TSV的研究動態(tài)發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV概述硅通孔技術(shù)(TSV)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV技術(shù)面臨的難題：在價格與成本之間的極大障礙新技術(shù)的不確定性所隱含的風(fēng)險實際的量產(chǎn)需求TSV的優(yōu)勢：縮小封裝尺寸高頻特性出色，減小傳輸延時降低噪聲降低芯片功耗，TSV可將硅鍺芯片的功耗降低大約40%熱膨脹可靠性高

由于TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大、芯片之間的互連線最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成為目前電子封裝技術(shù)中最引人注目的一種技術(shù)。27/11/20221TSV的研究動態(tài)發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV概述TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTSV參數(shù)參數(shù)值最小TSV直徑1m最小TSV間距2mTSV深寬比>20焊凸間距25m芯片間距5m（微凸點180℃）

15m

（無鉛銅焊柱260℃）芯片厚度15-60m27/11/20222TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTTSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTSV互連尚待解決的關(guān)鍵技術(shù)難題和挑戰(zhàn)包括：通孔的刻蝕——激光VS．深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)；通孔的填充——材料(多晶硅、銅、鎢和高分子導(dǎo)體等)和技術(shù)(電鍍、化學(xué)氣相沉積、高分子涂布等)；工藝流程——先通孔(via

first)或后通孔(via

1ast)技術(shù)；堆疊形式——晶圓到晶圓、芯片到晶圓或芯片到芯片；鍵合方式——直接Cu-Cu鍵合、粘接、直接熔合、焊接和混合等；超薄晶圓的處理——是否使用載體。TSV封裝剖面圖27/11/20223TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTTSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTSV的關(guān)鍵技術(shù)之一——通孔刻蝕前通孔(viafirst)：

在IC制造過程中制作通

孔，分為前道互連和后道互連后通孔(vialast):

制造完成之后制作通孔27/11/20224TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTTSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩r

據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖ITRS的預(yù)測，TSV技術(shù)將在垂直方向堆疊層數(shù)、硅品圓片厚度、硅穿孔直徑、引腳間距等方面繼續(xù)向微細(xì)化方向發(fā)展。TSV未來發(fā)展展望堆疊層數(shù)圓片減薄通孔直徑引腳間距3—7層最多14層20—50μm8μm厚4μm1.6μm10μm3.3μm27/11/20225TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV應(yīng)用市場預(yù)測據(jù)法國調(diào)查公司YoleDevelopment提供，到2015年，邏輯和存儲器方面的應(yīng)用占TSV應(yīng)用的比例將大于30%，接觸式圖像傳感器、微機電系統(tǒng)，傳感器占30%的市場，存儲器堆疊形成的動態(tài)隨機存取存儲器和閃存芯片占20%的市場。

目前，TSV技術(shù)主要應(yīng)用在內(nèi)存條、MEMS等產(chǎn)品當(dāng)中。27/11/20226TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV市場驅(qū)動因素總結(jié)3DIC27/11/20227TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSTSV應(yīng)用舉例TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV27/11/20228TSV應(yīng)用舉例TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaATSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV豪威(OmniVision)于2007年開發(fā)基于TSV技術(shù)的CIS－OV2640，OV2640imagesensor是一個能提供在單一晶片上整合1632×1232(UXGA)的有效像素陣列和影像處理的完整功能、尺寸為8x8x6.5mm的CIS小型封裝，目前已應(yīng)用在SonyEricsson的V630i手機上。OmniVision’sOV2640影像感測器Aptina的新產(chǎn)品－MT9V1113M02即是應(yīng)用OsmiumTM技術(shù)（即采用TSV技術(shù)作為影像感測器的電極導(dǎo)通技術(shù)）的影像感測器模組，主要應(yīng)用在手機及PCcameras。應(yīng)用TSV的影像感測器實例OsmiumTMfromAptina27/11/20229TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2009年3月，

意法半導(dǎo)體推出市場上首款集成擴展景深（EDoF）功能的1/4英寸光學(xué)格式3百萬像素RawBayer傳感器。意法半導(dǎo)體最新的影像傳感器可實現(xiàn)最小6.5x6.5mm的相機模塊，而且圖像銳利度和使用體驗非常出色，同時還兼有尺寸和成本優(yōu)勢，是一款智能型自動對焦相機解決方案。

