目錄一、電容簡(jiǎn)介…………………2二、瓷介的基本知識(shí)………….3三、內(nèi)電極材料的基本知識(shí)………………….4四、端（外）電極材料的基本知識(shí)……...…..5五、電容的設(shè)計(jì)…………....….6六、生產(chǎn)工藝過(guò)程（配料）……………...…..7七、生產(chǎn)工藝過(guò)程（流延）……………...…..8八、生產(chǎn)工藝過(guò)程（絲?。?..……..9九、生產(chǎn)工藝過(guò)程（層壓）………………...10十、生產(chǎn)工藝過(guò)程（切割、裝缽、排膠）………………...11十一、生產(chǎn)工藝過(guò)程（燒結(jié)）………..…….12十二、生產(chǎn)工藝過(guò)程（倒角）….….……….15十三、生產(chǎn)工藝過(guò)程（封端）…….….…….16十四、生產(chǎn)工藝過(guò)程（燒銀）……..……….17十五、生產(chǎn)工藝過(guò)程（電鍍）…….…….….18十六、一般電性能……...……19十七、電容量（C）……………….……..…20

電容量與溫度的關(guān)系………….……..21電容量與電壓的關(guān)系…………….…..22電容量與頻率的關(guān)系….……………..23電容量與時(shí)間的關(guān)系….……………..24

十八、損耗（DF）.………………..……………25十九、絕緣電阻(IR)…..…………26二十、耐電壓（BWV）……………..….…………….………...27二十一、可靠性試驗(yàn)及失效的基本分析…………….….…28~29二十二、標(biāo)簽問(wèn)題…………………………….…30二十三、紙帶問(wèn)題………….31~38二十二、斷裂問(wèn)題……………………..…...39~49二十二、焊接問(wèn)題

……………………..……50~二十二、外觀不良………………………..……二十二、Q值ESR問(wèn)題……….…..二十二、其它…………………….1外電極（銅層/銀層）OuterElectrode（cuprum/SilverBase）外電極（鎳層）OuterElectrode（Nickellayer）外電極（錫層）OuterElectrode（Tinlayer）金屬內(nèi)電極

InnerElectrode陶瓷體ceramicbody●定義：所謂片式多層瓷介電容器（MLCC）----簡(jiǎn)稱(chēng)片式電容，是由涂好電極的陶瓷膜片以一定的方式疊合起來(lái)，最后經(jīng)過(guò)一次性燒結(jié)成整體而來(lái)，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)類(lèi)似獨(dú)石，故也叫獨(dú)石電容器。2瓷介的基本知識(shí)一、瓷介的分類(lèi)我們把用來(lái)制造片式多層瓷介電容（MLCC）的陶瓷叫電容器瓷。這里所說(shuō)的瓷介就是用電容器瓷制成的陶瓷介質(zhì)?！穹诸?lèi)▲按用途分可分為三類(lèi)：1、高頻熱補(bǔ)償電容器瓷（UJ、SL等）；2、高頻熱穩(wěn)定電容器瓷（NPO）；3、低頻高介質(zhì)電容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）▲按溫度系數(shù)分可分為二類(lèi)：1、負(fù)溫度系數(shù)電容器瓷（即高頻熱補(bǔ)償電容器瓷）；2、正溫度系數(shù)電容器瓷（即平時(shí)我們常說(shuō)的COG、X7R、Y5V瓷料）▲按工作頻率分可分為三類(lèi)：低頻、高頻、微波介質(zhì)高頻熱補(bǔ)償、熱穩(wěn)定電容器是專(zhuān)供I類(lèi)瓷介電容器作介質(zhì)用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO2再加入適量稀土類(lèi)氧化物等配制而成。其特點(diǎn)是介質(zhì)系數(shù)較大，介質(zhì)損耗不，溫度系數(shù)和范圍廣，一般在（+120~-5600）ppm/℃之間可調(diào)。高頻熱補(bǔ)償電容瓷常用來(lái)制造的負(fù)溫產(chǎn)品，其用途最廣的地方就是振蕩回路，像彩電高頻頭。大家知道，振蕩回路都是由電感和電容組成，回路中的電感線圈一般具有正的電感溫度系數(shù)。因此，為了保持振蕩回路中頻率不隨溫度變化而發(fā)生漂移，就必須先用具有適當(dāng)?shù)呢?fù)溫度系數(shù)的電容來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。低頻高介電容器是指強(qiáng)介質(zhì)鐵電陶瓷，一般作Ⅱ類(lèi)瓷介電容器的介質(zhì)。具有自發(fā)極化性質(zhì)的非線性陶瓷材料，一般以鈦酸鋇（BaTiO3）為主體的鐵電陶瓷，其特點(diǎn)是介電系數(shù)特別高，一般數(shù)千甚至上萬(wàn)；介電系數(shù)隨溫度呈非線性變化，介電常數(shù)隨施加的外電場(chǎng)有非線性關(guān)系。二、瓷介代號(hào)陶瓷介質(zhì)的代號(hào)是按其陶瓷粉料的溫度特性來(lái)命名的。常用的幾種陶瓷粉料的含義如下：NPO：溫度系數(shù)是30ppm/℃X7R：溫度特性X代表-55℃7代表+125℃

