2022-10-1720XX年匯報人：辛翔坤2022-2023年半導體存儲器行業(yè)洞察報告目錄contens01行業(yè)發(fā)展概述02行業(yè)環(huán)境分析03行業(yè)現(xiàn)狀分析04行業(yè)格局及發(fā)展趨勢在國家政策和資金雙輪扶持下，中國半導體存儲器企業(yè)間合作促進半導體存儲器產(chǎn)業(yè)化布局，加快資源整合的步伐，加速完善中國在3DNAND和DRAM的產(chǎn)業(yè)建設(shè)，為中國半導體存儲器行業(yè)帶來了強勁的增長動力?，F(xiàn)階段，長江存儲、合肥長鑫、福建晉華這三家企業(yè)已成為中國半導體存儲器行業(yè)的三大領(lǐng)先企業(yè)。新型半導體存儲器研發(fā)步伐加快目前市場主流存儲器產(chǎn)品是DRAM和NAND。但隨著信息化進程加快和用戶數(shù)據(jù)保護意識增加，現(xiàn)有半導體存儲器的不足逐步凸顯，無法適應新興產(chǎn)業(yè)的需求。如DRAM雖然數(shù)據(jù)訪問速度快，但容量小，斷電后數(shù)據(jù)丟失；而NAND雖然容量大，但訪問速度慢。因此，半導體存儲器制造商積極研發(fā)新型半導體存儲器，以同時滿足DRAM高速度、高壽命和NAND低成本、非易失的特點。在此背景下，各大半導體存儲器制造商推出了磁阻存儲器、相變存儲器、阻變存儲器等新型半導體存儲器，且針對這些新型半導體存儲器進行專利布局。從專利申請數(shù)量上看，目前半導體存儲器巨頭三星、東芝、美光和海力士在這三種新型半導體存儲器布局大量專利，其中三星在磁阻存儲器、相變存儲器、阻變存儲器專利數(shù)量位居第一，專利數(shù)量達到4,645件，領(lǐng)先其他半導體存儲器制造商。目前新型半導體存儲器研發(fā)步伐加快，各類新型半導體存儲器產(chǎn)業(yè)化進程各不相同，產(chǎn)業(yè)路徑還未明確，但新型半導體存儲器將成為未來行業(yè)新的主導方向。摘要頁中國半導體存儲器技術(shù)進步在中國“互聯(lián)網(wǎng)+”持續(xù)發(fā)展的背景下，中國信息化進程加快，視頻、監(jiān)控、數(shù)字電視、社交網(wǎng)絡(luò)應用逐漸普及，中國“數(shù)字數(shù)據(jù)”時代刺激新興市場及個人消費者對存儲芯片的市場需求快速增長。受此影響，中國政府通過政策引導和產(chǎn)業(yè)資金扶持，鼓勵本土半導體存儲器企業(yè)加強技術(shù)研發(fā)，以減少與國外企業(yè)的差距，實現(xiàn)中國半導體存儲器自主研發(fā)，加快國產(chǎn)化進口。當前中國形成了以長江存儲為代表的NAND生產(chǎn)商，以合肥長鑫和福州晉華為代表的DRAM制造商的行業(yè)布局。整體而言，國內(nèi)外半導體存儲器企業(yè)之間合作研發(fā)力度加大，半導體企業(yè)和半導體存儲器企業(yè)合作愈加緊密，本土半導體存儲器企業(yè)研發(fā)動力不斷增強，中國有望在5年內(nèi)提高半導體存儲器技術(shù)水平，提升產(chǎn)品本土自給率。第一章行業(yè)發(fā)展概述01行業(yè)定義半導體存儲器又稱存儲芯片，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。半導體存儲器具有體積小、存儲速度快等特點，廣泛應用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域。根據(jù)功能的不同，半導體存儲器可分為隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩類:隨機存儲器（RAM）:RandomAccessMemory，即隨機存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。RAM可隨時讀寫且速度快，但任何RAM中存儲的信息在斷電后，所存儲的數(shù)據(jù)將丟失。（2）只讀存儲器（ROM）:只讀存儲器是一種只能讀取事先存儲的固態(tài)半導體存儲器，ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，即使斷電后所存數(shù)據(jù)也不會改變。ROM的制造成本低，常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。根據(jù)可編程或可抹除可編程功能，ROM可分為PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM和FlashMemory。FlashMemory是當前主流存儲器，其結(jié)合了ROM和RAM的特點，不僅具備電子可擦除可編程的性能，能夠快速讀取數(shù)據(jù)而且斷電時不會丟失數(shù)據(jù)，主要用于U盤、MP3、硬盤等產(chǎn)品。半導體存儲器行業(yè)定義半導體存儲行業(yè)研究起步于1965年，美國IBM企業(yè)是最早投入到DRAM產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域。1970年，美國IBM公司宣布在其推出的大型機System/370Model145的主內(nèi)存上使用半導體存儲器替代磁芯?