半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)研究1.清洗設(shè)備：清洗步驟貫穿芯片生產(chǎn)各環(huán)節(jié)，濕法清洗為主流技術(shù)路線1.1清洗步驟貫穿芯片生產(chǎn)各環(huán)節(jié)，是芯片良率重要保障清洗是半導(dǎo)體制程的重要環(huán)節(jié)，也是影響半導(dǎo)體器件良率的最重要的因素之一。清洗

是晶圓加工制造過程中的重要一環(huán)，為了最大限度降低雜質(zhì)對芯片良率的影響，在實(shí)際生

產(chǎn)過程中不僅需要確保高效的單次清洗，還需要在幾乎所有的制程前后都進(jìn)行頻繁的清洗，

在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵制程工藝中均為必要環(huán)節(jié)。1)

硅片制造過程中，經(jīng)過拋光處理后的硅片，需要通過清洗過程來確保其表面的平整度

和性能，進(jìn)而提升在后續(xù)工藝中的良率。2)

晶圓制造過程中，晶圓經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、去膠、成膜以及機(jī)械拋光等關(guān)鍵

工序前后都需要進(jìn)行清洗，以去除晶圓沾染的化學(xué)雜質(zhì)，減少缺陷率，提高良率。3)

芯片封裝過程中，芯片需要根據(jù)封裝工藝進(jìn)行

TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸點(diǎn)底層

金屬/薄膜再分布技術(shù))清洗以及健合清洗等。硅片在進(jìn)入每道工序之前表面必須是潔凈的，需經(jīng)過重復(fù)多次的清洗步驟，除去表面

的污染物。芯片制造需要在無塵室中進(jìn)行，在芯片的制造過程中，任何的沾污現(xiàn)象都將影

響芯片上器件的正常功能。沾污雜質(zhì)具體指半導(dǎo)體制造過程中引入的任何危害芯片成品率

以及電學(xué)性能的物質(zhì)。具體的沾污物包括顆粒、有機(jī)物、金屬和自然氧化層等，此類污染

物包括從環(huán)境、其他制造工藝、刻蝕副產(chǎn)物、研磨液等。上述沾污雜質(zhì)如果不及時清理均

可能導(dǎo)致后續(xù)工藝的失敗，導(dǎo)致電學(xué)失效，最終會造成芯片報(bào)廢。清洗步驟數(shù)量是芯片制造工藝步驟占比最大的工序，約占所有芯片制造工序步驟的

30%

以上。伴隨半導(dǎo)體制造技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，清洗工序的數(shù)量和重要性將繼續(xù)提高。在半導(dǎo)體

芯片工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入

28nm、14nm以及更先進(jìn)等級后，工藝流程的延長且越趨復(fù)雜，產(chǎn)

線成品率也會隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個原因就是先進(jìn)制程對雜質(zhì)的敏感度更高，小

尺寸污染物的高效清洗更困難。解決的方法主要是增加清洗步驟。每個晶片在整個制造過

程中需要甚至超過

200

道清洗步驟，晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要及富有挑戰(zhàn)性。1.2濕法清洗是主流清洗技術(shù)路線根據(jù)清洗的介質(zhì)不同，清洗技術(shù)可以分為濕法清洗和干法清洗兩種。濕法清洗是指利

用溶液、酸堿、表面活性劑、水及其混合物，通過腐蝕、溶解、化學(xué)反應(yīng)等方法，使硅片

表面的雜質(zhì)與溶劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性物質(zhì)、氣體或直接脫落，以獲得滿足潔凈度要

求的硅片。干法清洗是指不依賴化學(xué)試劑的清洗技術(shù)，包括等離子體清洗、氣象清洗等。

晶圓制造產(chǎn)線上通常以濕法清洗為主，是目前市場上的主流清洗方法。1.2.1

濕法清洗濕法清洗采用液體化學(xué)試劑和

DI水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機(jī)物及金屬

離子污染。通常采用的濕法清洗有

RCA清洗法、稀釋化學(xué)法、IMEC清洗法和單晶片清洗

等。1)

