集成電路技術講座

第十三講集成電路可靠性Reliability集成電路可靠性（一）可靠性概念和表征方法（二）失效規(guī)律－浴盆曲線（三）硅片級可靠性設計和測試（四）老化篩選和可靠性試驗（五）失效模式和失效分析

（一）可靠性概念和表征方法可靠性概念和表征方法集成電路的可靠性是指集成電路在預期壽命內(nèi)，在規(guī)定的條件下正常工作的概率．即集成電路能正常使用多長時間．UnreliabilityF(t)=r/nn總樣品數(shù)r失效數(shù)ReliabilityR(t)=(n-r)/nFailureDensityf(t)=f(t,t+t)=r/nFailureRate(t)=(t,t+t)=r/(n-r)可靠性概念和表征方法平均失效率(Failurerate)（用于常數(shù)失效區(qū)）

Fr=Nf/NdtNf失效數(shù)Ndt器件數(shù)和試驗小時數(shù)乘積

FIT(FailureInTime)=Fr*109

1小時內(nèi)每109個(10億)器件中有一個器件失效時，稱為1FIT(ppb),或1000小時內(nèi)每106個(100萬)器件中有一個器件失效時，稱為1FIT平均失效時間MTTF(MeanTimetoFailure)=1/Fr與失效速率有關的函數(shù)在給定時間間隔dt中失效的總數(shù)分數(shù)可用函數(shù)f(t)dt表示，f(t)為失效速率，累積失效數(shù)目是該函數(shù)對時間的積分，

即為累積失效函數(shù)可靠性函數(shù)定義為在時間為t時仍未失效的總數(shù)分數(shù)失效函數(shù)的描述正態(tài)分布

f(t)=[1/(2)-0.5]Exp{-1/2[(t-)/]2}F(t)=[1/(2)-0.5]tExp{-0.5[(t-)/]2}dtWebull分布

F(t)=1-e-(t/)為器件的特征壽命為形狀函數(shù)塑封器件現(xiàn)場統(tǒng)計失效率例

(FIT)器件類型應用環(huán)境地面民用飛機汽車線性IC35.432數(shù)字SSI/MSI0.971011存儲器，微處理器2.31413美國可靠性分析中心（90年代）器件失效對系統(tǒng)性能的影響

Dataset:150to225ICsfailurerate(FIT)meantimetofailure(year)percentofsetsfailingpermonth10510.1610051.610000.516（二）失效規(guī)律－浴盆曲線浴盆曲線EarlyLifeFailure早期失效期UsefulLife偶然失效期Wearout耗損失效期時間失效速率早期失效期

器件的早期失效速率很快，且隨時間迅速變小，早期失效原因主要是由于設計和制造工藝上的缺陷引起．例如：氧化物針孔引起柵擊穿，壓焊不牢引起開路．通過加強制造過程質(zhì)量管理來減少早期失效．老化篩選可以幫助剔除這些早期失效產(chǎn)品。有用壽命期（隨機失效期）

浴盆曲線中第二個區(qū)域特點是失效速率低且穩(wěn)定，幾乎是常數(shù)，該區(qū)域的長短則決定了器件的使用壽命。影響此壽命的因素有溫度，濕度，電場等．最大因素是芯片溫度．失效機理有如：潮氣滲入鈍化層引起金屬銹蝕；金屬間化合物生長引起的疲勞失效；潮氣沿界面滲入引起封裝開裂等。該段時間也是產(chǎn)品在客戶手中使用和系統(tǒng)的預期壽命，在該范圍內(nèi)的失效速率與系統(tǒng)失效緊密相關．耗損失效期

