本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）物方遠(yuǎn)心系統(tǒng)的設(shè)計(jì)ObjectSideTelecentricSystemDesign光刻是大規(guī)模集成電路的制造過(guò)程中最為關(guān)鍵的工藝，光刻物鏡是光刻的核心，其性能直接決定了光刻的圖形傳遞能力。本文首先對(duì)光刻物鏡的整個(gè)背景作了介紹，闡述了光刻物鏡的技術(shù)發(fā)展過(guò)程和未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。并設(shè)計(jì)了一個(gè)光刻物鏡的光學(xué)系統(tǒng)。從光學(xué)設(shè)計(jì)要求出發(fā)，分析了影響光學(xué)系統(tǒng)成像質(zhì)量的各種主要誤差因素。通過(guò)ZEMAX軟件確定了我們的鏡頭的光學(xué)設(shè)計(jì)結(jié)果。并且進(jìn)一步地，通過(guò)ZEMAX模擬，確定了加工容差，并對(duì)其加工和裝校過(guò)程作了闡述。關(guān)鍵詞：光學(xué)設(shè)計(jì)遠(yuǎn)心光路物方遠(yuǎn)心系統(tǒng)ABSTRACTLithographyisthemostimportanttechnicswhenmanufacturingofLargeScaleIntegrateCircuit.Thelithographylensisthecoreofthelithography,whosecapabilitydeterminesthetransfercapabilityofthepatterndirectly.Thelargefieldprojectionlithographylensistheone.Inthispaper,thebackgroundofthelithographylensisrepresentedfirstly,Expoundsthephotolithographyprocessandthetechnologicaldevelopmentoftheobjectivetrendofthedevelopmentoffuture.Designaphotooftheobjectiveopticalsystem.weanalyzedthevariousfactorswhichmaycausetheimagequalitydeteriorationoftheopticalsystemespeciallyforthistypeoflenses:inthispaper,byZEMAXsimulationwegettheresultofthelensdesign,andmore,wesetthetolerancebothforopticalpartsandmechanicalparts,alsotheproceduresoftheadjustmentandassemblyforthewholelensesaredescribed.Keywords:LithographyobjectiveResolutionTelecentricbeampath目錄TOC\o"1-5"\h\z\o"CurrentDocument"第一章緒論 1\o"CurrentDocument"1.1引言 1\o"CurrentDocument"1.2光刻技術(shù)的發(fā)展和前景 11.2.1光學(xué)光刻 21.2.2極紫外光刻 3\o"CurrentDocument"1.2.3X射線光刻(XRL) 3\o"CurrentDocument"1.2.4電子束光刻(EBL) 4\o"CurrentDocument"1.2.5離子束光刻(IBL) 4\o"CurrentDocument"第二章物方遠(yuǎn)心光學(xué)系統(tǒng)原理 6\o"CurrentDocument"2.1景深 6\o"CurrentDocument"2.2焦深 7\o"CurrentDocument"2.3物方遠(yuǎn)心光路 7第三章光刻物鏡光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)及優(yōu)化 10\o"CurrentDocument"3.1光刻物鏡初始結(jié)構(gòu)選取 10\o"CurrentDocument"3.2光學(xué)系統(tǒng)的優(yōu)化 12\o"CurrentDocument"第四章光學(xué)元件繪圖 16\o"CurrentDocument"光學(xué)系統(tǒng)圖 16光學(xué)膠合圖 17\o"CurrentDocument"光學(xué)零件圖 18\o"CurrentDocument"顯微光學(xué)系統(tǒng)零件圖紙 23結(jié)論 24致謝 25\o"CurrentDocument"參考文獻(xiàn) 26第一章緒論1.1引言從20世紀(jì)60年代到現(xiàn)在，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展十分迅速，根據(jù)以往一直到現(xiàn)在的結(jié)果來(lái)看，“摩爾定律”所描述的狀況仍然具有很大的現(xiàn)實(shí)意義。“摩爾定律”當(dāng)中的描述為，每隔18-24個(gè)月，單個(gè)芯片上的晶體管數(shù)目將增加一倍。從迄今為止的情況來(lái)看，集成電路已經(jīng)由一開(kāi)始的每個(gè)芯片上包含有幾十個(gè)器件發(fā)展到如今的每個(gè)芯片上可以包含有上億個(gè)器件的狀況。比方說(shuō)，Intel公司1993年推出的奔騰芯片包含了310萬(wàn)個(gè)晶體管，2001年推出的奔4芯片則包含了5500萬(wàn)個(gè)晶體管，2006年推出的芯片集成17億個(gè)以上的晶體管。我們說(shuō)提高集成度能改良半導(dǎo)體元件的性能和降低半導(dǎo)體元件的成本，而要提高它的集成度的主要方法是減小半導(dǎo)體元件的特征尺寸的大小。半導(dǎo)體元件特征尺寸的減小是通過(guò)光刻技術(shù)光刻后達(dá)到的特征線寬的縮小來(lái)達(dá)到的。