RCA通用清洗法：RCA清洗法依靠溶劑、酸、表面活性劑和水，在不破壞晶圓表面特

征的情況下通過噴射、凈化、氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機(jī)物及金屬離子污

染。在每次使用化學(xué)品后都要在超純水（UPW）中徹底清洗。2)

化學(xué)稀釋法：在

RCA清洗的基礎(chǔ)上，對

SC1、SC2

混合物采用稀釋化學(xué)法可以大量節(jié)

約化學(xué)品及

DI水的消耗量。并且

SC2

混合物中的

H2O2

可以完全去掉。稀釋

APMSC2

混合物（1:1:50）可以有效地從晶片表面去除顆粒和碳?xì)浠衔?。?qiáng)烈稀釋

HPM混合物（1:1:60）和稀釋

HCI（1:100）在清除金屬時可以像標(biāo)準(zhǔn)

SC2

液體一樣有效。采用稀釋

HCI溶液的另外一個優(yōu)點(diǎn)是，在低

HCI濃度下顆粒不會沉淀。采用稀釋

RCA清洗法可以使全部化學(xué)品消耗減少

86%。稀釋

SC1,SC2

溶液及

HF補(bǔ)充兆聲攪動后，

可以降低槽中溶液使用溫度，并優(yōu)化了各種清洗步驟的時間，因此導(dǎo)致槽中溶液壽命加

長，使化學(xué)品消耗量減少

80-90%。實(shí)驗(yàn)證明采用熱的

UPW代替涼的

UPW可以使

UPW消耗量減少

75-80%。此外，多種稀釋化學(xué)液體由于低流速或清洗時間的要求可

大大節(jié)約沖洗用水。3)

IMEC清洗法：

①

第一步，去除有機(jī)污染物，生成一薄層化學(xué)氧化物以便有效去除顆粒。通常采用硫

酸混合物。

②

第二步，去除氧化層，同時去除顆粒和金屬氧化物。Cu,

Ag等金屬離子存在于

HF溶液時會沉積到

Si表面。其沉積過程是一個電化學(xué)過程，在光照條件下，銅的表

面沉積速度加快。

③

第三步，在硅表面產(chǎn)生親水性，以保證干燥時不產(chǎn)生干燥斑點(diǎn)或水印。通常采用稀

釋

HCL/O3

混合物，在低

pH值下使硅表面產(chǎn)生親水性，同時避免再發(fā)生金屬污染，

并且在最后沖洗過程中增加

HNO3的濃度以減少

Ca表面污染。4)

單晶片清洗：大直徑晶片的清洗采用上述方法不好保證其清洗過程的完成，通常采用單

晶片清洗法。其清洗過程是在室溫下重復(fù)利用

DI-O3/DHF清洗液，臭氧化的

DI水

（DI-O3）產(chǎn)生氧化硅，稀釋的

HF蝕刻氧化硅，同時清除顆粒和金屬污染物。根據(jù)蝕

刻和氧化的要求采用較短的噴淋時間就可獲得好的清洗效果，不會發(fā)生交叉污染。最后

沖洗不是采用

DI水就是采用臭氧化的

DI水。為了避免水漬，采用濃縮大量氮?dú)獾漠惐?/p>

基乙醇（IPA）進(jìn)行干燥處理。單晶片清洗具有或者比改良的

RCA清洗更好的清洗效

果，清洗過程中采用

DI水及

HF的再循環(huán)利用，降低化學(xué)品的消耗量，提高晶片成本

效益。1.2.2

干法清洗干法清洗采用氣相學(xué)法去除晶片表面污染物。氣相化學(xué)法主要有熱氧化法和等離子清洗法，清洗過程就是將熱化學(xué)氣體或等離子態(tài)反應(yīng)氣體導(dǎo)入反應(yīng)室，反應(yīng)氣體與晶片表面

