《側(cè)向測井》(2)幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請自行刪除，謝謝！本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請自行刪除，謝謝！《側(cè)向測井》(2)幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使

普通電阻率測井儀在井內(nèi)產(chǎn)生的電場為發(fā)散的直流電場，當(dāng)井內(nèi)泥漿的礦化度高或井剖面為高阻地層時，井的分流作用大，測量結(jié)果既不能反映巖性變化，也不能反映地層電阻率。為解決這一問題，提出了聚焦測井，即側(cè)向測井。

主電極Ao，屏蔽電極A1、A2，對比電極N，回路電極B。第一節(jié)三側(cè)向測井一、三側(cè)向電極系的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)1、深三側(cè)向電極系深三側(cè)向電極系的結(jié)構(gòu)和電場分布如圖3-1所示。圖3-1深三側(cè)向電極系及電場分布

第一節(jié)三側(cè)向測井一、三側(cè)向電

2、淺三側(cè)向電極系淺三側(cè)向電極系的結(jié)構(gòu)如圖3-2所示。主電極Ao，屏蔽電極A1、A2，回路電極B1、B2，對比電極N。圖3-2淺三側(cè)向電極系及電場分布2、淺三側(cè)向電極系主電極A深、淺三側(cè)向電極系的電極距均等于兩個屏蔽電極與主電極間的縫隙中點(diǎn)之間的距離；記錄點(diǎn)為主電極中點(diǎn)。深、淺三側(cè)向電極系的電極距均等于兩個屏蔽電極與主電極為了滿足條件3,在測量過程中，不斷調(diào)節(jié)屏蔽電極的電流。二、三側(cè)向電極系的測量原理

1)恒流測量。在測量過程中，主電極發(fā)出的電流Io保持不變。2)屏蔽電流與主電極電流的極性相同。3)主電極與兩個屏蔽電極的電位相等。測量條件為了滿足條件3,在測量過程中，不斷調(diào)節(jié)屏蔽電極的電流。

測量的視電阻率為：其中：△U為主電極的電位與對比電極N的電位差；為主電流；K為電極系系數(shù)，與電極系的結(jié)構(gòu)及尺寸有關(guān)。(3-1)測量的視電阻率為：其中：△U為主電1、深、淺三側(cè)向曲線特點(diǎn)三、深、淺三側(cè)向曲線特點(diǎn)及應(yīng)用1)、當(dāng)圖3-3為上下地層導(dǎo)電性相同,單一高阻地層下的三側(cè)向測井曲線。圖3-3、單一高阻深三側(cè)向視電阻率曲線

1、深、淺三側(cè)向曲線特點(diǎn)三、深、淺三側(cè)向曲線特點(diǎn)及應(yīng)從圖3-3看出,曲線具有以下特點(diǎn)1)、當(dāng)上下圍巖的電阻率相同時，三側(cè)向測井曲線關(guān)于地層中心對稱。2)、隨地層厚度的減小，圍巖電阻率對視電阻率的影響增加。若圍巖電阻率小于地層電阻率，則視電阻率小于地層電阻率；反之，視電阻率大于地層電阻率。二者差異均隨地層厚度的減小而增加。3)、井內(nèi)流體電阻率的影響減小。從圖3-3看出,曲線具有以下特點(diǎn)1)、當(dāng)上下圍巖的電阻率相

數(shù)據(jù)讀取的方法：取地層中點(diǎn)的視電阻率值或取地層中部的幾何平均值。

深三側(cè)向視電阻率曲線主要反映原狀地層的電阻率；淺三側(cè)向視電阻率曲線主要反映侵入帶的電阻率。

2、深、淺三側(cè)向測井曲線的應(yīng)用1）、影響因素及其校正深、淺三側(cè)向的測井值也是地層視電阻率，其與地層電阻率存在一定差異。根據(jù)測量原理及測量環(huán)境，可把影響因素歸結(jié)為井眼（井眼尺寸、井內(nèi)介質(zhì)的電阻率）、圍巖—層厚（圍巖電阻率、地層厚度）、侵入（侵入特征、侵入半徑）。

