1、電磁兼容屏蔽技術(shù)第1頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五本章主要內(nèi)容概 述電場屏蔽低頻磁場屏蔽高頻磁場屏蔽電磁屏蔽孔洞的屏蔽效能第2頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五概述屏蔽是用導電或?qū)Т挪牧蠈⑿枰雷o區(qū)域封閉起來，以抑制和控制電場、磁場和電磁波由一個區(qū)域?qū)α硪粋€區(qū)域的感應和輻射；屏蔽技術(shù)用來抑制電磁噪聲沿著空間的傳播，即切斷電磁波輻射（和場耦合）的傳輸途徑。屏蔽類型主動屏蔽：屏蔽干擾源，被動屏蔽：屏蔽敏感體。低頻磁場屏蔽高頻磁場屏蔽第3頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五靜電屏蔽電磁場理論表明，置于靜電場中的導體在靜電平衡的條件下

2、，具有下列性質(zhì)：導體內(nèi)部任何一點的電場為零；導體表面任何一點的電場強度矢量的方向與該點的導體表面垂直；整個導體是一個等位體；導體內(nèi)部沒有靜電荷存在，電荷只能分布在導體的表面上。第4頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五靜電屏蔽內(nèi)部存在空腔的導體，也有上述性質(zhì)。導體內(nèi)表面無靜電荷，空腔空間無電場，該導體起到了隔絕外電場的作用。如果空腔內(nèi)有帶電體（正電荷Q），則屏蔽體內(nèi)側(cè)感應出等量負電荷，外側(cè)感應出等量正電荷。（只用屏蔽體將靜電場源包圍起來，實際上起不到屏蔽的作用）如果把屏蔽體接地，才能將靜電場源所產(chǎn)生的電力線封閉在屏蔽體內(nèi)部，才能起到真正屏蔽的作用。如果把導體接地，即使空腔內(nèi)有

3、帶電體產(chǎn)生電場，在腔體外面也無電場，這就是靜電屏蔽的原理。主動屏蔽:第5頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五靜電屏蔽當空腔屏蔽體外部存在靜電場騷擾時，由于空腔屏蔽導體為等位體，所以屏蔽體內(nèi)部空間不存在靜電場，從而實現(xiàn)靜電屏蔽。屏蔽體外部出現(xiàn)等量反號的感應電荷，當屏蔽體完全封閉時，內(nèi)電場完全為零。當實際屏蔽體不可能完全封閉時，就會引起外部電力線入侵，所以屏蔽體仍需接地。被動屏蔽:完全靜電場屏蔽的必要條件： 1.完整的屏蔽導體，2. 接地。第6頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五交變電場的屏蔽設(shè)干擾源上有一交變電壓Ug，在其附近產(chǎn)生交變電場，置于交變電場中的

4、接收器s通過阻抗Zs接地，干擾源對接收器的電場感應耦合等效為分布電容Cj的耦合，形成如圖回路。Cj 干擾電壓（場）與 耦合電容成正比。減少耦合電容是屏蔽低頻交變電場的關(guān)鍵。增多騷擾源與接受器之間距離，或利用金屬板接地抑制干擾。第7頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五交變電場的屏蔽利用金屬板接地抑制干擾接地金屬屏蔽體 接地金屬板切斷干擾途徑。如不接地則可能產(chǎn)生更嚴重的干擾。無論是靜電場或交變電場，屏蔽的必要條件是金屬體接地。第8頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五低頻磁場的屏蔽低頻（100kHz以下）磁場屏蔽常用的材料是高磁導率的鐵磁材料（如鐵、硅鋼片、坡

5、莫合金等）。原理是利用高磁導率的材料對干擾磁場進行分路。高磁導率的鐵磁材料其磁阻很小，所以大部分磁通可以流過磁屏蔽體。H1R0RmH0H2Um為磁路兩點間的磁位差，為磁通量，Rm為磁阻，l為磁路長度，s為磁路橫截面積，為材料磁導率磁導率越大，磁阻Rm越小，磁通量越大。第9頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五低頻磁場的屏蔽由于鐵磁材料的磁導率比空氣的磁導率0大得多，所以鐵磁材料的磁阻很小。將鐵磁材料置于磁場中時，磁通將主要通過鐵磁材料。而通過空氣的磁通將大為減小，從而起到磁場屏蔽的作用。要想提高磁屏蔽性能，應采用高磁導率的屏蔽材料，且增大屏蔽體的壁厚。H0RmH1R0磁力線集