在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的過(guò)程沖，有一個(gè)十分重要的原因，就是光刻技術(shù)的分辨率不斷地在提高。這主要是因?yàn)椋簭某杀旧蟻?lái)比較各種技術(shù)，光刻方法是最小的。從各種技術(shù)的成熟度上來(lái)看，光刻技術(shù)是最成熟的。所以在不斷快速發(fā)展的各種技術(shù)上，對(duì)光刻設(shè)備的改造和對(duì)光刻技術(shù)的更新所花費(fèi)的代價(jià)將會(huì)相對(duì)較小。從發(fā)展的前途上來(lái)看，以前人們認(rèn)為對(duì)亞微米，亞半微米以下的分辨率，光刻技術(shù)將會(huì)遇到無(wú)法跨越的難題，但是從目前的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，通過(guò)各種新技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展，使人們發(fā)現(xiàn)光刻技術(shù)的應(yīng)用前景還相當(dāng)廣闊，從而使得光刻技術(shù)成為各半導(dǎo)體廠家爭(zhēng)相研究的技術(shù)。1.2光刻技術(shù)的發(fā)展和前景我們知道，光刻技術(shù)的不斷進(jìn)步是在光刻鏡頭的特征線寬不斷縮小的過(guò)程中取得的。要了解在目前以及今后一段時(shí)間內(nèi)光刻技術(shù)將會(huì)有如何的發(fā)展過(guò)程，我們可以通過(guò)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)機(jī)構(gòu)ITRS于2001年發(fā)布的表1-1來(lái)知曉。表1-1ITRS2001期32W42013CD(nm)130如70503022當(dāng)前的光刻技術(shù)中，光學(xué)光刻仍處于主流地位。此前早些時(shí)候，有一種比較普遍的看法認(rèn)為光學(xué)光刻技術(shù)所能達(dá)到的極限分辨率為0.5um，但是實(shí)際上到目前為止光學(xué)光刻的分辨率己經(jīng)達(dá)到了O.lum以下。不過(guò)由于光學(xué)光刻技術(shù)的許多技術(shù)瓶頸，在解決2007年將要用到的70nm， 2010年的50nm的難關(guān)時(shí)，或許光學(xué)光刻將會(huì)顯得無(wú)能為力。所以，光學(xué)光刻以外的光刻技術(shù)，也獲得了相當(dāng)大的發(fā)展，這其中主要包括極紫外光刻(ExtremeUltra-Violet)，X射線光刻(X-Ray)，電子束光亥(Electron-BeamDirectWrite)，離子束光刻(Ion-BeamProjection)等等。1.2.1光學(xué)光刻從上個(gè)世紀(jì)60年代初期開(kāi)始，傳統(tǒng)的光學(xué)曝光技術(shù)經(jīng)歷了從接觸式曝光，接近式曝光，分步重復(fù)投影式曝光，到掃描投影式曝光。目前采用的光刻機(jī)基本上都采用了投影式光刻機(jī)(如圖1-1所示)。圖1-1投影光刻機(jī)的工作原理圖中，準(zhǔn)分子激光器作為照明光源，激光光束通過(guò)照明系統(tǒng)形成部分相干、環(huán)形、均勻光束照明掩模臺(tái)上的設(shè)計(jì)好的掩模(Mask)，將掩模圖形通過(guò)投影物鏡投影到工件臺(tái)上涂有抗蝕劑(Resist)的硅片上，使得抗蝕劑曝光，通過(guò)顯影可在抗蝕劑上獲得與掩模相同或互補(bǔ)的圖形，最后經(jīng)過(guò)刻蝕可將圖形傳到硅片上，從而實(shí)現(xiàn)掩模圖形向硅片圖形的轉(zhuǎn)換。另外一方面，由于半導(dǎo)體生產(chǎn)成本的增加，人們?cè)絹?lái)越重視設(shè)備投資在總成本中的比重，隨著芯片尺寸的不斷增大，大視場(chǎng)光刻的應(yīng)用能降低曝光的成本，所以步進(jìn)掃描設(shè)備也被更多地運(yùn)用。分布掃描(step&scan)光刻的原理如圖1-2。圖1-2分布掃描光刻原理圖但就目前來(lái)說(shuō)，光學(xué)光刻仍然是主流技術(shù)。2003年，采用193nm波長(zhǎng)的0.13um工藝已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)。但是，從另一方面來(lái)看，Intel己經(jīng)正式宣布放棄了157nm的光刻技術(shù)，從0.09um工藝一直到將來(lái)的0.045um工藝都希望在193nm的工藝上完成，而計(jì)劃在0.035um的工藝時(shí)再轉(zhuǎn)向極紫外光刻技術(shù)。Intel的這一舉動(dòng)一方面說(shuō)明其對(duì)光學(xué)光刻技術(shù)可挖掘潛力的懷疑，另一方面也說(shuō)明其對(duì)用光學(xué)光刻技術(shù)解決0.05um難題充滿(mǎn)信心。1.2.2極紫外光刻極紫外光刻采用波長(zhǎng)為10-14nm的極紫外光作為曝光光源。這項(xiàng)技術(shù)一開(kāi)始稱(chēng)作軟X射線光刻，但在NGL研究中，現(xiàn)在一般稱(chēng)軟X射線光刻為極紫外光刻技術(shù)(EUVL),并被放到了相當(dāng)重要的位置。但是這個(gè)范圍內(nèi)的曝光光源在光學(xué)材料中吸收強(qiáng)烈，所以需要采用反射的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)曝光。以投影式極紫外光刻為例，采用高功率激光器照射到靶材上，產(chǎn)生寬帶輻射，其中有可觀的EUV輻射。用反射式聚光系統(tǒng)吸收EUV輻射并投射到母板上。母板反射的EUV輻射把掩模圖形再經(jīng)過(guò)一個(gè)全共振反射的成像系統(tǒng)，縮小投影成像到涂有抗蝕劑的硅片上。