溫度系數(shù)R代表±15%Y5V：溫度特性Y代表-25℃5代表+85℃溫度系數(shù)V代表-80%~+30%3電極材料的基本知識(shí)

一、內(nèi)電極材料內(nèi)外電極是電容器的重要組成部分。內(nèi)電極主要是用來(lái)貯存電荷，其有效面積的大小和電極層數(shù)的連續(xù)性是影響電容質(zhì)量的兩大因素。片容的內(nèi)電極是通過(guò)印刷而成，因此，內(nèi)電極材料在燒結(jié)前是以具有流動(dòng)性的金屬或金屬合金的漿料的形式存在，故叫內(nèi)電極漿料，簡(jiǎn)稱(chēng)內(nèi)漿。由于片式多層瓷介電容器采用BaTi03系列陶瓷作介質(zhì)，此系列陶瓷材料一般都在950~1300℃左右燒成；故內(nèi)電極也一般選用高溶的貴金屬Pt、Pd、Au等材料，要求能夠在1400℃左右高溫下燒結(jié)而不致發(fā)生氧化、熔化、揮發(fā)、流失等現(xiàn)象。幾種金屬的熔點(diǎn)：金屬銅Cu鋁Al銀Ag金Au鈀Pd鉑Pt鎳Ni銀鈀Ag/Pd熔點(diǎn)(℃)108365896010631549177314451220

金屬鎳作為內(nèi)電極是一種非常理想的賤金屬，而且具有較好的高溫性能，其作為電極的特點(diǎn)：（1）Ni原子或原子團(tuán)的電子遷移速度較Ag和Pd-Ag都小。（2）機(jī)械強(qiáng)度高。（3）電極的浸潤(rùn)性和耐焊接熱性能好。但它在高溫下易氧化成綠色的氧化鎳，從而不能保證內(nèi)電極層的質(zhì)量。因此，它必須在還原氣氛中燒成。然而，恰恰相反，含鈦陶瓷如果在還原氣氛中燒結(jié)，則Ti4+將被還原成低價(jià)的離子而使陶瓷的絕緣下降。因此，要使Ni電極的質(zhì)量和BaTi03含鈦陶瓷的介電性能同時(shí)得到保證的話(huà)，一般采用真空狀態(tài)燒結(jié)或惰性氣體或其它保護(hù)氣氛狀態(tài)燒結(jié)。4二、端電極材料外電極主要是將相互平行的各層內(nèi)電極并聯(lián)，并使之與外圍線路相連接的作用。片容的外電極就是電容的端頭。其對(duì)片容最大的影響主要表現(xiàn)在芯片的可焊與耐焊性能方面。目前有三種基本方式：（1）純銀端電極。因銀與錫的熔點(diǎn)相關(guān)比較大，因此，此端電極一般只適用于手工烙鐵焊。此焊接方式的優(yōu)點(diǎn)在于焊接時(shí)，只有芯片的兩端承受烙鐵的高溫?zé)釠_擊，而瓷體受熱沖擊相對(duì)較小，因此，電容器受熱沖擊的影響較小，但效率較低。（2）純銅端頭（3）三層電極即Ag-Ni-Sn共三層。第一層銀層是通過(guò)封端工序上去的；第二層鎳層和第三層錫層是通過(guò)電鍍工藝鍍上去的。因?yàn)榇硕穗姌O最外層為錫層，因此適合所有的焊接。三層電極的作用：

