測量介質(zhì)損耗因數(shù)培訓(xùn)第1頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一一、電介質(zhì)1.電介質(zhì)概念：電介質(zhì)也稱絕緣介質(zhì)，分為氣體、液體和固體。在電場作用下所體現(xiàn)的物理現(xiàn)象有極化、電導(dǎo)、損耗和放電。2.電場下的表征參數(shù):(1)介電系數(shù)ε(2)損耗角tgδ(3)電阻率ρ(4)擊穿強度Ε3.極化方式：（1）電子式（2）離子式（3）夾層式第2頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一二、電介質(zhì)的損耗1.概念：絕緣介質(zhì)在交流電壓作用下，除有電導(dǎo)電流、電容電流，還有極化引起的有功電流。介質(zhì)極化后，在交流電場作用下，發(fā)生運動，摩擦發(fā)熱，形成有功電流。電導(dǎo)電流和極化引起的有功損耗，共稱介質(zhì)損耗。2.損耗的基本形式：（1）電導(dǎo)（2）極化（3）局部放電第3頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一直流下：電介質(zhì)中沒有周期性的極化過程，只要外加電壓還沒有達(dá)到引起局部放電的數(shù)值，介質(zhì)中的損耗將僅由電導(dǎo)組成，所以可用體積電導(dǎo)率和表面電導(dǎo)率說明問題，不必再引入介質(zhì)損耗這個概念了。交流下：第4頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一3.介質(zhì)損耗角tgδ及損耗功率關(guān)系（1）把介質(zhì)看成一個等值電阻R和一個等值電容C并聯(lián)組成的電路（2）把介質(zhì)看成一個等值電阻R和一個等值電容C串聯(lián)組成的電路第5頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一從上公式可知，當(dāng)電壓和頻率都不變時，則介質(zhì)損耗P與該介損的tgδ值成正比。因此，我們可以通過對tgδ的測量來判斷介損損耗的大小。第6頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一4.tgδ能發(fā)現(xiàn)的問題可發(fā)現(xiàn)電力設(shè)備絕緣整體受潮、劣化變質(zhì)以及小體積設(shè)備貫通和未貫通的局部缺陷。以主變?yōu)榱凶樱旱?頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一被試品絕緣由不同的介質(zhì)組成，且兩種絕緣并聯(lián)組成，則被試品的總介質(zhì)損耗為兩個組成部分介質(zhì)損耗之和，而且被試品所受電壓為各個組成部分電壓，可得：所以，由于套管的電容比繞組的電容小得多，在測量變壓器套管連同繞組的tgδ時，就不能反映套管內(nèi)的絕緣缺陷。第8頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一綜上分析，給我們了這樣的啟示，對大容量的變壓器、發(fā)電機(jī)以及較長的電纜進(jìn)行tgδ試驗，只能檢查出它們普遍的絕緣狀況，而不容易發(fā)現(xiàn)可能存在的局部缺陷；對小容量的設(shè)備以及可以分解成部件進(jìn)行分解試驗的設(shè)備進(jìn)行tgδ測量時，易于發(fā)現(xiàn)局部缺陷。第9頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一四、測量tgδ方法1、QS1西林電橋當(dāng)電橋平衡時，A、B兩點無電位差。因此，Uca=Ucb,Uad=Ubd。第10頁，共13頁，2023年，2月20日，星期一使等式兩邊實部、虛部分別相等可以得到：2、常用接線方式（1）正接法。此方法要求被試品兩極對地均應(yīng)絕緣。外加高電壓主要降落在Zx和Zn上，所以Z3和Z4處于低壓，操作安全方便。因不受被試品對地寄生電容的影響，所以測量結(jié)果比較準(zhǔn)確。（2）反接法。此方法與正接法相反。適用于被試品一極接地的情況，故在現(xiàn)場使用廣泛。由于此方法各橋臂都處于高壓，所以操作注意安全。使用反接線時，引線產(chǎn)生寄生電容與被試品電容Cx并聯(lián)造成測量誤差，尤其是Cx較小時更為明顯。第11頁，共13頁，2023年，2月20