2、深、淺三側(cè)向測井曲線的應(yīng)用

應(yīng)用圖版或相應(yīng)的計(jì)算公式，即可對三側(cè)向視電阻率按上述順序依次進(jìn)行校正，得到地層電阻率。如圖3--4、3-5、3-6、3-7所示。應(yīng)用圖版或相應(yīng)的計(jì)算公式，即可對三側(cè)向視電阻率按上圖3-4三側(cè)向井眼校正圖版圖3-4三側(cè)向井眼校正圖版圖3-5三側(cè)向圍巖校正圖版圖3-5三側(cè)向圍巖校正圖版圖3-6選擇侵入校正圖版圖3-6選擇侵入校正圖版圖3-7侵入校正圖板圖3-7侵入校正圖板圖3-8深、淺三側(cè)向組合圖版圖3-8深、淺三側(cè)向組合圖版將深、淺三側(cè)向曲線重疊繪制，在滲透層出現(xiàn)幅度差。A、劃分巖性剖面由于電極距較小，三側(cè)向測井曲線的縱向分層能力強(qiáng)，適于劃分薄層。2）、應(yīng)用B、判斷油水層將深、淺三側(cè)向曲線重疊繪制，在滲透層出現(xiàn)幅度差。A、

當(dāng)Rmf>Rw時，在油層層段（泥漿低侵），深三側(cè)向讀數(shù)大于淺三側(cè)向讀數(shù)，含油飽和度越高，差異越大。在水層層段（泥漿高侵），深三側(cè)向小于淺三側(cè)向，含水飽和度越高，差異越大。如圖3-9所示。

當(dāng)Rmf<Rw時，無論是油層，還是水層，均為泥漿低侵。但油層視電阻率高于水層，且幅度差比水層的幅度差大。當(dāng)Rmf>Rw時，在油層層段（泥漿低侵），深圖3-9用深、淺三側(cè)向曲線判斷油水層

1、根據(jù)微電極曲線確定滲透層（兩條曲線不重合）及泥巖（電阻率低，兩條曲線重合）。2、根據(jù)SP曲線異常，確定泥漿性質(zhì)（淡水泥漿、鹽水泥漿）。3、根據(jù)滲透層的探測深度不同的電阻率曲線關(guān)系，確定泥漿侵入特征。4、綜合2、3，確定滲透層孔隙流體性質(zhì)。圖3-9用深、淺三側(cè)向曲線判斷油水層1、根據(jù)微電極曲2）、缺點(diǎn)

深三側(cè)向探測深度不夠大；而淺三側(cè)向探測深度不夠淺。在滲透層層段，幅度差不明顯。侵入較深時，深三側(cè)向讀數(shù)受侵入帶影響大。侵入較淺時，淺三側(cè)向讀數(shù)受原狀地層影響大。1）、優(yōu)點(diǎn)由于屏流作用，使得視電阻率曲線受井眼影響?。恢麟姌O尺寸小，圍巖影響小，縱向分辨率高，有利于薄層劃分。

3、深、淺三側(cè)向測井的優(yōu)缺點(diǎn)2）、缺點(diǎn)1）、優(yōu)點(diǎn)3、深、淺三側(cè)向測井的優(yōu)缺點(diǎn)第二節(jié)七電極側(cè)向測井一、七側(cè)向電極系1、深七側(cè)向電極系由7個金屬環(huán)狀電極組成。如圖3-10所示.主電極A0,兩對監(jiān)督電極M1、M2及M1’、M2’一對屏蔽電極A1、A2.圖3-10深七側(cè)向電極系及電流分布第二節(jié)七電極側(cè)向測井一、七側(cè)向電極系1、深七側(cè)向電極系由兩對監(jiān)督電極中點(diǎn)之間的距離為深七側(cè)向電極系的電極距。記為L。兩個屏蔽電極之間的距離為電極系長度,記為L0。