發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成易揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物被真空抽去。在

CI包容環(huán)境中退火是一種典型的熱氧

化過程，在氧化爐中進(jìn)行，氬（Ar）濺射通常在濺射淀積前現(xiàn)場進(jìn)行。干法清洗的優(yōu)點(diǎn)在于清洗后無廢液，可有選擇性的進(jìn)行局部處理。另外，干法清洗蝕

刻的各向異性有利于細(xì)線條和幾何特征的形成。但氣相化學(xué)法無法有選擇性的只與表面金

屬污染物反應(yīng)，都不可避免的與硅表面發(fā)生反應(yīng)。各種揮發(fā)性金屬混合物蒸發(fā)壓力不同，

在低溫下各種金屬揮發(fā)性不同，所以在一定的溫度、時間條件下，不能將所有金屬污染物

完全去除，因此干法清洗不能完全取代濕法清洗。實(shí)驗(yàn)證明，氣相化學(xué)法可按要求的標(biāo)準(zhǔn)

減少的金屬污染物有鐵、銅、鋁、鋅、鎳等，另外，鈣在低溫下采用基于

CL離子的化學(xué)法

也可有效揮發(fā)。工藝過程中通常采用干、濕法相結(jié)合的清洗方式。1.3

單片清洗良率高，是目前主流清洗設(shè)備在濕法清洗的技術(shù)路線下，清洗設(shè)備可以分為單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、批式旋

轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備和洗刷器等，其中單片和槽式清洗設(shè)備是目前主流的清洗設(shè)備。

單片清洗是將每一片晶圓送至各個腔體進(jìn)行單獨(dú)噴淋式清洗，這樣容易控制清洗質(zhì)量，

也可以提高單片晶圓不同位臵的清洗均勻度，但是缺點(diǎn)是清洗效率低下。槽式清洗是將多

片晶圓（100-200

片）放入清洗槽中，集中起來清洗，此類清洗設(shè)備效率高且成本底，但是

缺點(diǎn)是濃度較難控制，可能產(chǎn)生交叉污染。目前，單片清洗在集成電路制造的先進(jìn)工藝中已逐步取代槽式清洗成為主流，主要原因包

括：（1）單片清洗能夠提供更好的工藝控制，提高產(chǎn)品良率；（2）在更大尺寸的晶圓和更

先進(jìn)的工藝對于雜質(zhì)更敏感，槽式清洗出現(xiàn)交叉污染會危及整批晶圓的良率，會帶來高成

本的芯片返工支出；（3）單片槽式組合清洗技術(shù)的出現(xiàn)，可以在提高清洗能力及效率的同

時，減少硫酸的使用量，幫助客戶有效降低成本。2.半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)入上行周期，先進(jìn)工藝為清洗設(shè)備帶來新增長點(diǎn)2.1半導(dǎo)體市場景氣高漲，資本開支上行帶動設(shè)備市場高成長在

5G、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、云計(jì)算等需求的帶動下，半導(dǎo)體市場需求持續(xù)增長。2020

年盡管受到疫情的影響，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模依然同比增長

6.8%，達(dá)到了

4404

億美元，

預(yù)計(jì)

2021

年、2022

年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模分別為

5272

億美元、5734

億美元，同比分別

增長

19.7%、8.8%。從分地區(qū)來看，亞太市場規(guī)模增速高于全球平均，分別為

23.5%、

9.2%，在全球市場的占比分別為

63%、64%。半導(dǎo)體廠商的資本開支提高將帶動設(shè)備市場規(guī)模高成長，根據(jù)

SEMI統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體

設(shè)備市場規(guī)模從

2013

年的

318

億美元增長至

2020

年的

712

億美元，年復(fù)合增長率達(dá)

12.21%，2020

年實(shí)現(xiàn)同比增長

19.15%。預(yù)計(jì)

