中微公司研究報(bào)告：內(nèi)生外延促成長，中國版泛林初具雛形一、國產(chǎn)刻蝕設(shè)備龍頭，內(nèi)生外延拓展奠定營收增長新動(dòng)力1.1國內(nèi)刻蝕設(shè)備龍頭，加速平臺(tái)化布局中微公司系國家“02專項(xiàng)”首批項(xiàng)目承擔(dān)單位，是國內(nèi)老牌刻蝕設(shè)備龍頭。公司于2004年在上海張江科技園成立；2007年首臺(tái)12英寸甚高頻去耦合等離子體刻蝕設(shè)備PrimoD-RIE研發(fā)成功并交付客戶，正式進(jìn)入半導(dǎo)體前道裝備領(lǐng)域；2008年入選國家科技重大專項(xiàng)（02專項(xiàng)）首批項(xiàng)目承擔(dān)單位，獲批承擔(dān)國家《65~45nm介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》項(xiàng)目；2010年首臺(tái)深硅刻蝕設(shè)備研發(fā)成功，切入先進(jìn)封裝領(lǐng)域；2013年公司投資睿勵(lì)儀器，布局檢測設(shè)備領(lǐng)域；2016年首臺(tái)MOCVD設(shè)備PrimoD-Blue研發(fā)成功，成功拓展LED領(lǐng)域；2016年首臺(tái)VOC設(shè)備的成功研發(fā)代表公司進(jìn)入環(huán)保領(lǐng)域。公司多次承擔(dān)介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域國家重大專項(xiàng)以及上海市重大科技項(xiàng)目，驅(qū)動(dòng)公司創(chuàng)新能力顯著提升，進(jìn)一步拓寬國際化競爭視野，相關(guān)系列裝備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化加速落地。近年來，公司通過一系列外延方式逐漸拓展至薄膜沉積、泛半導(dǎo)體設(shè)備、環(huán)保、健康及生態(tài)互連等領(lǐng)域，加速平臺(tái)化布局。海歸派高管具有豐富的半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)實(shí)力及行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗(yàn)。公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)皆畢業(yè)于美國名校并擁有公司創(chuàng)始人及董事長尹志堯博士，畢業(yè)于加州大學(xué)洛杉磯分校，曾分別任職于

英特爾、泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料等公司，專業(yè)從事半導(dǎo)體刻蝕裝備研發(fā)，曾歷任應(yīng)用材料等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品總部首席技術(shù)官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業(yè)群總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官等職位。核心技術(shù)人員杜志游博士、倪圖強(qiáng)博士、麥?zhǔn)肆x、楊偉、李天笑都擁有豐富的國外半導(dǎo)體公司如英特爾、索尼、應(yīng)用材料及泛林半導(dǎo)體工作經(jīng)歷，從業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富。背靠上海市政府和國家大基金二期，公司無控股股東和實(shí)際控制人。公司前身為中微有限，由中微亞洲出資設(shè)立，為外商獨(dú)資企業(yè)，2018年轉(zhuǎn)為股份制有限公司，后經(jīng)一系列股權(quán)變更后上海創(chuàng)投和巽鑫投資（大基金一期）分別位列第一大和第二大股東，分別持股21.42%和20.74%。2019年公司科創(chuàng)版上市，上市后前兩大股東上海創(chuàng)投和巽鑫投資持股比例降為18.02%和17.45%。目前公司前五大股東分別為上海創(chuàng)投、巽鑫投資、嘉興智微企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)、中微亞洲、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期，持股比例合計(jì)占比43.76%，公司無控股股東和實(shí)際控制人。公司主營業(yè)務(wù)包括三部分：專用設(shè)備、備品備件及設(shè)備維護(hù)（主要為配件銷售及設(shè)備支持服務(wù)等）。公司以介質(zhì)刻蝕設(shè)備起家，逐步拓展至金屬刻蝕、硅刻蝕、薄膜沉積以及環(huán)保設(shè)備領(lǐng)域。公司產(chǎn)品包括CCP刻蝕設(shè)備、ICP刻蝕設(shè)備、TSV深硅刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備以及環(huán)保設(shè)備，可分別用于8/12英寸前道邏輯晶圓加工、先進(jìn)存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝工藝、化合物和LED制造以及環(huán)境保護(hù)等領(lǐng)域，客戶主要為臺(tái)積電、中芯國際、華虹集團(tuán)等邏輯晶圓廠商；三星、SK海力士、長江存儲(chǔ)、長鑫存儲(chǔ)等先進(jìn)存儲(chǔ)廠商；華天科技、長電科技、日月光、通富微電等封測廠商以及化合物、功率半導(dǎo)體等特色工藝廠商。