用反映著一個(gè)國(guó)家的科學(xué)技術(shù)與工業(yè)水平。材料特別是材料與社會(huì)現(xiàn)代化及現(xiàn)代文明的關(guān)系格外親熱，材料對(duì)提高人民生活，增加國(guó)家安全，提高工 業(yè)生產(chǎn)率與經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)供給了物質(zhì)根底，因此材料的進(jìn)展格外重要。材料是一切科學(xué)技術(shù)的物質(zhì)根底，而各種材料的起點(diǎn)主要來源于材料的化學(xué)制備和化學(xué)改性。2、什么是材料科學(xué)工程具有物理學(xué)、化學(xué)、冶金學(xué)、金屬學(xué)、陶瓷學(xué)、計(jì)算數(shù)學(xué)等多學(xué)科穿插與結(jié)合的特點(diǎn)，并且

2、具有鮮亮的工程性。3、什么是材料化學(xué)材料化學(xué)在爭(zhēng)辯開發(fā)材料中的作用，就是用化學(xué)理論和方法來爭(zhēng)辯功能分子以及由功能分子構(gòu)筑的材料的結(jié) 構(gòu)與功能關(guān)系，使人們能夠設(shè)計(jì)型材料，供給的各種化學(xué)合成反響和方法使人們可以獲得具有所設(shè)計(jì)構(gòu)造的 材料。承受技術(shù)和工藝方法，合成物質(zhì)和材料，通過化學(xué)反響實(shí)現(xiàn)各組分在原子或分子水平上的相互轉(zhuǎn)換過程。涉及材料的制備、組成、構(gòu)造、性質(zhì)及其應(yīng)用的一門科學(xué)。材料化學(xué)既是材料科學(xué)的一個(gè)重要分支，也是材料科學(xué)的核心內(nèi)容。同時(shí)又是化學(xué)學(xué)科的一個(gè)組成局部，具有 4、材料的分類依據(jù)材料的使用性能：可分為構(gòu)造材料與功能材料兩類構(gòu)造材料的使用性能主要是力學(xué)性能；功能材料的使用性能主要是光、

3、電、磁、熱、聲等功能性能。 互組合而成的復(fù)合材料。其次章1、原子結(jié)合-鍵合兩種主要類型的原子鍵：一次鍵和二次鍵。一次鍵的三個(gè)主要類型：離子鍵、共價(jià)鍵和金屬鍵。一次鍵都涉及電子的轉(zhuǎn)移，或者是電子的共用。 一次鍵通常比二次鍵強(qiáng)一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。金屬鍵：自由電子和正離子組成的晶體格子之間的相互作用就是金屬鍵。沒有方向性和飽和性的。離子鍵：包含正電性和負(fù)電性兩種元素的化合物最通常的鍵類型為離子鍵。陰陽離子的電子云通常都是球形 共價(jià)鍵：由兩個(gè)原子共有最外層電子的鍵合，使每個(gè)原子都到達(dá)穩(wěn)定的飽和電子層。共價(jià)鍵具有方向性和飽 和性。二次鍵：范德華鍵二次鍵既不涉及電子的轉(zhuǎn)移，也不涉及電子的共用。以弱靜電吸引的方

4、式使分子或原子團(tuán)連接在一起的，比前3 種鍵合力要弱得多。包含色散效應(yīng)、分子極化、氫鍵 。色散效應(yīng)：對(duì)稱的分子和惰性氣體原子，由于電子運(yùn)動(dòng)的結(jié)果，有時(shí)分子或原子的內(nèi)部會(huì)發(fā)生電子的偏離而 引起瞬時(shí)的極化，形成誘導(dǎo)瞬間電偶極子，就會(huì)產(chǎn)生很弱的吸引力，這樣的吸引力在其它力不存在時(shí)能使分子 間產(chǎn)生結(jié)合。分子極化：原子、離子及分子的電荷并不是固定在肯定部位上，它們?cè)谙嗷タ拷鼤r(shí)，電荷會(huì)發(fā)生偏移，形成永久弱電偶極子。氫鍵：由于分于極化形成的鍵。配價(jià)鍵：一種特別的共價(jià)鍵，兩個(gè)原子的共用電子對(duì)是由其中的一個(gè)原子單獨(dú)供給的?；旌湘I：化合物中元素間電負(fù)性差大時(shí)有利于離子鍵，而電負(fù)性差值小時(shí)有利于共價(jià)鍵，混合鍵合可是單