全新影像傳感器擴展手機相機景深從15厘米到無限遠(yuǎn)應(yīng)用TSV的影像感測器實例27/11/202210TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2010年11月，F(xiàn)PGA廠商賽靈思采用堆疊硅片互連技術(shù)（SSI）和硅穿孔技術(shù)(TSV)，將四個不同F(xiàn)PGA芯片在無源硅中介上互連，生產(chǎn)出含68億個晶體管、200萬個邏輯單元相當(dāng)于2000萬個ASIC的大容量FPGAVirtex-72000T。27/11/202211TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2010年12月，臺灣臺積電(TSMC)公開了采用TSV三維積層半導(dǎo)體芯片的LSI量產(chǎn)化措施。該公司采用TSV、再布線層以及微焊點等要素技術(shù)，制作了三維積層有半導(dǎo)體芯片和300mm晶圓的模塊，并評測了三維積層技術(shù)對元件性能和可靠性的影響。同時，臺積電有在28nm以下工藝量產(chǎn)三維LSI的意向。以多種尺寸和配置而形成的TSV和再布線層連接300mm晶圓和半導(dǎo)體芯片的微凸點27/11/202212TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2010年12月三星公司采用TSV技術(shù)，成功開發(fā)出基于該公司先進(jìn)的綠色DDR3芯片的8GBRDIMM內(nèi)存。參數(shù)對比綠色DDR3芯片功耗節(jié)省40%內(nèi)存容量提升50%以上27/11/202213TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2010年12月，美國升特信號半導(dǎo)體公司（

Semtech）和IBM聯(lián)手，運用3DTSV技術(shù)開發(fā)高性能的集成的ADC/DSP平臺。·IBM3D封裝技術(shù)27/11/202214TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2011年3月，韓國海力士半導(dǎo)體最先采用TSV技術(shù)，開發(fā)出晶圓級封裝二維積層技術(shù)。并成功層疊了8層40nm級2GbitDDR3DRAM芯片，可讓一個內(nèi)存模塊的最大容量達(dá)到前所未有的64GB，可廣泛應(yīng)用以滿足服務(wù)器和其他產(chǎn)品對大容量內(nèi)存的需求。27/11/202215TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2011年6月，日本爾必達(dá)公司開始銷售采用TSV制作的DDR3SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相當(dāng)1GB容量），同時集成了接口功能芯片。27/11/202216TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2011年8月7日，三星電子發(fā)布了內(nèi)存產(chǎn)品方面節(jié)能型單條32GBDDR3服務(wù)器內(nèi)存模組，這款新的32GBRDIMM內(nèi)存使用30nm級別工藝制造的DRAM顆粒，默認(rèn)運行頻率為DDR3-1333MHz，功率只有4.5W，三星稱該產(chǎn)品為“企業(yè)服務(wù)器用內(nèi)存產(chǎn)品中功耗最低級別”。此內(nèi)存模組比其普通30nm級別工藝的LRDIMM產(chǎn)品功耗平均低約30%。Samsung’s32-memorystacking(eachchipis20μmthick)27/11/202217TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2011年10月，意法半導(dǎo)體宣布將TSV技術(shù)引入MEMS芯片量產(chǎn)，在其多款MEMS產(chǎn)品（智能傳感器、多軸慣性模塊）內(nèi)，TSV以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連方法，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實現(xiàn)更高的集成度和性能。圖像傳感器TSV結(jié)構(gòu)縱剖圖圖像傳感器實物一角27/11/202218TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV三星WideI/O內(nèi)存芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)另外，以Hynix，三星等為首的組織則在積極推廣可將TSV3D堆疊技術(shù)帶入主流應(yīng)用領(lǐng)域的另外一項計劃，即WideI/O內(nèi)存接口技術(shù)，這項技術(shù)面向手機，平板電腦等相關(guān)產(chǎn)品。JEDEC組織目前還在審核WideI/O內(nèi)存接口技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，這種內(nèi)存接口的位寬達(dá)512bit，可以增大內(nèi)存芯片與邏輯芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，其峰值傳輸率可達(dá)12.8GB/s，帶寬要比常規(guī)的LPDDR2接口高出了3倍之多。27/11/202219TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV三星TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2011年12月，美國IBM與美光科技宣布，美光已決定利用基于TSV的商用CMOS技術(shù)，率先生產(chǎn)新型存儲器“HybridMemoryCube”（HMC）參數(shù)對比存儲器速度提高15倍左右最大數(shù)據(jù)傳輸速度128GB/s（十倍以上）封裝面積