Ag：與內(nèi)電極良好接觸，其直接影響芯片的可靠性。

Ni：熱阻擋層，其厚度對(duì)芯片的耐焊接熱有直接的影響。

Sn：與外圍線路有良好接觸，直接影響芯片可焊性能。此焊接方式的特點(diǎn)是適合大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)，即SMD貼片系統(tǒng)，但在焊接時(shí)，整個(gè)芯片需多次承受熱沖擊。因此，某種程度上會(huì)使瓷體遭受不必要的損受，影響芯片的可靠性。5片容的基本設(shè)計(jì)一、型號(hào)規(guī)格（英寸）的設(shè)計(jì)

常用的型號(hào)規(guī)格有0603、0805、1206，具體尺寸換算如下：例如1206中的“12”表示芯片長(zhǎng)為0.12英寸，即0.12×25.4=3.08mm(1英寸=25.4mm)

芯片的厚度一般根據(jù)客戶(hù)的需要來(lái)定，其設(shè)計(jì)一般要考慮瓷介的收縮比。瓷介的收縮比一般在15~20%之間。如0805B103K500NT其生片設(shè)計(jì)厚度為1.16mm，而燒結(jié)后的芯片厚度一般在0.85~0.90mm之間。二、電容量的設(shè)計(jì)

電容的電容量主要由它的幾何尺寸和介質(zhì)的介電常數(shù)來(lái)決定。電容量的單位是法拉，用F表示。在實(shí)際就用中法拉的單位太大，一般采用毫法（mF）、微法(uF)、納法(nF)和皮法(pF).它們之間的換算關(guān)系如下：1F=103mF

=106

uF

=109

nF

=1012pF

設(shè)計(jì)公式如下：C=KMN/T

其中：C--------電容量；K-------介電常數(shù)；M--------絲網(wǎng)常數(shù)（內(nèi)電極面積）

N--------設(shè)計(jì)層數(shù)；T-----------介質(zhì)厚度（單位1mil=25.4um)

電容量的設(shè)計(jì)值一般同實(shí)際值有一定的差距，主要是由于生產(chǎn)中材料不均勻和結(jié)構(gòu)、工藝上的種種原因造成的，即使原來(lái)采用的材料是相同的，并采用了相同的結(jié)構(gòu)、工藝、按設(shè)計(jì)要求制得的電容器的電容量也有一定的分散性。因此，我們規(guī)定了容量的允許偏差，即誤差級(jí)別。三、耐壓的設(shè)計(jì)在材料一定的情況下，一般由兩個(gè)因數(shù)來(lái)決定。介質(zhì)的厚度、內(nèi)電極的結(jié)構(gòu)。在實(shí)際設(shè)計(jì)生產(chǎn)中，我們一般也需要考慮客戶(hù)的使用條件，即電容的工作環(huán)境。