6、中在其內(nèi)部 (Rm)通過H2第10頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五低頻磁場的屏蔽如圖所示的屏蔽線圈用鐵磁材料作屏蔽罩。由于其磁導率很大，其磁阻比空氣小很多，因此線圈所產(chǎn)生的磁通主要沿屏蔽罩通過，即被限制在屏蔽體內(nèi)，從而使線圈周圍不受影響。同樣，外界磁通也將通過屏蔽體而很少進入屏蔽罩內(nèi)，從而使外部磁場不致騷擾屏蔽罩內(nèi)的線圈。 (主動屏蔽) (被動屏蔽) 第11頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五低頻磁場的屏蔽結(jié)論： 磁導率越高、截面積越大，則磁路的磁阻越小，集中在磁路中的磁通就越大，在空氣中的漏磁通就大大減少。用鐵磁材料作的屏蔽罩，在垂直磁力線方向不應

7、開口或有縫隙。因為若縫隙垂直于磁力線，則會切斷磁力線，使磁阻增大，屏蔽效果變差。 第12頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五低頻磁場的屏蔽結(jié)論：鐵磁材料的屏蔽只適用于低頻，不能用于高頻磁場屏蔽。因為高頻時鐵磁材料中的磁性損耗（包括磁滯和渦流）很大，鐵磁材料的磁導率也將明顯下降。第13頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五高頻磁場的屏蔽根據(jù)法拉第電磁感應定律，閉合回路上產(chǎn)生的感應電動勢等于穿過該回路的磁通量的時變率。根據(jù)楞次定律，感應電動勢引起感應電流，感應電流所產(chǎn)生的磁通要阻止原來磁通的變化，即感應電流產(chǎn)生的磁通方向與原來磁通的變化方向相反。H0第14頁，

8、共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五高頻磁場的屏蔽高頻磁場的屏蔽采用的是低電阻率的良導體（銅、鋁、銅鍍銀）屏蔽原理:利用電磁感應現(xiàn)象在屏蔽體表面所產(chǎn)生的渦流的反磁場來達到屏蔽的目的，即利用了渦流反向磁場對于原騷擾磁場的排斥作用，抑制或抵消屏蔽體外的磁場。H0渦流產(chǎn)生的反向磁場增強了金屬板側(cè)面的磁場使磁力線在金屬板側(cè)面繞行而過。第15頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五高頻磁場的屏蔽屏蔽是利用感應渦流的反磁場排斥原騷擾磁場而達到屏蔽 的目的，渦電流的大小直接影響屏蔽效果。 第16頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五高頻磁場的屏蔽 屏蔽盒上所

9、產(chǎn)生的渦流的大小將直接影響屏蔽效果。下面通過屏蔽線圈的等效電路來說明影響渦流大小的諸多因素。把屏蔽殼體看成是一匝的線圈，I為線圈的電流，M為線圈與屏蔽盒間的互感，rs、Ls為屏蔽盒的電阻及電感，Is為屏蔽盒上產(chǎn)生的渦流。屏蔽體電阻第17頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五高頻磁場的屏蔽 屏蔽體和線圈的等效電路 渦流 當 （高頻）時， 當 （低頻）時 低頻時渦流很小，渦流的反磁場不足以完全 排斥原干擾磁場，此法不適用于低頻磁場屏蔽 一定頻率后渦流不再隨著頻率升高，說明渦流 產(chǎn)生的反磁場已足以排斥原有的干擾磁場，從 而起到屏蔽作用。is頻率M/LRs/LRs屏蔽體電阻第18頁，

10、共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五高頻磁場的屏蔽屏蔽盒是否接地不影響屏蔽效果；但如果將良導體金屬材料做的屏蔽盒接地，則它同時具有電場屏蔽和高頻磁場屏蔽的作用，所以實際使用中屏蔽盒應接地。屏蔽盒上縫的方向必須順著渦流方向并且要盡可能地縮小縫 的寬度。如果開縫切斷了渦流的通路則將大大影響金屬盒的 屏蔽效果。（a）對內(nèi)部磁場的屏蔽 （b）對外部磁場的屏蔽第19頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五高頻磁場的屏蔽屏蔽體電阻越小，產(chǎn)生的感應渦流越大而且屏蔽體自身的損耗也越小。所以高頻磁屏蔽材料需用良導體。鐵磁材料的屏蔽不適用于高頻磁場屏蔽 。由于高頻電流的趨膚效應，渦