2021

年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將增至

953

億美元，同比增長

33.85%，并于

2022

年超過

1000

億美元。

另外，中國的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額從

2013

年的

33

億美元增長至

2020

年的

187

億美元，

年復(fù)合增長率高達(dá)

27.70%，遠(yuǎn)超全球市場增速。2.2大陸晶圓產(chǎn)能占比持續(xù)提高，有望帶動國產(chǎn)設(shè)備需求成長在國家政策的大力扶持以及行業(yè)景氣高漲的帶動下，大陸半導(dǎo)體企業(yè)紛紛提高資本開

支，根據(jù)

ICInsights，截止

2020

年

12

月，中國大陸晶圓產(chǎn)能為

318

萬片/月（折合

8

寸），

在全球占比為

15.3%。ICInsights進(jìn)一步指出，隨著半導(dǎo)體制造硅晶圓產(chǎn)能持續(xù)向中國轉(zhuǎn)

移，預(yù)計(jì)到

2025

年產(chǎn)能占比將增加至

18%，是唯一一個在

2020

年至

2025

年期間產(chǎn)能占

有率增加的地區(qū)。根據(jù)

SEMI的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體制造商將于

2021

和

2022

年分別新建

19、10

座晶圓

廠，其中中國大陸及中國臺灣各有

8

個晶圓新廠建設(shè)方案，其次是美洲

6

個，歐洲/中東

3

個，日本和韓國各

2

個，未來幾年這

29

座晶圓廠的設(shè)備支出預(yù)計(jì)將超過

1400

億美元。中

國大陸在半導(dǎo)體廠投資規(guī)劃較大，有望大幅帶動上游國產(chǎn)設(shè)備需求。2.3

清洗設(shè)備市場空間大，單片設(shè)備將長期占據(jù)主體地位在半導(dǎo)體制造設(shè)備中，一般包含光刻、刻蝕、薄膜沉積、兩側(cè)、清洗、CMP等設(shè)備，

根據(jù)

Gartner的數(shù)據(jù)，清洗設(shè)備在晶圓制造設(shè)備中的占比大概在

4%以上。根據(jù)

Gartner數(shù)據(jù)，2018

年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模為

34.2

億美元，2019

和2020

年受全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下降以及新冠疫情的影響，全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模

有所下降，分別為

30.5

億美元和

25.4

億美元。預(yù)計(jì)

2021

年隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇以

及全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模提升的拉動，半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場將呈現(xiàn)逐年增長的趨勢，

2024

年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)到

32

億美元。從結(jié)構(gòu)來看，單片清洗設(shè)備是目前市場的絕對主流，根據(jù)

Gartner的數(shù)據(jù)，2019

年單

片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備和洗刷器等類型清洗設(shè)備的市場份額

分別為

22.76

億美元、5.52

億美元、0.13

億美元和

2.08

億美元，占比分別為

74.63%、

18.10%、0.44%和

6.83%。隨著集成電路特征尺寸的進(jìn)一步縮小，單片清洗設(shè)備在

40nm以下的制程中的應(yīng)用會更加廣泛，未來的占比有望逐步上升。根據(jù)東京電子的預(yù)測，單片

清洗將長期占據(jù)主要市場份額。2.4先進(jìn)工藝為清洗設(shè)備增添新增長機(jī)遇除了受益于半導(dǎo)體行業(yè)景氣周期上行，半導(dǎo)體工藝升級也將為清洗設(shè)備帶來新增長機(jī)

遇，隨著芯片先進(jìn)制程的進(jìn)步以及芯片結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，清洗設(shè)備市場有望量價提升。

1)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件集成度不斷提高，清洗的步驟大幅提高。

90nm的芯片清洗工藝約

90

道，到了

20nm清洗工藝達(dá)到

215

道。隨著芯片進(jìn)入

16nm以及

7nm以下，清洗工藝的道數(shù)將會加速增長。2)

