CMOS模擬集成電路設(shè)計運算放大器11/21/20221CMOS模擬集成電路設(shè)計運算放大器11/21/20221提綱1、概述2、一級運放3、兩級運放4、增益的提高5、共模反饋6、輸入范圍限制7、轉(zhuǎn)換速率8、電源抑制9、運放的噪聲11/21/20222提綱提綱1、概述11/21/20222提綱1、概述“運算放大器（運放）”高增益的差動放大器理想運放的基本特點開環(huán)差模電壓增益∞共模抑制比∞開環(huán)輸入電阻∞開環(huán)輸出電阻0開環(huán)帶寬∞沒有溫飄→“虛短”→輸入電流為0“OPAMP”11/21/20223概述1、概述“運算放大器（運放）”理想運放的基本特點→“虛短”→1.1性能參數(shù)增益小信號帶寬3dB帶寬；單位增益帶寬；增益帶寬積（GB）大信號帶寬輸出擺幅線性噪聲與失調(diào)電源抑制轉(zhuǎn)換速率（slewrate）VO+0.1%VOtoutputVOtdtsVO-0.1%VODVDttinput穩(wěn)定時間（settlingtime）ts11/21/20224概述1.1性能參數(shù)增益小信號帶寬大信號帶寬輸出基本電路結(jié)構(gòu)增益Vout2VoutM1M2M3M4M5M6M7V+IOVoutVinAmplifyingstage2、一級運放Outputstage11/21/20225一級運放基本電路結(jié)構(gòu)增益Vout2VoutM1M2M3M4M5MBut輸出擺幅↓套筒式共源共柵運放（telescopiccascodeopamp）11/21/20226一級運放But輸出擺幅↓套筒式共源共柵運放（telescopic輸入輸出很難短接為保證M2和M4飽和套筒式共源共柵運放（telescopiccascodeopamp）11/21/20227一級運放輸入輸出很難短接為保證M2和M4飽和套筒式共源共柵運放（te設(shè)計實例設(shè)計全差動套筒式運放，該運放的性能指標(biāo)為：VDD=3V，差動輸出擺幅=3V，功耗=10mW，電壓增益=2000。假定μnCox=60μA/V2，μpCox=30μA/V2，λn＝0.1V-1，λp＝0.2V-1（有效溝道長度為0.5μm時），γ=0，VTHN＝|VTHP|=0.7V。解：1、從功率預(yù)算出發(fā)，確定工作電流2、根據(jù)輸出擺幅，分配過驅(qū)動電壓（OD）3、根據(jù)I和OD，由公式得到各管尺寸，（最小柵長）11/21/20228一級運放設(shè)計實例設(shè)計全差動套筒式運放，該運放的性能指標(biāo)為：VDDKey：I，W/L設(shè)計實例（續(xù)）4、計算增益得到Av=1416如何↑Av，考慮↑W；↓ID；↓λ(↑L)→↑Av例如↓λ

，選擇(W/L)5-8=1111μm/1μm則λp≈0.1V-1，得到Av≈40005、滿足最大輸出擺幅，計算輸入共模電平和偏置電壓Vb1,2注意和參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)與影響！11/21/20229一級運放Key：I，W/L設(shè)計實例（續(xù)）4、計算增益得到Av=1“折疊”結(jié)構(gòu)→↑輸出擺幅折疊共源共柵運放（foldedcascodeopamp）11/21/202210一級運放“折疊”結(jié)構(gòu)→↑輸出擺幅折疊共源共柵運放（foldedca增益：比較于套筒式結(jié)構(gòu)的增益：增益小2～3倍極點更加靠近原點由于增加了M5上的CGD5和CDB5折疊共源共柵運放（續(xù)）11/21/202211一級運放增益：比較于套筒式結(jié)構(gòu)的增益：增益小2～3倍極點更加靠近原點采用NMOS作為輸入器件折疊點（X）對應(yīng)的極點更低：由1/(gm3+gmb3)與X點總電容的乘積決定。折疊共源共柵運放（續(xù)）11/21/202212一級運放采用NMOS作為輸入器件折疊點（X）對應(yīng)的極點更低：折疊共源總之，對比于套筒式結(jié)構(gòu)，折疊式共源共柵運放電壓輸出擺幅大；輸入輸出可以短接；輸入共模范圍大，輸入共模電平可以接近VDD（NMOS輸入管）或GND（PMOS作輸入管）較大的功耗；較低的電壓增益；較低的極點頻率；較高的噪聲；折疊共源共柵運放（續(xù)）設(shè)計時，在套筒式結(jié)構(gòu)中，以下三個電壓是必須確定的輸入共模電平，PMOS,NMOS共源共柵管的柵極偏置電壓。