減少10%耗電量減少70%HybridMemoryCube的構(gòu)造27/11/202220TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV20TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2012年2月27號，美國佐治亞理工學(xué)院、韓國KAIST大學(xué)和AmkorTechnology公司在“ISSCC2012”上，共同發(fā)布了將277MHz驅(qū)動的64核處理器芯片以及容量為256KB的SRAM芯片三維層疊后構(gòu)筑而成的處理器子系統(tǒng)“3D-MAPS：3DMassivelyParallelProcessorwithStackedMemory”3D-MAPS的封裝形態(tài)3D-MAPS的架構(gòu)27/11/202221TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV其他進(jìn)展：1、2011年7月9日，在國家02專項和中國封裝測試聯(lián)盟的支持下，由中國科學(xué)院微電子研究所發(fā)起的國內(nèi)首個硅通孔（TSV）技術(shù)攻關(guān)聯(lián)合體在北京宣告成立并啟動了第1期攻關(guān)項目。2、2011年12月，東電電子一舉投產(chǎn)了5款用于三維封裝的TSV制造裝置，并“SemiconJapan2011”上展示。投產(chǎn)的是硅深蝕刻裝置、聚酰亞胺成膜裝置以及3款晶圓鍵合關(guān)聯(lián)裝置。27/11/202222TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV其他TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

如今TSV技術(shù)正受到人們廣泛的關(guān)注，未來，TSV并不只應(yīng)用在內(nèi)存上，在CPU上也將看到TSV的身影。同時，TSV的廣泛使用，也將再度引發(fā)產(chǎn)業(yè)的變革，讓一些研究中的新創(chuàng)技術(shù)，如醫(yī)學(xué)上的人工視網(wǎng)膜、能源應(yīng)用上的智能塵(SmartDust)傳感器等，能夠最終成為人們生活中經(jīng)常被使用的產(chǎn)品。TSV應(yīng)用展望TSV冷卻系統(tǒng)實例27/11/202223TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV在3D封裝中的發(fā)展路線圖

3DIC集成發(fā)展路線圖

(不包含芯片疊層封裝)27/11/202224TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV采用TSV的3D封裝發(fā)展路線圖27/11/202225TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV采用TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVGaAs因為具有比Si更好的電子性能，其電遷移率比Si高5-6倍，飽和速度比Si高1倍，本征載流子濃度比Si低4個數(shù)量級，使得GaAs比Si更適用于高頻高速的場合。同時，在前期研究過程中，已有砷化鎵基TSV的相關(guān)技術(shù)，但是制造GaAs居高不下的成本及其較為稀缺的原料來源嚴(yán)重制約著這種化合物半導(dǎo)體的發(fā)展。

2010年5月，美國科學(xué)家研發(fā)出砷化鎵晶片批量生產(chǎn)技術(shù)，從而克服了成本上的瓶頸。有理由相信，在不久的將來，這種感光性能比硅更優(yōu)良的材料有望大規(guī)模用于半導(dǎo)體和太陽能相關(guān)產(chǎn)業(yè)。27/11/202226TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV早在1975年，惠普公司就已經(jīng)在砷化鎵襯底上做通孔，應(yīng)用到單片式微波集成電路中。但其并不是為了三維封裝。27/11/202227TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV飛利浦GSM四頻放大器中的通孔

GaAs

晶圓被減薄至大約75μm厚，在其背部刻蝕出70μm寬的通孔，通孔電鍍一層金。如圖所示的是飛利浦公司生產(chǎn)的功率放大器中GaAsHBT功率晶體管。GaAs基TSV實例27/11/202228TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV飛利TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVMEC的剖面圖

MEC反面

MEC正面底層金屬與上層金屬通過金屬線相連，每個電極與采用TSV制作的兩個電極相連。對采用GaAs晶圓加工工藝評估的移動靜電載體

(MEC)27/11/202229TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVMETSV的研究動態(tài)發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV概述硅通孔技術(shù)(TSV)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV技術(shù)面臨的難題：在價格與成本之間的極大障礙新技術(shù)的不確定性所隱含的風(fēng)險實際的量產(chǎn)需求TSV的優(yōu)勢：縮小封裝尺寸高頻特性出色，減小傳輸延時降低噪聲降低芯片功耗，TSV可將硅鍺芯片的功耗降低大約40%熱膨脹可靠性高

由于TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大、芯片之間的互連線最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成為目前電子封裝技術(shù)中最引人注目的一種技術(shù)。27/11/202230TSV的研究動態(tài)發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV概述TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTSV參數(shù)參數(shù)值最小TSV直徑1m最小TSV間距2mTSV深寬比>20焊凸間距25m芯片間距5m（微凸點180℃）