另一方面半導(dǎo)體晶圓的尺寸卻不斷擴(kuò)大，主流晶圓尺寸已經(jīng)從

4

英寸、6

英寸，發(fā)展到

現(xiàn)階段的

8

英寸、12

英寸。此外，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復(fù)雜。例如存儲器領(lǐng)域的

NAND閃存，根據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖預(yù)測，當(dāng)工藝尺寸到達(dá)

14nm后，目前的

Flash存儲技術(shù)將會達(dá)到尺寸縮小的極限，存儲器技術(shù)將從二維轉(zhuǎn)向三維架構(gòu)，進(jìn)入

3D時代。3DNAND制造工藝中，主要是將原來

2DNAND中二維平面橫向排列的串聯(lián)

存儲單元改為垂直排列，通過增加立體層數(shù)，解決平面上難以微縮的工藝問題，堆疊

層數(shù)也從

32

層、64

層向

128

層發(fā)展。3D存儲技術(shù)的提升，在清洗晶圓表面的基礎(chǔ)上

提出了更高的要求，即在無損情況下清洗立體內(nèi)部沾污，對清洗設(shè)備提出了更高的要

求，清洗設(shè)備的單臺價值將不斷上升。3.日系廠商領(lǐng)跑清洗設(shè)備市場，國產(chǎn)替代進(jìn)展順利3.1日系廠商領(lǐng)跑清洗設(shè)備，國內(nèi)廠商替代進(jìn)展順利全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備高度集中于日本企業(yè)。根據(jù)

Gartner數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備行

業(yè)的龍頭企業(yè)主要是迪恩士(DainipponScreen)、東京電子(TEL)、韓國

SEMES、拉姆研究

（LamResearch）等等。其中，迪恩士處于絕對領(lǐng)先地位，2020

年占據(jù)了全球半導(dǎo)體清

洗設(shè)備

45.1%的市場份額，東京電子、SEMES和拉姆研究分別占據(jù)約

25.3%、14.8%和

12.5%。a)

迪恩士（DainipponScreen）：成立于

1943

年，總部位于日本東京，是日本半導(dǎo)體

專用設(shè)備和

LED生產(chǎn)設(shè)備公司，客戶遍及日本、韓國和中國臺灣地區(qū)。公司產(chǎn)品主要包括

半導(dǎo)體設(shè)備、顯示設(shè)備、PCB設(shè)備等。半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品主要有清洗機(jī)、蝕刻、顯影/涂布等，

其中清洗設(shè)備在半導(dǎo)體業(yè)界具有極高的市占率，2020

年全球市占率超過

45%，全球第一。b)

東京電子（TokyoElectron）：成立于

1963

年，總部位于日本東京，是日本最大的

半導(dǎo)體制造設(shè)備提供商，主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，TokyoElectron的產(chǎn)品

幾乎覆蓋了半導(dǎo)體制造流程中的所有工序。其主要產(chǎn)品包括涂布/顯像設(shè)備、熱處理成膜設(shè)

備、干法刻蝕設(shè)備、CVD、濕法清洗設(shè)備及測試設(shè)備，其清洗設(shè)備

2020

年全球份額達(dá)到

25.3%。c)

拉姆研究（LamResearch）：成立于

1980

年，總部位于美國加尼福尼亞州弗里蒙

特，是向全球半導(dǎo)體提供晶圓制造設(shè)備和服務(wù)的主要供應(yīng)商之一。該公司的主要產(chǎn)品包括

用于制造集成電路的刻蝕設(shè)備、氣相沉積設(shè)備、電鍍設(shè)備、清洗設(shè)備等半導(dǎo)體加工設(shè)備。

其清洗設(shè)備

2020

年全球份額達(dá)

12.5%。中國半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的重要參與者包括至純科技、盛美半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、芯源微等，

