精品文檔-下載后可編輯可控硅的使用-可控硅用法-可控硅（晶閘管）的特性與使用方法-基礎(chǔ)電子對(duì)單向可控硅(晶閘管)來(lái)說(shuō)，當(dāng)柵極電壓達(dá)到門(mén)限值ＶＧＴ且柵電流達(dá)到門(mén)限值ＩＧＴ時(shí)，可控硅(晶閘管)被觸發(fā)導(dǎo)通。當(dāng)觸發(fā)電流的脈寬較窄時(shí)，則應(yīng)提高觸發(fā)電平。當(dāng)負(fù)載電流超過(guò)單向可控硅(晶閘管)的閂電流ＩＬ時(shí)，即使此時(shí)的柵電流減為零，可控硅(晶閘管)仍能維持導(dǎo)通狀態(tài)。為了保證電路在環(huán)境溫度下也能正常工作，則要求驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠高的電壓、電流及占空比的控制信號(hào)。

高靈敏度的單向可控硅(晶閘管)，會(huì)在高溫下因陽(yáng)－陰極間的漏電流而誤觸發(fā)，應(yīng)確保不超過(guò)ＴＪＭＡＸ。可靠地關(guān)斷單向可控硅(晶閘管)，負(fù)載電流必須降到低于保持電流ＩＨ，并維持一定的時(shí)間。

標(biāo)準(zhǔn)的雙向可控硅(晶閘管)既可被柵極的正向電流觸發(fā)，也能被柵極的反向電流觸發(fā)，它可以在四個(gè)象限內(nèi)導(dǎo)通。在負(fù)載電流為零時(shí)，用反相的直流或單極性脈沖的（柵極）電流觸發(fā)。

在通常的交流相位控制電路中，如電燈調(diào)光器和家用馬達(dá)調(diào)速器等，可控硅(晶閘管)Ｇ與ＭＴ２的極性要一致，在設(shè)計(jì)可控硅(晶閘管)時(shí)要避免在３＋區(qū)域內(nèi)工作（ＭＴ２為－，Ｇ為＋）。

值得注意的是，雙向可控硅(晶閘管)可能在一些意想不到的情況下觸發(fā)導(dǎo)通，其后果有些問(wèn)題不大，而有些則有潛在的破壞性。

１．柵極上的噪聲電平

在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)ＶＧＴ，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。

應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入。在然后Ｇ與ＭＴ１之間加一個(gè)１ｋΩ的電阻來(lái)降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個(gè)１００ｎＦ的電容，來(lái)濾掉高頻噪聲。

２．關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率

當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí)，雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí)，就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。

為了克服上述問(wèn)題，可以在端子ＭＴ１和ＭＴ２之間加一個(gè)ＲＣ網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻?。保埃癢，電容?。保埃埃睿?。值得注意的是此電阻不能省掉。

３．關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率

當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生，很容易導(dǎo)致器件的損壞。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。

４．關(guān)于可控硅(晶閘管)開(kāi)路電壓變化率ｄＶＤ／ｄｔ

在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的ＶＤＦＭ的高速變化的電壓時(shí)，內(nèi)部電容的電流會(huì)產(chǎn)生足夠的柵電流來(lái)使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重，在這種情況下可以在ＭＴ１和ＭＴ２間加一個(gè)ＲＣ緩沖電路來(lái)限制ｄＶＤ／ｄｔ，或可采用高速可控硅(晶閘管)。

５．關(guān)于連續(xù)峰值開(kāi)路電壓ＶＤＲＭ

在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開(kāi)路電壓ＶＤＲＭ的值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路