SMART檢測(cè)參數(shù)說(shuō)明的工程是壽命關(guān)鍵項(xiàng)，藍(lán)色為固態(tài)硬盤(pán)〔SSD〕特有的工程。SLC〔SingleLayerCell單層單元〕MLC〔Multi-LevelCell，多層單元〕。SLC100000MLC10MLC雖容量大、本錢(qián)低，但其性能大幅落后于SLC。為了保證MLC100SMART參數(shù)是機(jī)械硬盤(pán)所義，有些尚無(wú)具體的解釋，有些解釋也未必準(zhǔn)確，此處也只是僅供參考。下面凡SandForce單獨(dú)注明。01〔001〕RawReadErrorRate00的數(shù)據(jù)說(shuō)明磁盤(pán)外表或前值下降的程度。RAISE錯(cuò)誤。注：RAISE〔RedundantArrayofIndependentSiliconElements〕意為獨(dú)RAID陣列的數(shù)據(jù)安全性。02〔002〕ThroughputPerformance此參數(shù)表示硬盤(pán)的讀寫(xiě)通量性能，數(shù)據(jù)值越大越好。當(dāng)前值假設(shè)偏低或趨近0SMART03〔003〕SpinUpTime不表示就有問(wèn)題。4～150，這就要看當(dāng)前值和最差值來(lái)推斷了。0，100。04〔004〕Start/StopCount這一參數(shù)的數(shù)據(jù)是累計(jì)值，表示硬盤(pán)主軸電機(jī)啟動(dòng)/停頓的次數(shù)，硬盤(pán)通這一參數(shù)的數(shù)據(jù)是累計(jì)值，表示硬盤(pán)主軸電機(jī)啟動(dòng)/停頓的次數(shù)，硬盤(pán)通//〔0C〕示意硬盤(pán)電機(jī)及其驅(qū)動(dòng)電路可能有問(wèn)題。20，當(dāng)前值是通過(guò)公式“100－〔啟停計(jì)數(shù)/1024〕”計(jì)算得出的。假設(shè)硬100－(81920/1024)＝20，已考值，并不具有確定的指標(biāo)性。這一項(xiàng)對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)同樣沒(méi)有意義，數(shù)據(jù)固定為0，當(dāng)前值固定為100。05〔005〕重映射扇區(qū)計(jì)數(shù)ReallocatedSectorsCount/退役塊計(jì)數(shù)RetiredBlockCount數(shù)據(jù)應(yīng)為數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。/寫(xiě)/物理地址參加缺陷表Windows扇區(qū)。〔會(huì)顯現(xiàn)出來(lái)并直接導(dǎo)致數(shù)據(jù)喪失?！步P(pán)片軸心處〕，大量的使用備用扇區(qū)會(huì)使尋道時(shí)間增加，硬盤(pán)性能明顯下降。MLC常時(shí)極少有重映射操作，而對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)是常常性的。定就可以。通常狀況下，數(shù)據(jù)值＝100－〔100×被替換塊/必需塊總數(shù)〕，因此也可以估算出硬盤(pán)的剩余壽命。150SSD，234SSD，如SSDSA2M160G2GN34nmSSD。所以參數(shù)的查看也有兩種狀況：100，當(dāng)消滅替換塊的時(shí)候這個(gè)1，之后每增加四個(gè)塊當(dāng)11000～3，14～7，28～11塊??34nm二代06〔006〕ReadChannelMargin這一項(xiàng)功能不明，現(xiàn)在的硬盤(pán)也不顯示這一項(xiàng)。這一項(xiàng)功能不明，現(xiàn)在的硬盤(pán)也不顯示這一項(xiàng)。07〔007〕SeekErrorRate數(shù)據(jù)應(yīng)為數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于與臨界值。等。通常此項(xiàng)的數(shù)據(jù)應(yīng)為0，但對(duì)希捷硬盤(pán)來(lái)說(shuō)，即使是硬盤(pán)，這一項(xiàng)也可能有很大的數(shù)據(jù)量，這不代表有任何問(wèn)題，還是要看當(dāng)前值是否下降。08〔008〕SeekTimePerformance此項(xiàng)表示硬盤(pán)尋道操作的平均性能〔尋道速度〕，通常與前一項(xiàng)〔尋道錯(cuò)誤此項(xiàng)表示硬盤(pán)尋道操作的平均性能〔尋道速度〕，通常與前一項(xiàng)〔尋道錯(cuò)誤但現(xiàn)在很多硬盤(pán)并不顯示這一項(xiàng)。