公司的各類等離子體刻蝕設(shè)備和薄膜設(shè)備已有超過2300個(gè)反應(yīng)腔在中國大陸、亞洲和歐洲等70多條集成電路和微器件生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。公司在介質(zhì)刻蝕設(shè)備領(lǐng)域擁有近20年深厚技術(shù)積累，并積極向薄膜沉積、環(huán)保設(shè)備以及檢測設(shè)備等領(lǐng)域拓展，進(jìn)入更廣闊的半導(dǎo)體及泛半導(dǎo)體設(shè)備市場?？涛g設(shè)備：中微擁有全系列刻蝕機(jī)，包括高能等離子體（CCP）、低能等離子體（ICP）、單臺(tái)機(jī)（傳統(tǒng)）、雙臺(tái)機(jī)（新機(jī)型），可以涵蓋80%以上的刻蝕工藝。CCP刻蝕設(shè)備：CCP刻蝕設(shè)備性能指標(biāo)比肩國際一線廠商，國內(nèi)晶圓產(chǎn)線設(shè)備市占率快速提升并成功打入國外頭部晶圓廠先進(jìn)制程產(chǎn)線。公司CCP等離子體刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于8/12英寸邏輯晶圓前道工藝、3DNAND及DRAM等存儲(chǔ)工藝中氧化硅、氮化硅及低介電系數(shù)膜層等所有的電介質(zhì)材料刻蝕，工藝制程覆蓋90nm~5nm邏輯工藝、128層及以下3DNAND存儲(chǔ)工藝。CCP等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品競爭優(yōu)勢明顯，已成功進(jìn)入國內(nèi)外一線客戶的邏輯和存儲(chǔ)芯片制造生產(chǎn)線，包括先進(jìn)的5nm芯片生產(chǎn)線和下一代的3nm試生產(chǎn)線，在部分關(guān)鍵客戶市場占有率已進(jìn)入前三位甚至前二位，CCP刻蝕設(shè)備市占率持續(xù)提升。ICP刻蝕設(shè)備：ICP刻蝕設(shè)備快速崛起，應(yīng)用領(lǐng)域逐漸豐富。公司ICP等離子體刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于12英寸1Xnm及以下的邏輯和存儲(chǔ)器件刻蝕、各種尺寸和深度的硅結(jié)構(gòu)刻蝕以及邏輯和存儲(chǔ)芯片的多種導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜刻蝕等領(lǐng)域。ICP刻蝕設(shè)備已通過諸多客戶的工藝認(rèn)證并獲得重復(fù)訂單，已經(jīng)在超過15家客戶的生產(chǎn)線上進(jìn)行100多個(gè)ICP刻蝕工藝的驗(yàn)證，合計(jì)付運(yùn)腔室已超200臺(tái)。同時(shí)公司積極布局3D封裝、5nm以下邏輯、1Xnm以下DRAM和3DNAND存儲(chǔ)芯片等下一代制程工藝。TSV深硅刻蝕：公司ICP深硅刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于8英寸和12英寸CMOS圖像傳感器、2.5D、三維芯片和芯片切割等領(lǐng)域以及3D封裝、2.5D封裝和微機(jī)電系中的硅通孔刻蝕工藝，刻蝕孔徑從低至1微米以下到幾百微米、深度可達(dá)幾百微米的孔洞，并具有優(yōu)秀的工藝協(xié)調(diào)性，可根據(jù)客戶的需求生產(chǎn)不同的刻蝕形狀（例如垂直、圓錐形和錐形等），目前已成功進(jìn)入日月光、長電先進(jìn)、通富微電等國內(nèi)外先進(jìn)封裝大廠。薄膜沉積設(shè)備：MOCVD設(shè)備獨(dú)占鰲頭，MiniLED成為長期增長驅(qū)動(dòng)力，CVD設(shè)備驗(yàn)證順利，EPI（外延生長設(shè)備）設(shè)備取得積極進(jìn)展。MOCVD設(shè)備：LED及功率器件外延用MOCVD設(shè)備市場成熟，切入MiniLED/MicroLED及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，未來MOCVD設(shè)備有望突破成長天花板。公司MOCVD設(shè)備主要應(yīng)用于國內(nèi)外主流LED生產(chǎn)線大批量LED/深紫外LED（主要為氮化鎵基及砷化鎵基）、功率器件外延片以及高質(zhì)量氮化鋁和高鋁組分材料生長等工藝，憑借優(yōu)異的產(chǎn)品性能，奠定了國內(nèi)外MOCVD領(lǐng)域龍頭地位，目前公司MOCVD設(shè)備在全球增量市場市中占比第一。公司瞄準(zhǔn)MiniLED/MicroLED以及第三代半導(dǎo)體GaN/SiC市場，2021年6月成功推出MiniLED用MOCVD設(shè)備并獲得客戶批量重復(fù)訂單超100臺(tái)，GaN功率器件用MOCVD已交付國內(nèi)外領(lǐng)先客戶驗(yàn)證，進(jìn)一步鞏固公司MOCVD設(shè)備市場領(lǐng)先地位。CVD設(shè)備：鎢填充CVD設(shè)備客戶產(chǎn)線驗(yàn)證獲得積極進(jìn)展，設(shè)備性能已能夠滿足客戶工藝驗(yàn)證的需求，產(chǎn)品正與關(guān)鍵客戶對(duì)接驗(yàn)證?；阪u填充CVD設(shè)備，公司進(jìn)一步布局CVD和ALD（原子層沉積）設(shè)備，以期實(shí)現(xiàn)更高深寬比和更小關(guān)鍵尺寸結(jié)構(gòu)的填充，滿足高端邏輯器件和先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的需求。