在曲線的最后區(qū)域，失效速率急劇上升，意味著封裝器件達到了預期壽命，諸如開裂和過度的應力不可能對該區(qū)域有重大影響，因為這些問題造成的失效應更早出現(xiàn)。引起該失效的最典型的原因是較慢銹蝕過程的累積效應。失效速率開始快速上升的時間應該超過系統(tǒng)的預期壽命，以保證消費者的質(zhì)量要求。（三）硅片級可靠性設計和測試硅片級可靠性（工藝可靠性）產(chǎn)品可靠性取決于設計，工藝和封裝相同設計規(guī)則，相同工藝和封裝的不同產(chǎn)品應有相同的可靠性水平可靠性要從源頭－設計抓起可靠性是內(nèi)在質(zhì)量，是靠‘做’出來的，不是靠‘測’出來的可靠性設計電路設計的可靠性考慮器件和版圖結(jié)構(gòu)設計的可靠性考慮工藝設計的可靠性考慮可靠性設計

－電路設計時的考慮盡量減少接觸點數(shù)目和芯片面積盡量減少電流和功耗，pn結(jié)溫提高電路冗余度．如增加放大級數(shù)，減少每級的增益，對邏輯電路，要使噪聲容限和扇出數(shù)留有余量采用輸入保護措施可靠性設計

－器件和版圖結(jié)構(gòu)設計時的考慮溝道長度設計要考慮熱電子問題鋁布線的電流密度應在106A/cm2以下，以防止斷線和電遷移元件布局，應將容易受溫度影響的元件，遠離發(fā)熱元件在必須匹配的電路中，應將相關元件并排或?qū)ΨQ排列版圖上防止Latchup的措施芯片邊緣和劃片道的設計可靠性設計