6生產(chǎn)工藝過(guò)程（配料）一、配料配料即瓷漿制備，將一定量的瓷粉、粘合劑、甲苯、已醇等有機(jī)溶劑按一定的比例，通過(guò)球磨的方式使之混合均勻，形成具有一定電氣性能和物理性能的陶瓷漿料，以供流延制膜之用。配料的關(guān)鍵之處有以下幾點(diǎn)：1）每種瓷料的配制都必須嚴(yán)格按照工藝規(guī)定的配方來(lái)進(jìn)行，各種材料的比例不能隨意更改。2）配料各器具和操作夾具都必須是十分潔凈，配料間的環(huán)境衛(wèi)生也一般要求近乎無(wú)塵無(wú)雜。3）球磨時(shí)間和方式都必須合理，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)過(guò)短，球磨速度過(guò)快過(guò)慢都不利于瓷粉的分散。4）各萬(wàn)分的含水量不能高于0.01%，因?yàn)樗值拇嬖跁?huì)使瓷漿流延時(shí)產(chǎn)生大量的氣泡。漿料中各種材料成份的作用如下：粘合劑：使瓷粉分散均勻，其最理想的狀態(tài)是將每一個(gè)瓷粉顆粒包圍起來(lái)并粘結(jié)在一起。甲苯、乙醇：輔助瓷粉與粘合劑更好的混合。脫膜劑：能使膜片較為容易從鋼帶上拿起來(lái)。柔軟劑：使膜片具有更好的柔軟性，即可塑性。消泡劑：減少球磨過(guò)程中漿料所產(chǎn)生的氣泡。漿料的常檢指標(biāo)就是漿料的粘度，其單位是時(shí)間/秒。7生產(chǎn)工藝過(guò)程（流延）二、流延流延也就是將配制好的瓷漿注塑在一定的載體上，通過(guò)一定溫度的干燥，形成一定厚度和寬度并具有一定強(qiáng)度和彈性的致密的陶瓷膜片。影響膜片質(zhì)量最主要的因素有：針孔：膜片中如有針孔存在，絲印時(shí)將會(huì)發(fā)生銀漿滲透的現(xiàn)象，同時(shí)燒結(jié)后介質(zhì)將留下相應(yīng)的孔洞，這樣將會(huì)大大降低介質(zhì)的耐壓性能和可可靠性氣泡：膜片中如有氣泡存在，絲印時(shí)同樣會(huì)發(fā)生銀漿滲透現(xiàn)象，同時(shí)氣泡的存在一定程度上減少了膜片的厚度，這樣會(huì)影響電容量的設(shè)計(jì)和電性能的可靠性?；覊m雜質(zhì)：膜片如有灰塵雜質(zhì)的存在，在絲印時(shí)會(huì)使介質(zhì)的厚度減少，同時(shí)會(huì)影響瓷介的電氣性能。8生產(chǎn)工藝過(guò)程（絲?。┤⒔z印絲印就是將流延出來(lái)的膜片按工單設(shè)計(jì)要求疊壓好保護(hù)層和夾層，再將內(nèi)電極漿料印刷在陶瓷介質(zhì)上，并按一定的錯(cuò)位方式疊合在一起，形成一個(gè)整體，即巴塊。電容的內(nèi)電極是用來(lái)貯存電荷的，因此內(nèi)電極圖形的平整性、連續(xù)性與結(jié)構(gòu)等將直接影響電性能與可靠性。因此，絲印對(duì)工藝衛(wèi)生、生產(chǎn)設(shè)備的精度、員工的操作技能、質(zhì)量意識(shí)有著十分高的要求。工藝衛(wèi)生方面，因絲印是直接對(duì)電容的核心內(nèi)電極進(jìn)行操作，所以對(duì)現(xiàn)場(chǎng)操作員工的個(gè)人衛(wèi)生、生產(chǎn)的大環(huán)境、原材料的潔凈度要求都十分嚴(yán)格，不能有任何的塵埃與雜質(zhì)。同時(shí)，絲印是印刷好內(nèi)電極并將有內(nèi)電極的介質(zhì)疊合在一起，因此對(duì)設(shè)備的精度有較高的要求，印刷時(shí)上下電極正對(duì)位置不能有移位與偏斜，否則將直接影響電容的可靠性。絲網(wǎng)印刷出來(lái)內(nèi)電極對(duì)芯片的性能有著至關(guān)重要的影響。銀重與銀層的光滑平整度是衡量?jī)?nèi)電極好壞的重要參數(shù)。銀層偏厚、印刷不均勻會(huì)造成生產(chǎn)成本的提高，并且當(dāng)芯片受電場(chǎng)作用時(shí)，內(nèi)電極凹凸處會(huì)驟集過(guò)多的電荷而使內(nèi)電極擊穿，或形成板電阻使內(nèi)電極發(fā)熱過(guò)多而燒壞。反之，如果銀重過(guò)輕或電極印刷不清，則會(huì)直接影響電容器的容量，同時(shí)其損耗會(huì)增加。9生產(chǎn)工藝過(guò)程（層壓）四、層壓層壓就是使巴塊在一定的溫度和水壓下均衡受壓,從而使坯塊的各層介質(zhì)與內(nèi)電極緊密接觸，形成致密的坯塊，使得高溫?zé)Y(jié)后瓷體致密性好，以防止巴塊內(nèi)部分層。影響層壓質(zhì)量的主要因素有：水溫、水壓與層壓時(shí)間。這三者與層壓質(zhì)量并非成線性關(guān)系，而是有一最佳值。10生產(chǎn)工藝過(guò)程（切割、裝體、排膠）五、切割巴塊的切割是一種高精度設(shè)備下的簡(jiǎn)單操作過(guò)程。其作用就是將整個(gè)巴塊根據(jù)芯片內(nèi)電極形狀，即按照切割成一顆一顆的芯片。切割質(zhì)量主要同機(jī)臺(tái)、切割刀的質(zhì)量、巴塊本身瓷料的硬度都有很大的關(guān)系。切割質(zhì)量的好壞對(duì)芯片的外觀尺寸有著直接的影響。芯片尺寸一致性的好壞主要影響測(cè)試與編帶工序的操作。六、裝缽裝缽的作用就是使芯片平整地排放于承燒板上，便于排膠與燒結(jié)。七、排膠排膠可以說(shuō)是排膠工序的前期，就是使生片中的有機(jī)膠體在一定的溫度下緩慢地排放出去，以利于芯片中陶瓷粉體的高溫?zé)Y(jié)。影響芯片排膠的因素有以一幾點(diǎn)：排膠時(shí)間、排膠的溫度排膠曲線。不同規(guī)格容量可以有不同的排膠參數(shù)，其排膠參數(shù)的確定一般可以通過(guò)芯片的熱失重分析得來(lái)。11生產(chǎn)工藝過(guò)程（燒結(jié)）八、燒結(jié)