而在折疊式結(jié)構(gòu)中，只有后兩個電壓的確定是嚴(yán)格的。11/21/202213一級運放總之，對比于套筒式結(jié)構(gòu)，折疊式共源共柵運放折疊共源共柵運放（3、兩級運放基本電路結(jié)構(gòu)增益高增益需要頻率補償11/21/2022143、兩級運放基本電路結(jié)構(gòu)增益高增益11/21/2024、增益的提高Gm，Rout↑Rout共源共柵結(jié)構(gòu)→↓輸出擺幅反饋技術(shù)提高信號通路上的輸出電阻調(diào)節(jié)型共源共柵11/21/202215增益的提高4、增益的提高Gm，Rout↑Rout共源共柵結(jié)構(gòu)→↓輸出高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)11/21/202216增益的提高高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)11/21/202216增益的提高高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)（續(xù)）提高負載通路上的輸出電阻11/21/202217增益的提高高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)（續(xù)）提高負載通路上的輸出電阻11/5、共模反饋電路的失配使電路產(chǎn)生“共模誤差”右圖的pmos電流源做負載的電路的共模電平不容易確定失配使電流出現(xiàn)誤差，進而影響晶體管的工作狀態(tài)（脫離飽和區(qū)）CM不能通過差動反饋達到穩(wěn)定。CMFB：檢測輸出共模電平同一個參考電壓比較將誤差送回放大器偏置網(wǎng)絡(luò)11/21/202218共模反饋5、共模反饋電路的失配使電路產(chǎn)生“共模誤差”CMFB：11/檢測輸出共模電平R1和R2必須比輸出電阻大很多，否則影響增益電阻檢測源級跟隨器I1和I2以及R1和R2必須足夠大，以避免當(dāng)輸出出現(xiàn)大擺幅時，M7,8“挨餓”（缺電流）檢測的共模電平比輸出CM低VGS7,8輸出擺幅降低，比沒采用源跟隨器結(jié)構(gòu)大約減小一個VTH11/21/202219共模反饋檢測輸出共模電平R1和R2必須比輸出電阻大很多，否則影響增益檢測輸出共模電平（續(xù)）深線性區(qū)的MOS管的共模檢測總電阻必須保證M7和M8處于深線性區(qū)M7的柵源電壓必須遠大于VTH，否則M7脫離深線性區(qū)（VP>0）；要超過兩個過驅(qū)動電壓，即限制了輸出電壓擺幅11/21/202220共模反饋檢測輸出共模電平（續(xù)）深線性區(qū)的MOS管的共模檢測總電阻必須控制共模電平Vout,CM↑→VE↑→IM3,4↑→Vout,CM↓如果環(huán)路增益大，則反饋網(wǎng)絡(luò)迫使Vout,CM趨近VREF當(dāng)采用電阻檢測方式時，11/21/202221共模反饋控制共模電平Vout,CM↑→VE↑→IM3,4↑→控制共模電平（續(xù)）Vout,CM↑→Iss1↑→IM5,6↓

→Vout,CM↓Iss1當(dāng)采用電阻檢測方式時，對于折疊cascode放大器，CMFB也可以控制輸入差動對的尾電流源11/21/202222共模反饋控制共模電平（續(xù)）Vout,CM↑→Iss1↑→IM5,控制共模電平（續(xù)）其中令缺點：Vout,CM是器件參數(shù)的函數(shù)Ron7||Ron8上的壓降VP限制輸出擺幅欲↓VP→↑M7和M8→C↑反饋加到輸入差動對的尾電流上（foldedcascodeopamp）當(dāng)采用深線性區(qū)的MOS管的共模檢測時，得到11/21/202223共模反饋控制共模電平（續(xù)）其中令缺點：反饋加到輸入差動對的尾電流上（控制共模電平（續(xù)）Vb的確定：通過一個電流鏡來確定Vb，使ID9跟蹤I1和VREF。