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文檔簡介

第三節(jié)磁表面存儲器4.3.1存儲原理與技術指標1.讀寫原理存儲介質：磁層讀/寫部件：磁頭（1）寫入在磁頭線圈中加入磁化電流（寫電流），并使磁層移動，在磁層上形成連續(xù)的小段磁化區(qū)域（位單元）。演示（2）讀出磁頭線圈中不加電流，磁層移動。當位單元的轉變區(qū)經過磁頭下方時，在線圈兩端產生感應電勢。讀出信號磁通變化的區(qū)域2.技術指標道密度：（1）記錄密度（2）存儲容量位密度：單位長度內的磁道數。磁道上單位長度內的二進制代碼數。非格式化容量：格式化容量：總位數用位密度計算。有效位數用扇區(qū)內的數據塊長度計算。（3）速度指標平均存取時間帶：平均等待時間盤：平均定位、平均旋轉時間衡量查找速度ms數據傳輸率衡量讀/寫速度b/s、B/s4.3.2磁盤存儲器適用于調用較頻繁的場合，常作為主存的直接后援。磁盤磁盤控制器磁盤驅動器+接口磁盤適配器盤片、磁頭定位系統、傳動系統1.組成（1）軟盤信息分布與尋址信息1）信息分布盤片：單片，雙面記錄。磁道：盤片旋轉一周，磁頭的作用區(qū)域。扇區(qū)：磁道上長度相同的區(qū)段。存放數據塊。各道容量相同,各道位密度不同,內圈位密度最高。驅動器號、圓柱面號、磁頭號、扇區(qū)號（記錄號）、交換量。2）尋址信息例：定長記錄格式2.記錄格式（磁道格式）選擇磁盤組選擇盤面選擇磁道選擇起始扇區(qū)磁道時間磁道索引脈沖間隔扇區(qū)1扇區(qū)2扇區(qū)n間隔扇區(qū)i標志區(qū)：標志信息、CRC校驗碼數據區(qū)：標志信息、CRC、數據字段

3.磁盤基本操作尋址操作尋道：磁頭徑向移動尋找扇區(qū)：盤片旋轉讀/寫操作串行讀/寫DMA方式傳送（1）（2）扇區(qū)數第四章復習提綱1.半導體存儲器邏輯設計(地址分配、片選邏輯、框圖)。3.磁盤信息分布、尋址信息、指標(速度、容量)。2.動態(tài)刷新(定義、刷新方式)。4.基本概念如：隨機存取、順序存取、直接存取、靜態(tài)M的存儲原理、動態(tài)M的存儲原理…等。第四章作業(yè)設計一半導體存儲器，其中ROM區(qū)4KB，選用ROM芯片（4K×4位/片）；RAM區(qū)3KB，選用RAM芯片（2KB/片和

1K×4位/片）。地址總線A15～A0（低）,雙向數據總線D7～D0（低），讀

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