5、個(gè)鍵 的中間特性，也可是具有一次和二次兩種鍵型材料中的“混合”鍵。確定原子成鍵類型的重要因素：電負(fù)性 原子間電負(fù)性的差值泡利不相容原理：在每一軌道上只允許存在兩個(gè)電子，且它們的自旋方向相反。2、什么叫配位數(shù)表征原子在固體中的排列, 指標(biāo)。3、晶體微粒(原子、分子、離子等)在空間按肯定的規(guī)律呈周期性重復(fù)排列組成的固體。穩(wěn)定晶體特征：電荷到達(dá)平衡；依據(jù)原子尺寸每個(gè)原子內(nèi)鍵的數(shù)目和鍵的方向最嚴(yán)密地積存；靜電排斥 力為最小。4、原子排列等級(jí)材料中原子的特別排列只延長(zhǎng)至原子的最鄰 近的區(qū)域。長(zhǎng)程有序：材料在比鍵長(zhǎng)大得多的距離呈現(xiàn)有序。特別原子排列普及整個(gè)材料內(nèi)部無序：原子隨機(jī)布滿在封閉的空間中。氬氣等氣

6、體中原子是無序的。5、原子間距原子的平衡距離，它是斥力和引力之間平衡的結(jié)果。固體金屬中為原子半徑；離子化合物中是兩種不同離子 半徑的和6、晶胞：能保持整個(gè)點(diǎn)陣全部特征的點(diǎn)陣單元 。顯示了系統(tǒng)全部特征的最小體積。7、點(diǎn)陣：原子形成有規(guī)章的、重復(fù)性的3 維格子狀模型。點(diǎn)陣內(nèi)每一個(gè)陣點(diǎn)的四周是一樣的，每個(gè)陣點(diǎn)都與一個(gè)或多個(gè)原子聯(lián)系在一起。8、點(diǎn)陣或晶胞的特征參數(shù)點(diǎn)陣參數(shù)：描述晶胞尺寸和外形的參數(shù)，它包括晶胞的各邊的長(zhǎng)度和各邊之間的夾角。晶胞的原子數(shù)6812。積存因子：假設(shè)原子是剛性球，積存因子就是原子占據(jù)空間的分?jǐn)?shù)。/晶胞APF 體密度 4 r 3積存因子 APF密度：晶胞體積33密度 /晶胞每個(gè)原

7、子的原子量晶胞體積阿佛加德羅常數(shù)線密度是沿一個(gè)方向單位長(zhǎng)度上一樣陣點(diǎn)的數(shù)目。面密度是在所關(guān)心的面的單位面積上的原子數(shù)。體密度是單位體積中的原子數(shù)。其中簡(jiǎn)潔立方a=2r，體心立方a=4r/3，面心立方a=4r/2，密排立方a=2r。 9、密排六方：晶胞內(nèi)的總原子數(shù)=121/6+21/2+31=6 個(gè)。10、鑄件的整體通常是由具有一樣構(gòu)造但取向不同的晶體組成，難形成一個(gè)晶體。陶瓷材料同樣是多晶固體。材料是否為晶態(tài)或非晶態(tài)(無定形態(tài))，這取決于它經(jīng)受的熱過程。少數(shù)材料是單晶。單晶材料沒有晶界，性能獨(dú)特。11、多晶轉(zhuǎn)變：材料的一種晶體構(gòu)造變成另一種晶體構(gòu)造。多晶轉(zhuǎn)變類型位移型轉(zhuǎn)變：鍵角發(fā)生變化的構(gòu)造畸