－工藝設計時的考慮氧化膜中的可動離子氧化膜TDDB水平選擇表面鈍化膜，防止灰塵和水汽等原因造成的退化(SiO2,PSG,Si3N4,Polymide)硅片級侄可靠性生測試TDDB測試電遷移躁測試熱載流陡子測試TDDB直接評拉估介質(zhì)晝電學特籠性，硅菠片級預血測器件莖壽命測試樣品護為MOS熱電容或M討OSFE掏T四種方式好：恒電壓麥，恒電流粘，斜坡電伙壓，斜坡氏電流測試參數(shù)萍：Ebd，tbd,琴Q(mào)bdQbd＝tdbJ(t)蝕dtTDDB測試TDD守BTDDB電遷移晨現(xiàn)象MTF犯=AJ-nexp碎[-EA/kT痕]MTF=跟20年畫Jma嶼x=105A/c卻m2電遷移測螺試10便100扶400謹10除00MTF割(h河r)Pure閣AlAl-抖4%C迫uJ=4電E6A變/cm洲2T=1瀉75℃積累失效9070503010%熱電子嘆效應VgsN+N+VdVsVbIsubIg熱電子效榨應測試NMO餐S0漿.5u驕m5弓Vd猴esi訴gn測試方法Vds樂=6.聾7V，耕7.0賤V,頑7.3眨V虜Vs清sa掛nd握Vbs戚=0VVgs蜂set憤to如ma柄xI萬bs失效判據(jù)贊：Gm逐偏移1相0%時枝所需時間滲T0.絞1(-旬->ti墨met系o0.岔1fa斤ilur畫e)作Ib濫s/I受ds－對T0.盜1圖根據(jù)B堅erk決ele盜ym進ode乖l預測稠壽命ttfIds物=Cx-m(ttf膏是失效板0.1%幻玉的時間,C是Ibs/蹦Ids－躍T0.1襪圖截距，揚m是斜率備）（四）老箭化和可靠絮性試驗老化篩播選(茂Bur召ni新n)老化篩選－從對環(huán)原境的適應鄉(xiāng)豐性，存放銹特性，電早學性能穩(wěn)庭定性等方熔面去排除波器件的潛昂在缺陷和斤故障，為鏟使產(chǎn)品穩(wěn)過定化所進養(yǎng)行的處理估計早期擠失效率(PP刪M),可及早辮發(fā)現(xiàn)并效改善失赤效模式試驗時補間短(遲<16損8hr郊)，隨運機抽樣對要求高坐可靠產(chǎn)品敲，可對全住部產(chǎn)品老利化老化篩揪選適應性種類和年條件條褲件必須嚷選擇適另當，否諒則不但綠浪費時訪間，還葉會降低衛(wèi)可靠性老化篩選(例）試驗名稱所排除的故障篩選方法高溫存放表面沾污，氧化層針孔125-150C24-168hr溫度循環(huán)表面沾污，鍵合不良，芯片黏結(jié)不良(-65C)/150C)250cycle振動鍵合不良，芯片開裂，引線開／短路數(shù)十g,50Hz振動10-60s偏壓試驗金屬顆粒，沾污，針孔10-150C,24-250V可靠性試追試驗(1)可靠性評狐價不可能幕等待器件丟自然失效過后再進行幟測試和分可析，而是蔽通過一系沫列模擬環(huán)找境和加速漿試驗，使吩器件在較串短的時間篇內(nèi)失效，牢然后再進啟行失效機按理的分析端。加速因子畢包括潮氣調(diào)、溫度、坐一般的環(huán)湖境應力和尤剩余應力痕等。設計合謹理的加要速試驗善，可以英達到檢彩測器件黃可靠性焦的目的曾。選擇合墓適的樣腸本數(shù)也診是可靠箏性試驗活的關鍵聞參數(shù)之為一，因可為樣本斧數(shù)少了柏，不能舌真實反收映器件概的可靠殘性，樣嘗本數(shù)太扮大的話緩，又會鍋造成資蜜源的浪熱費，需尸用數(shù)理陣統(tǒng)計方駐法，合頂理選擇青樣本數(shù)刮。可靠性試榆試驗(2竿)對于使用借壽命很長宋、可靠性擱很高的產(chǎn)瓦品來講，詳在60％袋的置信度視(con戲fide便nce店leve蠻l)下，望以每千小抹時0.1庭％的失效替速率(即幕103FIT宰)測試蠢產(chǎn)品，脾則無失招效時間罪長達9煎15,食000滋小時，聚即若器于件樣本匹數(shù)為9陳15，同則要測蒙試1,賠000啊小時才傾會有一哪個器件挽失效；作若器件關的樣本梢數(shù)為9且2，則書要測試巴10,宏000饒小時才貌會有一蝴個器件奪失效，京這樣的威測試即定不經(jīng)濟脂又費時善，因此食，必須宗在加速奶使用條筋件下進況行測試吉。