EPI設(shè)備：公司EPI設(shè)備已進(jìn)入Demo機(jī)裝調(diào)階段，可滿足客戶先進(jìn)制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。環(huán)保設(shè)備及其他領(lǐng)域：公司聚焦核心業(yè)務(wù)集成電路設(shè)備的同時(shí)積極探索布局環(huán)保、健康、生態(tài)互連等領(lǐng)域在內(nèi)的新業(yè)績?cè)鲩L點(diǎn)，成效顯著。VOC設(shè)備：公司在國內(nèi)率先開發(fā)制造了工業(yè)用大型VOC凈化設(shè)備，并與德國DAS環(huán)境專家有限公司簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方在半導(dǎo)體行業(yè)尾氣處理設(shè)備領(lǐng)域展開緊密的合作，共同推動(dòng)環(huán)保科技行業(yè)的發(fā)展。工業(yè)互聯(lián)：子公司中微匯鏈打造的去中心化分布式工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)We-Linkin，應(yīng)用場景數(shù)量已超30個(gè)，可訂閱微服務(wù)超300個(gè)，高研發(fā)投入助力產(chǎn)品矩陣不斷完善。檢測設(shè)備：公司增資睿勵(lì)儀器，全面布局集成電路檢測領(lǐng)域，進(jìn)一步形成產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。公司積極布局產(chǎn)業(yè)鏈上下游，有效形成產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。公司主要零部件如機(jī)械手傳輸系統(tǒng)、噴嘴ShowerHead、石英、陶瓷等物料此前主要采購自國外，近年來公司逐步參股上游產(chǎn)業(yè)鏈如志橙半導(dǎo)體、靖江先鋒、新美光半導(dǎo)體等企業(yè)，以降低成本并確保零部件的穩(wěn)定供應(yīng)。同時(shí)公司通過入股下游半導(dǎo)體晶圓制造企業(yè)，以期形成產(chǎn)品的協(xié)同開發(fā)及驗(yàn)證，加速新產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。1.2受益技術(shù)突破及行業(yè)高景氣驅(qū)動(dòng)，公司營收和訂單快速增長2017年之前，公司設(shè)備處于市場開拓階段，營收體量較小，2017年以來隨著行業(yè)景氣度提升疊加國產(chǎn)替代加速，設(shè)備出貨和驗(yàn)收取得突破性進(jìn)展，營收大幅增長。2017年之前，公司主營設(shè)備為CCP等離子體刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備，部分設(shè)備處于研發(fā)和市場驗(yàn)證階段，整體營收規(guī)模較小。近年來隨著公司技術(shù)突破，工藝指標(biāo)逐漸滿足先進(jìn)制程工藝需求，公司陸續(xù)獲得臺(tái)積電、SK海力士等國際一線晶圓廠訂單并成功進(jìn)入7nm/5nm工藝生產(chǎn)線及3nm工藝試生產(chǎn)線，疊加行業(yè)高景氣度及國內(nèi)晶圓擴(kuò)產(chǎn)高峰和國產(chǎn)替代需求，公司設(shè)備持續(xù)放量，陸續(xù)獲得中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲(chǔ)、長鑫存儲(chǔ)等邏輯、存儲(chǔ)晶圓廠的重復(fù)訂單，憑借設(shè)備優(yōu)異性能，產(chǎn)線市占率逐步提高。自2017年公司凈利潤由負(fù)轉(zhuǎn)正之后，每年以翻倍速率增長。2021年公司全年實(shí)現(xiàn)營收31.08億元，同比增長36.7%；

歸母凈利潤10.11億元，同比大增105.5%，一方面得益于行業(yè)高景氣驅(qū)動(dòng)，公司產(chǎn)能利用率滿載，另一方面得益于公司產(chǎn)品線的豐富及產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化。公司主要設(shè)備銷量波動(dòng)較大，設(shè)備單價(jià)隨高價(jià)值設(shè)備放量逐步走高。分產(chǎn)品看，公司刻蝕設(shè)備銷量逐年走高，一方面系行業(yè)景氣度提升，國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)加速，另一方面隨著刻蝕設(shè)備制程工藝的延伸及產(chǎn)品多元化布局，客戶及制程應(yīng)用逐步多元化。公司MOCVD設(shè)備主要受產(chǎn)品類別、客戶擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏、行業(yè)周期及客戶端驗(yàn)收節(jié)奏等影響，波動(dòng)較大，隨著MOCVD設(shè)備逐步從傳統(tǒng)LED領(lǐng)域切入MiniLED領(lǐng)域，設(shè)備迎來量價(jià)齊升。公司在手訂單飽滿，定增擴(kuò)產(chǎn)落地，設(shè)備持續(xù)放量，展望后續(xù)，公司營收有望保持高速增長。1）存貨和合同負(fù)債高增，在手訂單飽滿。根據(jù)公司公告，2021年公司存貨和合同負(fù)債均大幅增長，2020年公司存貨和合同負(fù)債分別為10.6億元、5.9億元，截至2021年末，分別增至17.6億元和13.7億元，同比分別+66.0%/+132.0%。