11、流僅在屏蔽盒的表面流過，所以高頻屏蔽盒無需做得很厚。當f1M Hz時，機械強度、結(jié)構(gòu)、工藝方面的要求要遠大于屏蔽角度所需要的厚度。因此，高頻屏蔽不考慮屏蔽盒厚度。實際應用中，一般。第20頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五電磁屏蔽時變電磁場中，電場和磁場總是同時存在的，通常所說的屏蔽，多指電磁屏蔽。電磁屏蔽是指同時抑制或削弱電場和磁場。電磁屏蔽一般也是指高頻交變電磁屏蔽(10kHz 40GHz)。在頻率較低（近場區(qū)，近場隨著騷擾源的性質(zhì)不同，電場和磁場的大小有很大差別。 高電壓小電流騷擾源以電場為主（電準穩(wěn)態(tài)場忽略了感應電壓），磁場騷擾較小（有時可忽略）。 低電壓高電流騷

12、擾 源 以 磁 場 騷 擾 為 主（磁準穩(wěn)態(tài)場忽略了位移電流），電場騷擾較小。隨著頻率增高，電磁輻射能力增加，產(chǎn)生輻射電磁場，并趨向于遠場騷擾。遠場騷擾中的電場騷擾和磁場騷擾都不可忽略，因此需要將電場和磁場同時屏蔽，即電磁屏蔽。第21頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五屏蔽效能屏蔽有兩個目的：一是限制屏蔽內(nèi)部的電磁騷擾越出某一區(qū)域；二是防止外來的電磁干擾（騷擾）進入屏蔽體內(nèi)的某一區(qū)域。屏蔽的作用通過一個將上述區(qū)域封閉起來的殼體來實現(xiàn)?？梢宰龀山饘俑舭?、盒式、電纜屏蔽、連接器屏蔽等。屏蔽體一般有實芯型、非實芯型（例如金屬網(wǎng)）和金屬編織帶等。第22頁，共62頁，2022年，5月

13、20日，6點29分，星期五屏蔽效能屏蔽前場強 E1, H1屏蔽后場強 E2，H2 對電、磁場和電磁波產(chǎn)生衰減的作用就是電磁波屏蔽, 屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) , SH = 20 lg ( H1/ H2 ) dB 衰減量與屏蔽效能的關(guān)系例：40dB, 衰減比1/100 GJB151A的機箱：60dB一般商業(yè)的機箱： 40dB 軍用屏蔽室： 100dB 第23頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五屏蔽效能按照傳輸線理論，屏蔽體對于電磁波的衰減有三種機理：（1）反射：在空氣中傳播的電磁波到達屏蔽體表面時，由于空氣和金屬交界面的阻抗不

14、連續(xù)，在分界面上引起波的反射。（2）衰減：未被屏蔽體表面反射而透射進入屏蔽體的電磁能量，繼續(xù)在屏蔽體內(nèi)傳播時被屏蔽材料衰減。（3）再反射：在屏蔽體內(nèi)尚未衰減完的剩余電磁能量，傳播到屏蔽體的另一個表面時，又由于金屬和空氣阻抗的不連續(xù)在其交界面再次發(fā)生反射，并重新折回屏蔽體內(nèi)。這種反射在屏蔽體內(nèi)的兩個界面之間可能重復多次。第24頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五屏蔽效能設(shè)金屬平板左右兩側(cè)均為空氣，因而在左右兩個界面上出現(xiàn)波阻抗突變，入射電磁波在界面上就產(chǎn)生反射和透射。電磁能（波）的反射，是屏蔽體對電磁波衰減的第一種機理，稱為反射損耗，用R表示。 透射入金屬板內(nèi)繼續(xù)傳播，其場量

15、 振幅要按指數(shù)規(guī)律衰減。場量的衰 減反映了金屬板對透射入的電磁能 量的吸收，電磁波衰減的第二種機 理稱為吸收損耗，用A表示 在金屬板內(nèi)尚未衰減掉的剩余能量達到金屬右邊界面上時，又要發(fā)生反射，并在金屬板的兩個界面之間來回多次反射。只有剩余的一小部分電磁能量透過屏蔽的空間。電磁波衷減的第三種機理，稱為多次反射修正因子，用B表示。RAB第25頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五屏蔽效能的計算SE R AB入射場強距離吸收損耗AR1R2B透射泄漏R 反射損耗A吸收損耗B多次反射損耗 實心材料對電磁波的反射和吸收損耗使電磁能量被大大衰減，將電場和磁場同時屏蔽，即電磁屏蔽。反射AR1R