L0/L定義為電極系的分布比S。S=L0/L(3-2)電極系的記錄點(diǎn)為A0電極的中心。通過調(diào)整S的大小來調(diào)整屏蔽電流,加強(qiáng)對主電流的控制作用,達(dá)到提高電極系探測深度的目的。兩對監(jiān)督電極中點(diǎn)之間的距離為深七側(cè)向電極系的電極距。2、淺七側(cè)向電極系淺七側(cè)向電極系如圖3-11所示.主電極A0,兩對監(jiān)督電極M1、M2及M1’、M2’一對屏蔽電極A1、A2.一對回路電極B1、B2.圖3-11淺七側(cè)向電極系及電流分布2、淺七側(cè)向電極系淺七側(cè)向電極系如圖3-11所示.圖3-11二、測量原理1)、采用恒流(Io)測量方式。2)、屏蔽電流Is與主電流Io同極性；測量條件:3)、兩對監(jiān)督電極之間的電位相等。(3-3)通過調(diào)整Is，以滿足條件3)。二、測量原理1)、采用恒流(Io)測量方式。2)、屏蔽電七側(cè)向測井輸出:(3-4)其中：K為七側(cè)向電極系系數(shù)。深七側(cè)向電極系系數(shù)為:(3-5)七側(cè)向測井輸出:(3-4)其中：K為七側(cè)向電極系系數(shù)。深七側(cè)淺七側(cè)向電極系系數(shù)為:其中:(3-6)(3-7)淺七側(cè)向電極系系數(shù)為:其中:(3-6)(3-7)一、雙側(cè)向測井電極系及電場分布1、

雙側(cè)向測井電極系的結(jié)構(gòu)雙側(cè)向測井電極系有9個電極組成，結(jié)構(gòu)如圖3-12所示。其中7個為環(huán)形電極，2個柱狀電極。最外側(cè)的兩個柱狀電極在深側(cè)向電極系中為屏蔽電極，在淺側(cè)向電極系中為回路電極B1、B2。對比電極N和深側(cè)向的回路電極B在遠(yuǎn)處。第三節(jié)雙側(cè)向測井一、雙側(cè)向測井電極系及電場分布圖3-12雙側(cè)向電極系及其電場分布

深雙側(cè)向Ao—主電極；A1、A2—屏蔽電極；M1、M2—監(jiān)督電極；淺雙側(cè)向Ao—主電極；A1—屏蔽電極；A2—回路電極。M1、M2—監(jiān)督電極；屏蔽電極的電流極性與主電極電流極性相同。圖3-12雙側(cè)向電極系及其電場分布深雙側(cè)向淺雙側(cè)向屏2、電場分布特點(diǎn)1）、深雙側(cè)向電場分布特點(diǎn)由于深側(cè)向電極系有兩個柱狀屏蔽電極，對主電流的控制作用加強(qiáng)，主電極發(fā)出的電流徑向流入地層很遠(yuǎn)才發(fā)散與B電極形成回路，主電流分布特點(diǎn)見圖3-12。主電流層的厚度為兩對監(jiān)督電極中點(diǎn)的距離，即電極系的電極距。由于兩個柱狀屏蔽電極比較長(3米),對主電極電流的屏蔽作用強(qiáng),使得主電流流到地層很遠(yuǎn)處才發(fā)散,因此,電極系的測量結(jié)果主要反映原狀地層的電阻率。2、電場分布特點(diǎn)2）、淺雙側(cè)向電場分布特點(diǎn)由于兩個柱狀回路電極距主電極較近;而環(huán)形屏蔽電極的尺寸小,對主電流的控制能力較弱，主電極發(fā)出的電流徑向流入地層不遠(yuǎn)就開始發(fā)散，返回回路電極,主電流分布特點(diǎn)見圖3-12。主電流層的厚度為兩對監(jiān)督電極中點(diǎn)的距離，即電極系的電極距。此電極系的測量結(jié)果主要反映侵入帶的電阻率。2）、淺雙側(cè)向電場分布特點(diǎn)二、測量原理1)、恒流測量主電流Io不變。測量條件2)、柱狀屏蔽電極電位和環(huán)狀屏蔽電極電位的比值為常數(shù)（a）。3)、兩對監(jiān)督電極的電位差為零。二、測量原理1)、恒流測量主電流Io不變。測量條件2)、

深、淺側(cè)向記錄的視電阻率通常用RLLD

和RLLS

表示。雙側(cè)向測井輸出的視電阻率為：(3-8)其中：K--電極系系數(shù)。深淺雙側(cè)向的電極系系數(shù)分別為Kd、Ks。深、淺側(cè)向記錄的視電阻率通常用RLLD和RLLS三、深、淺雙側(cè)向曲線特點(diǎn)及應(yīng)用1、深、淺雙側(cè)向曲線特點(diǎn)