2021全年新簽訂單金額同比增長90.5%達(dá)41.3億元，創(chuàng)歷史新高。公司在手訂單飽滿，保證業(yè)績持續(xù)高增長。2）定增落地保障產(chǎn)能：公司合同負(fù)債主要由客戶預(yù)付款組成，新簽訂單、合同負(fù)債雙雙增長，表明公司在手訂單飽滿。根據(jù)公司公告，2021年產(chǎn)品付運(yùn)腔體數(shù)由2020年的295腔增長66.4%達(dá)491腔，公司于2021年6月向特定對(duì)象發(fā)行股票，募集資金總額為82.06億元，公司在江西省南昌、上海市臨港分別建設(shè)14萬平方米和18萬平方米研發(fā)生產(chǎn)基地以及10萬平方米總部大樓，積極提升產(chǎn)能，夯實(shí)未來發(fā)展基礎(chǔ)。3）刻蝕設(shè)備持續(xù)放量，市場持續(xù)擴(kuò)大：①公司2021年共付運(yùn)CCP刻蝕設(shè)備298腔，同比增長40%。在先進(jìn)邏輯電路方面，成功取得5nm及以下邏輯電路產(chǎn)線的重復(fù)訂單。在存儲(chǔ)電路方面，公司的刻蝕設(shè)備在64層及128層3DNAND的生產(chǎn)線得到廣泛應(yīng)用。②公司2021年ICP刻蝕機(jī)付運(yùn)超過130腔，同比增長超過230%。8/12英寸深硅刻蝕設(shè)備PrimoTSV200E、PrimoTSV300E成功應(yīng)用于先進(jìn)系統(tǒng)封裝、2.5D封裝和微機(jī)電系統(tǒng)并且在3D封裝領(lǐng)域驗(yàn)證進(jìn)展順利。③高性能MiniLED用MOCVD設(shè)備PrismoUniMax訂單成功超100腔并進(jìn)一步拓展至MicroLED領(lǐng)域。公司刻蝕設(shè)備毛利率穩(wěn)定，MOCVD設(shè)備毛利率波動(dòng)較大。公司半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備毛利率長期穩(wěn)定在44%左右，MOCVD設(shè)備毛利率波動(dòng)較大。2017~2019年公司MOCVD設(shè)備營收占比較高，公司整體毛利率從38.59%降至34.93%。2020年受LED行業(yè)不景氣影響，MOCVD設(shè)備毛利率達(dá)處于低位，受益于刻蝕設(shè)備營收占比提高，公司整體毛利率逐步提升至37.67%。2021年受行業(yè)高景氣度及高端設(shè)備逐步放量影響，公司半導(dǎo)體設(shè)備量價(jià)齊升，公司毛利率逐步恢復(fù)至高位43.36%。1.3高研發(fā)投入保證產(chǎn)品領(lǐng)先優(yōu)勢，自主核心技術(shù)持續(xù)加強(qiáng)公司研發(fā)人員占比較高，學(xué)歷水平符合技術(shù)密集型、人才密集型企業(yè)特點(diǎn)。截至2021年末，公司共有研發(fā)人員415人，占公司總?cè)藬?shù)比例39.6%，涵蓋了等離子體物理、射頻及微波學(xué)、結(jié)構(gòu)化學(xué)、微觀分子動(dòng)力學(xué)、光譜及能譜學(xué)、真空機(jī)械傳輸?shù)认嚓P(guān)學(xué)科的專業(yè)人員。其中本科及以上學(xué)歷人數(shù)381人，占研發(fā)總?cè)藬?shù)比例91.8%，整體學(xué)歷較高。持續(xù)加大研發(fā)投入，研發(fā)投入占比保持高水平。公司研發(fā)突入不斷增長，2021全年研發(fā)投入7.28億元，同比增長13.8%。與同行業(yè)公司相比，研發(fā)投入占營業(yè)收入比重保持較高水平，基本保持20%以上。公司持續(xù)重視核心技術(shù)自主研發(fā)，擁有一系列核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)，并能夠快速導(dǎo)入公司產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。憑借突出的研發(fā)實(shí)力，承擔(dān)多項(xiàng)國家科技重大專項(xiàng)及其他多項(xiàng)重大科研項(xiàng)目。1.4定增募資落地，用于先進(jìn)工藝設(shè)備研發(fā)及高端設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目2021年公司成功完成再融資發(fā)行，募集資金82億元，擬用于中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目、中微臨港總部和研發(fā)中心項(xiàng)目以及科技儲(chǔ)備基金。上海臨港新片區(qū)和南昌高新區(qū)均具有明顯的產(chǎn)業(yè)化集群優(yōu)勢，公司本次投資的實(shí)施將有助于公司抓住區(qū)域發(fā)展協(xié)同機(jī)遇，進(jìn)一步做大做強(qiáng)公司主營業(yè)務(wù)。中微產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目建設(shè)：中微臨港產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目地塊總占地面積約157.5畝，規(guī)劃總建筑面積約18萬平方米；中微南昌產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目占地面積約130畝，擬新建生產(chǎn)基地建筑面積約14萬平方米，建成后主要用于生產(chǎn)集成電路設(shè)備、泛半導(dǎo)體領(lǐng)域生產(chǎn)及檢測設(shè)備以及部分零部件等，將分別與臨港區(qū)晶圓制造、封裝測試、設(shè)備材料及南昌LED產(chǎn)業(yè)形成集群效應(yīng)。