；贗BM在計算機市場中的地位，此舉推動了半導體存儲器替代磁芯之勢，半導體存儲器中DRAM內(nèi)存芯片得以發(fā)展，為半導體存儲器DRAM研究以及應用奠定了基礎(chǔ)。同年，美國英特爾研發(fā)出ROM作為非易失性存儲器，但ROM內(nèi)存放的內(nèi)容只能讀取而不能讀寫，操作使用不便。行業(yè)發(fā)展歷程萌芽期（1965年-1974年）在IBM宣布開發(fā)動態(tài)存儲器的第四代系統(tǒng)后，1976年，由日本通產(chǎn)省組織，以富士通、日立、三菱、日本電器、東芝企業(yè)為首，聯(lián)合日本工業(yè)技術(shù)研究院、電子綜合研究所和計算機綜合研究所共同參與超大規(guī)模集成電路（VLSL）項目。該項目成功開發(fā)了64K集成電路、256K動態(tài)存儲器。1980年，VLSL項目共取得1,200多項專利，發(fā)表科技論文達460余篇。日本憑借領(lǐng)先的DRAM技術(shù)，推動日本DRAM產(chǎn)品在全球市占率不斷提升。1980年至1986年的七年時間內(nèi)，日本DRAM產(chǎn)品在全球市占率從25.6%上升至44%，，而美國DRAM則從62%初步發(fā)展期（1975年-2000年）進入2000年后，全球高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。美國、日本、韓國抓住3C產(chǎn)品的需求特性，在全球范圍內(nèi)掀起了半導體存儲器應用研發(fā)的熱潮。隨著技術(shù)進步，半導體存儲器產(chǎn)品可靠性不斷提高。目前半導體存儲器不僅用于各種計算機和服務器中，同時也是磁盤陣列和各網(wǎng)絡(luò)存儲系統(tǒng)中基本的存儲單元。快速發(fā)展期（2000年至今）產(chǎn)業(yè)鏈上游中國半導體存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游參與者為硅片、光刻膠、CMP拋光液等原材料供應商和光刻機、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測與測試設(shè)備等設(shè)備供應商。（1）硅片、光刻膠、CMP拋光液硅片、光刻膠、CMP拋光液是生產(chǎn)半導體存儲器芯片的主要原材料。①在硅片領(lǐng)域，由于半導體硅片對最終芯片的性能影響較大，半導體廠商對硅片的產(chǎn)品質(zhì)量及一致性要求極高，其純度須達99.9999999%以上。（2）光刻機、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測與測試設(shè)備在上游設(shè)備方面，光刻機、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測與測試設(shè)備是半導體存儲器制造過程中重要使用設(shè)備。光刻機價格高昂，在半導體存儲器設(shè)備使用中所占成本最高。中國光刻機國產(chǎn)化程度低于10%，光刻機市場被荷蘭ASML和日本尼康株式會社所壟斷，而高端光刻機市場幾乎被ASML壟斷。工藝制程及波長是衡量光刻機設(shè)備的關(guān)鍵指標，目前ASML的EUV光刻機工藝制程已達到7納米及以下、波長為15納米，工藝精細度高；而中國上海微電子裝備股份有限公司最先進的光刻機工藝制程為90納米，波長約193納米，其設(shè)備制造工藝水平與ASML差距明顯。除了光刻機，目前中國半導體設(shè)備廠商（北方華創(chuàng)、中微半導體、盛美半導體設(shè)備、中電科電子裝備）已有能力生產(chǎn)PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測與測試設(shè)備，但中國在此類半導體設(shè)備領(lǐng)域內(nèi)的國產(chǎn)化程度不高于20%。美國、日本設(shè)備廠商研發(fā)的PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備技術(shù)已基本達到14或7納米以下的先進制程，而中國半導體設(shè)備制造商技術(shù)節(jié)點在65、45、28、14納米的水平。與此同時，美國、日本半導體設(shè)備廠商發(fā)展時間較早，設(shè)備制造工藝和應用成熟度較高，對市場把控能力強。相比之下，中國半導體設(shè)備廠商研究起步晚，缺乏技術(shù)和經(jīng)驗積累，致使中國半導體設(shè)備廠商的設(shè)備性能與國外產(chǎn)商仍存在差距，競爭實力較弱，國外設(shè)備廠商的議價能力強。產(chǎn)業(yè)鏈上游中國半導體存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的中游為半導體存儲器制造商，主要負責半導體存儲器的設(shè)計、制造和銷售。其中半導體存儲器芯片是半導體存儲器制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)，半導體存儲器芯片具有較高技術(shù)壁壘，致使半導體存儲器芯片開發(fā)難度高。