當(dāng)上下圍巖的電阻率相同時，雙側(cè)向測井曲線關(guān)于地層中心對稱。隨地層厚度的減小，圍巖電阻率對視電阻率的影響增加。若圍巖電阻率小于地層電阻率，則視電阻率小于地層電阻率；反之，若圍巖電阻率大于地層電阻率，則視電阻率大于地層電阻率。在這兩種情況下，二者差異均隨地層厚度的減小而增加。

三、深、淺雙側(cè)向曲線特點(diǎn)及應(yīng)用讀值方法：取地層中點(diǎn)的視電阻率值或取地層中部的幾何平均值。深雙側(cè)向視電阻率曲線主要反映原狀地層的電阻率；而淺雙側(cè)向視電阻率曲線主要反映侵入帶的電阻率。2、深、淺雙側(cè)向測井曲線的應(yīng)用1）、影響因素深、淺雙側(cè)向測井測量結(jié)果也是地層視電阻率，與地層電阻率有一定差異。讀值方法：取地層中點(diǎn)的視電阻率值或取地層中部的幾何平均值。深

根據(jù)測量原理及測量環(huán)境，可把影響因素分為井眼（井眼尺寸、井內(nèi)介質(zhì)的電阻率）、圍巖—層厚（圍巖電阻率、地層厚度）、侵入（侵入特征、侵入半徑）。應(yīng)用圖版或相應(yīng)的計(jì)算公式，即可對雙側(cè)向視電阻率按上述順序依次進(jìn)行校正，得到地層電阻率。如圖3--13、3-14、3-15所示。

根據(jù)測量原理及測量環(huán)境，可把影響因素分為井眼（圖3—13深淺雙側(cè)向井眼校正圖版使用方法：已知：泥漿電阻率，井徑，（橫坐標(biāo)，曲線號）求：縱坐標(biāo)及井眼校正后的深淺雙側(cè)向電阻率。圖3—13深淺雙側(cè)向井眼校正圖版使用方法：圖3—14深淺雙側(cè)向圍巖校正圖版使用方法：已知：地層厚度，圍巖電阻率，（橫坐標(biāo)，曲線號）求：縱坐標(biāo)及圍巖－層厚校正后的深淺雙側(cè)向電阻率。圖3—14深淺雙側(cè)向圍巖校正圖版使用方法：圖3—15深、淺雙側(cè)向侵入校正圖版使用方法：已知：橫坐標(biāo)，縱坐標(biāo)求：地層電阻率及泥漿侵入深度。虛線族－侵入帶直徑（英寸）；點(diǎn)劃線族－實(shí)線族－圖3—15深、淺雙側(cè)向侵入校正圖版使用方法：虛線族－侵入帶直

2）、應(yīng)用由于雙側(cè)向測井探測深度比三側(cè)向深，同時，深、淺雙側(cè)向的縱向分層能力相同，因此，曲線便于對比。主要用于以下幾方面。A、劃分巖性剖面：由于電極距較小，雙側(cè)向測井曲線的縱向分層能力強(qiáng)，適于劃分薄層。B、確定地層真電阻率及孔隙流體性質(zhì)通過對深、淺雙側(cè)向視電阻率曲線做井眼、圍巖—2）、應(yīng)用層厚及侵入校正，即可確定巖層的真電阻率及侵入帶的直徑。由真電阻率即可確定地層孔隙流體性質(zhì)。C、判斷油水層：將深、淺雙側(cè)向曲線重疊繪制，在滲透層出現(xiàn)幅度差。當(dāng)Rmf>Rw時，在油層層段（泥漿低侵），深雙側(cè)向讀數(shù)大于淺雙側(cè)向讀數(shù)，含油飽和度越高，差異越大；在水層層段（泥漿高侵），深雙側(cè)向讀數(shù)小于淺雙側(cè)向讀數(shù)，含水飽和度越高，差異越大。如圖3-16所示。層厚及侵入校正，即可確定巖層的真電阻率及侵入帶的直徑。由真電淡水泥漿特點(diǎn)：1、地層縱向?qū)щ娦缘淖兓瘜λ鼈兊挠绊懴嗤?、二者差異取決于地層橫向?qū)щ娦缘淖兓?；圖3-16淡水泥漿井雙側(cè)向測井曲線特征氣層油層水層淡水泥漿特點(diǎn)：1、地層縱向?qū)щ娦缘淖兓瘜λ鼈兊挠绊懴嗤?。圖3圖3-17鹽水泥漿井的雙側(cè)向測井曲線特征當(dāng)Rmf<Rw時，無論是油層，還是水層，均為泥漿低侵，通常油層的視電阻率高于水層，且幅度差比水層的幅度差大。