09〔009〕Power-OnTimeCount(POH)0，但不同硬盤(pán)的計(jì)數(shù)單位有所不同，有以小時(shí)30MTBF〔平均無(wú)故障時(shí)間〕值，可以大致估量剩余壽命或故障概率。對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)，要留意“設(shè)備優(yōu)先電源治理功能〔deviceinitiatedpowerDIPM，持續(xù)通電計(jì)數(shù)里就DIPM間都會(huì)被統(tǒng)計(jì)在內(nèi)。0A〔010〕主軸起旋重試次數(shù)SpinupRetryCount數(shù)據(jù)應(yīng)為數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)大于臨界值。題。0B〔011〕磁頭校準(zhǔn)重試計(jì)數(shù)CalibrationRetryCount數(shù)據(jù)應(yīng)為數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于與臨界值?！蔡貏e是盤(pán)片〕會(huì)因熱脹冷縮消滅形變，一項(xiàng)記錄了需要再次校準(zhǔn)〔通常因上次校準(zhǔn)失敗〕的次數(shù)。的硬盤(pán)也有肯定的數(shù)據(jù)量，并不表示有問(wèn)題，還要看當(dāng)前值和最差值。0C〔012〕PowerCycleCount/斷電的次數(shù)，即電源開(kāi)關(guān)次數(shù)的累計(jì)，硬盤(pán)通常只有幾次。這一項(xiàng)與啟停計(jì)數(shù)〔04〕是有區(qū)分的，一般來(lái)說(shuō)，硬盤(pán)通電/斷電意味著計(jì)硬盤(pán)主軸電機(jī)的啟動(dòng)/停頓〔硬盤(pán)在運(yùn)行時(shí)可能屢次啟停，如系統(tǒng)進(jìn)入休眠或被設(shè)置為空閑多少時(shí)間而關(guān)閉〕。所以大多狀況下這個(gè)通電/斷電的次數(shù)會(huì)小于啟停計(jì)數(shù)〔04〕的次數(shù)。通常，硬盤(pán)設(shè)計(jì)的通電次數(shù)都很高，如至少5000次，因此這一計(jì)數(shù)只是壽命參考值，本身不具指標(biāo)性。0D〔013〕軟件讀取錯(cuò)誤率SoftReadErrorRate正的讀取錯(cuò)誤。數(shù)據(jù)值越低越好，過(guò)高則可能示意盤(pán)片磁介質(zhì)有問(wèn)題。AA〔170〕GrownFailingBlockCount〔Micron鎂光〕讀寫(xiě)失敗的塊增長(zhǎng)的總數(shù)。讀寫(xiě)失敗的塊增長(zhǎng)的總數(shù)。AB〔171〕ProgramFailBlockCountFlashFlashAC〔172〕擦寫(xiě)失敗塊計(jì)數(shù)EraseFailBlockCount擦寫(xiě)失敗塊的數(shù)量。擦寫(xiě)失敗塊的數(shù)量?！财骄翆?xiě)次數(shù)〕/〔Micron鎂光〕全部好塊的平均擦寫(xiě)次數(shù)。全部好塊的平均擦寫(xiě)次數(shù)。Flash芯片有寫(xiě)入次數(shù)限制，當(dāng)使用FAT文件系統(tǒng)時(shí)，需要頻繁地更文件〔即便其它區(qū)域的擦寫(xiě)次數(shù)還遠(yuǎn)小于最大限制施。AE〔174〕意外失電計(jì)數(shù)UnexpectedPowerLossCount硬盤(pán)自啟用后發(fā)生意外斷電大事的次數(shù)。硬盤(pán)自啟用后發(fā)生意外斷電大事的次數(shù)。B1〔177〕磨損范圍比照值WearRangeDelta磨損最重的塊與磨損最輕的塊的磨損百分比之差。磨損最重的塊與磨損最輕的塊的磨損百分比之差。UnusedReservedBlockCountTotal〔惠普〕數(shù)格外重要。這個(gè)參數(shù)的當(dāng)前值表示的是尚未使用的預(yù)留的存儲(chǔ)單元數(shù)量。B5〔181〕編程失敗計(jì)數(shù)ProgramFailCount4〔AB〕參數(shù)相像。對(duì)齊訪問(wèn)數(shù)Non-4kAlignedAccess〔Micron鎂光〕B6〔182〕擦寫(xiě)失敗計(jì)數(shù)EraseFailCount4〔AC〕參數(shù)相像。B7〔183〕串口降速錯(cuò)誤計(jì)數(shù)SATADownshiftErrorCount這一項(xiàng)表示了這一項(xiàng)表示了SATA接口速率錯(cuò)誤下降的次數(shù)。