目前半導體存儲器行業(yè)可分為IDM和Fabless兩種商業(yè)模式。在DRAM領(lǐng)域，全球DRAM市場長期被三星、海力士、美光三家企業(yè)所壟斷，三家共占全球DRAM市場的95.0%，其中三星占全球DRAM市場的36.8%，市場占有率高。目前這三家DRAM廠商技術(shù)節(jié)點均已達到15～17納米之間，其中三星、海力士均已量產(chǎn)17納米級DRAM。受益于中國政府頒布的紅利政策，中國DRAM廠商加大了DRAM的研發(fā)力度。現(xiàn)階段，中國合肥長鑫和福州晉華加強在DRAM領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局。在合肥市政府資金支持下，合肥長鑫在引進國外設(shè)備基礎(chǔ)之上，已完成19納米DRAM研發(fā)，產(chǎn)品已進入優(yōu)化階段。與此同時，合肥長鑫也正在積極研發(fā)17納米DRAM。而中國福州晉華通過與臺灣聯(lián)電合作的方式共同開發(fā)DRAM技術(shù)，但由于受美國制裁，2018年美國商務部將福建晉華列入出口管制實體名單，禁止美國企業(yè)向其出售技術(shù)和產(chǎn)品，導致福州晉華業(yè)務發(fā)展受限。綜上所述，中國半導體存儲器廠商在3DNAND和DRAM領(lǐng)域取得較大進步，已逐步擁有獨立研發(fā)和生產(chǎn)制造半導體存儲器的能力，中國半導體存儲器國產(chǎn)化進程正在有序推進，但與國外先進半導體存儲器制造商相比，中國本土半導體存儲器制造商技術(shù)仍存在差距，在全球市場競爭力不強，中國半導體存儲器制造商的議價能力弱。產(chǎn)業(yè)鏈上游中國半導體存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游參與者為消費電子、信息通信、高新科技技術(shù)和汽車電子等應用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)。在全球大力發(fā)展高新技術(shù)和“中國制造2025”深入推進的背景下，人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等新興行業(yè)發(fā)展態(tài)勢向好，各類電子化和智能化設(shè)備都離不開以半導體存儲器應用。半導體存儲器是下游電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，其質(zhì)量直接影響到產(chǎn)品的穩(wěn)定性、集成度和產(chǎn)品良率。由于下游應用領(lǐng)域廠商以產(chǎn)品功能或外觀差異化為切入點來提高產(chǎn)品銷量，行業(yè)下游企業(yè)對存儲器功能的需求日益精細化，行業(yè)下游應用終端對半導體存儲器行業(yè)在產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)發(fā)展具有導向性。隨著半導體存儲器行業(yè)在下游應用領(lǐng)域的市場需求不斷增大，下游應用產(chǎn)品的革新升級對半導體存儲器的快速發(fā)展具有重要促進的作用，下游廠商議價能力將不斷提高。第二章行業(yè)環(huán)境分析02010203行業(yè)政策環(huán)境1《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》指出要著力發(fā)展芯片設(shè)計業(yè)，開發(fā)高性能基礎(chǔ)電路產(chǎn)品，突破數(shù)字信號處理器（DSP）、存儲器等高端通用芯片，加強體系架構(gòu)、算法、軟硬件協(xié)同等設(shè)計研究，開發(fā)動態(tài)隨機存儲器(DRAM)等高端通用芯片，批量應用于黨政軍和重大行業(yè)信息化領(lǐng)域，形成產(chǎn)業(yè)化和參與市場競爭的能力?！秶壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》針對集成電路制造環(huán)節(jié)，提出要加快存儲芯片規(guī)?；慨a(chǎn)，支持3DNANDFlash，適時布局DRAM和新型存儲器。與此同時，為了加快云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域核心技術(shù)研發(fā)，此政策還提出要開發(fā)基于新業(yè)態(tài)、新應用的信息處理、傳感器、新型存儲等關(guān)鍵芯片及云操作系統(tǒng)等基礎(chǔ)軟件，提升信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)整體競爭力。《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》提出構(gòu)建先進技術(shù)體系的規(guī)劃，即打造國際先進、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動集成電路、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)并實現(xiàn)根本性突破。