如圖3-17所示。圖3-17鹽水泥漿井的雙側(cè)向測井曲線特征當(dāng)Rmf<Rw時，圖3-18淡水泥漿井的雙側(cè)向測井曲線圖3-18淡水泥漿井的雙側(cè)向測井曲線圖3-19淡水泥漿井的雙側(cè)向測井曲線圖3-19淡水泥漿井的雙側(cè)向測井曲線圖3-20淡水泥漿井的雙側(cè)向測井曲線圖3-20淡水泥漿井的雙側(cè)向測井曲線內(nèi)容小結(jié)一、側(cè)向測井特點(diǎn)縱向分層能力高，測量結(jié)果受圍巖－層厚影響小；橫向探測深度深、淺適中。深側(cè)向反映地層導(dǎo)電性；淺側(cè)向反映沖洗帶的導(dǎo)電性。內(nèi)容小結(jié)一、側(cè)向測井特點(diǎn)二、側(cè)向測井曲線的應(yīng)用在淡水泥漿井，油氣層一般為泥漿低侵，深側(cè)向大于淺側(cè)向，曲線出現(xiàn)正差異；水層為負(fù)差異。在鹽水泥漿井，無論油氣層還是水層，一般均為泥漿低侵，深側(cè)向大于淺側(cè)向，曲線出現(xiàn)正差異。但一般水層曲線幅度低。由于縱向分辨率高，所以，可以確定地層厚度。二、側(cè)向測井曲線的應(yīng)用思考題1、淡水泥漿井的油氣層與水層的側(cè)向測井電阻率曲線特點(diǎn)。2、與普通電阻率測井相比，側(cè)向測井的優(yōu)點(diǎn)。3、根據(jù)下圖測井曲線特點(diǎn)，試劃分油氣水層。（淡水泥漿）思考題1、淡水泥漿井的油氣層與水層的側(cè)向測井電阻率曲線特點(diǎn)。《側(cè)向測井》-2教學(xué)課件《側(cè)向測井》(2)幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請自行刪除，謝謝！本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使用學(xué)習(xí)完請自行刪除，謝謝！《側(cè)向測井》(2)幻燈片本課件PPT僅供大家學(xué)習(xí)使

普通電阻率測井儀在井內(nèi)產(chǎn)生的電場為發(fā)散的直流電場，當(dāng)井內(nèi)泥漿的礦化度高或井剖面為高阻地層時，井的分流作用大，測量結(jié)果既不能反映巖性變化，也不能反映地層電阻率。為解決這一問題，提出了聚焦測井，即側(cè)向測井。

主電極Ao，屏蔽電極A1、A2，對比電極N，回路電極B。第一節(jié)三側(cè)向測井一、三側(cè)向電極系的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)1、深三側(cè)向電極系深三側(cè)向電極系的結(jié)構(gòu)和電場分布如圖3-1所示。圖3-1深三側(cè)向電極系及電場分布

第一節(jié)三側(cè)向測井一、三側(cè)向電

2、淺三側(cè)向電極系淺三側(cè)向電極系的結(jié)構(gòu)如圖3-2所示。主電極Ao，屏蔽電極A1、A2，回路電極B1、B2，對比電極N。圖3-2淺三側(cè)向電極系及電場分布2、淺三側(cè)向電極系主電極A深、淺三側(cè)向電極系的電極距均等于兩個屏蔽電極與主電極間的縫隙中點(diǎn)之間的距離；記錄點(diǎn)為主電極中點(diǎn)。深、淺三側(cè)向電極系的電極距均等于兩個屏蔽電極與主電極為了滿足條件3,在測量過程中，不斷調(diào)節(jié)屏蔽電極的電流。二、三側(cè)向電極系的測量原理

1)恒流測量。在測量過程中，主電極發(fā)出的電流Io保持不變。2)屏蔽電流與主電極電流的極性相同。3)主電極與兩個屏蔽電極的電位相等。測量條件為了滿足條件3,在測量過程中，不斷調(diào)節(jié)屏蔽電極的電流。