16、2第26頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五反射損耗 反射損耗R 反射損耗是由屏蔽體表面處阻抗不連續(xù)性引起的。反射損耗R與哪些因素有關(guān)呢？下面我們引入波阻抗概念第27頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五波阻抗的概念（前述）377波阻抗電場為主 E 1/ r3 H 1 / r2磁場為主 H 1/ r3 E 1/ r2平面波 E 1/ r H 1/ r/ 2到觀測點距離 rE/H電磁波中的電場分量與磁場分量的比值稱為波阻抗，定義如下： Zw=E/H距離小于/時，稱為近場區(qū)，大于/時稱為遠場區(qū)。波阻抗的值：近場區(qū)中，波阻抗小于377，稱為低阻抗波，或磁場波。大

17、電流、低電壓（輻射源電路的阻抗較低），波阻抗大于377，稱為高阻抗波，或電場波。高電壓，小電流（輻射源電路的阻抗較高），遠場區(qū)，波阻抗僅與電場波傳播介質(zhì)有關(guān)，空氣為377。 第28頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五波阻抗的概念（前述）377波阻抗電場為主 E 1/ r3 H 1 / r2磁場為主 H 1/ r3 E 1/ r2平面波 E 1/ r H 1/ r/ 2到觀測點距離 rE/H波阻抗隨距離而變化 。在近場區(qū)內(nèi)，特定電場波的波阻抗隨距離而變化。如果是電場波，隨著距離的增加，波阻抗降低，如果是磁場波，隨著距離的增加，波阻抗升高。在遠場區(qū)，波阻抗保持不變。注意：近場區(qū)

18、和遠場區(qū)的分界面隨頻率的不同而不同。第29頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五反射損耗的計算 R 20 lg 反射損耗與波阻抗有關(guān) 屏蔽材料的阻抗 Zs 磁場反射損耗, 當頻率升高時，電場和磁場損耗趨向于一致，匯合 在平面波的反射損耗數(shù)值上。 距離電偶極源越近，則反射損耗越大（波阻抗越高）。磁偶極源，則正好相反。 頻率影響：頻率升高時，電場的波阻抗變低，磁場波的波阻抗變高。同時屏蔽材 料的阻抗發(fā)生變化（變大）。對于平面波，由于波阻抗一定（377），因此隨 著頻率升高，反射損耗降低。第32頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五吸收損耗入射電磁波E1剩余電磁波

19、E2E2 = E1e-t/ A 20 lg ( E1 / E2 ) = 20 lg ( e t / )t0.37E0 3.34 t f rr dB 吸收損耗是由電磁波通過屏蔽體所產(chǎn)生的熱損耗引起的。材料越厚t ，吸收損耗越大；磁導率、電導率和頻率越高，吸收損耗越大。 吸收損耗與入射電磁場（波）的種類（波阻抗）無關(guān)。 第33頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五多次反射損耗的計算多次反射損耗是電磁波在屏蔽體內(nèi)反復碰到壁面所產(chǎn)生的損耗。B = 20 lg ( 1 - e -2 t / )說明： 當吸收損耗較大時（屏蔽體較厚，頻率較高），可忽略 對于電場波，可以忽略 對于電場波，反

20、射損耗已很大了，進入屏蔽體的能量已經(jīng)很小了， 所以可以忽略。第34頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五綜合屏蔽效能(0.5mm鋁板)高頻時電磁波種類的影響很小150250平面波00 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M電場D = 0.5 m磁場 D = 0.5 m屏蔽效能（dB）頻率 低頻：趨膚深度大，吸收損耗小，屏蔽決于反射損耗。電場電磁波磁場。 高頻：電場的反射損耗降低，磁場的反射損耗增加； 頻率升高，吸收損耗增加，頻率高到一定程度時，屏蔽主要由吸收損耗決定。 屏蔽的難度按電場波、平面波、磁場波的順序依次增加。 特別是頻率較低的磁場，很難屏蔽。第35頁，共62