EUVL與以前所有的光學(xué)光刻都很不一樣，由于波長(zhǎng)在10-14nm的極紫外光在材料中的強(qiáng)烈吸收，在它的聚光和成像光學(xué)系統(tǒng)中采取了一系列共振反射器，這對(duì)EUVL光學(xué)系統(tǒng)是一個(gè)很大的限制。EUVL的關(guān)鍵技術(shù)難題還包括EUV光源、母板、精密光學(xué)系統(tǒng)、及元件的制造等。2001年4月，Intel,AMD公司與美國(guó)的三個(gè)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室在加州Livermored的Sandia國(guó)家實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合研制的EUVL樣機(jī)被視為光刻的一個(gè)重要里程碑。據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體雜志介紹，采用的13nmEUV光源是由幾個(gè)研究單位聯(lián)合研制;反射鏡的光學(xué)表面為非球面,表面粗糙度小于一個(gè)原子直徑;達(dá)數(shù)十層的反射膜，每層膜厚的精度控制在0.1埃以?xún)?nèi):制作適用于短波長(zhǎng)的無(wú)缺陷掩模難度極大;樣機(jī)采用nm級(jí)精度的無(wú)摩擦磁懸浮工作臺(tái)。用這樣一種光學(xué)系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行大視場(chǎng)、小波前畸變、高產(chǎn)出曝光的可行性仍有待證實(shí)。但是今年來(lái)在軟X射線高反射率鏡面方面的進(jìn)展使得EUVL看起來(lái)成為可能，因此被認(rèn)為是替代光學(xué)光刻的主要侯選者。1.2.3X射線光刻(XRL)X射線的波長(zhǎng)很短(0.1nm-50nm)，曝光是通過(guò)掩模后的衍射和散射幾乎可以忽略，因此可獲得較高分辨率的圖形。今年來(lái)人們一直致力于X射線光源和掩模的研究，使之成為有競(jìng)爭(zhēng)的下一代曝光設(shè)備。目前，獲得X射線普遍采用的是昂貴的同步輻射X射線源，這限制X射線光刻大規(guī)模的推廣和應(yīng)用。激光等離子體X射線源正在研究中。由于X射線穿透力很強(qiáng)，目前多數(shù)的光學(xué)系統(tǒng)不能對(duì)它進(jìn)行反射或折射，因此多采用接近式曝光(PXL)。掩模板的制作也是X射線接近式光刻的關(guān)鍵工藝，由于接近式暴光采用的是1:1的掩模圖形,即掩模板上的圖形和傳遞到芯片上圖形大小一樣，因此這種掩模在制作方面比投影光刻中所用的掩模要困難得多，同時(shí)還難以獲得具有良好機(jī)械物理特性的掩模襯底。因此，關(guān)于掩模和X射線光源的研究一直是X射線射線光刻的熱點(diǎn)問(wèn)題。近年來(lái)在掩模技術(shù)方面的研究取得了較大進(jìn)展，目前認(rèn)為SiC是最合適的襯底材料。除了以上兩個(gè)方面以外，X射線光刻技術(shù)的實(shí)用性還取決于抗蝕劑、光刻元件、光刻系統(tǒng)等。XRL一度被認(rèn)為是替代光學(xué)光刻的最佳侯選者，但由于光學(xué)光刻技術(shù)的發(fā)展和其它光刻技術(shù)的新突破，它不再是未來(lái)“唯一”的侯選技術(shù)，美國(guó)最近對(duì)XRL的投入有所減小。盡管如此，日本等國(guó)仍然對(duì)XRL技術(shù)給予了足夠的重視。即使未來(lái)光學(xué)光刻的替代技術(shù)不是XRL,但是由于X射線的超強(qiáng)穿透能力，適用于制作大深寬比微結(jié)構(gòu)，因此，XRL在微機(jī)械、微系統(tǒng)中同樣具有廣闊的應(yīng)用前景。1.2.4電子束光刻(EBL)電子束光刻(EBL)采用高能電子束對(duì)抗蝕劑進(jìn)行暴光從而獲得結(jié)構(gòu)圖形。由于電子束的德布羅意波長(zhǎng)為0.004nm左右，因此EBL幾乎不受衍射效應(yīng)的影響，可獲得極高的分辨率和焦深，并能直接產(chǎn)生圖形。當(dāng)前，EBL廣泛應(yīng)用于光學(xué)和非光學(xué)光刻技術(shù)中的高精度掩模制造，同時(shí)也是加工用于特殊目的的器件和結(jié)構(gòu)的主要方法。由于EBL生產(chǎn)效率低，遠(yuǎn)小于目前對(duì)光刻產(chǎn)能的要求，限制了其進(jìn)一步使用，因此，在高分辨率條件下獲得更高的生產(chǎn)效率是EBL研究的重點(diǎn)。1995年，貝爾實(shí)驗(yàn)室提出了與原有的電子束投影光刻技術(shù)完全不同的“限角散射投影電子束光刻方法”---SCALPEL技術(shù)，它避開(kāi)了常規(guī)掩模版所遇到的困難，給電子束光刻注入了新的活力。SCALPEL采用高亮度電子源，其掩模是由在低原子序數(shù)材料上覆蓋高原子序數(shù)材料層組成，電子束經(jīng)磁透鏡聚焦對(duì)掩模進(jìn)行均勻照明，并采用特殊過(guò)濾技術(shù)去除掩模吸收體產(chǎn)生的散射電子，最后經(jīng)縮小投影在硅片上獲得高反差的縮小掩模圖象。SCALPEL的優(yōu)點(diǎn)在于分辨率高、焦深長(zhǎng)、生產(chǎn)率高，一度被眾多廠一家看好。1.2.5離子束光刻(IBL)離子束光刻(IBL)采用液態(tài)原子或氣態(tài)原子電離后形成的離子通過(guò)電磁場(chǎng)加速及電磁透鏡的聚焦或準(zhǔn)直后對(duì)涂在硅片上的抗蝕劑進(jìn)行暴光。IBL技術(shù)的原理與電子束光刻(EBL)類(lèi)似，只不過(guò)離子的質(zhì)量比電子更大，德布羅意波長(zhǎng)更短(小于O.OOOlnm),具有鄰近效應(yīng)小、分辨率比EBL高等優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)由于離子質(zhì)量較重，使得在抗拾劑上的暴光深度有限，一般不超過(guò)0.5um。