國內(nèi)半導(dǎo)體清洗廠商起步比海外雖然較晚，追趕勢頭強(qiáng)勁：（1）至純科技擁有

8-12

英寸高階單晶圓濕法清洗設(shè)備和槽式濕法清洗設(shè)備的相關(guān)技術(shù)，

產(chǎn)品覆蓋晶圓制造、先進(jìn)封裝、太陽能等多個下游應(yīng)用。公司濕法設(shè)備有槽式和單片式

（8~12

反應(yīng)腔）兩種，可以提供到

28

納米節(jié)點(diǎn)全部濕法工藝，已經(jīng)切入中芯國際、華虹

集團(tuán)等一線用戶，單片式濕法設(shè)備已獲得國內(nèi)重要用戶多個訂單。（2）盛美半導(dǎo)體是國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備的龍頭，在

12

寸線清洗設(shè)備處于行業(yè)領(lǐng)先地位，

產(chǎn)品線豐富，清洗設(shè)備營收體量國內(nèi)最大。公司主要產(chǎn)品為集成電路領(lǐng)域的單片清洗設(shè)備，

其中包括單片

SAPS兆聲波清洗設(shè)備、單片

TEBO兆聲波清洗設(shè)備、單片背面清洗設(shè)備、

單片前道刷洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、單片槽式組合清洗設(shè)備等。（3）北方華創(chuàng)是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，產(chǎn)品線豐富，包括刻蝕機(jī)、PVD、CVD、ALD、氧

化/擴(kuò)散爐、退火爐、清洗機(jī)，公司通過收購美國半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商

AkrionSystemsLLC完

善了清洗設(shè)備產(chǎn)線，目前公司主要清洗設(shè)備產(chǎn)品為單片和槽式清洗設(shè)備，可適用于技術(shù)節(jié)

點(diǎn)為

65nm、28nm工藝的芯片制造。（4）芯源微目前產(chǎn)品主要產(chǎn)品包括光刻工序涂膠顯影設(shè)備（涂膠/顯影機(jī)、噴膠機(jī)）和單片

式濕法設(shè)備（清洗機(jī)、去膠機(jī)、濕法刻蝕機(jī)），公司生產(chǎn)的前道

SpinScrubber清洗機(jī)設(shè)備

目前已達(dá)到國際先進(jìn)水平，成功實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，已經(jīng)在中芯國際、上海華力、廈門士蘭集

科等多個客戶處通過工藝驗(yàn)證，并獲得國內(nèi)多家

Fab廠商的批量重復(fù)訂單。根據(jù)中國國際招標(biāo)網(wǎng)信息，根從

2019

年~2021

年

H1

中國主流晶圓廠清洗設(shè)備招標(biāo)采

購份額來看，中國半導(dǎo)體清洗設(shè)備的國產(chǎn)化率已經(jīng)維持在

10%~20%，突破最快，國產(chǎn)化率

超過了其他大部分設(shè)備。但是從整體來看，國內(nèi)企業(yè)規(guī)模和產(chǎn)品技術(shù)實(shí)力、知名度等與國

際知名企業(yè)仍然存在較大差距。未來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及國家政策的大力支持，

國產(chǎn)替代趨勢正在加速，國內(nèi)清洗設(shè)備企業(yè)有望快速成長。3.2大基金二期加大設(shè)備投資，國產(chǎn)替代進(jìn)程有望加速2014

年

9

月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金一期成立，根據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，第一期大基金投資

的企業(yè)包括：晶圓制造商中芯國際、長江存儲、士蘭微等，封裝測試廠長電科技、華天科

技、通富微電，IC設(shè)計(jì)廠紫光集團(tuán)、納思達(dá)、國科微、中盛科網(wǎng)絡(luò)、興微電子、兆易創(chuàng)新、

匯頂科技、景嘉微等；設(shè)備制造商中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、長川科技等；材料商鑫華半導(dǎo)