8、變，但不包含鍵的破壞，是一種可逆轉(zhuǎn)變，轉(zhuǎn)變速率較快。12、1金剛石型立方構(gòu)造DC 晶胞如硅、鍺、錫和碳。每個(gè)原子的配位數(shù)是4；其點(diǎn)陣是特別的面心立8 2離子半徑比和配位數(shù)的關(guān)系：離子半徑比離子半徑比配位數(shù)0-0.15520.155-0.25530.255-0.41440.414-0.73260.732-1.081.01213、密勒指數(shù)確定方向密勒指數(shù)的步驟如下：使用右旋坐標(biāo)系，定出該方向上兩個(gè)點(diǎn)的坐標(biāo)h1、k1、l1 和 h2、k2、l2。從“末”點(diǎn)坐標(biāo)減去“始”點(diǎn)坐標(biāo)。去掉分?jǐn)?shù)。用方括弧 h k l 將數(shù)字括起來。假設(shè)有負(fù)號(hào)則在數(shù)字上面加一橫線。晶面密勒指數(shù)標(biāo)志的步驟如下：依據(jù)點(diǎn)陣參數(shù)的數(shù)目

9、定出晶面與 x，y，z 坐標(biāo)軸相交各點(diǎn)。假設(shè)面平行一個(gè)軸，截距為無限大。假設(shè)晶面通過原點(diǎn)，則必需移動(dòng)坐標(biāo)系的原點(diǎn)。取這些相交點(diǎn)的倒數(shù)。消退分?jǐn)?shù)，但不化為最小整數(shù)。(d ) 將最終數(shù)放入圓括號(hào)(h k l)內(nèi)，負(fù)數(shù)的表示方法還是在數(shù)字上面加一橫線。14、面間距布拉格定律：2dsin= n 其中d 為面間距。面間距d：即具有一樣密勒指數(shù)的兩個(gè)相鄰平行晶面之間的距離d h k l，晶體的面間距可由晶體幾何定出。h k l面間距為：ad 0(hkl)h2 k2l2 1/2a0 是點(diǎn)陣參數(shù)，h，k，l 代表相鄰晶面的密勒指數(shù)。15、同素異構(gòu)體或多晶型材料：凡具有不止一種晶體構(gòu)造的材料。很多材料在特定溫度

10、下其晶體構(gòu)造會(huì)發(fā)生從 一種晶胞到另一種晶胞的轉(zhuǎn)變。元素消滅這種行為稱同素異構(gòu)，而化合物消滅這種行為稱多形性。16、材料性能與被測(cè)性能的晶體方向有關(guān)，則此材料屬各向異性； 材料性能在各個(gè)方向上是一樣的，則晶體是各向同性的。17、非晶態(tài)或無定形構(gòu)造：只有短程有序無長(zhǎng)程有序周期性的構(gòu)造。由液態(tài)到固態(tài)沒有突變現(xiàn)象。非晶態(tài)材料：玻璃：熔融物質(zhì)在快速冷卻時(shí)原子還沒有來得及自行排列成周期性構(gòu)造而形成的。玻璃共性：原子短程有序、長(zhǎng)程無序；構(gòu)造是各向同性的，所以性能在各個(gè)方向是均勻的；一般能透過可見光，但可調(diào)整配方使玻璃能吸取或透過各種波長(zhǎng)的光；一般具有良好的電絕緣性和隔熱性；在熔融之前可軟化，所以可制成各種簡(jiǎn)

11、單的外形；玻璃的組成在肯定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，可依據(jù)需要制成不同性能的系列材料。凝膠：通過化學(xué)反響而不是熔融的方法生成的非晶態(tài)固體。氣相沉積涂層：由蒸氣在冷的基板上快速冷凝而形成。18、集中：原子或分子移動(dòng)的機(jī)制稱為集中，涉及一種原子移動(dòng)到另一種原子中去的物質(zhì)輸運(yùn)過程。集中存在于固體、液體和氣體中，但氣體中更主要是對(duì)流。集中機(jī)制：1自集中異類集中鋼的滲碳：在CO/CO2 氣氛中加熱至高溫，碳原子沉積在鐵外表，并遷入滲碳體內(nèi)，碳與鐵結(jié)合形成鐵碳化合物，近外表形成富碳層，具有很優(yōu)異的抗磨性。2空位集中 間隙集中 置換、互換和環(huán)狀集中集中。19、集中速率菲克第肯定律通量：在單位時(shí)間內(nèi)通過單位面積的原子數(shù)

