標準解讀
《GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化鎵襯底》是一項國家標準,它主要針對用于LED外延生長的砷化鎵(GaAs)襯底材料制定了詳細的技術(shù)要求。該標準涵蓋了砷化鎵單晶的基本參數(shù)、尺寸偏差、表面質(zhì)量以及電學性能等多個方面的要求。
在基本參數(shù)部分,標準規(guī)定了砷化鎵晶體直徑、厚度等物理尺寸的具體范圍;同時對晶體的導電類型(n型或p型)、載流子濃度也做了明確要求,以確保其適用于不同類型的LED器件制備過程中作為基板使用。
對于尺寸偏差,包括但不限于直徑偏差、總厚度變化量等方面都給出了嚴格限制,旨在保證產(chǎn)品一致性與可重復性。
此外,還特別強調(diào)了砷化鎵襯底的表面狀況,如拋光度、平整度以及缺陷密度等指標,這些直接影響到后續(xù)外延層的質(zhì)量及LED的整體性能表現(xiàn)。
電學特性方面,則重點考察了電阻率及其均勻性,因為這直接關(guān)系到最終LED的工作效率和可靠性。
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文檔簡介
ICS29045
H83.
中華人民共和國國家標準
GB/T30856—2014
LED外延芯片用砷化鎵襯底
GaAssubstratesforLEDepitaxialchips
2014-07-24發(fā)布2015-04-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T30856—2014
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術(shù)委員會及材料分技術(shù)委員會
(SAC/TC203)(SAC/TC
共同提出并歸口
203/SC2)。
本標準主要起草單位中國科學院半導體研究所有研光電新材料有限公司云南中科鑫圓晶體材
:、、
料有限公司
。
本標準主要起草人趙有文提劉旺林泉于洪國惠峰趙堅強
:、、、、、。
Ⅰ
GB/T30856—2014
LED外延芯片用砷化鎵襯底
1范圍
本標準規(guī)定了外延芯片用砷化鎵單晶襯底片以下簡稱襯底的要求檢驗方法和規(guī)則以及標
LED()、
志包裝運輸儲存質(zhì)量證明書與訂貨單或合同內(nèi)容
、、、、()。
本標準適用于外延芯片用的砷化鎵單晶襯底
LED。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
包裝儲運圖示標志
GB/T191
半導體單晶晶向測定方法
GB/T1555
計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃
GB/T2828.11:(AQL)
非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
GB/T4326
半導體硅片電阻率及硅薄膜層電阻測試方法非接觸渦流法
GB/T6616
硅片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T6618
硅片翹曲度非接觸式測試方法
GB/T6620
硅片表面平整度測試方法
GB/T6621
硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗方法
GB/T6624
砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T8760
硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法
GB/T13387
硅片參考面結(jié)晶學取向射線測試方法
GB/T13388X
硅片直徑測量方法
GB/T14140
半導體材料術(shù)語
GB/T14264
半導體材料牌號表示方法
GB/T14844
直徑砷化鎵單晶圓形拋光片切口規(guī)范
SEMIM9.7-0200150mm()
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T14264。
4要求
41分類
.
砷化鎵襯底按導電類型分為型和型兩種類型
np。
42牌號
.
溫馨提示
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