由于啟失效分思析是按緩照抽樣理的方法壤進行分盛析，所著以，在什分析失龍效速度鋼時要用草到許多進統(tǒng)計的晝方法，底包括根雖據(jù)可靠阿性要求淘設計的皂置信度循和樣本賊數(shù)，按鐮照實驗障結(jié)果進影行數(shù)學賴模型的衰建立和窗分析，豬然后推村導出器器件的預犯期壽命歡。加速測搬試(1久)加速試驗劫的目的是朋在于讓確算實存在的富缺陷提前拒暴露出來術，而不是吸為了誘導想產(chǎn)生新的帝缺陷或讓柿存在的缺置陷逃脫加速力選哀擇要與器鼻件可靠性眾要求緊密該關聯(lián)，否瞞則可能對完改進設計雅、材料選水擇、工藝蓄參數(shù)確定畝等方面產(chǎn)僅生誤導作歇用。加速因子加速因子鍵：常規(guī)條信件下的糞失效時彈間加速試掏驗條件漿下的失拳效時間加速因子率不但與加漫速試驗條安件有關，還與失逢效機理缸、失效鼠位置等耽因素有挪關加速因子At=綠t1報/t2遍=E假xp[宿-Ea零/k(耕1/畝TTES求T-TUSE)]t1奪MTTF弟at袋TTESTt2湊M俯TTF罪at團TUSEEa脊熱激稼活能(e么V)（和較失效機理刃有關）Oxid展e音0.8炒eVCont墨amin灑atio愁n1鼓.4eVSiJ獻unct俯ion扛Defe怖ct升0.8字eV加速因魯子（例這）TestTempNoofDeviceHrAtTTESTUseTemp加速因子AtEpqivalentDeviceHr@55C135C43475055C12855648000125C21100055C7716247000可靠性試糞驗種類環(huán)境試驗高溫儲庫存，溫園度循環(huán)賊/沖擊交，高壓賓蒸煮，威潮濕偏毒壓，鹽童霧，耐檔焊接熱壽命試蜻驗偏壓高溫壽命水試驗，動掀態(tài)壽命試兔驗，動態(tài)載高溫壽命眾試驗機械試驗振動/沖勾擊、加速霜度、可焊機性、鍵合利強度ESD鋼測試高溫工作楊壽命（H襪TOL)條件：125oC或1脅50oC，Vc趙cma急x，freq棵uenc主yma魚x,盈至少研100將0de腹vice番s-hr愿s目的：發(fā)現(xiàn)迷熱/電池加速失悟效機理竭，預估拆長期工絨作的失汗效率失效機理慚：高溫下芯避片表面和四內(nèi)部的缺進陷進一步體生長，可齊動離子富茄集導致的段表面溝道先漏電，使軟結(jié)特性退紙化.電蛙場加速介獻質(zhì)擊穿，蔬高溫加速愉電遷移等(對大功同率器件，像可采用常殘溫功率負逐荷的方式俱使結(jié)溫達奶到額定值償)高溫反訂偏試驗(HR間B)適用高吧壓MO史SFE菠T功率態(tài)管(挺例如6陡00V稠/4A控)條件：1稀25oCo腔r1檢50oC，Vgs圣=0V池,道Vds污=80龜%o單fm筑ax潤BVd喉ssDur甘ati剖on:場(1棍68,聾500寄),1餃000沃hr目的：憤加速耐此高壓性振能退化失效機談理：高僅溫，高救電壓作母用下離頌子沾污活動改泛變電場奶分布高溫反賭偏試驗擦數(shù)據(jù)例TotalLotsTested71TotalDevicesTested2031TotalEquiv.DevicesHours@125oC1959430NumberofFailure0FailureRate(FIT)125oC60%UCL470FailureRate(FIT)90oC60%UCL28MTTF(Years)125oC60%UCL243MTTF(Years)90oC60%UCL4060溫度循環(huán)販（T/C膏）條件：500增cycl漏es,河-65℃升to吩+150寬℃at吳ar禽amp窮rate等of市25℃/僑min鑰and堂with陷20犯min裂dwel呆lat扛eac亭hte善mper針atur誘eex叢trem顯e目的：模擬環(huán)境變溫度變化躬,考核溫后度交替變脂化對產(chǎn)品淘機械/電挖性能的影知響，暴露籠粘片/鍵翼合/塑封肌等封裝工垃藝/材料究缺陷，及惡金屬化/絮鈍化等圓熟片工藝問塘題失效機址理：不同材料令間熱膨脹井系數(shù)差異晨造成界面齊熱匹配問宋題，造成浸金線斷裂假、鍵合脫割落致使開渠路，塑封歉開裂使密疫封性失效柴、界面分點層使熱阻忌增大、桑鈍化層開掃裂、硅鋁回接觸開路周、芯片開販裂高壓蒸點煮（P值CT/立Aut興ocl份ave飾）條件：121oC/10傘0%RH丸，205創(chuàng)kPa（斗2atm兆），16調(diào)8hrs目的：檢驗器與件抵抗感水汽侵塌入及腐篩蝕的能阻力。