令這樣，當(dāng)Vout,CM=VREF時，ID9=I1。由于VDS15≠VDS9，溝道長度調(diào)制效益導(dǎo)致誤差。增加M17和M18，保證VDS15＝VDS9上述第二個問題可以通過把反饋加到輸入差動對的尾電流上解決，但Vb？11/21/202224共模反饋控制共模電平（續(xù)）Vb的確定：令這樣，當(dāng)Vout,CM=VR6、輸入范圍限制大的共模輸入范圍在單位增益緩沖器中，輸入擺幅等于輸出擺幅11/21/202225輸入范圍限制6、輸入范圍限制大的共模輸入范圍在單位增益緩沖器中，輸入擺幅大的共模輸入范圍（續(xù)）混合使用NMOS差動對和PMOS差動對11/21/202226輸入范圍限制大的共模輸入范圍（續(xù)）混合使用NMOS差動對和PMOS差動對7、轉(zhuǎn)換速率Review：小信號下，RC網(wǎng)絡(luò)，階躍11/21/202227轉(zhuǎn)換速率7、轉(zhuǎn)換速率Review：小信號下，RC網(wǎng)絡(luò)，階躍11/217、轉(zhuǎn)換速率轉(zhuǎn)換速率（壓擺率）：輸入階躍信號幅度很大時，實際的輸出表現(xiàn)具有近似為常數(shù)的斜率，該常數(shù)定義為轉(zhuǎn)換速率。在小信號下，階躍響應(yīng)的斜率正比于輸出的最終值，而在大信號下，表現(xiàn)為不變斜率。11/21/202228轉(zhuǎn)換速率7、轉(zhuǎn)換速率轉(zhuǎn)換速率（壓擺率）：輸入階躍信號幅度很大時，實際處理大信號時，運放工作于非線性區(qū)轉(zhuǎn)換速率限制大信號的工作速度忽略被R1、R2抽取的電流11/21/202229轉(zhuǎn)換速率處理大信號時，運放工作于非線性區(qū)轉(zhuǎn)換速率限制大信號的工作速度處理正弦信號V0sinω0t運放的轉(zhuǎn)換速率必須超過V0ω011/21/202230轉(zhuǎn)換速率處理正弦信號V0sinω0t運放的轉(zhuǎn)換速率必須超過V0ω018、電源抑制電源抑制比（PSRR）：從輸入到輸出的增益除以從電源到輸出的增益。二極管連接的MOS管具有鉗位作用，電源增益為1，因此低頻時，11/21/202231電源抑制8、電源抑制電源抑制比（PSRR）：從輸入到輸出的增益除以從運放的噪聲套筒式運放的噪聲共源共柵器件產(chǎn)生的噪聲可以忽略11/21/202232運放的噪聲運放的噪聲套筒式運放的噪聲共源共柵器件產(chǎn)生的噪聲可以忽略11折疊式運放的噪聲共源共柵器件產(chǎn)生的噪聲可以忽略11/21/202233運放的噪聲折疊式運放的噪聲共源共柵器件產(chǎn)生的噪聲可以忽略11/21/2折疊式運放的噪聲比相應(yīng)的套筒式的結(jié)構(gòu)的噪聲更大PMOS和NMOS電流源對噪聲的貢獻隨它們的跨導(dǎo)正比例增加，因此，出現(xiàn)了噪聲和輸出擺幅之間的折中關(guān)系。二級（多級）運放的噪聲主要由第一級決定，因為第二級以后的噪聲在參照主要輸入時，要除以前級的增益。11/21/202234運放的噪聲折疊式運放的噪聲比相應(yīng)的套筒式的結(jié)構(gòu)的噪聲更大11/21/2性能比較增益輸出擺幅速度功耗噪聲套筒式共源共柵中低高低低折疊式共源共柵中中高中中兩級運放高高低中低高增益運放高中中高中11/21/202235小結(jié)性能比較增益輸出擺幅速度功耗噪聲套筒式中低高低低折疊式中中高一級運放設(shè)計實例（optional）約束條件電源電壓工藝溫度設(shè)計描述小信號增益頻率響應(yīng)輸入共模范圍（ICMR）輸出擺幅轉(zhuǎn)換速率功耗負載電容CL關(guān)系方程11/21/202236一級運放設(shè)計實例一級運放設(shè)計實例（optional）約束條件設(shè)計描述關(guān)系方程設(shè)計步驟1.由已知的CL并根據(jù)轉(zhuǎn)換速率的要求（或功耗要求）選擇ISS（I5）的范圍；2.計算滿足頻率要求的Rout范圍，并根據(jù)Rout計算并修訂ISS的范圍；3.設(shè)計W3/L3（W4/L4）滿足上ICMR（或輸出擺幅）要求；4.設(shè)計W1/L1滿足增益要求；5.設(shè)計W5/L5滿足下ICMR（或輸出擺幅）要求；6.若達不到設(shè)計要求，重復(fù)上述過程。11/21/202237一級運放設(shè)計實例設(shè)計步驟11/21/202237一級運放設(shè)計實例設(shè)計舉例