中微臨港總部和研發(fā)中心項(xiàng)目：項(xiàng)目地塊總占地面積約25.05畝，規(guī)劃總建筑面積約10.5萬平方米，項(xiàng)目建成后將成為公司臨港總部和研發(fā)中心，用于除刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備等優(yōu)勢產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化外，還將開展前瞻性技術(shù)研究，推動(dòng)集成電路生產(chǎn)設(shè)備及零部件國產(chǎn)化、推進(jìn)泛半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等?？萍純?chǔ)備基金：滿足公司日益增長的研發(fā)項(xiàng)目運(yùn)營資金需要，本次募集資金中的30.8億萬元為科技儲(chǔ)備資金。科技儲(chǔ)備資金將用于滿足營運(yùn)資金、研發(fā)以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)張等需求。根據(jù)2021年公司公告江西省南昌市高新區(qū)約14萬平方米的研發(fā)生產(chǎn)基地已全面封頂，上海市臨港新片區(qū)約18萬平方米的研發(fā)生產(chǎn)基地和約10萬平方米的總部大樓也在緊鑼密鼓的建設(shè)。到2024年，中微公司將會(huì)有十幾倍大的廠房全面建成，為今后的快速發(fā)展發(fā)展夯實(shí)基礎(chǔ)。二、晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備景氣度持續(xù)高漲2.1全球半導(dǎo)體設(shè)備持續(xù)高景氣度，中國設(shè)備市場規(guī)模穩(wěn)居首位全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)持續(xù)高景氣。隨著2020年中以來下游需求急劇擴(kuò)張，全球半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入高景氣周期，受行業(yè)下游積極備貨因素驅(qū)動(dòng)，晶圓產(chǎn)能供不應(yīng)求，各晶圓廠和封測廠積極擴(kuò)產(chǎn)，進(jìn)而拉升半導(dǎo)體設(shè)備需求快速增長。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額創(chuàng)歷史新高達(dá)1026億美元，同比大增44.0%。預(yù)計(jì)2022年將繼續(xù)增長11.0%達(dá)到1143億美元。同時(shí)根據(jù)SEAJ數(shù)據(jù)，2021年Q1~Q4全球半導(dǎo)體設(shè)備銷量分別為236/248.7/268/278億美元，同比+51.0%/+48.3%/+38.0%/+42.6%，環(huán)比+21.0%/+5.4%/+8.0%/+3.7%，連續(xù)5個(gè)季度創(chuàng)新高，行業(yè)景氣度逐季走高。北美半導(dǎo)體設(shè)備月度出貨額持續(xù)保持同比環(huán)比高增長。自2021年開始北美半導(dǎo)體月度出貨額持續(xù)走高，并在3月份成功突破30億美元大關(guān)，11月創(chuàng)出39.14億美元的新高，統(tǒng)計(jì)2021年前三季度設(shè)備出貨額，同比大增47.3%。中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模和市場份額快速增長，市占率全球第一。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，從18年起截至2021Q4，全球半導(dǎo)體設(shè)備季度出貨額從170億美元增長至278億美元，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模占比從15.5%提升至27.1%。分別于2020Q2/2020Q4以及2021Q2位列全球首位。據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2021年中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模296億美元，連續(xù)四年保持增長，再次成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口額保持高速增長。據(jù)中國海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2021年前三季度，中國大陸從海外進(jìn)口半導(dǎo)體制造設(shè)備總金額達(dá)1628.3億人民幣，其中集成電路及器件制造設(shè)備占比62.5%，同比增長4.0%，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)整體發(fā)展依然保持高景氣度。平板顯示領(lǐng)域由于設(shè)備技術(shù)含量相對(duì)較低，國產(chǎn)替代較順利，同比減少31.5%。2.2晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)積極，資本支出持續(xù)增加隨著2020年下半年以來晶圓產(chǎn)能持續(xù)緊張，產(chǎn)能利用率持續(xù)保持高位，各大廠商紛紛加大資本開支力度。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計(jì)，受半導(dǎo)體前端（晶圓制造）和后端（封裝和測試）半導(dǎo)體設(shè)備市場需求帶動(dòng)，全球半導(dǎo)體資本支出達(dá)1539億美元，同比增長36%，預(yù)計(jì)2022年還將繼續(xù)增長24.0%，達(dá)到1904億美元。2020Q3以來，主流晶圓廠產(chǎn)能利用率持續(xù)滿載，資本開支持續(xù)拉升，2021年臺(tái)電資本開達(dá)300億美元，據(jù)21Q4