工信部國務院工信部提出要優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，推進集成電路及專用設(shè)備關(guān)鍵核心技術(shù)的突破和應用行業(yè)政治環(huán)境提出從2018年1月1日后投資新設(shè)的集成電路線寬小于130納米，且經(jīng)營期在10年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)享受“兩免三減半”，即第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅；線寬小于65納米或投資額超過150億元，且經(jīng)營期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)享受“五免五減半”，即第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，第六年至第十年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。為貫徹落實《國務院關(guān)于推行終身職業(yè)技能培訓制度的意見》提出的“緊跟新技術(shù)、新職業(yè)發(fā)展變化，建立職業(yè)分類動態(tài)調(diào)整機制，加快職業(yè)標準開發(fā)工作”要求，加快構(gòu)建與國際接軌、符合我國國情的現(xiàn)代職業(yè)分類體系，根據(jù)《中華人民共和國勞動法》有關(guān)規(guī)定，面向社會持續(xù)公開征集新職業(yè)信息。集成電路線寬小于65納米的邏輯電路、存儲器生產(chǎn)企業(yè)進口國內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料、消耗品等免征進口關(guān)稅；集成電路用光刻膠、掩模版、8英寸及以上硅片生產(chǎn)企業(yè)，進口國內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)和生產(chǎn)設(shè)備（包括進口設(shè)備和國產(chǎn)設(shè)備）零配件等免征進口關(guān)稅?！蛾P(guān)于發(fā)布集成電路工程技術(shù)人員等職業(yè)信息的通知》《關(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進口稅收政策管理辦法的通知》《國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問題的通知》半導體存儲器行業(yè)政策支持十四五規(guī)劃政府報告國家政策領(lǐng)導講話國務院發(fā)布政策、十四五規(guī)劃、政府報告、領(lǐng)導講話等都有對半導體存儲器行業(yè)做了一些綱領(lǐng)性的指導，合理的解讀能夠為半導體存儲器行業(yè)做了好的發(fā)展指引。行業(yè)政策支持半導體存儲器行業(yè)社會環(huán)境在移動互聯(lián)網(wǎng)時代下，移動設(shè)備數(shù)量擴張，內(nèi)容形式多樣化促使互聯(lián)網(wǎng)流量爆發(fā)。數(shù)據(jù)流量向互聯(lián)網(wǎng)巨頭集中，拉動以Google、Facebook、亞馬遜、微軟、百度、阿里巴巴、騰訊為代表的七大互聯(lián)網(wǎng)巨頭相繼布局數(shù)據(jù)中心建設(shè)，帶動服務器DRAM需求的持續(xù)增長。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，平均一座數(shù)據(jù)中心可容納8,000至15,000個服務器構(gòu)架，而每個構(gòu)架可搭建4臺以上不同尺寸的服務器，將會消耗約1,000～2,000萬GB的服務器DRAM。由此可見，數(shù)據(jù)中心的建設(shè)成為服務器DRAM需求最大的驅(qū)動力，刺激半導體存儲器行業(yè)增長。隨著中國經(jīng)濟增長和國民消費升級，移動互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)日益成熟，對信息化產(chǎn)品和服務的需求日益劇增。在“互聯(lián)網(wǎng)+”的背景下，智能手機功能逐漸多樣化，覆蓋眾多應用領(lǐng)域，促使市場對智能手機的存儲空間要求不斷提高以滿足消費者對移動互聯(lián)網(wǎng)的體驗。隨著5G開始商用，5G概念手機逐步推出。為了搶占5G手機市場，三星于2019年宣布量產(chǎn)12GBLPDDR5產(chǎn)品。相比其他半導體存儲器，三星的12GBLPDDR5可在一秒內(nèi)傳輸44GB的數(shù)據(jù)及降低30%的功耗，可確保智能手機高速運行狀態(tài)下也能維持穩(wěn)定的性能，能夠滿足未來5G手機在高性能和容量方面的功能需求。可見，半導體存儲器作為手機存儲的重要組成部分，在手機持續(xù)更新升級的推動下，半導體存儲市場需求相應地將快速釋放。