通常硬盤(pán)與主板之間的兼容SATAB8〔184〕I/O錯(cuò)誤檢測(cè)與校正I/OErrorDetectionandCorrection〔IOEDC〕SMARTIV制造商的I/ORAMB8〔184〕點(diǎn)到點(diǎn)錯(cuò)誤檢測(cè)計(jì)數(shù)EndtoEndErrorDetectionCountIntelIntel其次代的34nmLBA〔logicalblockaddressing，規(guī)律塊地址〕SSD內(nèi)部規(guī)律塊地址與真實(shí)物理地址間映射的出錯(cuò)次數(shù)。BlockCount〔Indilinx芯片〕硬盤(pán)出廠時(shí)已有的壞塊數(shù)量。硬盤(pán)出廠時(shí)已有的壞塊數(shù)量。B9〔185〕HeadStability〔西部數(shù)據(jù)〕意義不明。意義不明。BA〔186〕感應(yīng)運(yùn)算振動(dòng)檢測(cè)nducedOp-VibrationDetection〔西部數(shù)據(jù)〕意義不明。意義不明。BB〔187〕無(wú)法校正的錯(cuò)誤ReportedUncorrectableErrors〔希捷〕報(bào)告給操作系統(tǒng)的無(wú)法通過(guò)硬件ECC報(bào)告給操作系統(tǒng)的無(wú)法通過(guò)硬件ECC校正的錯(cuò)誤。假設(shè)數(shù)據(jù)值不為零，就應(yīng)當(dāng)備份硬盤(pán)上的數(shù)據(jù)了。RAISE〔URAISE〕錯(cuò)誤。BC〔188〕CommandTimeout由于硬盤(pán)超時(shí)導(dǎo)致操作終止的次數(shù)。通常數(shù)據(jù)值應(yīng)為由于硬盤(pán)超時(shí)導(dǎo)致操作終止的次數(shù)。通常數(shù)據(jù)值應(yīng)為0，假設(shè)遠(yuǎn)大于零，最嚴(yán)峻問(wèn)題。BD〔189〕HighFlyWrites了寫(xiě)入時(shí)磁頭飛行高度消滅偏差的次數(shù)?！渤鰪S壞塊計(jì)數(shù)ydkt Micron鎂光芯片〕BE〔190〕AirflowTemperature這一項(xiàng)表示的是硬盤(pán)內(nèi)部盤(pán)片外表的氣流溫度。在希捷公司的某些硬盤(pán)中，這一項(xiàng)表示的是硬盤(pán)內(nèi)部盤(pán)片外表的氣流溫度。在希捷公司的某些硬盤(pán)中，值不具實(shí)際意義。很多硬盤(pán)也沒(méi)有這一項(xiàng)參數(shù)。BF〔191〕G-senseerrorrate這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值記錄了硬盤(pán)受到機(jī)械沖擊導(dǎo)致出錯(cuò)的頻度。這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值記錄了硬盤(pán)受到機(jī)械沖擊導(dǎo)致出錯(cuò)的頻度。C0〔192〕Power-OffRetractCount當(dāng)計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)或意外斷電時(shí)，硬盤(pán)的磁頭都要返回?？繀^(qū)，不能停留在盤(pán)片當(dāng)計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)或意外斷電時(shí)，硬盤(pán)的磁頭都要返回?？繀^(qū)，不能停留在盤(pán)片StandbyImmediate，就是〔開(kāi)盤(pán)片。〔期計(jì)數(shù)〔0C〕或啟停計(jì)數(shù)〔04〕的數(shù)據(jù)。在一些型節(jié)能硬盤(pán)中，這一參數(shù)的數(shù)〔0C的數(shù)據(jù)，但又遠(yuǎn)小于磁頭加載/卸載計(jì)數(shù)〔C1〕的數(shù)據(jù)量。/卸載操作，但這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)量仍舊代表了擔(dān)憂全關(guān)機(jī)，即發(fā)生意外斷電的次數(shù)。C1〔193〕磁頭加載/卸載計(jì)數(shù)Load/UnloadCycleCount片的?？繀^(qū)不存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但無(wú)疑啟停一個(gè)循環(huán)，就使磁頭經(jīng)受兩次磨損。所以對(duì)以前的硬盤(pán)來(lái)說(shuō)，磁頭起降〔加載/卸載〕次數(shù)是一項(xiàng)重要的壽命關(guān)鍵參數(shù)。