12、目。J Dcx式中 J 為通量原子數(shù)/m2.s；D 為集中力量，即集中系數(shù)m2/s，而c/x 則為濃度梯度/3。式中負(fù)號(hào)說明物質(zhì)流是“逆”濃度梯度的，即由高濃度區(qū)域流向低濃度區(qū)域。僅限應(yīng)用于濃度梯度不隨時(shí)間而變的問題。集中系數(shù)的表達(dá)式為：DDEexpa 0 RT式中Ea 是集中激活能J/mol，T 是確定溫度K。20、成分分布菲克其次定律菲克其次定律：描述原子的動(dòng)態(tài)或非穩(wěn)態(tài)集中，即集中原子的濃度是隨時(shí)間而變化的。假設(shè)集中系數(shù)與位置無關(guān)，也就是等效地說集中系數(shù)與成分無關(guān)，則菲克其次定律的微分方程的形式為：dc D d 2 cdtd 2 x此微分方程在連續(xù)補(bǔ)充集中原子的條件下，有一個(gè)解是：xscc

13、xsccerfx2Dts0 cs 2Dtcx 則是經(jīng)過時(shí)間t 之后，外表下x 處集中原子的濃度。如供給的集中原子耗盡，即不能連續(xù)補(bǔ)充，那么菲克其次定律的具體解的形式為：x 22DtC x exp 2DtD t 定熱處理時(shí)溫度對(duì)所需時(shí)間的影響。有效滲入距離為集中物質(zhì)含量具有原始含量與外表含量平均值的地方。DtxDt有效滲入距離的表達(dá)式 ： erfDtxDterf對(duì)于板的1，對(duì)于圓柱的2。21、柯肯德爾效應(yīng)：由于集中速率不同而引起的集中對(duì)界面的移動(dòng)。22、集中類型：1體積集中2晶界集中3外表集中23、晶粒尺寸與障礙物數(shù)目、尺寸之間的關(guān)系如下：R=4r / f式中R 是晶粒的半徑，r 是障礙物的半徑

14、，f 是障礙物的體積分?jǐn)?shù)。24、燒結(jié)：一種高溫下使材料微粒連接在一起并且漸漸減小它們之間孔隙體積的過程。粉末材料壓制成形粉末微粒彼此接觸但有著大量的孔隙原子向邊界集中使孔隙縮小 空位通過晶界從界面集中出去消退孔隙，材料變得致密。250.001 0.3mm 的金屬粉末生產(chǎn)方法：1霧化法2粉末法3化學(xué)復(fù)原法26、非晶態(tài)材料：一般指非晶態(tài)半導(dǎo)體和非晶態(tài)金屬為主的一些一般低分子非晶態(tài)材料，廣義上非晶態(tài)材料還 應(yīng)包括傳統(tǒng)的氧化物玻璃、非氧化物玻璃和非晶態(tài)聚合物等。一非晶態(tài)材料特征：長(zhǎng)程無序：位置幾何無序：具體指原子在空間位置上排列的無序，又稱拓?fù)錈o序。成分化學(xué)無序：具體指多元系中不同組元的分布為無規(guī)章隨