21、頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五屏蔽材料的性能導磁材料磁屏蔽是利用由高導磁率之城的磁屏蔽體，提供低磁阻的磁通路使得大部分磁通在磁屏蔽體上分流而達到屏蔽目的，因此磁導率成為選擇磁屏蔽材料的主要依據(jù)。磁導率是表示磁介質(zhì)磁性的物理量。常用符號表示，為介質(zhì)的磁導率，或稱絕對磁導率。等于磁介質(zhì)中磁感應強度B與磁場強度H之比，即 =B/H=0r，式中0為真空磁導率，r為介質(zhì)相對磁導率，（不是常數(shù)，隨外磁場強度和頻率變化）按r的大小可將介質(zhì)分為弱磁性材料順磁性（r1）鋁等金屬抗磁質(zhì)(r1)鐵、鎳等金屬第36頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五屏蔽材料的性能鐵磁性材料特點：B

22、與H為非線性關(guān)系，頻率增高，磁導率r降低。151015坡莫合金金屬鎳鋼冷軋鋼 0.01 0.1 1.0 10 100 kHzr 103 磁屏蔽材料手冊上給出的導磁率數(shù)據(jù)大多是直流情況下的，隨著 頻率增加，導磁率會下降 ，當頻率大于 時，導磁率更低。第37頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五屏蔽材料的性能 由圖中可以看出，鐵磁性材料在頻率很高時，由于發(fā)生嚴重的磁損耗，使磁導率大大降低，因此只能采用導電性能良好的材料作為屏蔽體。導電材料根據(jù)屏蔽理論，電屏蔽和電磁屏蔽是利用由導電材料制成的屏蔽體并結(jié)合接地來切斷干擾源與感受器之間的耦合通道，以達到屏蔽目的，因此，電導率成為選擇屏蔽

23、材料的主要依據(jù)。由于電導率是常數(shù)，不隨場強及頻率的變化而變化，因此電屏蔽和電磁屏蔽要簡單得多，根據(jù)實際情況選擇好的導電材料即可。第38頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五屏蔽材料的性能薄膜材料與薄膜屏蔽在計算機、通信與數(shù)控設(shè)備上廣泛采用工程塑料機箱，通常在機箱上采用噴導電漆、電弧噴鍍、電離鍍、熱噴涂等工藝，在機箱上產(chǎn)生一層導電薄膜，成為薄膜材料。導電膠與導磁膠導電、導磁膠是電子工業(yè)專用膠黏劑，是在普通的膠黏劑中添加導電、導磁材料配制而成的。 導電橡膠：在硅橡膠內(nèi)填充占總重量70 80比例的金屬顆粒，如銀粉、銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球等。這種材料保留一部分硅橡

24、膠良好彈性的特性，同時具有較好的導電性。 第39頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五實際屏蔽體問題 實際機箱上有許多泄漏源：不同部分結(jié)合處的縫隙通風口、顯示窗、按鍵、指示燈和電纜線、電源線等 影響屏蔽效能的兩個因素：屏蔽體的導電連續(xù)性和穿過屏蔽機箱的導線（危害更大輻射傳導）。通風口顯示窗鍵盤指示燈電纜插座調(diào)節(jié)旋鈕電源線縫隙電纜線第40頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五縫隙的泄漏高頻起主要作用低頻起主要作用縫隙的阻抗越小，則電磁泄漏越小，屏蔽效能越高。縫隙的阻抗可以用電阻和電容并聯(lián)來等效。由于電容的容抗隨著頻率升高降低，因此高頻屏蔽效果好?？p隙第41頁，

25、共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五縫隙泄漏的抑制影響電阻成分的因素：影響縫隙上電阻成分的因素主要有：接觸面積（接觸點數(shù)）、接觸面材料（一般較軟的材料接觸電阻較?。⒔佑|面的清潔程度、接觸面的壓力（壓力要足以使接觸點穿透金屬表層氧化層）、氧化腐蝕等。影響電容成分的因素：根據(jù)電容器原理，很容易知道：兩個表面之間距離越近，相對的面積越大，則電容越大。第42頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五空洞泄漏的抑制措施1.由于制造、裝配、維修、散熱及觀察要求，屏蔽體上面一般都開有形狀各異、尺寸不同的孔縫。電磁能量就會通過孔洞、縫隙泄漏，導致屏蔽效能的降低。2.電磁能量的泄