遠(yuǎn)離盤(pán)片。只有當(dāng)盤(pán)片旋轉(zhuǎn)到達(dá)額定轉(zhuǎn)速后，磁頭臂才開(kāi)頭向內(nèi)〔盤(pán)片軸心〕轉(zhuǎn)動(dòng)使磁頭移至盤(pán)片區(qū)域〔加載〕，磁頭臂向外轉(zhuǎn)動(dòng)返回至?？考芗葱遁d。這樣就/使得這一參數(shù)的重要性已經(jīng)大大下降。這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值就是磁頭執(zhí)行加載/卸載操作的累計(jì)次數(shù)。從原理上講，這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值就是磁頭執(zhí)行加載/卸載操作的累計(jì)次數(shù)。從原理上講，這個(gè)加載/卸載次數(shù)應(yīng)當(dāng)與硬盤(pán)的啟停次數(shù)相當(dāng)，但對(duì)于筆記本內(nèi)置硬盤(pán)以及臺(tái)以在這類硬盤(pán)中磁頭的加載/卸載次數(shù)會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于通電周期計(jì)數(shù)〔0C〕或啟停計(jì)數(shù)〔04〕的數(shù)據(jù)量。不過(guò)這種加載/萬(wàn)次，而臺(tái)式機(jī)型節(jié)能硬盤(pán)的磁頭加載/卸載設(shè)計(jì)值可達(dá)一百萬(wàn)次。C2〔194〕Temperature溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤(pán)內(nèi)部的當(dāng)前溫度。硬盤(pán)運(yùn)行時(shí)最好不要超過(guò)45溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤(pán)內(nèi)部的當(dāng)前溫度。硬盤(pán)運(yùn)行時(shí)最好不要超過(guò)4560℃。〔攝氏度成反比，即當(dāng)前溫度越高，當(dāng)前值越低，隨實(shí)際溫度波動(dòng)。校正HardwareECCRecoveredECC〔ErrorECC〔ErrorCorrectingCode〕的意思是“錯(cuò)誤檢查和訂正”，這個(gè)技術(shù)能這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值記錄了磁頭在盤(pán)片上讀寫(xiě)時(shí)通過(guò)ECC很多硬盤(pán)有其制造商特定的數(shù)據(jù)構(gòu)造，因此數(shù)據(jù)量的大小并不能直接說(shuō)明問(wèn)題。C3〔195〕實(shí)時(shí)無(wú)法校正錯(cuò)誤計(jì)數(shù)OntheflyECCUncorrectableErrorCount這一參數(shù)記錄了無(wú)法校正〔UECC〕的錯(cuò)誤數(shù)量。這一參數(shù)記錄了無(wú)法校正〔UECC〕的錯(cuò)誤數(shù)量。C3〔195〕ProgramFailureblockCount〔Indilinx芯片〕ReallocetionEventsCount數(shù)據(jù)應(yīng)為數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。與重映射扇區(qū)計(jì)數(shù)〔05〕相像，都是反映硬盤(pán)已經(jīng)存在不良扇區(qū)。在固態(tài)硬盤(pán)中，這一參數(shù)記錄了被重映射的塊編程失敗的數(shù)量。在固態(tài)硬盤(pán)中，這一參數(shù)記錄了被重映射的塊編程失敗的數(shù)量。C5〔197〕當(dāng)前待映射扇區(qū)計(jì)數(shù)CurrentPendingSectorCount數(shù)據(jù)應(yīng)為數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。〔也稱“被掛范圍，數(shù)據(jù)值就會(huì)下降。大事計(jì)數(shù)〔C4〕的數(shù)據(jù)值增加，此參數(shù)的數(shù)據(jù)值下降。C5〔197〕讀取錯(cuò)誤塊計(jì)數(shù)〔不行修復(fù)錯(cuò)誤〕ReadFailureblockCount〔Indilinx芯片〕C6〔198〕脫機(jī)無(wú)法校正的扇區(qū)計(jì)數(shù) Offline UncorrectableSectorCount數(shù)據(jù)應(yīng)為數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。