失效機烤理：濕氣通過離塑封體及港各界面被元吸入并到六達芯片表合面,在鍵早合區(qū)形成供原電池而宣加速鋁的食腐蝕。另魔外，水汽洪帶入的雜銀質(zhì)在器件遼表面形成似漏電通道宇。高溫高走濕電加澡速（T棄HB/拋HAS帆T）條件：THB跟8匙5oC/85名%RH，務Vccm鑒axs總tati蟻cbi灶as，1襖000h劉rs盛HAS腐T13籃0oC/85護%RH/介2atm晉，Vcc殲max蠟bias秒，100額hrs素（24hr弦sHA排ST≈1耽000h綿rsT顧HB）目的：模擬非驚密封器踢件在高驢溫高濕預環(huán)境下湖工作，灑檢驗塑藝封產(chǎn)品味抗水汽奧侵入并靠腐蝕的俱能力失效機理源：相對高頸壓蒸煮窩，偏置喂電壓在牧潮濕的闖芯片表悟面加速飽了鋁線扣及鍵合大區(qū)的電奏化學腐映蝕。同匠時，水引汽或塑隸封體內(nèi)嫩的雜質(zhì)韻在電應咳力作用境下富集堪在鍵合汗區(qū)和塑仰封體內(nèi)豈引腳之宋間而形污成漏電燈通道。常用可緊靠性試菜驗匯總狠表(閉1)TestTestconditionSimulatedenvironmentApplicablestandardsLow-temperatureoperatinglife低溫工作壽命-10℃/Vccmax/maxfrequency/min1,000devicehr/outputsloadedtodrawratedcurrentfieldoperationinsub-zeroenvironmentJEDEC-STD-22TM-A106High-temperatureoperatinglife高溫工作壽命+125℃or150℃/Vccmax/maxfrequency/min1,000devicehr/outputsloadedtodrawratedcurrentfieldoperationinnormalenvironmentMIL–STD-883method1005Temperaturecycling溫度循環(huán)500cycles,-65℃to+150℃ataramprateof25℃/minandwith20mindwellateachtemperatureextremeday-night,seasonal,andotherchangesinenvironmenttemperatureMIL-STD-883method1010C常用可靠院性試驗匯卷總表(便2)TestTestconditionSimulatedenvironmentApplicablestandardsTemperaturecycling,humidity,andbias60cycles,VccON/OFFat5-mininterval,95%RH,+30to+65℃withheatingandcoolingtimeof4hreachandadwellof8hrateachtemperatureextremeslowchangesinenvironmentconditionswhiledeviceisoperatingJEDEC–STD-22TM-A104Powerandtemperaturecycling功率和溫度循環(huán)onlyondevicesexperiencingriseinjunctiontemperaturegreaterthan20℃;min1,000cyclesof–40to+125℃changesinenvironmenttemperaturewhiledeviceisoperatingJEDEC–STD-22TM-A106常用可靠芝性試驗匯族總表(獵3)TestTestconditionSimulatedenvironmentApplicablestandardsThermalshock熱沖擊500cyclesof–55to+125℃rapidchangeinfieldorhandlingenvironmentMIL-STD-883method1011BHightempera-turestorage高溫存儲150℃,for1,000hrminstorageMIL-STD-883method1008TemperaturehumiditybiasVccmax/85℃/85%RH/1,000hrminoperationinhigh-humidityenvironmentJEDEC–STD-22TM-A108HighlyacceleratedstresstestVccmax/130℃/85%RH/240hrminoperationinhigh-humidityenvironmentJEDEC–STD-22TM-A110常用可靠蜓性試驗匯敗總表(糧4)TestTestconditionSimulatedenvironmentApplicablestandardsPressurecooker(autoclave)121C2atm96to240hrJEDECA102BMoistureresistance10cycle25to65CRH=90TO98%MILSTD8831004Saltatmosphere鹽霧試驗10to50grofNaCl/metres2@35CMILSTD8831009常用可外靠性試孔驗匯總鍬表(橡5)TestTestconditionSimulatedenvironmentApplicablestandardsMechanicalshock5shockpulsesofg-levelanddurationasperdevicespecificationalongaparticularaxisavionicsorspacecraftlaunchenvironmentMIL-STD-2002Vibrationvariablefrequencyvariationfrom20to2,000Hzandbackto20Hz,durationofmorethan4minavionicsorspacecraftlaunchenvironmentMIL-STD-2007Constantacceleration30000G1min,MIL-STD-2001Solderability215to245C3to5secondsJEDECB102B（五）失雹效模式和輸失效分析Dis撐tri悲but械ion刊of缺fa璃ilu籍re河in給com吊mer怎cia懶l(wèi)I奏C失效模膨式芯片工找藝引起字的失效封裝引剃起的失知效失效模菜式－芯片谷工藝引鈴起的失辦效失效因素失效現(xiàn)象失效原因表面退化輸入輸出反向電流增大，耐壓降低，Vt漂移氧化層可動電荷布線失效電極間開路，無功能金屬電遷移，金屬腐蝕氧化層缺陷電極間短路氧化層針孔，裂紋失效模式－封裝筋工藝引期起的失畏效鍵合不良雄金屬治間化合物去；焊球脫胞焊塑封裂寸縫值濕氣侵蹤蝶入；鍵鑒合線斷句裂塑封料鴉流變妨空洞；語鍵合線荒斷裂塑封應力標芯片牙裂紋；鋁處膜變形；囑鍵合線斷橋裂溫度循環(huán)紙后芯片和胸框架間黏可結(jié)變壞失效分析盈流程失效器貿(mào)件足夠信息數(shù)據(jù)分析外觀檢板查使用信你息ＮＹ失效分寬析流程社（續(xù)）需X線？測試X-r地ay專門測試？烘烤圖示儀測試氣密封漏裝？Bur蠶n-i兼n測試Fail氣密測姨試失效分析香流程（續(xù)由）開封測試目檢異偉常？失效機財理清楚？應用分析技術ＮＹ改進措匙施失效分析古技術／工泄具Soph購isti鋼cate筒dbe樂nch疑test啟ing瘋equi孫pmen懷t:Curv雙etr曉ace纏（圖示儀欄）;叔Benc妥hTe貸stin護gMic弱rop級rob構(gòu)ingPack董age功anal幸ysis辦:X-ra循y;A疲cous穩(wěn)tic眼micr執(zhí)osco慘pe（聲桃學顯微鏡合）Dec混aps評ula陪tio洲nt飛ech耀niq爽ues龍（開封方技術）C騎hem咸ica壞la跟nd牙dry櫻de柱pas殲siv切ati捕ng民met走hod惰（去除鄙鈍化層抬技術）失效分析仍技術／工立具Int猛ern撞al紛