設(shè)計電流鏡負載的MOS差分放大器：VDD=5V，SR≥10V/s，CL＝5pF，功耗≤1mW，電壓增益=100，1V≤ICMR≤4.5V,f-3dB≥

100kHz。假定μnCox=110μA/V2，μpCox=50μA/V2，λn＝0.04V-1，λp＝0.05V-1（有效溝道長度為0.5μm時），γ=0，VTHN＝|VTHP|=0.7V。解：1.為滿足轉(zhuǎn)換速率的要求，

功耗的要求2.－3dB的要求，

而選取I5＝100μA3.W3/L3＝811/21/202238一級運放設(shè)計實例設(shè)計舉例解：1.為滿足轉(zhuǎn)換速率的要求，2.－3dB的要求4.5.W1/L1＝18.4W5/L5＝300又根據(jù)6.若不滿足要求，重復(fù)以上步驟；例如調(diào)整M5和M1,2上的OD，以減小M5尺寸11/21/202239一級運放設(shè)計實例4.5.W1/L1＝18.4W5/L5＝300又根據(jù)6CMOS模擬集成電路設(shè)計運算放大器11/21/202240CMOS模擬集成電路設(shè)計運算放大器11/21/20221提綱1、概述2、一級運放3、兩級運放4、增益的提高5、共模反饋6、輸入范圍限制7、轉(zhuǎn)換速率8、電源抑制9、運放的噪聲11/21/202241提綱提綱1、概述11/21/20222提綱1、概述“運算放大器（運放）”高增益的差動放大器理想運放的基本特點開環(huán)差模電壓增益∞共模抑制比∞開環(huán)輸入電阻∞開環(huán)輸出電阻0開環(huán)帶寬∞沒有溫飄→“虛短”→輸入電流為0“OPAMP”11/21/202242概述1、概述“運算放大器（運放）”理想運放的基本特點→“虛短”→1.1性能參數(shù)增益小信號帶寬3dB帶寬；單位增益帶寬；增益帶寬積（GB）大信號帶寬輸出擺幅線性噪聲與失調(diào)電源抑制轉(zhuǎn)換速率（slewrate）VO+0.1%VOtoutputVOtdtsVO-0.1%VODVDttinput穩(wěn)定時間（settlingtime）ts11/21/202243概述1.1性能參數(shù)增益小信號帶寬大信號帶寬輸出基本電路結(jié)構(gòu)增益Vout2VoutM1M2M3M4M5M6M7V+IOVoutVinAmplifyingstage2、一級運放Outputstage11/21/202244一級運放基本電路結(jié)構(gòu)增益Vout2VoutM1M2M3M4M5MBut輸出擺幅↓套筒式共源共柵運放（telescopiccascodeopamp）11/21/202245一級運放But輸出擺幅↓套筒式共源共柵運放（telescopic輸入輸出很難短接為保證M2和M4飽和套筒式共源共柵運放（telescopiccascodeopamp）11/21/202246一級運放輸入輸出很難短接為保證M2和M4飽和套筒式共源共柵運放（te設(shè)計實例設(shè)計全差動套筒式運放，該運放的性能指標(biāo)為：VDD=3V，差動輸出擺幅=3V，功耗=10mW，電壓增益=2000。假定μnCox=60μA/V2，μpCox=30μA/V2，λn＝0.1V-1，λp＝0.2V-1（有效溝道長度為0.5μm時），γ=0，VTHN＝|VTHP|=0.7V。解：1、從功率預(yù)算出發(fā)，確定工作電流2、根據(jù)輸出擺幅，分配過驅(qū)動電壓（OD）3、根據(jù)I和OD，由公式得到各管尺寸，（最小柵長）11/21/202247一級運放設(shè)計實例設(shè)計全差動套筒式運放，該運放的性能指標(biāo)為：VDDKey：I，W/L設(shè)計實例（續(xù)）4、計算增益得到Av=1416如何↑Av，考慮↑W；↓ID；↓λ(↑L)→↑Av例如↓λ