15、機(jī)分布。短程無序：大量的這種具有某種程度變形的短程有序的構(gòu)造單元的無序積存，組成了非晶態(tài)材料整體。非晶態(tài)材料構(gòu)造的主要特征是長(zhǎng)程無序而短程有序。短程有序的范圍通常為1.52.0nm。晶態(tài)處于最低能態(tài)，而非晶態(tài)處于較高能態(tài)，非晶態(tài)固體有向晶態(tài)轉(zhuǎn)化的趨勢(shì)。二非晶態(tài)材料穩(wěn)定性問題一般非晶態(tài)材料由于其形成過程中能量未充分釋放，其熱力學(xué)能不是最小。非晶態(tài)材料要向能量較低的亞穩(wěn)態(tài)仍屬非晶態(tài)或穩(wěn)態(tài)即晶態(tài)轉(zhuǎn)變，其中前者轉(zhuǎn)變過程稱為構(gòu)造弛豫，而向能量最小的穩(wěn)態(tài)即晶態(tài)轉(zhuǎn)變過程稱為結(jié)晶或結(jié)化。非晶態(tài)材料的構(gòu)造馳豫發(fā)生在整個(gè)材料制備、退火及使用過程中。常溫常壓下，或加熱到肯定的溫度下保溫退 火，隨著構(gòu)造馳豫過程的進(jìn)展

16、，從一種亞穩(wěn)態(tài)到達(dá)另一種亞穩(wěn)態(tài)。馳豫過程中，非晶態(tài)材料并不發(fā)生結(jié)晶，即 不發(fā)生亞穩(wěn)態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的相變，只是在微觀上發(fā)生了構(gòu)造的松弛，能量得到肯定程度降低。構(gòu)造馳豫過程一般 發(fā)生在溫度不太高的狀況下，當(dāng)溫度較高時(shí)，原子集中力量增加，可以抑制勢(shì)壘而重排列，材料就可從非晶 態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)。晶化溫度非晶態(tài)材料穩(wěn)定性的一個(gè)指標(biāo)：非晶態(tài)材料加熱至開頭消滅晶化的溫度。提高晶化溫度，可增加 穩(wěn)定性。第三章1、相關(guān)根本概念 這種圖就叫相圖或狀態(tài)圖。通常以組分、溫度和壓力為變量來繪制的，具直觀性。相：體系內(nèi)部物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)完全均勻的一局部。相的數(shù)量用符號(hào) 表示。相數(shù)是體系中物理、化學(xué)性質(zhì)不同，并能機(jī)械地可分別局部

17、的數(shù)目。氣體只有一個(gè)氣相。固體一般有多少種固體便有多少個(gè)相(固溶體為一相)，同種固體假設(shè)是晶型不同，就有不同 相。液體可以是一相，兩相或多相，由互溶程度定。一個(gè)體系內(nèi)包含著不同的元素及化合物，這些元素和化合物稱為物種。平衡體系中足以用來確定全部各相組成所需要的、最少數(shù)目的物種稱為獨(dú)立組分，它是在體系的不同物相中能 夠獨(dú)立變易的成分?jǐn)?shù)，簡(jiǎn)稱組分。其數(shù)目稱為獨(dú)立組分?jǐn)?shù)，用符號(hào)K表示。體系中的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)不同于物種數(shù) S。假設(shè)體系中各物質(zhì)互不作用，而各相的組成又不同，則組分?jǐn)?shù)就等于各相物質(zhì)的數(shù)目(K=S)；假設(shè)體系中 n 個(gè)物種間發(fā)生了作用，并建立了化學(xué)平衡，則只有(n-1)個(gè)物種是獨(dú)立的。例如：NH

18、4Cl(固N(yùn)H (氣+ HCl (氣3兩相體系內(nèi)假設(shè)各物種間沒有化學(xué)反響，則K=S=3；假設(shè)體系溫度較高，3會(huì)發(fā)生反響，則K=，由于取任何兩種物質(zhì)作為獨(dú)立組分，第三種物質(zhì)都可以借化學(xué)反映平衡關(guān)系式產(chǎn)生出來。 NH3 和 HCl 1：1，則在氣相內(nèi)兩種氣體可看 作是NH4Cl1。(R)和濃度限制條件數(shù)(R)。組分?jǐn)?shù)K 的數(shù)學(xué)定義式如下：K=S-R-R體系的自由度:指平衡體系中的獨(dú)立可變因素(如溫度，壓力，濃度等)f 表示。這些因素的數(shù)目在肯定范圍內(nèi)任意的轉(zhuǎn)變而不會(huì)引起相的生成，因此又稱之為獨(dú)立變量。自由度應(yīng)是體系變量總數(shù)和非獨(dú)立變量數(shù)目之差。 f=(K-1)+2-K( -1)=K-+2(吉布斯相