對(duì)IBL的研究起源于上世紀(jì)70年代，但從80年代液態(tài)金屬離子源出現(xiàn)之后，IBL技術(shù)才真正得到發(fā)展。IBL主要包括聚焦離子束光刻(FIBL)、離子束投影光刻(IPL)等。其中FIBL發(fā)展最早，最近在實(shí)驗(yàn)室研究中己經(jīng)獲得10nm的分辨率。由于FIBL效率低，很難在半導(dǎo)體生產(chǎn)中作為暴光工具使用?；谔岣呱a(chǎn)效率的目的，又發(fā)展了具有較高暴光效率的IPL技術(shù)。1997年，歐洲應(yīng)用微電子開(kāi)發(fā)組織(MEDEA)開(kāi)始研制全視場(chǎng)IPL工藝設(shè)備，目前IPL己經(jīng)克服了許多技術(shù)難題，現(xiàn)在正在對(duì)離子光學(xué)柱、圖象鎖定系統(tǒng)進(jìn)行攻關(guān)，力爭(zhēng)盡快推出商業(yè)化設(shè)備。總的看來(lái)，離子束光刻尚處于發(fā)展階段，需要解決抗蝕劑的暴光深度、掩模制作高能離子束源及離子束的聚焦等問(wèn)題，距離實(shí)用化還需一定時(shí)間。目前IBL主要用作掩模的修補(bǔ)工具和特殊器件的修整。第二章物方遠(yuǎn)心光學(xué)系統(tǒng)原理2.1景深景深顧名思義是指能成清晰像的景物空間深度。人們?cè)谡诊L(fēng)景照時(shí)，總希望相機(jī)有較大的景深，能把人物前后的美好風(fēng)景一起成像在底片上，也就是說(shuō)要把某一個(gè)空間內(nèi)的物體成像在一個(gè)平面上。從理想光學(xué)系統(tǒng)的共線成像理論角度來(lái)看，這顯然是有矛盾的。因?yàn)楦鶕?jù)理想光學(xué)系統(tǒng)的共線成像理論：物空間內(nèi)的每一點(diǎn)對(duì)應(yīng)于像空間中相應(yīng)的一點(diǎn)，且只有一點(diǎn)與之對(duì)應(yīng)，此兩點(diǎn)稱(chēng)為共扼點(diǎn)；物空間內(nèi)的每一條線對(duì)應(yīng)于像空間中相應(yīng)的一條線，且只有一條直線與之對(duì)應(yīng)，此兩線稱(chēng)為共扼線。由此可以推論：物空間的每一個(gè)平面對(duì)應(yīng)于像空間中相應(yīng)的一個(gè)平面，且只有一個(gè)平面與之對(duì)應(yīng)，此兩平面稱(chēng)為物空間和像空間的共扼面。那么空間物體能不能在一個(gè)平面上成清晰像呢？實(shí)踐證明是完全可能的。圖2-1圖2-1景深現(xiàn)在結(jié)合圖2-1我們來(lái)討論這個(gè)問(wèn)題，為了清楚圖中只用入射瞳和出射瞳來(lái)表示光學(xué)系統(tǒng)。A平面是物平面，A'平面是與A共扼的像平面，空間點(diǎn)B和B位于物平面之外，B121和B經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)后的共扼點(diǎn)分別為B和B，由于點(diǎn)B和B不在A平面上，所以點(diǎn)B和212121B也不在A'平面上,2的投影是彌散斑D；空間點(diǎn)B在AB也不在A'平面上,2的投影是彌散斑D；111空間點(diǎn)B在A平面上的投影是彌散斑D，其共扼點(diǎn)D在A'平面221上的投影是彌散斑D'，顯然，D與D'共扼，D與D'共扼。如果在像平面A'上設(shè)置光21122能接收器（如底片，人眼等），對(duì)空間點(diǎn)B和B來(lái)說(shuō)，光能接收器所接收到的是它們的12共扼點(diǎn)B'和B在像平面上的彌散斑D和D。由于任何光能接收器的分辨本領(lǐng)都有一1212定限度,比如對(duì)人眼來(lái)說(shuō)，當(dāng)兩個(gè)物點(diǎn)對(duì)人眼的張角小于1'時(shí)，人眼就會(huì)認(rèn)為是一個(gè)點(diǎn)因此，實(shí)際上并不要求光學(xué)系統(tǒng)像平面上所有的像點(diǎn)都為一幾何點(diǎn)，只要其在像平面上的彌散斑足夠小就可以了。這說(shuō)明一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)能否對(duì)空間物體成清晰的平面像決定于：、物平面之外的空間點(diǎn)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)后在像平面上的彌散斑大小。、光學(xué)系統(tǒng)光能接收器的分辨能力。因此，只要物平面之外的空間點(diǎn)B和B經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)后在像平面上的彌散斑足夠12小，那么光學(xué)系統(tǒng)的光能接收器就會(huì)認(rèn)為該彌散斑也是一個(gè)點(diǎn)。此時(shí)在B到B點(diǎn)之間12的空間內(nèi)的物體經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)后均能在像平面上成清晰的像，B點(diǎn)和B點(diǎn)之間的空間就12是能在像平面上獲得清晰像的物空間深度，簡(jiǎn)稱(chēng)景深。2.2焦深影響光學(xué)儀器的景深有諸多因素，如影響照相機(jī)景深的因素主要有：光圈大小，光圈愈小景深愈大；相機(jī)鏡頭焦距的長(zhǎng)短，鏡頭焦距愈短景深愈大；物距愈大景深也愈大。和上述情況類(lèi)似，假如物平面位置固定為A平面，當(dāng)像平面位于B'或者B'時(shí)，12A點(diǎn)的像在B'平面或B'平面上將不形成點(diǎn)像，而形成彌散斑。如果這個(gè)彌散斑對(duì)光能12接收器來(lái)說(shuō)是足夠小的話(huà)，那么位于B'或者B'平面處的光能接收器仍將認(rèn)為該彌散斑12也是一個(gè)點(diǎn)則此時(shí)光能接收器認(rèn)為光學(xué)系統(tǒng)所成的像仍是一個(gè)清晰像點(diǎn)，因此說(shuō)把物面位置固定時(shí)所成的清晰像面沿光軸的移動(dòng)量，稱(chēng)為焦深。2.3物方遠(yuǎn)心光路然而，并不是所有的光學(xué)儀器都希望有較大的景深和焦深。對(duì)于某些測(cè)量用的光學(xué)儀器，希望它們有較小的景深和焦深。例如讀數(shù)顯微鏡希望它有較小的景深，因?yàn)榫吧畹拇嬖谥苯佑绊懙竭@類(lèi)儀器的測(cè)量精度，如圖2-2是讀數(shù)顯微鏡的光學(xué)系統(tǒng)原理圖，它由物鏡、分劃板和目鏡組成。分劃板即為刻有刻度的平玻璃板，它固定在物鏡的實(shí)像面處。被測(cè)物體AB經(jīng)物鏡成像為AB,，在分劃板上，眼睛通過(guò)目鏡勘觀察和讀數(shù)，在分劃板上所讀出的像高A'B'除以物鏡的橫向放大率后即為被測(cè)物體的高度。