該扇區(qū)執(zhí)行重映射。C6〔198〕TotalCountofReadSectors〔Indilinx芯片〕C7〔199〕UltraATA訪問(wèn)校驗(yàn)錯(cuò)誤率UltraATACRCErrorRate這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計(jì)了通過(guò)接口循環(huán)冗余校驗(yàn)〔InterfaceCyclic這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計(jì)了通過(guò)接口循環(huán)冗余校驗(yàn)〔InterfaceCyclicRedundancyCheck，ICRC〕覺(jué)察的數(shù)據(jù)線傳輸錯(cuò)誤的次數(shù)。假設(shè)數(shù)據(jù)值不為0得到解決。C7〔199〕TotalCountofWriteSectors〔Indilinx芯片〕C8〔200〕寫(xiě)入錯(cuò)誤率WriteErrorRate/多區(qū)域錯(cuò)誤率Multi-ZoneErrorRate〔西部數(shù)據(jù)〕數(shù)據(jù)應(yīng)為數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)累計(jì)了向扇區(qū)寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)消滅錯(cuò)誤的總數(shù)。有的硬盤(pán)也會(huì)這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)累計(jì)了向扇區(qū)寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)消滅錯(cuò)誤的總數(shù)。有的硬盤(pán)也會(huì)〔當(dāng)前值偏低〕，表示盤(pán)片、磁頭組件可能有問(wèn)題。〔總讀取指令數(shù)ltfd〔x芯片〕C9〔201〕OffTrackErrorRate/規(guī)律讀取錯(cuò)誤率SoftReadErrorRate數(shù)據(jù)值累積了讀取時(shí)脫軌的錯(cuò)誤數(shù)量，假設(shè)數(shù)據(jù)值不為數(shù)據(jù)值累積了讀取時(shí)脫軌的錯(cuò)誤數(shù)量，假設(shè)數(shù)據(jù)值不為0，最好備份硬盤(pán)上的資料。C9〔201〕TACounterDetected意義不明意義不明C9〔201〕TotalCountofWriteCommand〔Indilinx芯片〕CA〔202〕數(shù)據(jù)地址標(biāo)記錯(cuò)誤DataAddressMarkerrors此項(xiàng)的數(shù)據(jù)值越低越好〔或者由制造商定義〕。此項(xiàng)的數(shù)據(jù)值越低越好〔或者由制造商定義〕。CA〔202〕TACounterIncreased〔意義不明〕〔剩余壽命efede〔Micron鎂光芯片〕MLC50，SLC1000，100〔MLC5000，SLC100000〕。〔閃存總錯(cuò)誤t數(shù)ltfrsm〔芯片〕ECC錯(cuò)誤數(shù)RunOutCancel錯(cuò)誤檢查和訂正〔ECC〕出錯(cuò)的頻度。錯(cuò)誤檢查和訂正〔ECC〕出錯(cuò)的頻度。錯(cuò)誤的總讀取頁(yè)數(shù)correctbitserror〔Indilinx芯片〕SoftECCCorrection通過(guò)軟件通過(guò)軟件ECC訂正錯(cuò)誤的計(jì)數(shù)。CC〔204〕壞塊滿標(biāo)志BadBlockFullFlag〔Indilinx芯片〕CD〔205〕熱騷動(dòng)錯(cuò)誤率ThermalAsperityRate(TAR)由超溫導(dǎo)致的錯(cuò)誤。數(shù)據(jù)值應(yīng)為由超溫導(dǎo)致的錯(cuò)誤。數(shù)據(jù)值應(yīng)為0。CD〔205〕最大可編程/擦除次數(shù)MaxP/ECount〔Indilinx芯片〕CE〔206〕磁頭飛行高度FlyingHeight飛行高度。CE〔206〕底層數(shù)據(jù)寫(xiě)入出錯(cuò)率WriteErrorRateCE〔206〕最小擦寫(xiě)次數(shù)EraseCountMin〔Indilinx芯片〕CF〔207〕主軸過(guò)電流SpinHighCurrent承或電機(jī)可能有問(wèn)題。CF〔207〕最大擦寫(xiě)次數(shù)EraseCountMax〔Indilinx芯片〕D0〔208〕主軸電機(jī)重啟次數(shù)SpinBuzz起的。