1、新型電力電子器件PPT課件新型電力電子器件PPT課件一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖形符號NPN型晶體管的結(jié)構(gòu)圖和圖形表示符號 三端三層器件，有兩個PN結(jié)，分NPN型和PNP型。 采用三重擴(kuò)散臺面型結(jié)構(gòu)制成單管形式。結(jié)面積大、電流分布均勻，易散熱；但電流增益低。一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖形符一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）GTR的開關(guān)電路+Ub-UbCBE+Ucc一、雙極型器件-GTO、GTR、SITHGTR的開關(guān)電一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（

2、巨型晶體管）一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）GTR的開關(guān)過程中的電流波形ton=td+tr開通時間關(guān)斷時間toff=ts+tftd延遲時間tr上升時間ts存儲時間tf下降時間一、雙極型器件-GTO、GTR、SITHGTR的開關(guān)過一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）1、電壓參數(shù) UCBOUCEXUCESUCERUCEO2、電流參數(shù) 集電極最大允許電流ICM3、功耗參數(shù) 集電極最大耗散功率PCM；導(dǎo)通損耗PON；開關(guān)損耗PSW；二次擊穿功耗PSB。一、雙極型器件-GTO、GTR、

3、SITH1、電壓參數(shù)一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH1、電力晶體管GTR（巨型晶體管）GTR的安全工作區(qū)最高工作電壓集電極最大允許電流最大耗散功率二次擊穿功耗一、雙極型器件-GTO、GTR、SITHGTR的安全工一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTOAKG 耐壓高、電流大 有自關(guān)斷能力 頻率高 可用門極正向觸發(fā)信號使管子導(dǎo)通，又可向門極加負(fù)向觸發(fā)信號使晶閘管關(guān)斷。 四層三端器件。（與普通晶閘管同） 內(nèi)部包含了數(shù)十至數(shù)百個共陽極的GTO元。一、雙極型器件-GTO、GTR、SITHAKG 耐一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTO一、雙極型器件

4、-GTO、GTR、SITH一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTOEAAGKEGRIAIC1IC2P1N1P2N1P2N2V1V2IGIKGTO關(guān)斷過程等效電路一、雙極型器件-GTO、GTR、SITHEAAGKEG一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTOGTO開通和關(guān)斷電流波形一、雙極型器件-GTO、GTR、SITHGTO開通和關(guān)一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH2、可關(guān)斷晶閘管GTO1、最大可關(guān)斷陽極電流IATO2、電流關(guān)斷增益3、維持電流IH和擎住電流IL4、開通時間和關(guān)斷時間5、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM、斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓UDSM、反向重

5、復(fù)峰值電壓URRM、反向不重復(fù)峰值電壓URSM。一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH1、最大可關(guān)斷一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH3、靜電感應(yīng)晶閘管SITHP+P+P+P+P+N+N+P+NN+樹脂門極陽極陰極一、雙極型器件-GTO、GTR、SITHP+P+P+P一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH3、靜電感應(yīng)晶閘管SITHAKGAKGAK一、雙極型器件-GTO、GTR、SITHAKGAKGA一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH3、靜電感應(yīng)晶閘管SITH 開關(guān)速度快，工作頻率高 正向壓降低 di/dt耐量高 工作結(jié)溫高一、雙極型器件-GTO、GTR、SITH 開關(guān)速度快二、

6、單極型器件-MOSFET、SIT1、功率場效應(yīng)晶體管二、單極型器件-MOSFET、SIT二、單極型器件-MOSFET、SIT1、功率場效應(yīng)晶體管二、單極型器件-MOSFET、SIT二、單極型器件-MOSFET、SIT1、功率場效應(yīng)晶體管二、單極型器件-MOSFET、SIT二、單極型器件-MOSFET、SIT1、功率場效應(yīng)晶體管二、單極型器件-MOSFET、SIT二、單極型器件-MOSFET、SIT1、功率場效應(yīng)晶體管開啟電壓UT跨導(dǎo)Gfstd(on)trtd(off)tf漏極電壓UDS漏極直流電流ID和漏極脈沖電流幅值IDM柵源電壓UGS開通時間ton和關(guān)斷時間toff極間電容二、單極型器件-

7、MOSFET、SIT開啟電壓UT二、單極型器件-MOSFET、SIT2、靜電感應(yīng)晶體管SIT二、單極型器件-MOSFET、SIT二、單極型器件-MOSFET、SIT2、靜電感應(yīng)晶體管SIT輸入阻抗高、輸出功率大、失真小、開關(guān)特性好、熱穩(wěn)定性好。工作頻率與MOSFET相當(dāng)。應(yīng)用于高頻感應(yīng)加熱、雷達(dá)通信設(shè)備、超聲波功率放大等。二、單極型器件-MOSFET、SIT輸入阻抗高、輸出功三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT1、絕緣柵雙極型晶體管IGBT三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT1、絕緣柵雙極型晶體管IGBT三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、I

8、GCT三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT1、絕緣柵雙極型晶體管IGBTICICUGEUCE00UGE(th)UFMUGE(th)UGE增加URM正向阻斷區(qū)有源區(qū)飽和區(qū)反向阻斷區(qū)三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCTICICUG三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT1、絕緣柵雙極型晶體管IGBT三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT1、絕緣柵雙極型晶體管IGBT1、最大集射極間電壓UCES2、集電極額定電流ICN3、集電極脈沖峰值電流ICP4、最大集電極功耗PCN三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT1、最大集射三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT2、MOS控制晶閘管MCTAKGOFF-FETON-FETAKGOFF-FETON-FET三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCTAKGOFF三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT3、集成門極換流晶閘管IGCT三、復(fù)合型器件-IGBT、MCT、IGCT總