燒結(jié)是電子瓷產(chǎn)品的一個(gè)關(guān)鍵工藝。它是指事先成型好的坯體，在高溫作用下，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間而轉(zhuǎn)變?yōu)榇审w的整個(gè)過(guò)程。坯體通常是由直徑約為數(shù)微米或更細(xì)的粉粒所組成。燒結(jié)溫度通常為原料溶點(diǎn)的1/2~3/4倍。高溫持續(xù)時(shí)間約為2~3小時(shí)或更長(zhǎng)。燒成的瓷體通常都是機(jī)械強(qiáng)度高、脆性致密的多晶相結(jié)構(gòu)體。在繞結(jié)過(guò)程中，瓷介一般會(huì)出現(xiàn)極少數(shù)的液相。液相的出現(xiàn)，除了潤(rùn)濕、包裹固體粉粒之外，還會(huì)由于表面張力的作用，會(huì)使固體粉粒更加拉近、靠攏，并填充固粒之間的空隙，從而有利于燒結(jié)。如果將同類(lèi)無(wú)定形物質(zhì)的小粒，通過(guò)燒結(jié)或軟化的方式，使它們結(jié)合到一起時(shí)，則可得到“渾然一體”的、找不到內(nèi)部分界面的物質(zhì)。但是在燒結(jié)晶態(tài)粉粒時(shí)，即使氣孔完全消失干凈，也不能得到統(tǒng)一晶格結(jié)構(gòu)的單晶，內(nèi)部將保留下大量晶粒分界面?？梢?jiàn)，在燒結(jié)過(guò)程中晶?？偸且L(zhǎng)大的。通常是相較粗的粉粒將擴(kuò)張、長(zhǎng)大，而較小的粉粒將縮小或消失。晶粒長(zhǎng)大的結(jié)果使物系的總表面積及界面積下降，即物系的自由能降低、走向穩(wěn)定（燒結(jié)是一種自由能下降的自持過(guò)程）。在燒結(jié)初期，由于粉粒的平均直徑較小，特別是有很多細(xì)小的粉粒存在，故粉粒生長(zhǎng)的速度是很快的。這時(shí)存在于坯體中的那些相對(duì)較粗的粉粒，事實(shí)上成了再結(jié)晶的中心。從這些中心向外延伸、擴(kuò)展、吞并相鄰的細(xì)粒，直到由不同中心擴(kuò)展來(lái)的晶粒相遇時(shí)，可能形成一個(gè)暫時(shí)相對(duì)穩(wěn)定的粒界。整個(gè)過(guò)程，我們稱(chēng)之為晶粒的長(zhǎng)大，或更準(zhǔn)確地把它叫做常規(guī)晶粒長(zhǎng)大、一次晶粒長(zhǎng)大、初次再結(jié)晶。由這種一次晶粒長(zhǎng)大所形成的粒界，還會(huì)不會(huì)再移動(dòng)要看是否滿(mǎn)足粒界平衡的條件。第二維的情況看，如果三個(gè)擴(kuò)展的晶粒相遇，構(gòu)成了共同的粒界，且彼此的界面夾角120℃，這種粒界將相對(duì)穩(wěn)定下來(lái)，稱(chēng)為平衡粒界。其理由是：1）各粒界的界面能或表面張力都是相等的，在120℃

相遇的情況下，任何表面張力的合力都將與第三個(gè)表面張力相等且相反。故粒界將不再移動(dòng)，處于相對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)。2）如果從晶粒凸沿的表面活性看，彼此的夾角均為120℃，即其活性或穩(wěn)定程度，均為各自相等。事實(shí)證明，絕大多數(shù)燒結(jié)良好的陶瓷，在顯微鏡下都可以觀察到許多六邊形的晶粒，以及大量120℃的粒界角。