vis殊ual溪in票spe嬸cti閘on（字目檢）迎:M情icr貸osc滔ope謊（顯微腦鏡）S炮can哀nin砌ge僻lec鍵tro鞏nm忘icr雪osc青ope錯（掃描射電子顯租微鏡）Def憐ect柔lo只cat頃ion懼:Emis身sion鄭mic錄rosc厘ope(晴發(fā)射電子頌顯微鏡）勇，L庫iqui惠dCr盾ysta減lAn奪alys杜is(排液晶）其他：鳳SI盟MS（津二次離盆子質(zhì)譜棒）,F副IB（嶄聚焦離棚子束）于,XP賠S（X繞射線光吵電能譜啦儀）,眠AES芝（俄歇釘能譜儀臭）X射線成座像術聲掃描暈顯微鏡蠶成像原閉理(1款)What單are續(xù)Ult款raso細nic卻Wave詢s?Ultr額ason奔icw廈aves殊ref俱ert故oso待und粱wave嘩sab莫ove通20k涌Hz(臂not橡audi束ble翼tot慢heh科uman羊ear傲)Cha虎rac湊ter而ist卷ics披of起Ul遇tra往son腎ic查Wav洲esFree重lyp介ropa膨gate痰thr根ough條liq陪uids累and臉sol停idsRef浸lec宜ta旦tb芽oun前dar羅ies睛of名in抽ter梢nal挽fl漿aws哲an東dc儉han奴ge項of蝦mat草eri銀alCapa蘭ble蹈ofb羅eing混foc語used致,st桃raig測htt腐rans陜miss曉ionSui臨tab郵le燙for鍋Re晨al-頸Tim拐ep墳roc鏟ess幫ingHarm蜓less綱to甩the們huma土nbo鈔dyNon-慨dest湖ruct義ive胡tom榴ater先ialSONA井RA-S責can供sa掉re棟the立ra您wu周ltr泳aso川nic虧da舒ta.傳A碰nA冤-Sc斬an飾is寨ag乏rap央ho斯fV職olt碑a(chǎn)ge壯(e亮lec抗tri補cal讓re教spo搏nse朗)o王ver犁a壞per晉iod你of哭ti葵me.呼T厘he缺tim喚e-s侍cal聾ei只sd窗isp起lay敘ed殲hor虎izo乘nta倚l(wèi)ly關an撿dh到as宜uni般ts很in勝mil漫lio錯nth降so閑fa斜se竹con構(gòu)d(喝mic政ro-漲sec丘ond叨s).Perc毒ent岔Full奧Scr衛(wèi)een聲Heig畏ht(油%FSH副)unit暈sar灑eus士edi貍nste漁ado嚇fvo澤ltag怖e.TheDigi妨tal尊Osci縣llos柔copedis猜pla伴ys沃A-S榆can耐si穿nt驚he沙Son憶ix疾sof效twa炮re.Init蒸ial捎Puls縮慧e-彩Occu正rsw射hen雀puls盜erd將isch羅arge江san爪dtr胳ansd馬ucer聯(lián)osc唉illa榜tes.Time咬=0嘴SecTim嘆e=帽0Init嗓ial會Puls脾eFron玩tSu婦rfac裝eDie2nd螞Ec幣hoe蠅sWat箱er販Pat胸hVolt泉ageTime(mic旱ro-s曉econ設ds)Tran汗sduc吼erReg者ion盟of黎In屈ter怒est11223344Puls東e-Ec反ho聲掃描摔顯微鏡艘成像原仿理(2猴)失效機理猶分析機械原因熱的原刮因電的原因輻射原因化學原因失效分雹析－機莖械原因包括一幫般的沖妹擊、振攪動（如優(yōu)汽車發(fā)繡動機罩盟下面的披電子裝脈置）、撥填充料吹顆粒在墊硅芯片獄上產(chǎn)生傾的應力督、慣性畝力（如壺加農(nóng)炮殲外殼在撲發(fā)射時地引信受舉到的力居）等，辯這些負層荷對材駝料和結(jié)籃構(gòu)的響梅應有彈智性形變啟、塑性茄形變、赴彎曲(劃buc谷kle趟)、脆驢性或柔攀性斷裂雖(fr腐act矮ure惹)、由界面分極層、疲參勞裂縫里產(chǎn)生及好增殖、塵蠕變(常cre咐ep)梨及蠕變墾開裂等容易開糟裂的部雀位金屬疲勞詢引起的斷種裂失效分存析－熱嶺的原因包括芯達片粘結(jié)疼劑固化犬時的放太熱、引侵線鍵合顧前的預析加熱、洋成型工掌藝、后慣固化、睜鄰近元體器件的緩重新加斯工(r附ewo站rk)套、浸錫糠、波峰絨焊、回彎流焊等酬，熱負屬荷造成飽的影響瓣在于材辨料的熱耐膨脹，澡由于材理料之間蜓的CT事E失配水，引起見局部應掀力，導遲致失效失效分乎析－電剛的原因突然的全電沖擊周（如汽悶車發(fā)動兇時的點稀火）、滔由于電泰壓不穩(wěn)凝和電傳視輸過程砌中突然屠的振蕩貫（如接窩地不良砌）而引質(zhì)起的電里流波動屆、靜電宅電荷、繞電過載?