第6頁共6頁菜鳥成長手冊內(nèi)存是計(jì)算機(jī)不可缺少的部件,所有PC用戶都知道內(nèi)存是什幺樣,但光知道內(nèi)存長什幺樣還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠,盡管從外表來看,DDR、DDR2、DDR3三種內(nèi)存的外衣都一樣,但其實(shí)卻存在不少區(qū)別,并且不能互通使用,了解它們之間的區(qū)別,可以幫助大家掌握內(nèi)存知識(shí),并從形形色色的內(nèi)存市場進(jìn)行挑選。一、同為一個(gè)卡口:位置不同在大家眼里,所有的內(nèi)存外觀看起來似乎都一樣,一根細(xì)長的“條子”,其實(shí)幾代內(nèi)存都存在不少差別,早在SDRAM時(shí)代,內(nèi)存金手指上有兩個(gè)卡口,用來避免將內(nèi)存插反,而到了DDR時(shí)代,所有的內(nèi)存金手指上都只有一個(gè)卡口,兩種內(nèi)存的區(qū)別非常明顯,為此對(duì)于SDRAM與DDR內(nèi)存,大家是很容易識(shí)別出來的。正是因?yàn)镈DR、DDR2、DDR3幾種內(nèi)存上都只有一個(gè)卡口,外觀又幾乎一樣,為此很多朋友難以鑒別,不過仔細(xì)觀察的話,發(fā)現(xiàn)三種內(nèi)存金手指上的卡口左右兩邊的針腳數(shù)量都不同,而每個(gè)針腳的大小一樣,因而三種內(nèi)存的卡口位置稍微有一些不同,據(jù)了解,DDR內(nèi)存卡口離內(nèi)存端最近的距離占整個(gè)長度45%;而DDR2內(nèi)存的這個(gè)長度占整個(gè)長度47%;DDR3時(shí)代則改為41%,用戶可以較明顯地區(qū)分它們的方向,這樣就不會(huì)出現(xiàn)內(nèi)存插反或插錯(cuò)等問題,譬如DDR2內(nèi)存插不進(jìn)DDR插槽,DDR3插槽無法安裝DDR2內(nèi)存。二、金手指:針腳布局不一樣大家從內(nèi)存條的接口上,很容易看到正反面都是一排類似“黃金”的導(dǎo)電觸片,它就是內(nèi)存的金手指,這些導(dǎo)電觸片也被稱之為針腳數(shù),其作用是負(fù)責(zé)與主板內(nèi)存插槽的信號(hào)和電壓傳輸,實(shí)際上,對(duì)于不同規(guī)格的內(nèi)存,其接口類型是根據(jù)導(dǎo)電觸片的數(shù)量和分布情況來決定,由于三種DDR內(nèi)存的接口類型不同,金手指上的針腳數(shù)和分布情況也各不相同,如果大家難以識(shí)別,可以去數(shù)一下就知道了。譬如DDR內(nèi)存的金手指具有184個(gè)針腳數(shù)量,單面金手指針腳數(shù)量為92個(gè),卡口左邊為52個(gè)針腳,卡口右邊為40個(gè)針腳;DDR2內(nèi)存的金手指具有240個(gè)針腳數(shù)量,單面金手指針腳數(shù)量為120個(gè),卡口左邊為64個(gè)針腳,卡口右邊為56個(gè)針腳(如圖1);DDR3內(nèi)存的金手指具有240個(gè)針腳數(shù)量,單面金手指針腳數(shù)量為120個(gè),卡口左邊為72個(gè)針腳,卡口右邊為48個(gè)針腳(如圖2),這也剛好驗(yàn)證了前面所提到的“卡口長度比例”。三、芯片封裝:TSOP與FBGA在不同的內(nèi)存條上,都分布了不同數(shù)量的塊狀顆粒,它就是我們所說的內(nèi)存芯片,同時(shí)我們也注意到,不同規(guī)格的內(nèi)存,內(nèi)存芯片的外形和體積可能都不一樣,這是因?yàn)閮?nèi)存芯片封裝技術(shù)的不同,一般來說,DDR內(nèi)存都采用了TSOP封裝形式,而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝形式,采用不同封裝形式的內(nèi)存芯片,不僅外觀體積不同,其性能和散熱表現(xiàn)也有一定的差距。譬如DDR內(nèi)存采用的TSOP封裝方式,內(nèi)存芯片通過引腳焊接在內(nèi)存PCB上,引腳是由芯片向四周引出,所以肉眼可以看到芯片與內(nèi)存PCB接口處有很多金屬柱狀觸點(diǎn),并且芯片封裝的外形尺寸較大,芯片顆粒呈長方形顯示,其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高,但焊點(diǎn)和PCB的接觸面積較小,使得DDR內(nèi)存的傳導(dǎo)效果較差,而且容易受到各種信號(hào)干擾,散熱也不夠理想。對(duì)于采用FBGA封裝的DDR2和DDR3內(nèi)存,與DDR內(nèi)存最大的區(qū)別就是內(nèi)存芯片的外觀,DDR2和DDR3內(nèi)存的內(nèi)存芯片都是正方形的,而且體積只有DDR內(nèi)存芯片的1/3大小,內(nèi)存PCB上也看不到DDR內(nèi)存芯片上的柱狀金屬觸點(diǎn),因?yàn)樗鶢詈更c(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面,并向芯片中心方向引出,所有的觸點(diǎn)就被包裝起來了,外表自然就看不到。其優(yōu)點(diǎn)是有效地縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離,信號(hào)傳輸線的長度僅是DDR內(nèi)存的1/4,降低了抗干擾,也提升了散熱和性能。