LED產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評報告本情況聯(lián)系電話02建設(shè)性質(zhì)(平方米)(萬元)湖傳真4郵政編碼(平方米)其中：環(huán)保環(huán)保投資占投%投%總投資比例資(萬元)月城市景觀亮化等。經(jīng)取得重大突破，但我國現(xiàn)階段的整體行業(yè)水平與世界先進水平相比較還有很大的差待掌握，在產(chǎn)業(yè)上還沒有形成規(guī)?；?，產(chǎn)品在國際市場上所占的比例比較低，沒有充國際市場上占有較大的份額。第三，我國已經(jīng)具有較強的LED研發(fā)D和LCD背光源的半導(dǎo)體照明功率型發(fā)光二極管(LED)芯片的制造和銷售，成為國內(nèi)歸LEDAXT發(fā)和生產(chǎn)，并曾d優(yōu)異的產(chǎn)品奠定企業(yè)市場地位。公司除擁有國際一流水準(zhǔn)的人才團隊外，還具有良好該項目擬在武漢光電國家實驗室內(nèi)建設(shè)，武漢光電國家實驗室坐落于喻家山東麓，毗鄰風(fēng)景秀麗的東湖磨山，南接珞喻東路，西臨喻家湖路，北枕喻家山東路。是武漢郵電科學(xué)研究院、中國科學(xué)院武漢物理與數(shù)學(xué)研究所、華中光電技術(shù)研究所。實本項目擬引進國外生產(chǎn)設(shè)備、技術(shù)和國內(nèi)的配套設(shè)備，采用先進的生產(chǎn)工藝及加項目所需的外延片采取外購方式，其后續(xù)制備工藝主要是在基底上通過沉積或生長等方法制備一層掩模層，然后通過光刻等手段將需要在基底上刻蝕出的圖形先加工到掩模上，接著使用刻蝕液進行刻蝕，最后去除掩模層，在基底上得到所需的圖形和結(jié)構(gòu)。經(jīng)薄膜、磨片、劃片、裂片并經(jīng)老化測試后，分揀出合格的芯片包裝入庫，生產(chǎn)出的芯片約為50~1000nm，檢測合格后外銷。該項目符合《外商投資產(chǎn)業(yè)指導(dǎo)目錄》(2004年修訂)鼓勵類第三類制造業(yè)第(二十)條第3款：大屏幕彩色投影顯示器用光學(xué)引擎、光源、投影屏、高清晰度投清清包磨測劃裂影管和LCOS(硅基液晶，一種數(shù)碼成像技術(shù))模塊等關(guān)鍵件制造。光222分入分Cirie-200PevaCirie-200Peva-6001Peva-600ECede-10011113Metal電子束蒸發(fā)臺4PECVD氣相輔助沉積系統(tǒng)56789半自動點測機(ProbeingSorterTesterHCLEDA8SEVA-3GC121111444耗序號材料名稱3金4光刻膠6顯影劑酸8硝酸10去膠劑12拋光液13擴展膜14乙醇15丙酮16鹽酸17特種氣體動力名稱單位單位消耗量片/天184g/d48l/d10l/d3cc/d500l/d30l/d15l/d5質(zhì)量指標(biāo)電Z本期Nm/h5壓力~，純度%本期h2本期于國家光電實驗室內(nèi)，生產(chǎn)過程中所需要水電依托武漢國家光光電實驗室現(xiàn)有的公用設(shè)施工程，因此，供水直接使用光電實管網(wǎng)。本項目運營期間產(chǎn)生一定量廢水，經(jīng)處理后與國家實驗室污水一起擬建項目產(chǎn)生的廢水主要有工藝廢水及生活污水。工藝廢水先后進入均質(zhì)池、中絮凝沉淀，上清液與生活污水一起排入城市污水管網(wǎng)，由龍王咀污。(1)廢水國家光電實驗室科研過程中產(chǎn)生的污水為實驗污水(主要為無機酸堿廢水)和生(2)廢氣國家光電實驗室產(chǎn)生的廢氣為微量酸性廢氣(主要為HCl、HNO等)、微量堿3性廢氣(NH)以及有機溶劑廢氣(主要為VOC)。這些廢氣經(jīng)由集氣罩收集，通過耐3廢氣凈化器對微量酸性廢氣(HCl、HNO等)處理效率達95%以上。WFJ-4A型碳纖維3廢氣凈化器對有機溶劑廢氣凈化效率可達為95%—99%，對微