15m

（無鉛銅焊柱260℃）芯片厚度15-60m27/11/202231TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTTSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTSV互連尚待解決的關(guān)鍵技術(shù)難題和挑戰(zhàn)包括：通孔的刻蝕——激光VS．深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)；通孔的填充——材料(多晶硅、銅、鎢和高分子導(dǎo)體等)和技術(shù)(電鍍、化學(xué)氣相沉積、高分子涂布等)；工藝流程——先通孔(via

first)或后通孔(via

1ast)技術(shù)；堆疊形式——晶圓到晶圓、芯片到晶圓或芯片到芯片；鍵合方式——直接Cu-Cu鍵合、粘接、直接熔合、焊接和混合等；超薄晶圓的處理——是否使用載體。TSV封裝剖面圖27/11/202232TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTTSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTSV的關(guān)鍵技術(shù)之一——通孔刻蝕前通孔(viafirst)：

在IC制造過程中制作通

孔，分為前道互連和后道互連后通孔(vialast):

制造完成之后制作通孔27/11/202233TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTTSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩r

據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖ITRS的預(yù)測，TSV技術(shù)將在垂直方向堆疊層數(shù)、硅品圓片厚度、硅穿孔直徑、引腳間距等方面繼續(xù)向微細(xì)化方向發(fā)展。TSV未來發(fā)展展望堆疊層數(shù)圓片減薄通孔直徑引腳間距3—7層最多14層20—50μm8μm厚4μm1.6μm10μm3.3μm27/11/202234TSV的研究動態(tài)概述TSV的應(yīng)用GaAs基TSV發(fā)展?fàn)顩rTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV應(yīng)用市場預(yù)測據(jù)法國調(diào)查公司YoleDevelopment提供，到2015年，邏輯和存儲器方面的應(yīng)用占TSV應(yīng)用的比例將大于30%，接觸式圖像傳感器、微機電系統(tǒng)，傳感器占30%的市場，存儲器堆疊形成的動態(tài)隨機存取存儲器和閃存芯片占20%的市場。

目前，TSV技術(shù)主要應(yīng)用在內(nèi)存條、MEMS等產(chǎn)品當(dāng)中。27/11/202235TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV市場驅(qū)動因素總結(jié)3DIC27/11/202236TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSTSV應(yīng)用舉例TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV27/11/202237TSV應(yīng)用舉例TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaATSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV豪威(OmniVision)于2007年開發(fā)基于TSV技術(shù)的CIS－OV2640，OV2640imagesensor是一個能提供在單一晶片上整合1632×1232(UXGA)的有效像素陣列和影像處理的完整功能、尺寸為8x8x6.5mm的CIS小型封裝，目前已應(yīng)用在SonyEricsson的V630i手機上。OmniVision’sOV2640影像感測器Aptina的新產(chǎn)品－MT9V1113M02即是應(yīng)用OsmiumTM技術(shù)（即采用TSV技術(shù)作為影像感測器的電極導(dǎo)通技術(shù)）的影像感測器模組，主要應(yīng)用在手機及PCcameras。應(yīng)用TSV的影像感測器實例OsmiumTMfromAptina27/11/202238TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2009年3月，

意法半導(dǎo)體推出市場上首款集成擴展景深（EDoF）功能的1/4英寸光學(xué)格式3百萬像素RawBayer傳感器。意法半導(dǎo)體最新的影像傳感器可實現(xiàn)最小6.5x6.5mm的相機模塊，而且圖像銳利度和使用體驗非常出色，同時還兼有尺寸和成本優(yōu)勢，是一款智能型自動對焦相機解決方案。

全新影像傳感器擴展手機相機景深從15厘米到無限遠(yuǎn)應(yīng)用TSV的影像感測器實例27/11/202239TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2010年11月，F(xiàn)PGA廠商賽靈思采用堆疊硅片互連技術(shù)（SSI）和硅穿孔技術(shù)(TSV)，將四個不同F(xiàn)PGA芯片在無源硅中介上互連，生產(chǎn)出含68億個晶體管、200萬個邏輯單元相當(dāng)于2000萬個ASIC的大容量FPGAVirtex-72000T。27/11/202240TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2010年12月，臺灣臺積電(TSMC)公開了采用TSV三維積層半導(dǎo)體芯片的LSI量產(chǎn)化措施。該公司采用TSV、再布線層以及微焊點等要素技術(shù)，制作了三維積層有半導(dǎo)體芯片和300mm晶圓的模塊，并評測了三維積層技術(shù)對元件性能和可靠性的影響。同時，臺積電有在28nm以下工藝量產(chǎn)三維LSI的意向。以多種尺寸和配置而形成的TSV和再布線層連接300mm晶圓和半導(dǎo)體芯片的微凸點27/11/202241TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2010年12月三星公司采用TSV技術(shù)，成功開發(fā)出基于該公司先進(jìn)的綠色DDR3芯片的8GBRDIMM內(nèi)存。參數(shù)對比綠色DDR3芯片功耗節(jié)省40%內(nèi)存容量提升50%以上27/11/202242TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2010年12月，美國升特信號半導(dǎo)體公司（

