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文檔簡介
長沙理大考試試試卷編:02
擬題教研室(或教師)簽:
教研室主任簽:密
封
線課名(含檔次:
電磁學(xué)
課程代:專
業(yè):
物理學(xué)
層次(本、專:科
考試方式(開、閉卷閉一選題每3分共30分)1.于高斯定理的理解有下面種說法,其中正確的是:(A)如果高斯面上E處零,則該面內(nèi)必?zé)o電荷。(B)如果高斯面內(nèi)無電荷,則斯面上
E
處處為零。(C)如果高斯面上
E
處處不為零,則該面內(nèi)必有電荷(D)如果高斯面內(nèi)有凈電荷,通過高斯面的電通量必不為零)斯定理僅適用于具有高對稱性的電場。[]2.已知靜電場分布的條件下任意兩點(diǎn)P和之間電差于:12(A)(B)
P1P1
和和
P2P2
兩點(diǎn)的位置。兩點(diǎn)處的電場強(qiáng)度的大小和方向(C)試驗(yàn)電荷所帶電荷的正負(fù)(D)試驗(yàn)電荷的電荷量。3.中實(shí)線為某電場中的電力,虛線表示等勢面,由圖可看出:
[](A)(B)
AA
BB
,UC,UC
AA
BB
CC(C)(D)
AA
BB
CC
,,
AA
BB
CC
[]4.如圖,平行板電容器帶電,、右分別充滿相對介電常數(shù)與ε的質(zhì),12則兩種介質(zhì)內(nèi):(A)場強(qiáng)不等,電位移相等。(B)場強(qiáng)相等,電位移相等。(C)場強(qiáng)相等,電位移不等。D)場強(qiáng)、電位移均不等。]1/4
25.中Ua-Ub為:2(A)(C)
IRIR
IR(B)(D)
IR
[]6.邊為正三角形線圈通流為I在均勻磁場B中平面與磁場平行,它所受磁力矩L等:(A)
11a(B)2
2
BI
(C)
a
2
BI
(D[]7.圖,兩個線圈
和
Q
并聯(lián)地接到一電動勢恒定的電源,線圈
的自感和電阻分別是線圈
Q
的兩倍,線圈
和
Q
之間的互感可忽略不計(jì),當(dāng)達(dá)到定狀態(tài)后,線圈P的磁能與Q磁場能量的比值是:(A)4;(;(;()1/2[]8.在所示的電路中,自感圈的電阻10
,自感系數(shù)為
4H
,電阻
R為
90
,電源電動勢為,內(nèi)阻可忽略。將電鍵接通,待電路中電流穩(wěn)定后,把電鍵斷開,斷開后過0秒是流過電阻電流為:(A)
4A
。(B)
44A
。(C)
33A
。()
0
[]9.感應(yīng)電場中電磁感應(yīng)定律寫成
l
E
K
dl
ddt
,式中
K
為感應(yīng)電場的電場強(qiáng)度。此式表:(A)在感應(yīng)電場中不能像對靜場那樣引入電勢的概念。(B)閉合曲線
l
上
K
處處相等。(C)感應(yīng)電場是保守力場。(D)感應(yīng)電場的電力線不是閉曲線。[]10.順質(zhì)的磁導(dǎo)率:(A)比真空的磁導(dǎo)率略小。()比真空的磁導(dǎo)率略大。(C)遠(yuǎn)小于真空的磁導(dǎo)率。()遠(yuǎn)大于真空的磁導(dǎo)率。[]二填題共30分1.分M、N為靜中鄰近點(diǎn),場強(qiáng)由M向,M的電位
于N點(diǎn)的,負(fù)檢驗(yàn)電荷在M點(diǎn)電位能
于在點(diǎn)的能。(5)電容為C電容器浸在相對介電常數(shù)ε油,極板間加上電壓U,充有電量若電壓增至這時充滿油電容器的電容為。2/4
CB3.分圖,無限大帶電平厚度為d,體密度為(勻帶電板中心為xCB的
P
點(diǎn)的場強(qiáng)
E
=。4.分當(dāng)電源
時,端電壓大于電動勢;當(dāng)電源
時,端電壓小于電動勢;當(dāng)電源不充電,也不放電時,端電壓等于動勢。分)半徑為
R
的圓柱體上載有電流
I
,電流在其橫截面上均勻分布,回路
L
通過圓柱體內(nèi)部將圓柱體橫截面為兩部分,其面積大小分別為S、,所示,則12
dlL
=。6.(5分)圖所示,一半徑為很小的金屬圓環(huán),在初始時刻與一半徑為
(
ar
)的大金屬圓環(huán)共面且同心,在圓環(huán)中通以恒定的電I
,方向如圖,如果小圓環(huán)以勻角速度
繞其任一方向的直徑轉(zhuǎn)動,并設(shè)圓環(huán)的電阻為
R
,則任一時刻
t
通過小圓環(huán)的磁通量=;圓中感電流i=(5)A、B、為共面的長直導(dǎo)線,通10的方向電流,導(dǎo)線間距d
,那么每根導(dǎo)線每厘米所受的力大小為:
dFAdl
=;dFdF=;dldl
=
72
)8.(3)包含下列意義的麥克韋方程是:⑴靜是有勢場。⑵磁總是無頭無尾。三計(jì)題共40分1.分荷面密度為間的電勢分布。
的“無限大”均勻帶電平面。若該平面處為電勢零點(diǎn),試求帶電平面周圍空分薄金屬圓筒長為外圓筒的半徑分別為R,L>>R內(nèi)筒電荷線密η二圓筒13間充滿了相對介電常數(shù)分別ε與的層同軸圓筒狀均勻介質(zhì)ε是內(nèi)層面距軸為R。1212⑴用高理求電介質(zhì)中的D。⑵外層內(nèi)界面。⑶試證圓柱形電容器電容:3/4
C
R
2
R
21
L0R
3
R
212分中有一邊長為的三形體架相互平行并與三角形的邊行直導(dǎo)線1分在和點(diǎn)三角形導(dǎo)體框架相連(如圖直導(dǎo)線中的電為
I
,求正三角形中心點(diǎn)O處應(yīng)強(qiáng)度
B
。)水平金屬框架串聯(lián)著和R
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