行業(yè)社會環(huán)境行業(yè)社會環(huán)境根據(jù)2018年8月中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院和工信部發(fā)布的《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書（2017-2018）》（以下簡稱“《白皮書》”），指出中國每年高校集成電路專業(yè)領(lǐng)域畢業(yè)生人才中，僅有不足3萬人進入集成電路行業(yè)就業(yè)。與此同時，與互聯(lián)網(wǎng)、計算機軟件、IT服務、金融、房地產(chǎn)行業(yè)相比，集成電路行業(yè)的薪資水平較低，并且該行業(yè)需要很長的積累期，職業(yè)發(fā)展前景較其他行業(yè)競爭力不強。截至2017年底，中國集成電路行業(yè)現(xiàn)有人才存量約為40萬人，人才缺口達32萬人。中國集成電路專業(yè)人才仍供需失衡，人才缺口大，阻礙了中國半導體存儲器行業(yè)的發(fā)展。行業(yè)社會環(huán)境我國作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，一直以來都是存儲器產(chǎn)品最大的需求市場，而我國目前存儲器產(chǎn)品主要依賴進口。2019年，我國半導體存儲器市場規(guī)模超過6000億元。疫情影響逐漸減少，未來在企業(yè)級存儲、消費級存儲容量快速提升等因素驅(qū)動下，半導體存儲器市場未來將繼續(xù)保持增長趨勢。第三章行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀03行業(yè)現(xiàn)狀在國家大力支持半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，中國半導體存儲器基地于2016年開工建設(shè)。半導體行業(yè)迅速發(fā)展推動中國半導體存儲器應用場景不斷拓寬。在“中國制造2025”計劃推行的背景下，中國半導體存儲器行業(yè)研究加快。當前中國半導體存儲器在各領(lǐng)域的應用處于起步發(fā)展階段，可成熟應用各相關(guān)半導體存儲器產(chǎn)品的企業(yè)數(shù)量稀少。全球DRAM、NORFlash、NANDFlash市場被韓國、日本、美國企業(yè)所占據(jù)，其中韓國三星、海力士和美國美光三家制造商在DRAM和NANDFlash兩種主流存儲芯片占據(jù)了65%~70%的市場。在國家政策的扶持下，中國半導體存儲器制造商在引進國外技術(shù)和自主研發(fā)基礎(chǔ)上持續(xù)提升研發(fā)及應用水平，中國長江存儲、合肥長鑫、福建晉華、兆易創(chuàng)新四家制造商在半導體存儲器研發(fā)力度不斷增強，在DRAM和Flash領(lǐng)域突破技術(shù)壁壘。中國長江存儲已成功研發(fā)和生產(chǎn)32層3DNAND，合肥長鑫也完成19納米DRAM研發(fā)，兆易創(chuàng)新突破國外廠商在中低端容量的NORFlash技術(shù)壁壘，推出各類NORFlash產(chǎn)品。然而中國對國外半導體存儲器技術(shù)依賴性高，與國外半導體存儲器制造商相比，中國半導體存儲器市場不具備市場競爭力，在半導體存儲器仍需進一步增強自身競爭力。行業(yè)現(xiàn)狀半導體存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息數(shù)據(jù)的重要核心部件，受益于各國政府對半導體存儲器行業(yè)發(fā)展的支持，全球半導體存儲器廠商積極推進存儲器生產(chǎn)線擴張以實現(xiàn)產(chǎn)能釋放。在經(jīng)歷2013～2014年連續(xù)增長后，2015年全球半導體存儲器市場陷入困境，其主要原因是存儲器廠商產(chǎn)品良率提升緩慢等因素。與此同時，2015年全球大宗商品跌價、貿(mào)易和資本流動疲軟，導致2015全球經(jīng)濟增長低于預期。受整體經(jīng)濟形勢低迷影響，消費電子產(chǎn)品行業(yè)增速放緩致使半導體存儲器市場低迷，導致半導體存儲器庫存增多，從而致使全球半導體存儲器供需局面惡化，產(chǎn)品價格暴跌。直到2016年下半年，全球經(jīng)濟回暖，消費電子市場向好，智能手機從1G、2G逐步發(fā)展到4G，促使智能手機的RAM內(nèi)存的提升，刺激RAM存儲器需求，帶動半導體存儲器銷量逐漸增加上升。2017年，行業(yè)龍頭Flash廠商從2D向3D制程工藝過渡，加上2017年服務器市場及移動市場對存儲器容量需求激增，2017年全球半導體存儲器銷售規(guī)模接近1,240.3億美元，較2016年增長59.8%。2018年，伴隨著全球存儲器廠商產(chǎn)品良率上升，全球半導體存儲器廠商擴產(chǎn)產(chǎn)能逐步釋放，2018年全球半導體存儲器銷售規(guī)模達到1,512億美元行業(yè)現(xiàn)狀在全球電子信息行業(yè)發(fā)展加快和存儲器技術(shù)日益成熟的驅(qū)動下，全球電子行業(yè)產(chǎn)品將迎來新一輪變革。新一代云服務、物聯(lián)網(wǎng)等高新科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將推動全球半導體存儲器應用終端領(lǐng)域擴大，成為推動半導體存儲器行業(yè)發(fā)展的主要動力，半導體存儲器銷售規(guī)模有望進一步擴大。