臺(tái)積電說法會(huì)，其2022年資本開支預(yù)計(jì)為400~440億美元，同比增長33.0%~47.0%。聯(lián)電

2021年資本開支達(dá)23億美元，中芯國際資本開支達(dá)45億美元，華虹資本開支約14億美元。國內(nèi)晶圓和存儲(chǔ)廠持續(xù)加大擴(kuò)產(chǎn)力度，國產(chǎn)設(shè)備需求彈性持續(xù)釋放。根據(jù)各公司公告的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，中芯國際包括京城、上海、深圳新廠以及現(xiàn)有產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)充、華虹無錫12英寸產(chǎn)線，士蘭微、華潤微、上海積塔以及聞泰科技等功率半導(dǎo)體產(chǎn)線以及以天岳先進(jìn)為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線均會(huì)在未來兩年加速擴(kuò)產(chǎn)。長江存儲(chǔ)Fab2廠、長鑫存儲(chǔ)二期將于2022年進(jìn)入設(shè)備招標(biāo)高峰期，將帶來國產(chǎn)設(shè)備需求持續(xù)提升，預(yù)期國產(chǎn)設(shè)備廠商將在2022~2023年持續(xù)受益國內(nèi)晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)。2.3國產(chǎn)設(shè)備廠商訂單增長迅速，產(chǎn)能擴(kuò)張進(jìn)行時(shí)2020年下半年以來國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商季度營收高速增長，行業(yè)高景氣度下在手訂單充足。在下游晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)加速，疊加對(duì)國產(chǎn)設(shè)備需求高漲，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商訂單持續(xù)高增長。從合同負(fù)債和存貨角度來看，我們統(tǒng)計(jì)國內(nèi)北方華創(chuàng)、中微公司、至純科技、芯源微四家上市設(shè)備公司8個(gè)季度數(shù)據(jù)，2021Q4單季度合計(jì)營收增速約為46.0%，單季度營收達(dá)55億元。為應(yīng)對(duì)下游需求，各公司積極備貨，存貨和合同負(fù)債大幅增加，2021年存貨合計(jì)達(dá)109億元，同比增加約60.0%，合同負(fù)債合計(jì)達(dá)72.5億元，同比增約87.0%，充足訂單反應(yīng)行業(yè)持續(xù)高景氣。設(shè)備廠商積極擴(kuò)產(chǎn)，鎖定未來產(chǎn)能。在手訂單飽滿，行業(yè)駛?cè)肟焖侔l(fā)展車道，部分設(shè)備廠商積極募資擴(kuò)充產(chǎn)能，打破產(chǎn)能瓶頸，布局未來.未來隨著募投產(chǎn)能開出，預(yù)期本土設(shè)備廠商市占率將持續(xù)增長。三、內(nèi)部自研+外延并購，平臺(tái)化布局初見成效3.1介質(zhì)+導(dǎo)體刻蝕雙布局，進(jìn)一步打開刻蝕設(shè)備成長空間刻蝕機(jī)是晶圓制造三大核心設(shè)備之一，干法刻蝕占比95%以上市場份額，根據(jù)作用機(jī)理不同，干法刻蝕又可分為電容性等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備和電感性等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備。CCP刻蝕設(shè)備：CCP刻蝕設(shè)備等離子體能量高，濃度適中，不易控制，可調(diào)節(jié)性較差，主要用于質(zhì)地較硬的電介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域如：邏輯芯片柵側(cè)墻、硬掩?？涛g、中段接觸孔刻蝕、后端鑲嵌式鋁墊刻蝕、深孔和連線接孔刻蝕、氧化硅/氮化硅等深槽介質(zhì)刻蝕。ICP刻蝕設(shè)備：ICP刻蝕設(shè)備等離子體濃度高，能量低，可單獨(dú)進(jìn)行等離子體濃度和能量的調(diào)節(jié)，可用于質(zhì)地較軟的金屬、硅等導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域如：硅淺槽隔離（STI）、鍺（Ge)、多晶硅柵結(jié)構(gòu)、金屬柵結(jié)構(gòu)、應(yīng)變硅、金屬導(dǎo)線、金屬含墊、金屬硬掩模等金屬和硅刻蝕。全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場空間160億美元，呈寡頭壟斷格局。根據(jù)SEMI預(yù)估，2021年全球晶圓廠設(shè)備市場規(guī)模668億美元，按刻蝕設(shè)備占比24%左右初步估算，全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場規(guī)模160億美元，CCP刻蝕設(shè)備市場占比60%約96億美元，ICP刻蝕設(shè)備市場占比40%約64億美元。