，選擇(W/L)5-8=1111μm/1μm則λp≈0.1V-1，得到Av≈40005、滿足最大輸出擺幅，計算輸入共模電平和偏置電壓Vb1,2注意和參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)與影響！11/21/202248一級運放Key：I，W/L設(shè)計實例（續(xù)）4、計算增益得到Av=1“折疊”結(jié)構(gòu)→↑輸出擺幅折疊共源共柵運放（foldedcascodeopamp）11/21/202249一級運放“折疊”結(jié)構(gòu)→↑輸出擺幅折疊共源共柵運放（foldedca增益：比較于套筒式結(jié)構(gòu)的增益：增益小2～3倍極點更加靠近原點由于增加了M5上的CGD5和CDB5折疊共源共柵運放（續(xù)）11/21/202250一級運放增益：比較于套筒式結(jié)構(gòu)的增益：增益小2～3倍極點更加靠近原點采用NMOS作為輸入器件折疊點（X）對應(yīng)的極點更低：由1/(gm3+gmb3)與X點總電容的乘積決定。折疊共源共柵運放（續(xù)）11/21/202251一級運放采用NMOS作為輸入器件折疊點（X）對應(yīng)的極點更低：折疊共源總之，對比于套筒式結(jié)構(gòu)，折疊式共源共柵運放電壓輸出擺幅大；輸入輸出可以短接；輸入共模范圍大，輸入共模電平可以接近VDD（NMOS輸入管）或GND（PMOS作輸入管）較大的功耗；較低的電壓增益；較低的極點頻率；較高的噪聲；折疊共源共柵運放（續(xù)）設(shè)計時，在套筒式結(jié)構(gòu)中，以下三個電壓是必須確定的輸入共模電平，PMOS,NMOS共源共柵管的柵極偏置電壓。而在折疊式結(jié)構(gòu)中，只有后兩個電壓的確定是嚴(yán)格的。11/21/202252一級運放總之，對比于套筒式結(jié)構(gòu)，折疊式共源共柵運放折疊共源共柵運放（3、兩級運放基本電路結(jié)構(gòu)增益高增益需要頻率補償11/21/2022533、兩級運放基本電路結(jié)構(gòu)增益高增益11/21/2024、增益的提高Gm，Rout↑Rout共源共柵結(jié)構(gòu)→↓輸出擺幅反饋技術(shù)提高信號通路上的輸出電阻調(diào)節(jié)型共源共柵11/21/202254增益的提高4、增益的提高Gm，Rout↑Rout共源共柵結(jié)構(gòu)→↓輸出高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)11/21/202255增益的提高高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)11/21/202216增益的提高高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)（續(xù)）提高負載通路上的輸出電阻11/21/202256增益的提高高增益差動共源共柵級結(jié)構(gòu)（續(xù)）提高負載通路上的輸出電阻11/5、共模反饋電路的失配使電路產(chǎn)生“共模誤差”右圖的pmos電流源做負載的電路的共模電平不容易確定失配使電流出現(xiàn)誤差，進而影響晶體管的工作狀態(tài)（脫離飽和區(qū)）CM不能通過差動反饋達到穩(wěn)定。CMFB：檢測輸出共模電平同一個參考電壓比較將誤差送回放大器偏置網(wǎng)絡(luò)11/21/202257共模反饋5、共模反饋電路的失配使電路產(chǎn)生“共模誤差”CMFB：11/檢測輸出共模電平R1和R2必須比輸出電阻大很多，否則影響增益電阻檢測源級跟隨器I1和I2以及R1和R2必須足夠大，以避免當(dāng)輸出出現(xiàn)大擺幅時，M7,8“挨餓”（缺電流）檢測的共模電平比輸出CM低VGS7,8輸出擺幅降低，比沒采用源跟隨器結(jié)構(gòu)大約減小一個VTH11/21/202258共模反饋檢測輸出共模電平R1和R2必須比輸出電阻大很多，否則影響增益檢測輸出共模電平（續(xù)）深線性區(qū)的MOS管的共模檢測總電阻必須保證M7和M8處于深線性區(qū)M7的柵源電壓必須遠大于VTH，否則M7脫離深線性區(qū)（VP>0）；要超過兩個過驅(qū)動電壓，即限制了輸出電壓擺幅11/21/202259共模反饋檢測輸出共模電平（續(xù)）深線性區(qū)的MOS管的共模檢測總電阻必須控制共模電平Vout,CM↑→VE↑→IM3,4↑→Vout,CM↓如果環(huán)路增益大，則反饋網(wǎng)絡(luò)迫使Vout,CM趨近VREF當(dāng)采用電阻檢測方式時，11/21/202260共模反饋控制共模電平Vout,CM↑→VE↑→IM3,4↑→控制共模電平（續(xù)）Vout,CM↑→Iss1↑→IM5,6↓