從上述測(cè)量原理可以看出，測(cè)量精度的高低在很大程度上取決于實(shí)際像平面和分劃板刻劃面的重合程度。由于景深的存在，只要被測(cè)物體處在光學(xué)系統(tǒng)的景深范圍之內(nèi)，被測(cè)物體都可以經(jīng)物鏡在分劃板上成清晰像。此時(shí)，實(shí)際像平面與分劃板刻劃面可能沒(méi)有重合，測(cè)得的讀數(shù)可能大于實(shí)際值，也可能小于實(shí)際值。當(dāng)實(shí)際像面位于分劃板刻面之前測(cè)量讀數(shù)小于實(shí)際值；若實(shí)際像面位于分劃板刻面之后則測(cè)量讀數(shù)大于實(shí)際值。這種實(shí)際像面與分劃板刻面不重合的現(xiàn)象稱(chēng)為視差。為了克服這種由于景深存在而引起的測(cè)量誤差實(shí)際光學(xué)系統(tǒng)中經(jīng)常采用一種稱(chēng)為物方遠(yuǎn)心光路的特殊光路來(lái)解決，這種特殊光路如圖2.3所示。它的特殊之處在于把光學(xué)系統(tǒng)的孔徑光闌設(shè)在物鏡的像方焦平面上，這樣從物體上各點(diǎn)發(fā)出的光束經(jīng)物鏡后，其主光線均通過(guò)孔徑光闌中心所在的像方焦點(diǎn)F'處；而在物方則平行于主光軸。因此，物體上同一點(diǎn)發(fā)出的成像光束的主光線不隨物體位置的改變而改變。當(dāng)物體BB正確12地位于與分劃板刻劃面A'共扼的A］處時(shí)，它成像在分劃板刻劃面上，其像高取決于成像光束的主光線在分劃板刻劃面上的交線高度。圖中像高為MM。，當(dāng)物體上兩點(diǎn)BB1212由于調(diào)焦不準(zhǔn)（實(shí)際上是由于光學(xué)系統(tǒng)景深的存在）而位于A處時(shí)，它的像B'B'將偏離212分劃板刻劃面，此時(shí)在分劃板刻劃面上得到的是兩個(gè)彌散園斑，而彌散園斑中心則是成像光束主光線在分劃板刻劃面上的交點(diǎn)，由于在這個(gè)特殊光路中，物體上某一點(diǎn)所發(fā)出的成像光束主光線不隨物體位置移動(dòng)而改變，所以物體BB從A移動(dòng)到A，但其1212成像光束的主光線并沒(méi)有改變，仍通過(guò)分劃板刻劃面上的M和M兩點(diǎn)，在分劃板刻12劃面上按兩個(gè)彌散園中心讀出的像高仍然為MM，這樣由于調(diào)焦不準(zhǔn)或者說(shuō)由于景12深的存在而產(chǎn)生的視差并不影響測(cè)量結(jié)果，在這個(gè)特殊光路中，由于孔徑光闌設(shè)在物鏡的像方焦面上，使得入射瞳在物空間無(wú)窮運(yùn)處，平行于光軸的物方主光線好像是從物空間無(wú)窮遠(yuǎn)的入射瞳中心發(fā)出的，所以稱(chēng)這種光路為物方遠(yuǎn)心光路，第三章光刻物鏡光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)及優(yōu)化通過(guò)前面兩章的介紹，我們大致了解了投影光刻物鏡的幾個(gè)基本指標(biāo)以及當(dāng)前的技術(shù)現(xiàn)狀。光刻物鏡作為光刻機(jī)的核心，其性能直接決定了光刻的圖形傳遞能力。對(duì)于投影光刻物鏡目前的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)說(shuō)，一方面向深亞微米、高分辨率方向發(fā)展，其主要用于超大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)制造;另一方面，目前用的方法獲得的導(dǎo)線太寬、密度太底等，為此用投影光刻方法來(lái)制作大面積、高分辨率印刷線路板具有重要的意義，這種光刻的分辨率雖然和上章所講的指標(biāo)有一定差距，但是要求一次光刻的面積大，所以大視場(chǎng)投影光刻物鏡的研制也是一個(gè)主要的發(fā)展方向。3.1光刻物鏡初始結(jié)構(gòu)選取其各項(xiàng)主要技術(shù)指標(biāo)為：采用物方遠(yuǎn)心光路，放大倍率是1.5倍，F(xiàn)數(shù)7.5,畸變小于1%。根據(jù)以上的分析，參照各項(xiàng)鏡頭指標(biāo)參數(shù)的要求，然后通過(guò)光學(xué)設(shè)計(jì)軟件ZEMAX計(jì)算該鏡頭的光學(xué)成像質(zhì)量，對(duì)球差、彗差、像散和畸變等像差進(jìn)行優(yōu)化。光學(xué)傳遞函數(shù)MTF反映了各個(gè)像差對(duì)設(shè)計(jì)指標(biāo)的影響。根據(jù)論文要求的參數(shù)，以及光學(xué)系統(tǒng)像質(zhì)要求，從光學(xué)鏡頭手冊(cè)上選取如下的初始結(jié)構(gòu)參數(shù)圖3-1：Eurf:咖MugGM：eni-Diare7￡iQEJStaokidInfinityLC.OCMLi.DOdDOC1Standard32.D13E11K92.H9372nStandaid■8.6253173.00D00D2肛2.11SD5DStauiard12.52DC3BL.um;Staukid12.K2630B2.3fML碼dStauiard-5.5C&212.00D00D2F11JM550fcftaukid-33.142235o.sM1.L15懈口Stauiard"r.