12

對(duì)于片容器瓷的燒結(jié)，我們希望幾十微米厚的陶瓷介質(zhì)能夠燒結(jié)成致密的介質(zhì)層。所謂致密陶瓷，是指在燒結(jié)體中基本沒(méi)有氣孔，或者可以認(rèn)為不含氣相而近乎理論密度的陶瓷。這類(lèi)陶瓷，特別是產(chǎn)品比較薄的時(shí)候，通常都具有一定的透明度。一般常見(jiàn)的陶瓷只所以不透明，除了由于晶粒邊界或個(gè)別夾雜物質(zhì)散射光線之外，還有更主要的光線散射中心，乃是為數(shù)眾多、分布極廣、散射能力特別強(qiáng)的大小氣孔。如果采用優(yōu)良的燒結(jié)工藝，將這些氣孔基本排除干凈，陶瓷就有極高的致密度和相當(dāng)好透光能力。陶瓷在常規(guī)的燒結(jié)過(guò)程中，時(shí)常會(huì)出現(xiàn)二次結(jié)晶，即晶粒異常長(zhǎng)大的現(xiàn)象。二次晶粒長(zhǎng)大是出現(xiàn)在燒結(jié)后期的一種晶粒過(guò)分增大現(xiàn)象。是少數(shù)較大的晶粒，靠消耗相鄰已長(zhǎng)成的較不晶粒而長(zhǎng)大，與陶瓷致密化過(guò)程密切相關(guān)。二次晶粒長(zhǎng)大又叫做二次結(jié)晶，即以大粒為中心，重新進(jìn)行一次再結(jié)晶。這樣發(fā)展下去的話(huà)，則粒愈大、邊數(shù)愈多、內(nèi)角愈大，往外擴(kuò)張的勢(shì)頭也愈大，尤其對(duì)于個(gè)別特別大的晶粒，將發(fā)展成一種難于控制的局面。如溫度再提高一點(diǎn)，則這種現(xiàn)象將更為顯著。因此，對(duì)于燒結(jié)工藝來(lái)說(shuō)，燒結(jié)爐溫、高溫區(qū)保溫時(shí)間和燒結(jié)氣氛的控制顯得尤為重要。陶瓷工件在燒結(jié)過(guò)程中，通常都有比較明顯的收縮，可見(jiàn)坯體中有效密度不太的，如按燒結(jié)后坯體的線收縮為15%~20%計(jì)，那么坯體的有效密度只約為50%~70%，其余50%~30%部分，均為氣隙或有機(jī)粘合劑（強(qiáng)力膜大概為60%左右）。有機(jī)粘合劑在燒結(jié)前，即排膠工序已基本揮發(fā)掉。故可以認(rèn)為在燒結(jié)過(guò)程中，按體積計(jì)，芯片必須排除掉約1/4~1/2的氣態(tài)孔隙。隨著燒結(jié)初期的頸部長(zhǎng)大，氣孔將從燒結(jié)中期管狀溝通狀態(tài)，繼續(xù)轉(zhuǎn)變?yōu)闊Y(jié)后期的孤立地存在于界面或多粒匯合結(jié)之間。在氣孔縮小及消失的同時(shí)，粒界也不可能是絕對(duì)靜止，當(dāng)氣孔量多而體積大的時(shí)候，可能把粒界暫時(shí)拖住，但當(dāng)氣孔消失到一定程度時(shí)，就可能跟隨粒界而慢速移動(dòng)，或隨著細(xì)粒消失而進(jìn)一步集中。