體、新昇半導(dǎo)體、安集微電子、雅克科技等。國家大基金二期于

2019

年

10

月

22

日注冊成立，注冊資本為

2041.5

億元。大基金二

期是一期的延續(xù)，相比于一期的規(guī)模擴(kuò)大了

45%。根據(jù)大基金一期的細(xì)分產(chǎn)業(yè)投資占比，

可以看得出來，一期主要側(cè)重的是晶圓代工、設(shè)計(jì)和封測等主要的產(chǎn)業(yè)大環(huán)節(jié)布局，而半

導(dǎo)體材料和設(shè)備則投資較少，我們預(yù)計(jì)二期將會加大對上游設(shè)備和材料的投資，比如薄膜

設(shè)備、測試設(shè)備、清洗設(shè)備、化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備等國產(chǎn)裝備領(lǐng)域，還有光刻膠、靶材、硅片等半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。

根據(jù)國家大基金二期數(shù)據(jù)，大基金二期將從

3

個方面重點(diǎn)支持國產(chǎn)設(shè)備與材料發(fā)展1)

二期基金將對在刻蝕機(jī)、薄膜設(shè)備、測試設(shè)備和清洗設(shè)備等領(lǐng)域已布局的企業(yè)保持

高強(qiáng)度的持續(xù)支持，培育中國大陸“應(yīng)用材料”或“東電電子”的企業(yè)苗子。2)

加快開展光刻機(jī)、化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備等核心設(shè)備以及關(guān)鍵零部件的投資布局，填補(bǔ)

國產(chǎn)工藝設(shè)備空白。3)

督促制造企業(yè)提高國產(chǎn)裝備驗(yàn)證及采購比例，為更多國產(chǎn)設(shè)備、材料提供工藝驗(yàn)證

條件。從近期大基金二期的動作來看，投資了包括中微公司、北方華創(chuàng)、至微科技（至純科技

子公司）、長川智能（長川科技子公司）等國內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備公司，對設(shè)備的投資力度相比一

期明顯加大。

隨著國家大基金二期加大對上游設(shè)備的投資，加速設(shè)備的國產(chǎn)替代趨勢，國內(nèi)設(shè)備廠商將

迎來發(fā)展良機(jī)。4.重點(diǎn)公司分析4.1至純科技：清洗賽道佼佼者，清洗設(shè)備步入加速成長期至純科技成立于

2000

年，目前主營業(yè)務(wù)包括高純工藝系統(tǒng)、半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備、光

傳感應(yīng)用及光學(xué)元器件，2020

年

3

塊業(yè)務(wù)的占比分別為

61.8%、15.6%和

22.5%。

在高純工藝系統(tǒng)方面，根據(jù)公告，通過

20

多年深耕，公司在高純工藝系統(tǒng)領(lǐng)域已經(jīng)形

成從研發(fā)、設(shè)計(jì)、供應(yīng)鏈到制造一體化，制程方面，覆蓋了

28~65nm的設(shè)備，有

14nm的

技術(shù)儲備。目前公司主要服務(wù)于一線

IC晶圓廠，包括三星、海力士、臺積電、中芯、華虹、

長存、長鑫、士蘭微等半導(dǎo)體頭部客戶。在濕法裝備領(lǐng)域，公司于

2017

年成立獨(dú)立的半導(dǎo)體濕法事業(yè)部，產(chǎn)品腔體、設(shè)備平臺

設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)都和國際一線大廠路線一致，采用先進(jìn)二流體產(chǎn)生的納米級水顆粒技術(shù)，

能高效去除微粒子的同時，還可以避免兆聲波的高成本。根據(jù)公司公告，公司目前的濕法

設(shè)備有槽式和單片式（8~12

反應(yīng)腔）兩種，可以提供到

28

納米節(jié)點(diǎn)全部濕法工藝；今年

上半年公司在更先進(jìn)的

14nm~7nm技術(shù)世代已接到

4

臺套機(jī)臺多個工藝的正式訂單，將于

2022

年交付至客戶產(chǎn)線驗(yàn)證。在技術(shù)儲備上，公司將持續(xù)投入資源開發(fā)符合高階工藝應(yīng)用

的設(shè)備（如多反應(yīng)腔、18

腔等），公司的濕法工藝設(shè)備的子系統(tǒng)包含藥液循環(huán)系統(tǒng)、溫控系

統(tǒng)、傳送系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、傳感控制系統(tǒng)、氣體流場設(shè)計(jì)、反應(yīng)藥液回收