；蜉斎腠曤妷哼^精高、電災流過大水，電負毀荷造成燈介電擊剖穿、電泳壓表面躁擊穿、桑電能的棗熱損耗荒、電遷光移，還解會引起郵電銹蝕著、由于啊枝蔓晶權生長而健引起的注漏電流近、電熱碧降解等失效分析敞－輻射原零因封裝材料圣中微量的失放射性元孤素（如鈾通、釷等放缺射性元素旱）引起的粒子輻揚射，尤掘其對存淘儲器有些影響，松會引起推器件性袖能下降裳及包封坡料的降績聚作用派，在器毛件表面窮覆蓋聚貧酰亞胺穩(wěn)涂層或歌用人工雞合成的適填充料撒都是解苗決的途暑徑失效分安析－化芒學原因環(huán)境造成毫的銹蝕、顆氧化、離輸子表面枝惕蔓生長等孩都會引起漏失效，而余潮濕環(huán)境芽下的潮氣守進入則是忠最主要的贏問題，進襖入塑封料俊中的潮氣掏，會將材傾料中的催拖化劑等其脂它添加劑心中的離子隊萃取出來避，生成副閑產(chǎn)品，進債入芯片上節(jié)的金屬焊軌盤、半導鼻體結(jié)構(gòu)、枕材料的界殘面等，激器活失效機哥理開裂產(chǎn)生晃及延伸鈍化層開巧裂界面分層Cro販ss-肝sec般tio帽nal皺vi搶ew辟usi脊ng再TOF至an遮da悟mpl麥itu然de霧dat移a.或Al宅low足sy涌ou農(nóng)to榴see臭:Void聰sDie粱Ti土ltPac胡kag巖eC瘡rac危ksTop顏of急Pa家cka退geDiePop橡cor憑nC蔽rac暖kDel撲ami殃nat承ion障&茅Cra寬ckbal拿ll退ift編-of蠻f化學銹蝕Cl-角Na+Fe+LeadCorr員osio稱nMic媽ro老gapMois牛tureIonMigr蜓atio匆nAl+4衰Cl----糠Al(練Cl)-4+3e-2Al流(Cl指)-4+6偷H2O--懷-2箏Al(蔬OH)3+6H++8蘆Cl化學銹筆蝕（例泳）ESD失睛效（例）9、靜夜四兄無鄰，荒淚居舊業(yè)貧狹。。4月-替234月-板23Wed賺nes機day尊,A徹pri撫l2雕6,幟202革310、雨中偵黃葉樹享，燈下末白頭人肢。。00:懼42:蹦2700:4灣2:2700:4凈24/2科6/2星023薄12驢:42干:27災AM11、以我賞獨沈久吃，愧君座相見頻質(zhì)。。4月-艦2300:4冠2:2700:4蝴2Apr透-2326-A獲pr-2禁312、故人們江海別蹄，幾度妙隔山川嚷。。00:4酸2:2700:4雞2:2700:4魄2Wed元nes陵day銜,A系pri概l2牽6,舒202膠313、乍見肯翻疑夢躁，相悲脆各問年奔。。4月-創(chuàng)234月-2蘿300:釋42:更2700:4盲2:27Apr綠il秒26,供20靈2314、他鄉(xiāng)生參白發(fā)，舊答國見青山緩。。26篇四月汪202豪312:逗42:肉27勻上午00:員42:該274月-2回315、比不紀了得就預不比，女得不到吵的就不望要。。。四月2劣312:4痛2上午4月-2廁300:鋤42Apr導il兆26,阿20頁2316、行動出覺成果，工班作出財富吸。。2023湊/4/2鞭60:銳42:2錘700:勺42:醋2726罰Apr梁il繩202撈317、做前，評能夠環(huán)視梁四周；做絹時，你只治能或者最飛好沿著以狠腳為起點閣的射線向捐前。。12:4楊2:27勾上午12:4畜2上午00:姥42:押274月-2辛39、沒有失頑敗，只有找暫時停止裂成功！。4月-跳234月-帽23Wedn淘esda奴y,A娛pril舒26,附202僚310、很多僻事情努德力了未煌必有結(jié)昨果，但撓是不努巾力卻什各么改變債也沒有塑。。00:燥42:柜2700:蓋42:箱2700:4魄24/2暫6/2激023夫12胞:42滔:27