CountAverage〔Indilinx芯片〕D1〔209〕脫機(jī)尋道性能OfflineSeekPerformance這一項(xiàng)表示驅(qū)動(dòng)器在脫機(jī)狀態(tài)下的尋道性能，通常用于工廠內(nèi)部測(cè)試。這一項(xiàng)表示驅(qū)動(dòng)器在脫機(jī)狀態(tài)下的尋道性能，通常用于工廠內(nèi)部測(cè)試。D1〔209〕剩余壽命百分比RemainingLife〔Indilinx芯片〕D2〔210〕斜坡加載值RampLoadValueD2〔210〕壞塊治理錯(cuò)誤日志BBMErrorLog〔Indilinx芯片〕D3〔211〕寫(xiě)入時(shí)振動(dòng)VibrationDuringWrite寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)受到受到外部振動(dòng)的記錄。寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)受到受到外部振動(dòng)的記錄。CRC寫(xiě)入錯(cuò)誤計(jì)數(shù)SATAErrorCountCRC(Write)〔Indilinx芯片〕D4〔212〕寫(xiě)入時(shí)沖擊ShockDuringWrite寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)受到受到外部機(jī)械沖擊的記錄。寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)受到受到外部機(jī)械沖擊的記錄。D4〔212〕SATA主機(jī)接口讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù)SATAErrorCountCountCRC(Read)〔Indilinx芯片〕DC〔220〕盤(pán)片偏移量DiskShift〔通常是受外力沖擊或溫度變化所致〕，單位未知，數(shù)據(jù)值越小越好。DD〔221〕G-senseerrorrateDE〔222〕磁頭尋道時(shí)間累計(jì)LoadedHours磁頭臂組件運(yùn)行的小時(shí)數(shù)，即尋道電機(jī)運(yùn)行時(shí)間累計(jì)。磁頭臂組件運(yùn)行的小時(shí)數(shù)，即尋道電機(jī)運(yùn)行時(shí)間累計(jì)。DF〔223〕磁頭加載/卸載重試計(jì)數(shù)Load/UnloadRetryCount這一項(xiàng)與〔C1〕項(xiàng)類似，數(shù)據(jù)值累積了磁頭嘗試重加載/卸載的次數(shù)。這一項(xiàng)與〔C1〕項(xiàng)類似，數(shù)據(jù)值累積了磁頭嘗試重加載/卸載的次數(shù)。E0〔224〕LoadFriction磁頭工作時(shí)受到的機(jī)械部件的阻力。磁頭工作時(shí)受到的機(jī)械部件的阻力。E1〔225〕HostWrites由于閃存的擦寫(xiě)次數(shù)是有限的，所以這項(xiàng)是固態(tài)硬盤(pán)特有的統(tǒng)計(jì)。Intel由于閃存的擦寫(xiě)次數(shù)是有限的，所以這項(xiàng)是固態(tài)硬盤(pán)特有的統(tǒng)計(jì)。IntelSMARTIntelSSDToolbox已經(jīng)為你算好了，直接就SSD〔〕磁頭加載時(shí)間累計(jì)Load‘E3〔227〕TorqueAmplificationCount的機(jī)械子系統(tǒng)消滅了嚴(yán)峻的問(wèn)題。E4〔228〕Power-OffRetractCycle數(shù)據(jù)值累計(jì)了磁頭因設(shè)備意外斷電而自動(dòng)返回的次數(shù)，與〔C0〕項(xiàng)相像。數(shù)據(jù)值累計(jì)了磁頭因設(shè)備意外斷電而自動(dòng)返回的次數(shù)，與〔C0〕項(xiàng)相像。E6〔230〕GMRGMRHeadAmplitude磁頭“抖動(dòng)”，即正向/反向往復(fù)運(yùn)動(dòng)的距離。磁頭“抖動(dòng)”，即正向/反向往復(fù)運(yùn)動(dòng)的距離。E7〔231〕Temperature溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤(pán)內(nèi)部的當(dāng)前溫度，與〔C2〕項(xiàng)一樣。溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤(pán)內(nèi)部的當(dāng)前溫度，與〔C2〕項(xiàng)一樣。E