Semtech）和IBM聯(lián)手，運用3DTSV技術(shù)開發(fā)高性能的集成的ADC/DSP平臺?！BM3D封裝技術(shù)27/11/202243TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2011年3月，韓國海力士半導(dǎo)體最先采用TSV技術(shù)，開發(fā)出晶圓級封裝二維積層技術(shù)。并成功層疊了8層40nm級2GbitDDR3DRAM芯片，可讓一個內(nèi)存模塊的最大容量達(dá)到前所未有的64GB，可廣泛應(yīng)用以滿足服務(wù)器和其他產(chǎn)品對大容量內(nèi)存的需求。27/11/202244TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2011年6月，日本爾必達(dá)公司開始銷售采用TSV制作的DDR3SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3SDRAM芯片（相當(dāng)1GB容量），同時集成了接口功能芯片。27/11/202245TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2011年8月7日，三星電子發(fā)布了內(nèi)存產(chǎn)品方面節(jié)能型單條32GBDDR3服務(wù)器內(nèi)存模組，這款新的32GBRDIMM內(nèi)存使用30nm級別工藝制造的DRAM顆粒，默認(rèn)運行頻率為DDR3-1333MHz，功率只有4.5W，三星稱該產(chǎn)品為“企業(yè)服務(wù)器用內(nèi)存產(chǎn)品中功耗最低級別”。此內(nèi)存模組比其普通30nm級別工藝的LRDIMM產(chǎn)品功耗平均低約30%。Samsung’s32-memorystacking(eachchipis20μmthick)27/11/202246TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV

2011年10月，意法半導(dǎo)體宣布將TSV技術(shù)引入MEMS芯片量產(chǎn)，在其多款MEMS產(chǎn)品（智能傳感器、多軸慣性模塊）內(nèi)，TSV以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連方法，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實現(xiàn)更高的集成度和性能。圖像傳感器TSV結(jié)構(gòu)縱剖圖圖像傳感器實物一角27/11/202247TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV三星WideI/O內(nèi)存芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)另外，以Hynix，三星等為首的組織則在積極推廣可將TSV3D堆疊技術(shù)帶入主流應(yīng)用領(lǐng)域的另外一項計劃，即WideI/O內(nèi)存接口技術(shù)，這項技術(shù)面向手機，平板電腦等相關(guān)產(chǎn)品。JEDEC組織目前還在審核WideI/O內(nèi)存接口技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，這種內(nèi)存接口的位寬達(dá)512bit，可以增大內(nèi)存芯片與邏輯芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬，其峰值傳輸率可達(dá)12.8GB/s，帶寬要比常規(guī)的LPDDR2接口高出了3倍之多。27/11/202248TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV三星TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2011年12月，美國IBM與美光科技宣布，美光已決定利用基于TSV的商用CMOS技術(shù)，率先生產(chǎn)新型存儲器“HybridMemoryCube”（HMC）參數(shù)對比存儲器速度提高15倍左右最大數(shù)據(jù)傳輸速度128GB/s（十倍以上）封裝面積

減少10%耗電量減少70%HybridMemoryCube的構(gòu)造27/11/202249TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV20TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV2012年2月27號，美國佐治亞理工學(xué)院、韓國KAIST大學(xué)和AmkorTechnology公司在“ISSCC2012”上，共同發(fā)布了將277MHz驅(qū)動的64核處理器芯片以及容量為256KB的SRAM芯片三維層疊后構(gòu)筑而成的處理器子系統(tǒng)“3D-MAPS：3DMassivelyParallelProcessorwithStackedMemory”3D-MAPS的封裝形態(tài)3D-MAPS的架構(gòu)27/11/202250TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSVTSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV其他進(jìn)展：1、2011年7月9日，在國家02專項和中國封裝測試聯(lián)盟的支持下，由中國科學(xué)院微電子研究所發(fā)起的國內(nèi)首個硅通孔（TSV）技術(shù)攻關(guān)聯(lián)合體在北京宣告成立并啟動了第1期攻關(guān)項目。2、2011年12月，東電電子一舉投產(chǎn)了5款用于三維封裝的TSV制造裝置，并“SemiconJapan2011”上展示。投產(chǎn)的是硅深蝕刻裝置、聚酰亞胺成膜裝置以及3款晶圓鍵合關(guān)聯(lián)裝置。27/11/202251TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTSV的應(yīng)用GaAs基TSV其他TSV的研究動態(tài)概述發(fā)展?fàn)顩rTS