19、律的數(shù)學(xué)表達(dá)式): f*=K- +1，f*稱為條件自由度。相律只適用于平衡狀態(tài)。2、1固溶體主要有三種形式：置換式、間隙式和缺位式。2兩種組分互溶狀況：兩種組分可以任何比例互溶，生成連續(xù)固溶體。兩種組分有限度的互溶，只能生成有限固溶體。有限固溶體在構(gòu)造上和相應(yīng)的純組分的晶格一樣，只是晶格 參數(shù)略有不同；在組成上，直接和純組分毗鄰。有時(shí)稱為初級(jí)固溶體。三種連續(xù)固溶體根本相圖無論有沒有最高低點(diǎn)，固相總比液相含有較多的參加后使熔點(diǎn)上升的組分。有限固溶體的狀態(tài)圖任一純組分參加其他組分都使液相線降低為低共熔型狀態(tài)圖。aeb 是三相線，在此線上發(fā)生相轉(zhuǎn)變：L(e) ab，冷卻時(shí)，是從熔液中同時(shí)析出和兩固相

20、，稱之為共晶反響。參加一個(gè)組分使液相線降低而參加另一組分使之上升的轉(zhuǎn)熔型有限固溶體狀態(tài)圖。當(dāng)溫度上升到某一值時(shí)，一種固體將變?yōu)橐环N液相和另一種固相，相總是包圍著原固溶體的，故這種轉(zhuǎn) 變叫做包晶反映或轉(zhuǎn)熔反響：L3、二元相圖繪制方法：熱分析法、溶解度法、淬冷法、高溫 X 射線儀、高速離心機(jī)、高溫顯微鏡等直接觀看和測(cè)定高溫條件系相變。熱分析法的根本原理：當(dāng)體系緩慢而均勻地冷卻(或加熱)時(shí)，假設(shè)體系內(nèi)沒有相變發(fā)生，則溫度將隨時(shí)間均勻 地轉(zhuǎn)變。當(dāng)體系內(nèi)有相變發(fā)生時(shí)，在溫度-時(shí)間圖上就會(huì)消滅轉(zhuǎn)折點(diǎn)或水平段。利用這些曲線，可作溫度-組成 圖(相圖)。4、二元低共熔體相圖 三相共存點(diǎn)，叫做共晶點(diǎn)。Ecd。析

21、晶過程e的物系 從熔融態(tài)漸漸冷卻。當(dāng)溫度高于 T1 時(shí)，以液態(tài)單相存在。溫度下降到T1(p點(diǎn))，組分A開頭析出，同時(shí)放出凝固熱，冷卻速度變慢。隨著A的不斷析出，熔液含B的相對(duì)量增加，凝固溫度沿pE線連續(xù)下降。在任何溫度，固、液兩相的數(shù)量比可由杠杠規(guī)章確定。 E，始終不變(直到液相消逝)，A B E 點(diǎn)組成的比例析出。E 點(diǎn)，發(fā)生共晶反響，溫度不變，液相組成也不變，但數(shù)量漸漸削減。5、與原始熔體組成(H點(diǎn))一樣。液相完全消逝后，溫度才又下降。當(dāng)物系點(diǎn)落在 g 點(diǎn)時(shí)，共存的兩共軛相的重量比聽從杠桿規(guī)章。M點(diǎn)表示全為固相，N g 點(diǎn)固、液兩相數(shù)量之比為: gNNM液相量WAMgNMLg各為相應(yīng)的相對(duì)