-iniTyH1.DW0DU.Stmkni工Mui可■圖3-1初始結(jié)構(gòu)圖3-2、3-3、3-4、3-5為初始結(jié)構(gòu)光學(xué)系統(tǒng)圖及相差曲線圖。LflVDLITSHTMliY152012TQTFIL冃KIFILLENGTHi 呂尋?Z7D73hill“ 0 H.Zh1XCQNRrCUR口丁工□『?」1Dl=1圖3-2初始結(jié)構(gòu)圖TE NMTSQ.EKHa1*1TS1ElEEflMMT]! 2L S X R2 T? Si TC5FFiTTALFREaLIENC?TNCYCLESPERHH.NIS.5b.山b.EnJE也一口UJl-ll-也口L-rl「_1n口□￡P(guān)aLYCHRa-RTICDIFFRACTIO-■■TFSHT即丫2QL2jU□M.ZMK□□NFLCURfiTIDM1CF1□FITnFOR0.larh]TO0.t.5t-ag3IJRFFIL：jU□M.ZMK□□NFLCURfiTIDM1CF1圖3-3初始MTFPUPIL口口□工LI忌￡幺.SEN7HTLLTHETERS：L匚IHGITLI匚ID舊LREEEERT工3SFITriHY"2SL2WRUELEMGTHS!d?HE6 0.5BS □.t-56mila.dttthiHi;d.bum圖3-4初始球差MON.ZMXCQMFIGURAT工口N1口1= 1mriL.OHbm* 0.NEtlxDi6BF6■Ei力563Dfi;啦.侶：冷1affFCBPflIffil乜3T圈affFCBPflSFOTDIRGRHnSHTfflT192112IXCTSFEE宀FQF「EFOUS:1E/E：嚴(yán)FIELD： 1 Z 2總□A.ZMX匚口訊尸工匚口甩日廠工口卜」總□A.ZMX匚口訊尸工匚口甩日廠工口卜」1OF1[￡]岡叩」3i ?.B75 盂；用的 T気戢B旺HLEBFR■ RS=SErKE'[H￡B=FHi'圖3-5初始點(diǎn)列圖3.2光學(xué)系統(tǒng)的優(yōu)化由于初始結(jié)構(gòu)的像質(zhì)不是很好，且達(dá)不到光學(xué)系統(tǒng)所要求的各種參數(shù)，因此我們采用zemax仿真軟件對(duì)其進(jìn)行仿真，并進(jìn)一步優(yōu)化，力求得到一個(gè)較好的物鏡。選擇主菜單Editors下的MeritFunction，打開(kāi)優(yōu)化函數(shù)界面，再在該界面中的Tools下選擇DefaultMeritFunction。在最前面插入一個(gè)面，將焦距設(shè)為優(yōu)化操作數(shù)，即Type中輸入AXCL，選取0.707波帶，目標(biāo)值Target中輸入0,權(quán)重Weight設(shè)為1。單擊快捷按鈕中的Opt,并點(diǎn)擊Automatic,系統(tǒng)執(zhí)彳丁自動(dòng)優(yōu)化。優(yōu)化后發(fā)現(xiàn)結(jié)果比之前好很多。物鏡形狀，MTF值，點(diǎn)列圖，球差曲線圖等基本都達(dá)到了設(shè)計(jì)要求，圖像如下圖所示:三LAYDUT3FITMAY1920L2TOTHLHXIRLLENGTH! 】日刁，白號(hào)]5訂鬥川O H?^lMX匚HIM匚工匚LI口PIT工UN1□匚1圖3-6優(yōu)化后的系統(tǒng)圖從圖上可以看出物鏡形狀比較合適，且光路符合設(shè)計(jì)要求。722.QQBQNHT3Q.B0QSm|TE1.ED0QMMl.BD.BIL□ D.TUJ工 DihDiGDilE>.aEl G ]EI LG 3 X 31 3 ? IE； QQ3FRTTALFREqUENCYZNCYCLESPERHHPOLVCHRQHRTIC□IFFPACTIONMTFSHTMFIY152QL2□冃廠冃尸□尺ei>iatiito0.tst.a43URFIir；EiznriGE0 h?zr-1xCLlNFrCURflTZDN1OF1圖3-7優(yōu)化后的MTF曲線PUPIL口口□工LIE!1? MZLLIMETERSSFITMliY2QL2UFI'.-'ELENGTHS! 0-Mot. EL5E5 Q.656□H?2：MXCQNPZCURATIQM1DP1圖3-8優(yōu)化后的球差曲線圖3-9優(yōu)化后的點(diǎn)列圖匚工巨1_匸|CURU口丁1」口匚DISTORTIONFERGEhTEIEL5口」口UHTLI口匚□工ST匚區(qū)T工匚I卜」SFITMRY1弓2012OA?ZMXCQMRZCURFITHIjM1□!=1rinxinur-1尸HELUZ5z.HDDmilliheterdWri'/ELENGTHSiOA?ZMXCQMRZCURFITHIjM1□!=1圖3-10優(yōu)化后的畸變、象散UflUEFRONTFUNCTION3=TTHRT15?2M1ZEi?5B?t3FlT氏&M昌片1F￡AKTDUFlLLEY-Q.BEtJlUP-.-ES.fflS■Q klff-.-CS,OH.ZlMXOH.ZlMXCDNFLGURATION1DF1E：QTFLFILDIHHETEB：2?HDEGE+BEGiUnUMETSS圖3-11優(yōu)化后的波球差為了使優(yōu)化效果更為完善，我們可以調(diào)出塞德和數(shù)，觀察哪些面對(duì)像差的影響較大，然后對(duì)該面的半徑進(jìn)行手動(dòng)微調(diào)。第四章光學(xué)元件繪圖光學(xué)制圖的對(duì)象是光學(xué)零件。而光學(xué)零件至少是具有一個(gè)平面或球面，或非球面的有光學(xué)效應(yīng)的結(jié)構(gòu)元件。光學(xué)制圖的內(nèi)容包括圖樣、尺寸標(biāo)注和標(biāo)記符號(hào)的使用三個(gè)方面。圖樣包括視圖、剖面、引出線、倒角和檢驗(yàn)范圍。尺寸標(biāo)注包括對(duì)透鏡、平板玻璃、棱鏡、反射鏡、濾光鏡等光學(xué)零件的尺寸標(biāo)注方法，以及在光學(xué)零件制圖中使用的特殊符號(hào)和特征號(hào)。4.1光學(xué)系統(tǒng)圖1、一般按光路前進(jìn)方向是自左到右、自下而上繪制，亦可根據(jù)使用位置繪制。