其中中國大陸晶圓設(shè)備市場份額全球占比約27%達(dá)80億美元。全球刻蝕設(shè)備市場呈寡頭壟斷格局，據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2020年泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料及東京電子三者市場占比達(dá)90%。CCP刻蝕設(shè)備市場占比逐步擴(kuò)大，ICP刻蝕設(shè)備取得突破進(jìn)展。CCP設(shè)備：公司立足CCP等離子體刻蝕設(shè)備，占據(jù)龍頭地位，性能比肩國家一線大廠，公司PrimoRIE系列產(chǎn)品已成功批量進(jìn)入包括臺(tái)積電、SK海力士、三星、中芯國際等在內(nèi)的國內(nèi)外一線客戶集成電路加工制造生產(chǎn)線，市占率逐步提升。邏輯電路：已取得5nm及以下邏輯產(chǎn)線重復(fù)訂單；

存儲(chǔ)電路：產(chǎn)品已在64層及128層3DNAND生產(chǎn)線得到廣泛應(yīng)用，訂單穩(wěn)步增長，并積極布局動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器應(yīng)用，工藝開發(fā)及驗(yàn)證進(jìn)展順利。此外公司推出兼容8/12英寸晶圓設(shè)備，以滿足國內(nèi)成熟晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)張。ICP設(shè)備：自2019年公司ICP刻蝕設(shè)備進(jìn)入市場，已在15家客戶共計(jì)100道工藝產(chǎn)線進(jìn)行驗(yàn)證，累計(jì)交付已超180腔，ICP設(shè)備逐漸成熟，市場份額持續(xù)提升。同時(shí)公司積極推出應(yīng)用于先進(jìn)系統(tǒng)封裝、2.5D/3D封裝和微機(jī)電系統(tǒng)的8英寸和12英寸深硅刻蝕設(shè)備PrimoTSV200E、PrimoTSV300E，已獲得重復(fù)訂單。針對(duì)未來客戶技術(shù)需求，公司積極布局滿足5nm及以下的邏輯芯片、1Xnm的DRAM和128層以上的3DNAND存儲(chǔ)芯片等產(chǎn)品需求的ICP刻蝕設(shè)備研發(fā)。晶圓廠資本開支持續(xù)提升，先進(jìn)制程占主導(dǎo)地位。臺(tái)積電：2021年臺(tái)積電資本開支300億美元，其中80%用于7nm、5nm、3nm等先進(jìn)制程工藝，10%用于先進(jìn)封裝和光罩制作，其余用于特種工藝制程。據(jù)臺(tái)積電21Q4業(yè)績說法會(huì)，2022年臺(tái)積電資本開支預(yù)計(jì)將增加40%以上達(dá)到400~440億美金。三星：2021年三星資本支出約360億美元，主要用于先進(jìn)邏輯芯片制程工藝以及128層6V~NANDFlash存儲(chǔ)芯片和DDR5等內(nèi)存芯片。中芯國際：2021年資本開支達(dá)45億美元，主要用于40nm~65nm成熟制程擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2022年資本開支將會(huì)達(dá)到50億美元。隨著未來國內(nèi)外先進(jìn)制程工藝占比、3DNAND堆疊層數(shù)逐步提升、國內(nèi)成熟制程產(chǎn)線加大擴(kuò)產(chǎn)，刻蝕設(shè)備市場空間逐步擴(kuò)容疊加產(chǎn)品市占率逐步提升，預(yù)期公司半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備未來大有可為。3.2內(nèi)生外延拓展薄膜沉積設(shè)備，開拓新增長曲線隨著晶圓工藝復(fù)雜化以及堆疊層數(shù)增加，薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)?？焖偬嵘Ｋ拇笠蛩赝苿?dòng)薄膜市場擴(kuò)容：1）晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)帶來設(shè)備需求；2）先進(jìn)邏輯制程芯片的沉積工序增多，多重曝光技術(shù)拉動(dòng)薄膜設(shè)備需求,目前基于EUV的7nm/5nm已成臺(tái)積電營收主力，預(yù)計(jì)22年將投產(chǎn)3nm工藝；DRAM方面，據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息，目前三星、SK海力士以及美光處于從1Y制程向1Z制程轉(zhuǎn)換階段，未來基于EUV的導(dǎo)入，制程將進(jìn)一步延伸至10nm；3）FLASH存儲(chǔ)芯片級(jí)3DNAND成為主流，堆疊層數(shù)增加導(dǎo)致薄膜沉積工序增加；