26、漏主要取決于孔縫的尺寸、形狀及位置。3.當不連續(xù)點的尺寸與其諧振值匹配時，對應頻率的屏蔽效能會迅速降低。第43頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五縫隙泄漏的抑制解決縫隙泄漏的措施：1） 接觸面的重合面積，這可以減小電阻、增加電容。不同部分的結(jié)合處構(gòu)成的縫隙是一條細長的開口。在平整的結(jié)合處也不可能完全接觸，只能在某些點接觸上是真正接觸的，構(gòu)成一個空洞陣列。根據(jù)電磁場理論，具有一定深度的縫隙可看作波導，而波導在一定條件下可以對在其內(nèi)部傳播的電磁波進行衰減，深度越深，衰減量越大。另一方面，當縫隙很窄時，縫隙之間的電容較大，其阻抗可以等效為電阻與電容并聯(lián)。由于容抗隨頻率升高而降低，

27、因此在頻率較高時，屏蔽效能較好。增加金屬之間的搭接面積可以增大電容，使阻抗減小，從而減小泄漏。第44頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五縫隙泄漏的抑制電磁密封襯墊縫隙 減小縫隙電磁泄漏的基本思路：減小縫隙的阻抗（增加導電接觸點、加大兩塊金屬板之間的重疊面積、減小縫隙的寬度）。方法：增加接觸面的平整度，增加緊固件（螺釘、鉚釘）的密度，方法：使用電磁密封襯墊，電磁密封襯墊是一種彈性的導電材料。第45頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五縫隙泄漏的抑制電磁密封襯墊縫隙使用電磁密封襯墊可以實現(xiàn)縫隙的電磁密封。襯墊的電氣特性應與屏蔽體的特性近似以保持分界面上有很高的

28、電氣導電性能。電磁密封襯墊的兩個基本特性是導電性和彈性，任何導電的彈性材料都可以作為電磁密封襯墊用。常用的襯墊有金屬絲網(wǎng)屏蔽條、導電橡膠、橡膠芯金屬網(wǎng)套等。氧化或其它老化現(xiàn)象會導致連接點處的屏蔽質(zhì)量下降。襯墊連接點的屏蔽效能隨頻率升高而下降。第46頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五電磁密封襯墊的種類 金屬絲網(wǎng)襯墊 導電橡膠 指形簧片 螺旋管襯墊第47頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五電磁密封襯墊的種類襯墊種類優(yōu)點缺點適用場合導電橡膠同時具有環(huán)境密封和電磁密封作用，高頻屏蔽效能高需要的壓力大，價格高需要環(huán)境密封和較高屏蔽效能的場合金屬絲網(wǎng)條成本低，不易

29、損壞 高頻屏蔽效能，適合1GHz以上的場合沒有環(huán)境密封作用干擾頻率為1GHz以下的場合指形簧片屏蔽效能高允許滑動接觸形變范圍大 價格高沒有環(huán)境密封作用有滑動接觸的場合屏蔽性能要求較高的場合 導電橡膠：在硅橡膠內(nèi)填充占總重量70 80比例的金屬顆粒，如銀粉、銅粉、鋁粉、鍍銀銅粉、鍍銀鋁粉、鍍銀玻璃球等。這種材料保留一部分硅橡膠良好彈性的特性，同時具有較好的導電性。 第48頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五電磁密封襯墊的種類螺旋管屏蔽效能高，價格低, 復合型能同時提供環(huán)境密封和電磁密封 過量壓縮時容易損壞屏蔽性能要求高的場合有良好壓縮限位的場合需要環(huán)境密封和很高屏蔽效能的場合多重導電橡膠彈性好 ，價格低， 可以提供環(huán)境密封 表層導電層較薄，在反復磨擦的場合容易脫落需要環(huán)境密封和一般屏蔽性能的場合不能提供較大壓力的場合導電布襯墊柔軟，需要壓力小 價格低 濕熱環(huán)境中容易損壞不能提供較大壓力的場合第49頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五電磁密封襯墊的安裝方法絕緣漆環(huán)境密封第50頁，共62頁，2022年，5月20日，6點29分，星期五通風口的處理(1)覆蓋金屬絲網(wǎng)將金屬絲網(wǎng)覆蓋在大面積的通風孔上，能顯著地防止電磁泄漏。金屬絲網(wǎng)的屏蔽性能與網(wǎng)孔直徑、網(wǎng)孔疏密程度、網(wǎng)絲交點處的焊接質(zhì)量