2、光學(xué)系統(tǒng)圖應(yīng)繪出（或表示出）：1）屬于該系統(tǒng)的光學(xué)零件、光學(xué)膠合件、光源和接受器2）與機(jī)械結(jié)構(gòu)有關(guān)的特征位置（見(jiàn)圖4-1中轉(zhuǎn)軸中心線）。亦可根據(jù)需要繪出物面、像面、光闌、光瞳、狹縫、眼點(diǎn)、特征面（如分劃面、鍍膜面、毛面……等）和被測(cè)物體等。3、 可活動(dòng)部分繪于初始位置，亦可根據(jù)需要繪出極限位置（見(jiàn)圖4-1）4、 光學(xué)系統(tǒng)中有多個(gè)分劃元件（如分劃板、度盤(pán)、標(biāo)尺等）在同一視場(chǎng)中成像時(shí)，可將像面上的視見(jiàn)情況繪出示意圖，并注出“視見(jiàn)示意圖”字樣。此圖的比例可以不與整個(gè)圖樣一致，細(xì)節(jié)允許夸大。5、 光學(xué)系統(tǒng)圖應(yīng)標(biāo)注以下尺寸：1） 各組成部分以及與機(jī)械結(jié)構(gòu)有關(guān)的特征位置之間的相對(duì)位置2） 光闌、光瞳及狹縫的大小和方位3） 活動(dòng)部分的變化范圍（見(jiàn)圖4-1中的81~100），此項(xiàng)亦可列表表明。6、 光學(xué)系統(tǒng)圖上一般以光源、光學(xué)零件、光學(xué)膠合件和接收器為單元，沿光路前進(jìn)方向編排序號(hào)，置換使用的零件、膠合件序號(hào)連續(xù)編排（圖4-1中的3、4）。重復(fù)出現(xiàn)的相同零件、膠合件均標(biāo)第一次編排的序號(hào)。最后編排附件序號(hào)。7、 光學(xué)系統(tǒng)圖上應(yīng)列出該系統(tǒng)的主要光學(xué)性能。亦可根據(jù)需要列出組成部分的光學(xué)性能、光學(xué)結(jié)構(gòu)參數(shù)和矢高。8、 根據(jù)需要可增繪部件的光學(xué)系統(tǒng)圖。9．、根據(jù)需要可增繪光學(xué)系統(tǒng)軸測(cè)示意圖。圖4-1即是一個(gè)簡(jiǎn)單的光學(xué)系統(tǒng)圖。

35nii479111013520.5土0.181~10035nii479111013520.5土0.181~100轉(zhuǎn)軸中心線1-物鏡2-調(diào)焦鏡3-十字分劃板4-讀書(shū)分劃板5-高斯目鏡圖4-1光學(xué)系統(tǒng)圖4.2光學(xué)膠合圖光學(xué)膠合件圖在左上角畫(huà)出“對(duì)膠合件的要求”專(zhuān)用表格（如圖4-2下表格），格式及尺寸見(jiàn)GB/T13323-1991。膠合要求和非通光面的鍍層要求可在技術(shù)條件中注明。如圖4-2是一個(gè)膠合透鏡光學(xué)圖。14土14土0.2-技術(shù)要求：1.用冷杉樹(shù)脂膠膠合2.膠合層不得有油漬、灰塵與氣泡對(duì)膠合件的要求對(duì)膠合件的要求N3Lf45AN0.3Lf45

ARB%X5，9B3x0.063D048廣50圖4-2膠合透鏡4.3光學(xué)零件圖1、完整的光學(xué)零件圖應(yīng)包括：光學(xué)零件圖應(yīng)在左上角畫(huà)出“對(duì)材料的要求”與對(duì)“零件的要求”專(zhuān)用表格（如圖4-3），格式及尺寸見(jiàn)G.B/T13321-1991。圖4-3是一個(gè)凹透鏡完整的光學(xué)零件圖。技術(shù)要求：技術(shù)要求：1.1.鍍?cè)鐾改ぃ?05nm九=905nm,R<1.0%0對(duì)材料的要求An1BAVd1B光學(xué)均勻性3雙折射2光吸收系數(shù)3條紋度1C

氣泡度1C對(duì)零件的要求N0.5AN0.1ARAC0.01BIVfDO圖4-3透鏡圖4-4為棱鏡光學(xué)零件圖（省略對(duì)材料及零件的要求）技術(shù)要求：技術(shù)要求：///o32O±OC///o32O±OCJB/T8226.1,九0=52Onm2JB/T8226.1,九0=52Onm2、JB/T8226.4,a=15。圖4-4棱鏡2、對(duì)零件的加工要求設(shè)計(jì)一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)，對(duì)零件的加工有具體的要求，即對(duì)各個(gè)零件的尺寸和公差有一定的要求。1）光學(xué)零件外徑的確定a）根據(jù)設(shè)計(jì)要求，考慮到具體的零件加工，需選擇合適的透鏡外徑。例：設(shè)計(jì)一個(gè)透鏡，f=1000mm,-=丄，則通光口徑D=￡=1QQQmm=100。透鏡用壓圈固定，其f' 10 10 10所需余量由表4-1查得為3.5，由此可求得透鏡的外徑為103.5.表4-1光學(xué)零件的外徑余量通光口徑D/mm外徑?/mm用滾邊法固定用壓圈固定到6D+0.6—>6~10D+0.8D+1>10~18D+1D+1.5>18?30D+1.5D+2.0通光口徑D/mm外徑?/mm用滾邊法固定用壓圈固定>30-50D+2D+2.5>50~80D+2.5D+3.0>80~120—D+3.5>120—D+4.5表4-1是光學(xué)零件與鏡框固定所需要的外徑余量。b）確定零件的外徑后，隨即要確定外徑公差。外徑公差可查表確定，見(jiàn)表4-2。表4-2圓形零件與鏡框的配合公差零件性質(zhì)公差與配合零件性質(zhì)光學(xué)零件 鏡框高倍顯微物鏡和較高精度的望遠(yuǎn)物鏡、照相物鏡低倍顯微物鏡和高精度望遠(yuǎn)物鏡、具有調(diào)節(jié)視度裝置的高倍目鏡一般望遠(yuǎn)鏡和一般目鏡、聚光鏡、轉(zhuǎn)像透鏡、分劃板濾光鏡、反射鏡、保護(hù)鏡配合的

非配合的配合的

非配合的配合的

非配合的h、h高倍顯微物鏡和較高精度的望遠(yuǎn)物鏡、照相物鏡低倍顯微物鏡和高精度望遠(yuǎn)物鏡、具有調(diào)節(jié)視度裝置的高倍目鏡一般望遠(yuǎn)鏡和一般目鏡、聚光鏡、轉(zhuǎn)像透鏡、分劃板濾光鏡、反射鏡、保護(hù)鏡配合的

