ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T25074—2017

代替

GB/T25074—2010

太陽能級多晶硅

Solar-gradepolycrystallinesilicon

2017-11-01發(fā)布2018-05-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T25074—2017

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替太陽能級多晶硅本標準與相比主要變動

GB/T25074—2010《》。GB/T25074—2010,

如下

:

增加了規(guī)范性引用文件

———GB/T13389、GB/T14264、GB/T14844、GB/T24582、GB/T29057、

刪除了見第章年版的第章

GB/T29849、GB/T31854,SEMIMF1535(2,20102);

技術指標劃分等級中增加了特級品的指標要求見

———(5.1);

將技術指標中各等級施受主雜質濃度少數載流子壽命基體金屬雜質含量的要求進行了修

———/、、

訂并增加了表面金屬雜質含量要求見年版的

,(5.1,20104.1);

細化了塊狀多晶硅尺寸范圍見年版的

———(5.2.1,20104.2);

增加了致密料菜花料珊瑚料的表面質量要求見

———、、(5.3.1);

包裝要求不再局限于固定重量不同需求依據供需雙方協商見年版的

———,(8.2,20107.1);

增加附錄太陽能級多晶硅參考技術指標將導電類型和電阻率作為參考項見附錄

———A“”,(A)。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位洛陽中硅高科技有限公司多晶硅材料制備國家工程實驗室有色金屬技術經濟

:、、

研究院江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司宜昌南玻硅材料有限公司內蒙古神

、、、、

舟硅業(yè)有限責任公司亞洲硅業(yè)青海有限公司

、()。

本標準主要起草人嚴大洲萬燁毋克力張園園付雷楚東旭趙雄楊素心劉曉霞賀東江

:、、、、、、、、、、

邱艷梅劉淑萍李衛(wèi)南宗冰穆彩霞

、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T25074—2010。

Ⅰ

GB/T25074—2017

太陽能級多晶硅

1范圍

本標準規(guī)定了太陽能級多晶硅的術語和定義牌號及分類要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標志包

、、、、、

裝運輸貯存和質量證明書

、、。

本標準適用于以氯硅烷硅烷為原料生長的棒狀多晶硅或經破碎形成的塊狀多晶硅

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

GB/T4060

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

半導體材料術語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

硅單晶中族雜質的光致發(fā)光測試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

酸浸取電感耦合等離子質譜儀測定多晶硅表面金屬雜質

GB/T24582-

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

光伏電池用硅材料表面金屬雜質含量的電感耦合等離子體質譜測量方法

GB/T29849

光伏電池用硅材料中金屬雜質含量的電感耦合等離子體質譜測量方法

GB/T31854

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4牌號及分類

41牌號

.

太陽能級多晶硅產品牌號應符合的規(guī)定

GB/T