4）芯片結(jié)構(gòu)復(fù)雜化，由此導(dǎo)致設(shè)備使用量增加及各設(shè)備份額不斷變化。未來，隨著晶圓制程工藝的推進(jìn)，等離子體沉積（PECVD）和原子層沉積（ALD）將貢獻(xiàn)主要增長點(diǎn)，預(yù)計(jì)到2024年，等離子體CVD和ALD將分別占據(jù)薄膜沉積設(shè)備市場份額51%和19%。CVD設(shè)備全球市場規(guī)模100億美元，國外廠商占據(jù)主導(dǎo)地位，國產(chǎn)替代空間廣闊。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2020年CVD設(shè)備市場份額約85億美元，約占薄膜沉積設(shè)備市場64%市場份額，其中LPCVD市場規(guī)模約15億美元，ALD（原子層沉積）市場規(guī)模約17億美元。參考2020年各薄膜設(shè)備占比來，初步測算2021年LPCVD設(shè)備以及ALD設(shè)備市場份額分別為11.2億美元、20億美元。據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，受益于先進(jìn)制程GAA應(yīng)用和存儲(chǔ)器超深寬比薄膜技術(shù)需求，單ALD設(shè)備市場規(guī)模將從2021年20億美元增長至2025年34億美元左右。其中單先進(jìn)制程FinFET向GAA工藝轉(zhuǎn)換即可推動(dòng)ALD設(shè)備和EPI設(shè)備市場增加12億美元。根據(jù)MaximizeMarketResearch預(yù)測，2025年全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到340美元，年均復(fù)合增長率13%以上。屆時(shí)LPCVD和ALD設(shè)備市場規(guī)模合計(jì)將達(dá)到85億美元左右。公司積極布局薄膜沉積設(shè)備，打開百億增量空間。內(nèi)生：基于MOCVD設(shè)備研發(fā)經(jīng)驗(yàn)及優(yōu)秀的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，公司積極布局前端金屬化工藝，成立團(tuán)隊(duì)進(jìn)行EPI設(shè)備和鎢填充LPCVD設(shè)備研發(fā)，已能夠滿足客戶工藝需求?；诮饘冁uCVD設(shè)備，公司正進(jìn)一步開發(fā)先進(jìn)邏輯工藝節(jié)點(diǎn)及更高堆疊層數(shù)3DNAND工藝用CVD和ALD設(shè)備，實(shí)現(xiàn)更高深寬比（>60：1）和更小的關(guān)鍵尺寸(<14nm)結(jié)構(gòu)的填充，以滿足高端邏輯器件和先進(jìn)存儲(chǔ)芯片的需求。3.3MiniLED成長期成長驅(qū)動(dòng)力，第三代半導(dǎo)體助力成長加速M(fèi)iniLED商業(yè)化落地，市場空間迎來快速增長。2021年是MiniLED商業(yè)化元年，各種搭載MiniLED的平板、電視、筆記本以及顯示屏等產(chǎn)品扎堆上市，MiniLED產(chǎn)業(yè)迎來春天。據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研，蘋果將于2022年上半年推出搭載MiniLED顯示屏的iMacpro，產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)miniLED將有望在21年基礎(chǔ)上翻倍增長。據(jù)LED整合大廠富采公告，2021年全球筆記本電腦和平板電腦總計(jì)銷量約2億臺(tái)，如按照30%轉(zhuǎn)換為MiniLED屏幕，全年將有6000萬臺(tái)MiniLED背光需求量。2021年出貨規(guī)模為600~700萬臺(tái)，單電腦市場尚有十倍潛在增幅空間。CMMA認(rèn)為到2025年MiniLED的整體市場滲透率會(huì)超過20%，當(dāng)前MiniLED產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)能擴(kuò)張周期。預(yù)期MiniLED勢必將取代OLED成為未來數(shù)十年中主流的顯示技術(shù)。為確保產(chǎn)能，搶占先機(jī)，各大廠商加緊采購MiniLED設(shè)備擴(kuò)張產(chǎn)線，設(shè)備廠商迎來產(chǎn)能釋放周期。中國大陸MiniLED市場迎來快速擴(kuò)容階段。大陸的MiniLED封裝企業(yè)包括國星光電、聚飛光電、瑞豐光電和兆馳股份等。當(dāng)前大多數(shù)廠商均處于研發(fā)和小批量出貨階段，同時(shí)積極擴(kuò)張產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)未來可能激增的下游需求。市場端：據(jù)GGII數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年中國MiniLED市場規(guī)模在16億元左右，預(yù)計(jì)20年MiniLED市場規(guī)模達(dá)到37.8億元，同比增長140.0%。前瞻預(yù)測，2026年中國MiniLED行業(yè)市場規(guī)模有望突破400億元。產(chǎn)業(yè)鏈端：從LED產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值分布上看，封裝端市場規(guī)模約為芯片端5倍左右，預(yù)計(jì)2021年Mini/MicroLED封裝市場規(guī)模將達(dá)到1.9億美元，到2024年將達(dá)40億美元。公司拓展MiniLED公司拓展MiniLED和MicroLED領(lǐng)域，MOCVD設(shè)備迎來第二春。當(dāng)前公司MOCVD設(shè)備主要應(yīng)用于藍(lán)綠光LED照明及功率器件領(lǐng)域，隨著新應(yīng)用崛起，公司逐步拓展至深紫LED和高端MiniLED。自2021年6月公司推出MiniLED用PrismoUniMaxMOCVD設(shè)備，半年時(shí)間已拿到超100腔訂單，看好MOCVD設(shè)備市場前景。隨著當(dāng)前miniLED技術(shù)逐步成熟，在中高端液晶顯示屏背光