四、速度與容量:翻倍提升內(nèi)存性能的快慢,很大程度取決于它的傳輸速度,內(nèi)存規(guī)格的提升,其重要意義就是提升傳輸速度,從DDR、DDR2到DDR3內(nèi)存,它們的速度可以說是“翻倍”提升,對(duì)于DDR內(nèi)存,由于采用的是2bit數(shù)據(jù)預(yù)取設(shè)計(jì),為此等效頻率是工作頻率的2倍,傳輸速度在20________～400MB/s之間;DDR2內(nèi)存引入了4bit數(shù)據(jù)預(yù)取設(shè)計(jì),等效頻率是工作頻率的4倍,傳輸速度在400～800MB/s之間;DDR3內(nèi)存采用了8bit數(shù)據(jù)預(yù)取設(shè)計(jì),等效頻率是工作頻率的8倍,傳輸速度在800～20________0MB/s之間。在內(nèi)存容量上,盡管三種內(nèi)存都會(huì)存在相同的容量,譬如DDR、DDR2及DDR3內(nèi)存都有512MB和1GB兩種容量,但從容量標(biāo)準(zhǔn)來看,由邏輯Bank數(shù)量的不同,三者的起步容量和最大容量都不一樣,DDR內(nèi)存采用2Bank和4Bank兩種設(shè)計(jì),因而容量標(biāo)準(zhǔn)為64MB～1GB;DDR2內(nèi)存采用4Bank和8Bank兩種設(shè)計(jì),容量標(biāo)準(zhǔn)為256MB～4GB;DDR3內(nèi)存采用8Bank和16Bank兩種設(shè)計(jì),容量標(biāo)準(zhǔn)為512MB～8GB(如圖3)。五、延遲值:一代高過一代任何內(nèi)存都有一個(gè)CAS延遲值,它是內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣瓤炻闹匾獦?biāo)準(zhǔn),因?yàn)樵趯?shí)際工作時(shí),內(nèi)存需要與CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,而在CPU接到讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)的指令后,內(nèi)存需要等待CPU的信號(hào)請(qǐng)求,此時(shí)就需要花費(fèi)一定時(shí)間,這就是內(nèi)存的延遲時(shí)間,一般而言,內(nèi)存的延遲值越小,傳輸速度越快。但我們驚訝的發(fā)現(xiàn),從DDR、DDR2到DDR3內(nèi)存,它們的傳輸速度越來越快,頻率越來越高,容量也越來越大,延遲值非但沒有降低,反而是“翻倍”提升,譬如DDR內(nèi)存的延遲值為1.5/2/2.5/3;而到了DDR2時(shí)代,延遲值提升到了3/4/5/6,這剛好是翻倍提升;到了DDR3時(shí)代,延遲值也繼續(xù)提升到了5/6/7/8或更高(如圖4)。正因?yàn)槿绱?不少朋友認(rèn)為,既然延遲值提升了,那DDR2內(nèi)存就比DDR內(nèi)存速度慢,而DDR3內(nèi)存也沒有DDR2內(nèi)存快,實(shí)際上這是錯(cuò)誤的理解,因?yàn)橐?jì)算整條內(nèi)存的延遲時(shí)間,還要將內(nèi)存頻率計(jì)算在內(nèi),根據(jù):內(nèi)存延遲時(shí)間=內(nèi)存時(shí)鐘周期×延遲值+內(nèi)存時(shí)鐘周期,大家就可以發(fā)現(xiàn),其實(shí)DDR3內(nèi)存的延遲時(shí)間比DDR2內(nèi)存小,而DDR內(nèi)存的延遲時(shí)間同樣比DDR2高。六、功耗:一次又一次降低內(nèi)存要正常工作,必須獲得必要的核心工作電壓,而該電壓是通過金手指向主板內(nèi)存插槽來獲取,內(nèi)存電壓的高低,也反應(yīng)了內(nèi)存工作的實(shí)際功耗,譬如一些用戶為了超頻,往往會(huì)在BIOS中提高內(nèi)存電壓值,但這樣內(nèi)存在非標(biāo)準(zhǔn)電壓下工作,有時(shí)會(huì)出現(xiàn)死機(jī)、黑屏等故障。一般而言,內(nèi)存功耗越低,發(fā)熱量也越低,工作也更穩(wěn)定。在功耗方面,DDR內(nèi)存的核心工作電壓被設(shè)計(jì)為2.5V,其工作功耗大約10W左右;而到了DDR2時(shí)代,其核心工作電壓從2.5V降至1.8V,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量;到了DDR3內(nèi)存時(shí)代,核心工作電壓從1.8V再次降至1.5V,相比DDR2可以節(jié)省30%～40%的功耗(如圖5),為此我們也看到,從DDR內(nèi)存發(fā)展到DDR3內(nèi)存,盡管內(nèi)存帶寬大幅提升,但功耗反而可以降低,此時(shí)內(nèi)存在超頻性、穩(wěn)定性等方面都進(jìn)一步加強(qiáng)。小貼士三種內(nèi)存的標(biāo)注不同在內(nèi)存發(fā)展過程中,為了便于用戶識(shí)別,三種規(guī)格都采用了不同的標(biāo)注方法,DDR內(nèi)存通常以DDR266(PC2100)、DDR333(PC2700)、