長期來看，隨著中國合肥長鑫、福建晉華和長江存儲等本土企業(yè)不斷提升研發(fā)創(chuàng)新能力和制造工藝技術(shù)水平，本土品牌有望迅速壯大，逐步參與全球半導體存儲器市場。未來五年內(nèi)，全球半導體存儲器產(chǎn)能將加速釋放，產(chǎn)品在下游應用領(lǐng)域內(nèi)的滲透率將持續(xù)提升，且下游應用需求將保持增長趨勢。2023年全球半導體存儲器銷售規(guī)模將達到2,689億美元，市場發(fā)展勢頭良好。01020304行業(yè)現(xiàn)狀從存儲器細分產(chǎn)品來看DRAM和NANDFlash占據(jù)了存儲芯片95%以上的市場份額。根據(jù)ICInsights發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM銷售額在2020年約占整個存儲市場的53%，F(xiàn)lash的比重約達到45%，其中NANDFlash占比達44%，NORFlash占比達1%。半導體存儲器進口替代空間廣闊中國作為全球電子產(chǎn)品的主要加工地，同時擁有著全球最多的網(wǎng)民，對于存儲器的需求量龐大，但由于國內(nèi)存儲芯片技術(shù)限制，目前我國半導體存儲器仍大量依賴進口，行業(yè)進口替代空間廣闊。數(shù)據(jù)顯示，截至2020年我國半導體存儲器進出口額分別為6608.7億元、3890.5億元，實現(xiàn)貿(mào)易逆差高達2718.2億元。熱點三行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量整體提高熱點二科研服務市場持續(xù)增長熱點一半導體存儲器應用領(lǐng)域廣泛半導體存儲器行業(yè)具有市場空間廣闊、銷售范圍廣、用戶分散、單批數(shù)量少、銷售單價高等特點。半導體存儲器行業(yè)技術(shù)提升，多元化科研服務平臺持續(xù)擴張，促進高價值服務企業(yè)品牌形成。行業(yè)產(chǎn)品化發(fā)展，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的綜合性科研服務企業(yè)逐漸增多。半導體存儲器行業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量有待提升制約半導體存儲器行業(yè)發(fā)展。行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊，導致研究結(jié)果可靠性難以保證，產(chǎn)品喪失市場競爭力。半導體存儲器行業(yè)難形成統(tǒng)一的監(jiān)督管理規(guī)范,產(chǎn)品質(zhì)量主要靠企業(yè)自主檢測保障，監(jiān)管難度大。中國半導體存儲器行業(yè)產(chǎn)品主要集中在中低端領(lǐng)域，高端領(lǐng)域被外資企業(yè)壟斷，產(chǎn)品品質(zhì)有待進一步提升。行業(yè)熱點關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞近年來，中國政府頒布《智能制造》、《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》、《智能制造發(fā)展規(guī)劃（2016-2020）》等一系列政策，大力發(fā)展AI、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等高新技術(shù)，促進集成電路行業(yè)發(fā)展。半導體存儲器是集成電路的重要分支，半導體存儲器需求占整體集成電路市場的20%左右。因此，在全球集成電路行業(yè)向中國轉(zhuǎn)移的大勢下，國際半導體存儲器制造商相繼在中國建廠，如英特爾、三星、海力士均已在中國布局半導體存儲器市場，建立半導體存儲制造廠，帶動了中國半導體存儲器產(chǎn)能增長以及產(chǎn)業(yè)調(diào)整和優(yōu)化升級，為中國半導體存儲器行業(yè)帶來新的增長動力。集成電路行業(yè)持續(xù)向好，刺激半導體存儲器市場發(fā)展行業(yè)驅(qū)動因素1政策支持在國家政策和資金雙輪扶持下，中國半導體存儲器企業(yè)間合作促進半導體存儲器產(chǎn)業(yè)化布局，加快資源整合的步伐，加速完善中國在3DNAND和DRAM的產(chǎn)業(yè)建設(shè)，為中國半導體存儲器行業(yè)帶來了強勁的增長動力?，F(xiàn)階段，長江存儲、合肥長鑫、福建晉華這三家企業(yè)已成為中國半導體存儲器行業(yè)的三大領(lǐng)先企業(yè)。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞中國作為全球電子產(chǎn)品的主要加工地，同時擁有著全球最多的網(wǎng)民，對于存儲器的需求量龐大，但由于國內(nèi)存儲芯片技術(shù)限制，目前我國半導體存儲器仍大量依賴進口，行業(yè)進口替代空間廣闊。