非配合的配合的

非配合的配合的

非配合的h、h6 7bCCb11、C10、C11H、H9bCCb11、C10、C11扎bCCb11、C10、C11H、H9d11H112）光學(xué)零件的中心厚度及邊緣最小厚度的確定正透鏡的邊緣及負(fù)透鏡的中心必須具有一定的厚度，以保證光學(xué)零件必要的強(qiáng)度

使其在加工中不易變形。透鏡的中心厚度與邊緣最小厚度應(yīng)按標(biāo)準(zhǔn)GB/T1205-1975給定，數(shù)值可見(jiàn)查表4-3確定。表4-3透鏡邊緣及中心的最小厚度透鏡直徑D/mm

到6>6?10邊厚t/mm0.4透鏡直徑D/mm

到6>6?10邊厚t/mm0.40.7中心最小厚度d/mm0.60.8透鏡直徑 邊厚 中心最小厚度D/mm>30~50>50?80t/mm22.5>10~18 1>18?30 1.51.01.5>80?120 3>120~150 3.5d/mm7.53）零件厚度公差a）透鏡中心厚度的公差隨透鏡大小及用途而不同，具體數(shù)值參考表4-4，要求高的可按計(jì)算結(jié)果給出。表4-4透鏡的厚度公差透鏡類(lèi)型儀器類(lèi)型厚度公差/mm物鏡顯微鏡及實(shí)驗(yàn)室儀器土0.01~±0.05照相物鏡及放映鏡頭土0.05?±0.3望遠(yuǎn)鏡±0.1?±0.3目鏡各種儀器±0.1?±0.3聚光鏡各種儀器±0.1?±0.5b）分劃板的厚度及其公差參考表4-5的數(shù)值。表4-5分劃板的厚度及公差（單位mm）分劃板直徑D厚度及其公差分劃板直徑D厚度及其公差至到101.5±0.3>30~504±0.3>10~182±0.3>50~805±0.5>18~303±0.54）光學(xué)零件的倒角光學(xué)零件的倒角分為結(jié)構(gòu)性和工藝性?xún)纱箢?lèi)?，F(xiàn)根據(jù)GB/T1204-1975給出工藝性倒角的數(shù)值。1、圓形光學(xué)零件的倒角倒角寬度b按表4-5(a)給出。倒角角度a按表4-5(b)給出。在圖樣上應(yīng)標(biāo)注倒角寬度和角度，如圖4-3中的0.3&0.2x45。。2、非圓形光學(xué)零件的倒角一般小于135。的兩面角需倒角。棱鏡倒角寬度按表4-5(c)給出。在圖樣上應(yīng)注明倒角寬度，如倒兩面角°.2加2；倒三面角1.0加4。表4-5(b)圓形光學(xué)零件倒角角度零件直徑與表面半徑的比值D/r倒角角度a凸面凹面平面<0.745。45。45。<0.7?1.530。60。<1.5~2——90。表4-5(c)棱鏡倒角寬度（單位：mm）最短棱邊長(zhǎng)度二面角倒角寬度三面角倒角寬度倒角位置>6~10>10~30>30~50>500.1+0-100.4+0.300.2+0.200.4最短棱邊長(zhǎng)度二面角倒角寬度三面角倒角寬度倒角位置>6~10>10~30>30~50>500.1+0-100.4+0.300.2+0.200.4+0.300.6+0.400.8+0.51.0+0.401?5+0.502+0.602.5+0.80兩面角倒角面垂直于兩面角的二等分面三面角倒角面垂直于三面角中每個(gè)兩面角的二等分線之交線4.4顯微光學(xué)系統(tǒng)零件圖紙由于本光學(xué)系統(tǒng)多用的透鏡較多,所以只給出一個(gè)透鏡的圖紙，如圖4-5所示對(duì)材?杠拜駛QQ9對(duì)材?杠拜駛QQ913KE3-3D.1血矗CO-Oi3Kf21L356EHD臚W451 I工護(hù)如（TXJl/G工I曲遵轄g^gStt二藝ZF2m三-汗2:111|&圖4-5透鏡圖紙?jiān)诠鈱W(xué)光刻方面，由于傳統(tǒng)的光學(xué)光刻技術(shù)處于不斷發(fā)展之中，同時(shí)結(jié)合了一些分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)和改善工作焦深的新方法，使得現(xiàn)有的光學(xué)光刻依然保持著活力。光刻研究的工作者不斷在分辨率和大視場(chǎng)上尋求突破，對(duì)于本課題研究的光刻物鏡，存在著視場(chǎng)和分辨率、分辨率和焦深的矛盾，使得其物理極限客觀存在。而下一代的光刻技術(shù)盡管取得了一些突破，但由于費(fèi)用、生產(chǎn)率、實(shí)現(xiàn)性等問(wèn)題，投入大規(guī)模使用尚待時(shí)日。這些技術(shù)目前處于替代光學(xué)光刻的“侯選者”地位，在未來(lái)具體采用哪一種光刻技術(shù)，取決于它們的技術(shù)成熟程度、設(shè)備成本、生產(chǎn)效率等，目前的形式還不明朗。此外，目前還出現(xiàn)了一些新的光刻技術(shù)和方法，如干涉光刻、成像干涉光刻、全息光刻、原子光刻等，對(duì)現(xiàn)有的光刻技術(shù)形成了有益的補(bǔ)充和推動(dòng)?？梢灶A(yù)見(jiàn)的是，未來(lái)的應(yīng)用于高度集成電路的光刻物鏡將會(huì)是突破光學(xué)光刻技術(shù)之外的高分辨率和大視場(chǎng)的光刻技術(shù)的完美結(jié)合。致謝經(jīng)過(guò)近三個(gè)月的忙碌和工作，本次畢業(yè)論文設(shè)計(jì)已經(jīng)接近尾聲，作為一個(gè)本科生的畢業(yè)論文，由于經(jīng)驗(yàn)的匱乏，難免有許多考慮不周全的地方，如果沒(méi)有導(dǎo)師的督促指導(dǎo)，以及一起工作的同學(xué)們的支持，想要完成這個(gè)設(shè)計(jì)是難以想象的。老師學(xué)識(shí)豐富、知識(shí)淵博、治學(xué)態(tài)度嚴(yán)謹(jǐn)、對(duì)工作孜孜以求的熱忱令我感動(dòng)，也是我今后工作優(yōu)秀的榜樣。還要感謝校圖書(shū)館老師的大力幫助，他們熱情的服務(wù)，敬業(yè)的精神使我感動(dòng)，他們?yōu)槲覀兊漠厴I(yè)設(shè)計(jì)提供了大量的圖書(shū)、資料。最后，特別感謝光電工程分院各位老師及母校對(duì)我大學(xué)四年的悉心培養(yǎng)，教我從一