ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30856—2025

代替GB/T30856—2014

LED外延芯片用砷化鎵襯底

GaAssubstratesforLEDepitaxialchips

2025-08-01發(fā)布2026-02-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T30856—2025

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替外延芯片用砷化鎵襯底與相比除結(jié)

GB/T30856—2014《LED》,GB/T30856—2014,

構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了規(guī)格見年版的

a)(4.1.2,20144.3);

更改了電學(xué)性能的要求見年版的

b)(5.1,20144.4);

更改了參考面及切口的要求見年版的

c)(5.2,20144.4);

更改了表面晶向及晶向偏離的要求見年版的

d)(5.3,20144.5);

更改了位錯(cuò)密度的要求見年版的

e)(5.4,20144.6);

更改了幾何尺寸的要求見年版的

f)(5.5,20144.9);

更改了表面質(zhì)量的要求見年版的

g)(5.6,20144.7);

更改了電學(xué)性能的檢驗(yàn)方法見年版的

h)(5.2,20144.8);

更改了切口的檢驗(yàn)方法見年版的

i)(6.2.3,20145.5.2);

更改了檢驗(yàn)規(guī)則見第章年版的第章

j)(7,20146);

更改了標(biāo)志見年版的

k)(8.1,20147.1);

更改了包裝見年版的

l)(8.2,20147.2);

刪除了使用方塊電阻測量儀測量襯底電阻率的方法和襯底室溫載流子濃度與遷移率的測量方

m)

法見年版的附錄和附錄

(2014AB)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位南京集溢半導(dǎo)體科技有限公司中山德華芯片技術(shù)有限公司廣東先導(dǎo)微電子科

:、、

技有限公司全磊光電股份有限公司山東浪潮華光光電子股份有限公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公

、、、

司北京大學(xué)東莞光電研究院中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司易事達(dá)光電

、、、、

廣東股份有限公司深圳市冠科科技有限公司廣東中陽光電科技有限公司

()、、。

本文件主要起草人趙中陽鄭紅軍馮佳峰于會永劉建慶孫雪峰張雙翔閆寶華林作亮

:、、、、、、、、、

劉強(qiáng)馬金峰趙有文趙春鋒彭璐徐寶洲蘭慶陳皇

、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2014,。

Ⅰ

GB/T30856—2025

LED外延芯片用砷化鎵襯底

1范圍

本文件規(guī)定了外延芯片用砷化鎵單晶襯底以下簡稱砷化鎵襯底的技術(shù)要求試驗(yàn)方法

LED(“”)、、

檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存及隨行文件和訂貨單內(nèi)容

、、、、。

本文件適用于外延芯片用砷化鎵單晶襯底的生產(chǎn)檢測及質(zhì)量評價(jià)

LED、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T191

半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法

GB/T6624

砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測試方法

GB/T8760

液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

GB/T11093

硅及其它電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測試方法

GB/T13388X