半導體存儲器進口替代空間廣闊行業(yè)驅(qū)動因素2下游應用市場需求激增以智能手機、計算機等消費電子領(lǐng)域和云計算、大數(shù)據(jù)等高新科技技術(shù)領(lǐng)域為代表的半導體存儲器應用推動了半導體存儲器市場需求增長，促進半導體存儲器市場不斷擴大。第四章行業(yè)前景趨勢04ABC半導體存儲器是集成電路重要的分支，半導體存儲器人才不僅需要掌握化學、物理、電子自動化、半導體行業(yè)的專業(yè)知識，也要具備存儲芯片設(shè)計、制造能力。因此半導體存儲器人才需求呈現(xiàn)多樣性特點，半導體存儲器制造商對多學科交叉的復合型人才需求較大。在國家利好的政策的推動下，自2003年以來，中國科技部和教育部批準并構(gòu)建了以清華大學、北京大學、復旦大學、浙江大學等為代表的高校建設(shè)國家集成電路人才培養(yǎng)基地，中國集成電路人才培養(yǎng)基地的布局初步形成。但由于半導體存儲器行業(yè)是尖端技術(shù)，半導體存儲器領(lǐng)域內(nèi)的實際工作要求技術(shù)人員具備較強的實際操作經(jīng)驗，也要求從業(yè)人員長期學習并在工作不斷累積操作經(jīng)驗，還要求技術(shù)人才對先進高端設(shè)備與軟件操作有一定適應性能力。而中國半導體存儲器行業(yè)發(fā)展時間較短，現(xiàn)階段還處在初步發(fā)展期，專業(yè)人才技術(shù)基礎(chǔ)仍較為薄弱。即使中國已擁有集成電路人才培養(yǎng)基地，但中國高端半導體存儲器人才仍處于呈現(xiàn)稀缺狀態(tài)。專業(yè)人才缺乏行業(yè)發(fā)展問題半導體存儲器行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，中國半導體存儲器行業(yè)起步晚，缺乏技術(shù)經(jīng)驗累積，致使中國半導體存儲器技術(shù)基礎(chǔ)較為薄弱。雖然中國本土長江存儲、合肥長鑫和福州晉華三大半導體存儲器企業(yè)已逐步完善NAND和DRAM產(chǎn)業(yè)布局，但各家半導體存儲器產(chǎn)品仍處于投產(chǎn)初期，尚未實現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)。與國外半導體存儲器制造商相比，中國半導體存儲器技術(shù)基礎(chǔ)薄弱。技術(shù)基礎(chǔ)薄弱半導體存儲器行業(yè)屬于資本和技術(shù)密集型行業(yè)，資本壁壘和技術(shù)壁壘較高，目前行業(yè)內(nèi)僅有少數(shù)幾家規(guī)模和技術(shù)實力較為雄厚的企業(yè)可以實現(xiàn)半導體存儲器的生產(chǎn)，行業(yè)集中度較高。與國外半導體存儲器行業(yè)對比，我國半導體存儲器企業(yè)實力較為薄弱。大陸龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新2020年半導體存儲器銷售額383億元，占國內(nèi)總營收份額僅7%。資本壁壘和技術(shù)壁壘較高半導體存儲器行業(yè)發(fā)展建議發(fā)展建議1發(fā)展建議2發(fā)展建議3提升產(chǎn)品質(zhì)量（1）政府方面：政府應當制定行業(yè)生產(chǎn)標準，規(guī)范半導體存儲器行業(yè)生產(chǎn)流程，并成立相關(guān)部門，對科研用半導體存儲器行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等各個環(huán)節(jié)進行監(jiān)督，形成統(tǒng)一的監(jiān)督管理體系，完善試劑流通環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，重點加強冷鏈運輸環(huán)節(jié)的基礎(chǔ)設(shè)施升級，保證半導體存儲器行業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量，促進行業(yè)長期穩(wěn)定的發(fā)展；（2）生產(chǎn)企業(yè)方面：半導體存儲器行業(yè)生產(chǎn)企業(yè)應嚴格遵守行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范，保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。目前市場上已有多個本土半導體存儲器行業(yè)企業(yè)加強生產(chǎn)質(zhì)量的把控，對標優(yōu)質(zhì)、高端的進口產(chǎn)品，并憑借價格優(yōu)勢逐步替代進口。此外，半導體存儲器行業(yè)企業(yè)緊跟行業(yè)研發(fā)潮流，加大創(chuàng)新研發(fā)力度，不斷推出新產(chǎn)品，進一步擴大市場占有率，也是未來行業(yè)發(fā)展的重要趨勢。全面增值服務單一的資金提供方角色僅能為半導體存儲器行業(yè)企業(yè)提供“凈利差”的盈利模式，半導體存儲器行業(yè)同質(zhì)化競爭日趨嚴重，利潤空間不斷被壓縮，企業(yè)業(yè)務收入因此受影響，商業(yè)模式亟待轉(zhuǎn)型除傳統(tǒng)的半導體存儲器行業(yè)需求外，設(shè)備管理、服務解決方案、貸款解決方案、結(jié)構(gòu)化融資方案、專業(yè)咨詢服務等方面多方位綜合性的增值服務需求也逐步增強。