環(huán)設(shè)計(jì)等。從客戶來看，公司濕法設(shè)備已經(jīng)切入一線用戶，用戶有中芯國際、華虹集團(tuán)、長鑫存

儲、華為、華潤、燕東、臺灣力晶等等，均為所在下游行業(yè)的領(lǐng)先者。其中公司單片濕法

設(shè)備獲得國內(nèi)重要用戶的多個訂單，高溫硫酸、晶背清洗、后段去膠、長膜前單片機(jī)型入

選，進(jìn)一步填補(bǔ)國產(chǎn)裝備在濕法清洗領(lǐng)域的空白。從公司的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)來看，公司總體業(yè)績呈現(xiàn)高速成長趨勢，從

2018

年的

6.7

億增長至

2020

年的

14

億元；公司歸母凈利潤從

2018

年的

0.3

億元增長至

2020

年的

2.6

億元。

2021

年前三季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入為

12.83

億元，同比增長

68.71%。歸母凈利

潤

1.88

億元，同比增長

127.96%，扣非歸母凈利潤

8052.68

萬元，同比增長

97.55%。

在訂單方面，根據(jù)公司互動平臺數(shù)據(jù)，截至

2021

年三季報(bào)報(bào)告期內(nèi)，公司濕法部門的

目前訂單已經(jīng)超過

8

億，其中新增單片設(shè)備訂單超

4

億元，前三季度訂單已經(jīng)超越了

2020

年全年水平。2021

年

10

月，公司子公司至微科技通過增資擴(kuò)股引入了包括大基金二期、中芯聚源、

裝備材料基金、遠(yuǎn)致星火、芯鑫鼎橡等股東，此次戰(zhàn)投股東名單涵蓋了國內(nèi)優(yōu)秀的半導(dǎo)體

投資基金，表明了市場對于公司未來發(fā)展前景的看好。通過此次增資，公司不僅增強(qiáng)了資

金實(shí)力，還有利于公司與國內(nèi)頭部半導(dǎo)體公司加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)合作，公司半導(dǎo)體清洗設(shè)備發(fā)展有

望加速。4.2盛美股份：國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)跑者盛美成立于

2005

年，是具備世界領(lǐng)先技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，2008

年公司的

SAPS技術(shù)研發(fā)成功，2009

年

SAPS清洗設(shè)備進(jìn)入韓國海力士開展產(chǎn)品驗(yàn)證，2011

年公司

用于

12

英寸

45nm工藝的

SAPS清洗設(shè)備首次取得海力士的訂單。2015

年后公司順利取

得了長江存儲、中芯國際及華虹集團(tuán)的訂單。2015

年及

2018

年，公司

TEBO技術(shù)和

Tahoe技術(shù)分別研發(fā)成功，在半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品線更加豐富。目前，公司

在半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域已經(jīng)成功進(jìn)入了全球一線半導(dǎo)體制造企業(yè)的生產(chǎn)線。公司主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等。其中清

洗設(shè)備包含單片清洗、槽式清洗以及單片槽式組合清洗等清洗設(shè)備；電鍍設(shè)備包含用于芯

片制造的前道銅互連電鍍設(shè)備、后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備。另外，公司還開發(fā)了用于先進(jìn)封

裝的濕法刻蝕設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備及立式爐管系列設(shè)

備等。在清洗設(shè)備領(lǐng)域，公司立足自主創(chuàng)新，通過多年的技術(shù)研發(fā)和工藝積