22、含量，則杠桿支點(diǎn)就在同一溫度下的物系點(diǎn)處。即兩相的含量比應(yīng)為聯(lián)結(jié)線兩端離支點(diǎn)距離的反比例。5、生成化合物的二元系相圖形成穩(wěn)定化合物體系的相圖假設(shè)A 和B 生成的化合物在熔點(diǎn)溫度以下都能穩(wěn)定存在，則稱之為溫度化合物。圖(a)A 與化合物AmBn B 的相圖，E2 是AmBn B 的低共熔點(diǎn)。體系組成在E1 以左或E2 的右邊，則開頭結(jié)晶時(shí)，析出A B，然后在E1 E2 再析出化合物。物系組成在E1 ，E2 之間，液相冷卻時(shí)，先析出化合物，然后在E1 E2 再析出A B。穩(wěn)定化合物的熔點(diǎn)C 是一最高點(diǎn)，當(dāng)化合物局部析出時(shí)，其溶化溫度將降低。形成不穩(wěn)定化合物體系的相圖假設(shè)A 和B 所形成的固態(tài)化合物

23、C，在其熔點(diǎn)以下就分解出液相和固體A B 或另一化合物C，這類化合物叫做不穩(wěn)定化合物。1：冷至溫度T1，首先析出B，熔液組成將沿TBF 線下降。至T轉(zhuǎn)時(shí)，化合物按以下反響析出： 熔體L+ B固化合物 C固。此時(shí)，三相共存(B，C 及組成在 F 的熔液)，溫度不變，待已結(jié)晶出的 B 轉(zhuǎn)熔并局部熔液反響B(tài) FGjE 兩相區(qū)，溫度又開頭下降，化合物連續(xù)析出，液相組成沿FE線轉(zhuǎn)變。到達(dá)E點(diǎn)后，A、C同時(shí)結(jié)晶出來。Ij線 E A的兩相平衡區(qū)。點(diǎn) 2：熔化物的組成就是混合物組成。冷卻過程中，首先析出B，液相組成沿TBF 線下移，到達(dá)F。在該溫度，體系呈三相平衡，待轉(zhuǎn)熔反響L+B=C 完畢后，物系落在GC

24、線上，體系為單相的固態(tài)化合物。3：物系的原始組成較化合物有更多的BT B 在轉(zhuǎn)熔溫度，體系就完全凝固呈化合物和B。假設(shè)體系在F 點(diǎn)以左，冷卻過程不與FH 線相交，因此不發(fā)生轉(zhuǎn)熔反響，而與低共熔體系一樣。6、固態(tài)轉(zhuǎn)變體系1+共析 +包析 1 2+單析7、相變類型依據(jù)人力學(xué)的觀點(diǎn)分為一階相變和二階相變或稱一級(jí)、二級(jí)從相變過程是否必需依靠原子在點(diǎn)陣中的集中運(yùn)動(dòng)和原子位移大小分為：重建型相變、位移型相變重建型相變特點(diǎn)：相變中涉及大量化學(xué)鍵的破壞，經(jīng)受了很高的勢(shì)壘，相變的潛熱大，相變速率小；相與母相沒有明確 的位向關(guān)系，且原子近鄰的拓?fù)潢P(guān)系發(fā)生顯著的變化。位移型相變特點(diǎn)是：無化學(xué)鍵的破壞，勢(shì)壘小，相變的潛熱小或完全消逝，可能是二級(jí)相變或弱一級(jí)相變；相與母相間 有明確的位向關(guān)系，且原子近鄰的拓?fù)潢P(guān)系仍保持不變，相變對(duì)應(yīng)的原子位移很小。8、一階相變動(dòng)力阻力G-G總 ，其中為形成單位面積的界面能，表示單位體能的應(yīng)變能。2 G*核心的臨界尺寸為：G-V形成臨界晶核時(shí)的形成功為：總G2V體積的吉布斯自由能是相變的驅(qū)動(dòng)力；和是相變的阻力。9、馬氏體相變：無集中相變實(shí)質(zhì)上就是馬氏體相變。原子不發(fā)生隨機(jī)走動(dòng)的相變，這表示原 不是靠熱運(yùn)動(dòng)，子即不是靠熱能的激活跨越界面轉(zhuǎn)入相的。根本特征：無集中的相變；一種發(fā)生均勻點(diǎn)陣