→Vout,CM↓Iss1當(dāng)采用電阻檢測方式時，對于折疊cascode放大器，CMFB也可以控制輸入差動對的尾電流源11/21/202261共模反饋控制共模電平（續(xù)）Vout,CM↑→Iss1↑→IM5,控制共模電平（續(xù)）其中令缺點：Vout,CM是器件參數(shù)的函數(shù)Ron7||Ron8上的壓降VP限制輸出擺幅欲↓VP→↑M7和M8→C↑反饋加到輸入差動對的尾電流上（foldedcascodeopamp）當(dāng)采用深線性區(qū)的MOS管的共模檢測時，得到11/21/202262共模反饋控制共模電平（續(xù)）其中令缺點：反饋加到輸入差動對的尾電流上（控制共模電平（續(xù)）Vb的確定：通過一個電流鏡來確定Vb，使ID9跟蹤I1和VREF。令這樣，當(dāng)Vout,CM=VREF時，ID9=I1。由于VDS15≠VDS9，溝道長度調(diào)制效益導(dǎo)致誤差。增加M17和M18，保證VDS15＝VDS9上述第二個問題可以通過把反饋加到輸入差動對的尾電流上解決，但Vb？11/21/202263共模反饋控制共模電平（續(xù)）Vb的確定：令這樣，當(dāng)Vout,CM=VR6、輸入范圍限制大的共模輸入范圍在單位增益緩沖器中，輸入擺幅等于輸出擺幅11/21/202264輸入范圍限制6、輸入范圍限制大的共模輸入范圍在單位增益緩沖器中，輸入擺幅大的共模輸入范圍（續(xù)）混合使用NMOS差動對和PMOS差動對11/21/202265輸入范圍限制大的共模輸入范圍（續(xù)）混合使用NMOS差動對和PMOS差動對7、轉(zhuǎn)換速率Review：小信號下，RC網(wǎng)絡(luò)，階躍11/21/202266轉(zhuǎn)換速率7、轉(zhuǎn)換速率Review：小信號下，RC網(wǎng)絡(luò)，階躍11/217、轉(zhuǎn)換速率轉(zhuǎn)換速率（壓擺率）：輸入階躍信號幅度很大時，實際的輸出表現(xiàn)具有近似為常數(shù)的斜率，該常數(shù)定義為轉(zhuǎn)換速率。在小信號下，階躍響應(yīng)的斜率正比于輸出的最終值，而在大信號下，表現(xiàn)為不變斜率。11/21/202267轉(zhuǎn)換速率7、轉(zhuǎn)換速率轉(zhuǎn)換速率（壓擺率）：輸入階躍信號幅度很大時，實際處理大信號時，運放工作于非線性區(qū)轉(zhuǎn)換速率限制大信號的工作速度忽略被R1、R2抽取的電流11/21/202268轉(zhuǎn)換速率處理大信號時，運放工作于非線性區(qū)轉(zhuǎn)換速率限制大信號的工作速度處理正弦信號V0sinω0t運放的轉(zhuǎn)換速率必須超過V0ω011/21/202269轉(zhuǎn)換速率處理正弦信號V0sinω0t運放的轉(zhuǎn)換速率必須超過V0ω018、電源抑制電源抑制比（PSRR）：從輸入到輸出的增益除以從電源到輸出的增益。二極管連接的MOS管具有鉗位作用，電源增益為1，因此低頻時，11/21/202270電源抑制8、電源抑制電源抑制比（PSRR）：從輸入到輸出的增益除以從運放的噪聲套筒式運放的噪聲共源共柵器件產(chǎn)生的噪聲可以忽略11/21/202271運放的噪聲運放的噪聲套筒式運放的噪聲共源共柵器件產(chǎn)生的噪聲可以忽略11折疊式運放的噪聲共源共柵器件產(chǎn)生的噪聲可以忽略11/21/202272運放的噪聲折疊式運放的噪聲共源共柵器件產(chǎn)生的噪聲可以忽略11/21/2折疊式運放的噪聲比相應(yīng)的套筒式的結(jié)構(gòu)的噪聲更大PMOS和NMOS電流源對噪聲的貢獻隨它們的跨導(dǎo)正比例增加，因此，出現(xiàn)了噪聲和輸出擺幅之間的折中關(guān)系。二級（多級）運放的噪聲主要由第