13在日常生產(chǎn)中，有時(shí)因生產(chǎn)的特殊需要，巴塊切割成芯片以后而不需經(jīng)排膠工序，直接入高溫?zé)Y(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，即所謂的直燒。由坯體直至成瓷的燒結(jié)過(guò)程，存在著很大的排除氣孔的工作量，整個(gè)排氣過(guò)程，大致可以分為以下三個(gè)階段：開(kāi)孔排氣階段——相當(dāng)于燒結(jié)前排膠和燒結(jié)前期，所有氣孔相互連通，氣孔可以暢通排出，此時(shí)芯片的相對(duì)密度，通常還不大于85%。閉孔形成階段——相當(dāng)于燒結(jié)中期向后期過(guò)渡。開(kāi)口氣孔迅速下降，閉口氣孔逐漸形成。氣孔被逐步分隔并封閉于粒界之內(nèi)，其時(shí)芯片相對(duì)密度可達(dá)90%~95%之多。閉孔排氣階段——進(jìn)入燒結(jié)的后期，氣孔已全封閉。根據(jù)不同情況，這些氣孔可能存在于粒界之中，也可能存在于粒界之中，也可能存在于粒體之內(nèi)，它們?nèi)紝匍]口氣孔。在直燒過(guò)程中，芯片排氣的量大，因此，控制不好時(shí)常會(huì)發(fā)生分層的現(xiàn)象。故只有在特別情況下進(jìn)行。綜上所述，燒結(jié)的關(guān)鍵是爐膛內(nèi)的溫度與其均勻一致性，其次是燒結(jié)時(shí)氣氛，燒結(jié)應(yīng)在一個(gè)熱動(dòng)態(tài)平衡中進(jìn)行，爐膛的空氣應(yīng)充分流動(dòng)，使瓷體的晶相生長(zhǎng)均勻與致密。14九、倒角倒角的作用就是通過(guò)芯片之間相互碰撞或芯片與其它硬質(zhì)材料相互碰撞而使芯片的邊角變得圓滑鈍化，使芯片端頭與外電極有良好接觸。倒角有兩種基本方式：1）燒結(jié)以后倒角，即熟片倒角；現(xiàn)在一般小規(guī)格產(chǎn)品如0805、1206等一般采用熟片倒角。熟片倒角有兩面種球磨方式，a:慢磨，這種方式芯片因碰撞而損失的程度比較小，但所用的時(shí)間比較長(zhǎng)，效率低。b:行星磨，即快磨，這種方式效率高，球磨時(shí)間短，但芯片受損傷程度大。2）排膠以前倒角，即生片倒角。一般大規(guī)格產(chǎn)品，如1812、2225、3035規(guī)格的產(chǎn)品常用生片倒角。15十、封端所謂封端即端頭涂銀，就是用端頭漿料將電容器芯片兩端分別包封，以便各平行內(nèi)電極并聯(lián)，形成外電極。端頭電極漿料金屬銀并不是以Ag的單分子物質(zhì)存在，而是以的形式存在。端電極漿料除了其主要成份AgO之外，還包括部分有機(jī)溶劑（樹(shù)脂）和部分下班體及其他有利于同陶瓷體相互溶的成份。有機(jī)溶劑的作用就是使外電極漿料有一定的流動(dòng)性可塑性；玻璃體與其他成份主要是通過(guò)陶瓷體內(nèi)的玻璃體相互溶的作用而使外電極很好地與陶瓷體相連接。漿料的貯存同內(nèi)漿一樣，也需要置于慢磨機(jī)上慢磨，以防止沉淀現(xiàn)象的發(fā)生。封端工藝的一般流程：芯片裝入橡膠板芯片整平機(jī)內(nèi)浸漿烘干壓出來(lái)浸銀一端第二面端頭整平機(jī)內(nèi)浸漿烘干卸片芯片的封端關(guān)鍵是浸銀和烘干兩個(gè)過(guò)程。浸銀時(shí)如果銀漿的粘度過(guò)小，那么會(huì)發(fā)生流掛的現(xiàn)象，這時(shí)應(yīng)加一部分粘的漿料調(diào)和或等一段時(shí)間使其自然揮發(fā)一部分溶劑；如果漿料過(guò)濃，則會(huì)出現(xiàn)端電極過(guò)尖的現(xiàn)象，此時(shí)應(yīng)加稀釋劑以調(diào)和。烘干是保證端頭有一個(gè)初步定型與瓷體端頭基本接觸。烘箱的溫度一般為230℃左右，如果溫度過(guò)低，烘得不夠干，則會(huì)在燒銀的過(guò)程中出現(xiàn)端頭開(kāi)裂的現(xiàn)象。如果烘箱溫度過(guò)高，則會(huì)使端頭漿料出現(xiàn)部分氧化，影響端電極的質(zhì)量。

16十一、燒銀

燒銀就是使封好端頭的芯片放入760℃左右的燒銀爐中，使AgO還原中單質(zhì)的Ag，與內(nèi)電極的銀層形成一個(gè)整體；同時(shí)漿料中的玻璃體熔化并滲入陶瓷中，與瓷介良好接觸，從而形成致密的外電極端頭。燒銀的過(guò)程，其實(shí)就是一個(gè)還原過(guò)程，其形式如下：2AgO=2Ag+02