測量的視電阻率為：其中：△U為主電極的電位與對比電極N的電位差；為主電流；K為電極系系數(shù)，與電極系的結(jié)構(gòu)及尺寸有關(guān)。(3-1)測量的視電阻率為：其中：△U為主電1、深、淺三側(cè)向曲線特點(diǎn)三、深、淺三側(cè)向曲線特點(diǎn)及應(yīng)用1)、當(dāng)圖3-3為上下地層導(dǎo)電性相同,單一高阻地層下的三側(cè)向測井曲線。圖3-3、單一高阻深三側(cè)向視電阻率曲線

1、深、淺三側(cè)向曲線特點(diǎn)三、深、淺三側(cè)向曲線特點(diǎn)及應(yīng)從圖3-3看出,曲線具有以下特點(diǎn)1)、當(dāng)上下圍巖的電阻率相同時，三側(cè)向測井曲線關(guān)于地層中心對稱。2)、隨地層厚度的減小，圍巖電阻率對視電阻率的影響增加。若圍巖電阻率小于地層電阻率，則視電阻率小于地層電阻率；反之，視電阻率大于地層電阻率。二者差異均隨地層厚度的減小而增加。3)、井內(nèi)流體電阻率的影響減小。從圖3-3看出,曲線具有以下特點(diǎn)1)、當(dāng)上下圍巖的電阻率相

數(shù)據(jù)讀取的方法：取地層中點(diǎn)的視電阻率值或取地層中部的幾何平均值。

深三側(cè)向視電阻率曲線主要反映原狀地層的電阻率；淺三側(cè)向視電阻率曲線主要反映侵入帶的電阻率。

2、深、淺三側(cè)向測井曲線的應(yīng)用1）、影響因素及其校正深、淺三側(cè)向的測井值也是地層視電阻率，其與地層電阻率存在一定差異。根據(jù)測量原理及測量環(huán)境，可把影響因素歸結(jié)為井眼（井眼尺寸、井內(nèi)介質(zhì)的電阻率）、圍巖—層厚（圍巖電阻率、地層厚度）、侵入（侵入特征、侵入半徑）。

2、深、淺三側(cè)向測井曲線的應(yīng)用

應(yīng)用圖版或相應(yīng)的計(jì)算公式，即可對三側(cè)向視電阻率按上述順序依次進(jìn)行校正，得到地層電阻率。如圖3--4、3-5、3-6、3-7所示。應(yīng)用圖版或相應(yīng)的計(jì)算公式，即可對三側(cè)向視電阻率按上圖3-4三側(cè)向井眼校正圖版圖3-4三側(cè)向井眼校正圖版圖3-5三側(cè)向圍巖校正圖版圖3-5三側(cè)向圍巖校正圖版圖3-6選擇侵入校正圖版圖3-6選擇侵入校正圖版圖3-7侵入校正圖板圖3-7侵入校正圖板圖3-8深、淺三側(cè)向組合圖版圖3-8深、淺三側(cè)向組合圖版將深、淺三側(cè)向曲線重疊繪制，在滲透層出現(xiàn)幅度差。A、劃分巖性剖面由于電極距較小，三側(cè)向測井曲線的縱向分層能力強(qiáng)，適于劃分薄層。2）、應(yīng)用B、判斷油水層將深、淺三側(cè)向曲線重疊繪制，在滲透層出現(xiàn)幅度差。A、

當(dāng)Rmf>Rw時，在油層層段（泥漿低侵），深三側(cè)向讀數(shù)大于淺三側(cè)向讀數(shù)，含油飽和度越高，差異越大。在水層層段（泥漿高侵），深三側(cè)向小于淺三側(cè)向，含水飽和度越高，差異越大。如圖3-9所示。

當(dāng)Rmf<Rw時，無論是油層，還是水層，均為泥漿低侵。但油層視電阻率高于水層，且幅度差比水層的幅度差大。當(dāng)Rmf>Rw時，在油層層段（泥漿低侵），深圖3-9用深、淺三側(cè)向曲線判斷油水層

1、根據(jù)微電極曲線確定滲透層（兩條曲線不重合）及泥巖（電阻率低，兩條曲線重合）。2、根據(jù)SP曲線異常，確定泥漿性質(zhì)（淡水泥漿、鹽水泥漿）。3、根據(jù)滲透層的探測深度不同的電阻率曲線關(guān)系，確定泥漿侵入特征。4、綜合2、3，確定滲透層孔隙流體性質(zhì)。圖3-9用深、淺三側(cè)向曲線判斷油水層1、根據(jù)微電極曲2）、缺點(diǎn)

