ICS31140

L21.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1129712—2012

代替.

GB/T11297.12—1989

光學(xué)晶體消光比的測量方法

Testmethodforextinctionratioofopticalcrystal

2012-12-31發(fā)布2013-06-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T1129712—2012

.

前言

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替電光晶體鈮酸鋰磷酸二氫鉀和磷酸二氘鉀消光比的測量方

GB/T11297.12—1989《、

法

》。

本部分與相比主要有如下變動

GB/T11297.12—1989,:

對原部分的名稱進(jìn)行了修改原部分名稱電光晶體鈮酸鋰磷酸二氫鉀和磷酸二氘鉀消光比

———?！?、

的測量方法改為光學(xué)晶體消光比的測量方法本部分還將標(biāo)準(zhǔn)適用范圍擴(kuò)展到采用其他

”“”。

波長測量的單軸和等軸光學(xué)晶體

;

對原部分測量系統(tǒng)消光比指標(biāo)進(jìn)行了修改原部分測量系統(tǒng)指標(biāo)為需配備輸出功

———,100000∶1,

率較高的氦氖激光器現(xiàn)部分測量系統(tǒng)指標(biāo)修訂為采用輸出功率大

(P≥15mW)。50000∶1,

于的氦氖激光器

2mW;

原部分消光比指標(biāo)表示方法只有本部分增加了分貝表示方法

———×××××∶1。;

本部分增加了將被測晶體置于正交偏光系統(tǒng)中時透射光強取最大值

———;

本部分增加了測量系統(tǒng)應(yīng)采用必要的光屏蔽措施的要求

———;

本部分增加了測量環(huán)境條件要求

———;

本部分增加了被測晶體兩通光端面的粗糙度要求

———;

本部分增加了測試系統(tǒng)的通光孔徑為的規(guī)定供需雙方還可根據(jù)樣品尺寸協(xié)商確定通

———5mm,、

光孔徑的大小

;

本部分增加了光束直徑為被測樣品直徑的的規(guī)定供需雙方還可根據(jù)樣品尺寸協(xié)商確

———90%,、

定光束直徑的大小

。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口

。

本部分由中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所負(fù)責(zé)起草

。

本部分主要起草人謝克誠金中洪楊潔張曉梅

:、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11297.12—1989。

Ⅰ

GB/T1129712—2012

.

光學(xué)晶體消光比的測量方法

1范圍

的本部分規(guī)定了采用波長為的光波沿單軸光學(xué)晶體光軸方向消光比的測

GB/T11297632.8nm

量方法

。

本部分適用于采用波長為的光波對單軸和

632.8nm、1064nm、830nm、514nm、488nm、458nm

等軸光學(xué)晶體的消光比測量

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

固體激光材料名詞術(shù)語

GB/T11293—1989

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T11293—1989。

4測量原理

波長為的一束光波沿被測晶體光軸方向透過一個置于正交偏光系統(tǒng)中的被測晶體時

632.8nm,

以光軸為軸旋轉(zhuǎn)晶體測量出透射光強最大值然后轉(zhuǎn)動檢偏器成平行偏光系統(tǒng)測量出透射光強值通

,,,,

過式計算消光比E

(1)(X):

E=II

X‖/⊥…………(1)

式中

:

E被測晶體的消光比

X———;

I平行偏光系統(tǒng)中透射光強值單位為毫伏

‖———,(mV);

I正交偏光系統(tǒng)中透射光強最大值單位為毫伏

⊥———,(mV)。

也可用式表示

(2):

E′=×II

X10lg(‖/⊥)…………………(2)

式中消光比E的單位為分貝

X′(dB)。

5測量系統(tǒng)

消光比測量系統(tǒng)示意圖如圖所示采用波長為