ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國國家標準

GB/T25074—2025

代替GB/T25074—2017

太陽能級硅多晶

Solar-gradepolycrystallinesilicon

2025-06-30發(fā)布2026-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T25074—2025

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替太陽能級多晶硅與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編

GB/T25074—2017《》,GB/T25074—2017,

輯性改動外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20171);

更改了施主受主碳基體金屬表面金屬的技術(shù)指標刪除了氧濃度少子壽命的技術(shù)要求

b)、、、、,、

見年版的

(5.1,20175.1);

刪除了硅多晶混裝比例的要求見年版的

c)(20175.2);

增加了按規(guī)定的測試方法刪除了按規(guī)定的制樣方法

d)GB/T35306、GB/T37049,GB/T4060

見第章年版的第章

(6,20176);

更改了組批的相關(guān)要求見年版的

e)(7.2,20177.2);

更改了檢驗項目見年版的

f)(7.3,20177.3);

更改取值為取樣見年版的

g)“”“”(7.4,20177.4);

更改了檢驗結(jié)果的判定見年版的

h)(7.5,20177.5);

更改質(zhì)量證明書為隨行文件見年版的

i)“”“”(8.5,20178.5)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位洛陽中硅高科技有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責任公司四川永祥股

:、、

份有限公司新特能源股份有限公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司新疆大全新能源股份有限公司

、、()、、

青海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司新能源分公司新疆東方希望新能源有限公司青海南玻新能源科

、、

技有限公司青海麗豪清能股份有限公司隆基綠能科技股份有限公司中環(huán)新能源科技股份有限

、、、TCL

公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司浙大寧波理工學院內(nèi)蒙古興洋科技股份有限公司

、、、。

本文件主要起草人萬燁賀東江嚴大洲寧曉曉張園園李素青郭樹虎徐順波楊曉東宗冰

:、、、、、、、、、、

李豪杰秦榕張科梁波冉祎鄧浩張雪囡王彬胡動力朱玉龍?zhí)談偭x

、、、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂本次為第二次修訂

2010,2017,。

Ⅰ

GB/T25074—2025

太陽能級硅多晶

1范圍

本文件規(guī)定了太陽能級硅多晶的牌號及分類技術(shù)要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯

、、、、、、、

存隨行文件和訂貨單等內(nèi)容

、。

本文件適用于以氯硅烷硅烷為原料生長的太陽能級硅多晶以下簡稱硅多晶

、()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率的測定直排四探針法和直流兩探針法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測定光電導衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳含量的紅外吸收測試方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

GB/T4059

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

硅單晶中族雜質(zhì)含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測定酸浸取電感耦合等離子體質(zhì)譜法

GB/T24582-

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法

GB/T29849

光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法

GB/T31854

硅單晶中碳氧含量的測定低溫傅立葉變換紅外光譜法