深三側(cè)向探測深度不夠大；而淺三側(cè)向探測深度不夠淺。在滲透層層段，幅度差不明顯。侵入較深時，深三側(cè)向讀數(shù)受侵入帶影響大。侵入較淺時，淺三側(cè)向讀數(shù)受原狀地層影響大。1）、優(yōu)點(diǎn)由于屏流作用，使得視電阻率曲線受井眼影響?。恢麟姌O尺寸小，圍巖影響小，縱向分辨率高，有利于薄層劃分。

3、深、淺三側(cè)向測井的優(yōu)缺點(diǎn)2）、缺點(diǎn)1）、優(yōu)點(diǎn)3、深、淺三側(cè)向測井的優(yōu)缺點(diǎn)第二節(jié)七電極側(cè)向測井一、七側(cè)向電極系1、深七側(cè)向電極系由7個金屬環(huán)狀電極組成。如圖3-10所示.主電極A0,兩對監(jiān)督電極M1、M2及M1’、M2’一對屏蔽電極A1、A2.圖3-10深七側(cè)向電極系及電流分布第二節(jié)七電極側(cè)向測井一、七側(cè)向電極系1、深七側(cè)向電極系由兩對監(jiān)督電極中點(diǎn)之間的距離為深七側(cè)向電極系的電極距。記為L。兩個屏蔽電極之間的距離為電極系長度,記為L0。

L0/L定義為電極系的分布比S。S=L0/L(3-2)電極系的記錄點(diǎn)為A0電極的中心。通過調(diào)整S的大小來調(diào)整屏蔽電流,加強(qiáng)對主電流的控制作用,達(dá)到提高電極系探測深度的目的。兩對監(jiān)督電極中點(diǎn)之間的距離為深七側(cè)向電極系的電極距。2、淺七側(cè)向電極系淺七側(cè)向電極系如圖3-11所示.主電極A0,兩對監(jiān)督電極M1、M2及M1’、M2’一對屏蔽電極A1、A2.一對回路電極B1、B2.圖3-11淺七側(cè)向電極系及電流分布2、淺七側(cè)向電極系淺七側(cè)向電極系如圖3-11所示.圖3-11二、測量原理1)、采用恒流(Io)測量方式。2)、屏蔽電流Is與主電流Io同極性；測量條件:3)、兩對監(jiān)督電極之間的電位相等。(3-3)通過調(diào)整Is，以滿足條件3)。二、測量原理1)、采用恒流(Io)測量方式。2)、屏蔽電七側(cè)向測井輸出:(3-4)其中：K為七側(cè)向電極系系數(shù)。深七側(cè)向電極系系數(shù)為:(3-5)七側(cè)向測井輸出:(3-4)其中：K為七側(cè)向電極系系數(shù)。深七側(cè)淺七側(cè)向電極系系數(shù)為:其中:(3-6)(3-7)淺七側(cè)向電極系系數(shù)為:其中:(3-6)(3-7)一、雙側(cè)向測井電極系及電場分布1、

雙側(cè)向測井電極系的結(jié)構(gòu)雙側(cè)向測井電極系有9個電極組成，結(jié)構(gòu)如圖3-12所示。其中7個為環(huán)形電極，2個柱狀電極。最外側(cè)的兩個柱狀電極在深側(cè)向電極系中為屏蔽電極，在淺側(cè)向電極系中為回路電極B1、B2。對比電極N和深側(cè)向的回路電極B在遠(yuǎn)處。第三節(jié)雙側(cè)向測井一、雙側(cè)向測井電極系及電場分布圖3-12雙側(cè)向電極系及其電場分布