中國本土半導體存儲器行業(yè)龍頭企業(yè)開始在定制型服務領(lǐng)域發(fā)力，鞏固行業(yè)地位多元化融資渠道可持續(xù)公司債等創(chuàng)新產(chǎn)品，擴大非公開定向債務融資工具（PPN）、公司債等額度獲取，形成了公司債、PPN、中期票據(jù)、短融、超短融資等多產(chǎn)品、多市場交替發(fā)行的新局面；企業(yè)獲取各業(yè)態(tài)銀行如國有銀行、政策性銀行、外資銀行以及其他中資行的授信額度，確保了銀行貸款資金來源的穩(wěn)定性。半導體存儲器行業(yè)企業(yè)在保證間接融資渠道通暢的同時，能夠綜合運用發(fā)債和資產(chǎn)證券化等方式促進自身融資渠道的多元化，降低對單一產(chǎn)品和市場的依賴程度，實現(xiàn)融資地域的分散化，從而降低資金成本，提升企業(yè)負債端的市場競爭力。以遠東宏信為例，公司依據(jù)自身戰(zhàn)略發(fā)展需求，堅持“資源全球化”戰(zhàn)略，結(jié)合實時國內(nèi)外金融環(huán)境，有效調(diào)整公司直接融資和間接融資的分布結(jié)構(gòu)，在融資成本方面與同業(yè)相比優(yōu)勢突出。行業(yè)建議行業(yè)發(fā)展趨勢1新型半導體存儲器研發(fā)步伐加快目前市場主流存儲器產(chǎn)品是DRAM和NAND。但隨著信息化進程加快和用戶數(shù)據(jù)保護意識增加，現(xiàn)有半導體存儲器的不足逐步凸顯，無法適應新興產(chǎn)業(yè)的需求。如DRAM雖然數(shù)據(jù)訪問速度快，但容量小，斷電后數(shù)據(jù)丟失；而NAND雖然容量大，但訪問速度慢。因此，半導體存儲器制造商積極研發(fā)新型半導體存儲器，以同時滿足DRAM高速度、高壽命和NAND低成本、非易失的特點。在此背景下，各大半導體存儲器制造商推出了磁阻存儲器、相變存儲器、阻變存儲器等新型半導體存儲器，且針對這些新型半導體存儲器進行專利布局。從專利申請數(shù)量上看，目前半導體存儲器巨頭三星、東芝、美光和海力士在這三種新型半導體存儲器布局大量專利，其中三星在磁阻存儲器、相變存儲器、阻變存儲器專利數(shù)量位居第一，專利數(shù)量達到4,645件，領(lǐng)先其他半導體存儲器制造商。目前新型半導體存儲器研發(fā)步伐加快，各類新型半導體存儲器產(chǎn)業(yè)化進程各不相同，產(chǎn)業(yè)路徑還未明確，但新型半導體存儲器將成為未來行業(yè)新的主導方向。中國半導體存儲器技術(shù)進步在中國“互聯(lián)網(wǎng)+”持續(xù)發(fā)展的背景下，中國信息化進程加快，視頻、監(jiān)控、數(shù)字電視、社交網(wǎng)絡(luò)應用逐漸普及，中國“數(shù)字數(shù)據(jù)”時代刺激新興市場及個人消費者對存儲芯片的市場需求快速增長。受此影響，中國政府通過政策引導和產(chǎn)業(yè)資金扶持，鼓勵本土半導體存儲器企業(yè)加強技術(shù)研發(fā)，以減少與國外企業(yè)的差距，實現(xiàn)中國半導體存儲器自主研發(fā)，加快國產(chǎn)化進口。當前中國形成了以長江存儲為代表的NAND生產(chǎn)商，以合肥長鑫和福州晉華為代表的DRAM制造商的行業(yè)布局。整體而言，國內(nèi)外半導體存儲器企業(yè)之間合作研發(fā)力度加大，半導體企業(yè)和半導體存儲器企業(yè)合作愈加緊密，本土半導體存儲器企業(yè)研發(fā)動力不斷增強，中國有望在5年內(nèi)提高半導體存儲器技術(shù)水平，提升產(chǎn)品本土自給率。行業(yè)發(fā)展趨勢2行業(yè)集中度將會進一步提升在國家政策的支持以及激烈市場競爭的驅(qū)動下，未來我國半導體存儲器行業(yè)競爭將會更加激烈，實力不足的小企業(yè)將會被迫退出市場，行業(yè)集中度將會進一步提升。聚焦投資業(yè)務半導體存儲器行業(yè)企業(yè)憑借多年的客戶服務經(jīng)驗，設(shè)備融資租賃和服務體系日趨完備，信息化服務于一身的綜合服務體系，能夠進行有效遷移，為投資業(yè)務的長期健康發(fā)展提供有力支持。半導體存儲器行業(yè)商依托本身提供的資金服務，具備融資渠道暢通的資金優(yōu)勢，可為行業(yè)建設(shè)提供初期資金支持，且可通過杠桿提升資金效率半導體存儲器行業(yè)標準化與定制化界限被打破，未來趨于融合。標準化加微定制的產(chǎn)品戰(zhàn)略，有效平衡企業(yè)操作層面與消費者需求層面的矛盾讓消費者既擁有足夠的確定性，也有足夠的彈性。半導體存儲器行業(yè)大數(shù)據(jù)應用使得實際操作和施工賦能方式深入介入，使得平臺從簡單的流量供給入口轉(zhuǎn)變?yōu)楣ぞ吖┙o、技術(shù)供給、工人供給的模式。中國消費升級倒逼半導體存儲器行業(yè)提高服務質(zhì)量，用戶需求從獲取公司信息并與公司對接暢通轉(zhuǎn)變?yōu)楦幼⒅伢w驗注重實際的效果，滿足用戶需求，提供個性化定制服務，成為半導體存儲器行業(yè)新的發(fā)展方向。行業(yè)面臨洗牌標準化趨勢融合行業(yè)平臺職能