深雙側(cè)向Ao—主電極；A1、A2—屏蔽電極；M1、M2—監(jiān)督電極；淺雙側(cè)向Ao—主電極；A1—屏蔽電極；A2—回路電極。M1、M2—監(jiān)督電極；屏蔽電極的電流極性與主電極電流極性相同。圖3-12雙側(cè)向電極系及其電場分布深雙側(cè)向淺雙側(cè)向屏2、電場分布特點(diǎn)1）、深雙側(cè)向電場分布特點(diǎn)由于深側(cè)向電極系有兩個柱狀屏蔽電極，對主電流的控制作用加強(qiáng)，主電極發(fā)出的電流徑向流入地層很遠(yuǎn)才發(fā)散與B電極形成回路，主電流分布特點(diǎn)見圖3-12。主電流層的厚度為兩對監(jiān)督電極中點(diǎn)的距離，即電極系的電極距。由于兩個柱狀屏蔽電極比較長(3米),對主電極電流的屏蔽作用強(qiáng),使得主電流流到地層很遠(yuǎn)處才發(fā)散,因此,電極系的測量結(jié)果主要反映原狀地層的電阻率。2、電場分布特點(diǎn)2）、淺雙側(cè)向電場分布特點(diǎn)由于兩個柱狀回路電極距主電極較近;而環(huán)形屏蔽電極的尺寸小,對主電流的控制能力較弱，主電極發(fā)出的電流徑向流入地層不遠(yuǎn)就開始發(fā)散，返回回路電極,主電流分布特點(diǎn)見圖3-12。主電流層的厚度為兩對監(jiān)督電極中點(diǎn)的距離，即電極系的電極距。此電極系的測量結(jié)果主要反映侵入帶的電阻率。2）、淺雙側(cè)向電場分布特點(diǎn)二、測量原理1)、恒流測量主電流Io不變。測量條件2)、柱狀屏蔽電極電位和環(huán)狀屏蔽電極電位的比值為常數(shù)（a）。3)、兩對監(jiān)督電極的電位差為零。二、測量原理1)、恒流測量主電流Io不變。測量條件2)、

深、淺側(cè)向記錄的視電阻率通常用RLLD

和RLLS

表示。雙側(cè)向測井輸出的視電阻率為：(3-8)其中：K--電極系系數(shù)。深淺雙側(cè)向的電極系系數(shù)分別為Kd、Ks。深、淺側(cè)向記錄的視電阻率通常用RLLD和RLLS三、深、淺雙側(cè)向曲線特點(diǎn)及應(yīng)用1、深、淺雙側(cè)向曲線特點(diǎn)

當(dāng)上下圍巖的電阻率相同時，雙側(cè)向測井曲線關(guān)于地層中心對稱。隨地層厚度的減小，圍巖電阻率對視電阻率的影響增加。若圍巖電阻率小于地層電阻率，則視電阻率小于地層電阻率；反之，若圍巖電阻率大于地層電阻率，則視電阻率大于地層電阻率。在這兩種情況下，二者差異均隨地層厚度的減小而增加。

三、深、淺雙側(cè)向曲線特點(diǎn)及應(yīng)用讀值方法：取地層中點(diǎn)的視電阻率值或取地層中部的幾何平均值。深雙側(cè)向視電阻率曲線主要反映原狀地層的電阻率；而淺雙側(cè)向視電阻率曲線主要反映侵入帶的電阻率。2、深、淺雙側(cè)向測井曲線的應(yīng)用1）、影響因素深、淺雙側(cè)向測井測量結(jié)果也是地層視電阻率，與地層電阻率有一定差異。讀值方法：取地層中點(diǎn)的視電阻率值或取地層中部的幾何平均值。深

根據(jù)測量原理及測量環(huán)境，可把影響因素分為井眼（井眼尺寸、井內(nèi)介質(zhì)的電阻率）、圍巖—層厚（圍巖電阻率、地層厚度）、侵入（侵入特征、侵入半徑）。應(yīng)用圖版或相應(yīng)的計(jì)算公式，即可對雙側(cè)向視電阻率按上述順序依次進(jìn)行校正，得到地層電阻率。如圖3--13、3-14、3-15所示。

根據(jù)測量原理及測量環(huán)境，可把影響因素分為井眼（圖3—13深淺雙側(cè)向井眼校正圖版使用方法：已知：泥漿電阻率，井徑，（橫坐標(biāo)，曲線號）求：縱坐標(biāo)及井眼校正后的深淺雙側(cè)向電阻率。圖3—13深淺雙側(cè)向井眼校正圖版使用方法：圖3—14深淺雙側(cè)向圍巖校正圖版使用方法：已知：地層厚度，圍巖電阻率，（橫坐標(biāo)，曲線號）求