因此，燒銀時(shí)氣流必須暢通，能夠使AgO充分還原成Ag。如果AgO還原不夠充分或者溫度偏高而過(guò)燒，則會(huì)出現(xiàn)端電極與內(nèi)電極接觸不良的現(xiàn)象。這樣就有容量分散，損耗增加的現(xiàn)象出現(xiàn)。17十二、電鍍

電鍍就是在燒銀好的芯片兩端頭的表面上，利用電鍍的沉積法分別鍍上第一層鎳層和覆蓋鎳層的錫層。電鍍的工藝過(guò)程如下：

拋光除油漂洗活化漂洗鍍鎳

回收漂洗預(yù)浸鍍錫回收漂洗中和漂洗中和漂洗水煮吹干分選乙醇超聲波清洗吹干烘干檢測(cè)電鍍最為關(guān)鍵的三個(gè)因素就是電鍍液中各離子濃度和其PH值、電鍍是流的大小以及振篩狀態(tài)的監(jiān)控。電鍍過(guò)程，其實(shí)質(zhì)就是一個(gè)電化學(xué)過(guò)程：

Ni2++2e=NiSn2++2e=Ni

因此，電流大小和電鍍時(shí)間的長(zhǎng)短的控制對(duì)于電鍍工藝來(lái)說(shuō)，顯得尤為重要。電流大小、時(shí)間過(guò)短就會(huì)使鍍層不夠連續(xù)與致密，從而影響端頭的可焊性與耐焊性能。電流過(guò)大，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，則會(huì)出現(xiàn)端頭延伸現(xiàn)象。同時(shí)振篩振動(dòng)不好，出現(xiàn)振動(dòng)死角也會(huì)產(chǎn)生延伸的現(xiàn)象電鍍一道工分復(fù)雜的工序，對(duì)各原料和各性能指標(biāo)，有十分苛刻的要求。因此，每天都必須對(duì)電鍍液的各離子參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)電鍍液濃度發(fā)生變化時(shí)，應(yīng)及時(shí)添加相應(yīng)的原料。比如槽液PH值偏大時(shí)，陰極會(huì)出現(xiàn)大量的析氫現(xiàn)象，所得鍍層粗糙發(fā)黑色。當(dāng)電流密度過(guò)高時(shí)，鍍層會(huì)疏松發(fā)黑。

18片式電容的一般電性能在交變電壓的作用下，電容器并不是以單純的電容器形式出現(xiàn)，它除了具有電容量以外，還存在一定的電感和電阻。在頻率較低時(shí)，它們的影響很小可以不予考慮。隨著工作頻率的提高，電感和電阻的影響不能忽視，嚴(yán)重時(shí)可能會(huì)使電容器失去作用。對(duì)于2類(lèi)陶瓷介質(zhì)的電容器，其電性能方面會(huì)具有一個(gè)特殊的現(xiàn)象就是老化。其具體原理如下：因?yàn)?類(lèi)電容一般具有鐵電特性，并呈現(xiàn)一個(gè)居里溫度。介質(zhì)在這個(gè)溫度以上具有高度對(duì)稱(chēng)的立方晶體結(jié)構(gòu)，而低于居里溫度時(shí)，立方晶體結(jié)構(gòu)的對(duì)稱(chēng)性降低，即使在單位體內(nèi)這種狀態(tài)的轉(zhuǎn)變也是很明顯的。在實(shí)際陶瓷通常被擴(kuò)大到一個(gè)有限的溫度范圍之內(nèi)，但在所有情況下，它是電容量/溫度曲線上的某一個(gè)峰值。因此，對(duì)于此類(lèi)電容器，存在一個(gè)老化現(xiàn)象。在熱波動(dòng)的影響下，在介質(zhì)冷卻至居里溫度之后，在一段很長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)，晶體點(diǎn)陣的離子會(huì)連續(xù)移動(dòng)到勢(shì)能較小的位置，這就引起了電容器的老化現(xiàn)象。從此電容器的電容量不斷減小。但如果將電容器加熱至高于居里溫度的某一個(gè)溫度，則就會(huì)起到消除老化的作用，即通過(guò)老化而使電容量減小的部分恢復(fù)，而在電容器冷卻時(shí)，會(huì)重新開(kāi)始老化。為了避免老化的干擾作用，在某些試驗(yàn)前電容器應(yīng)進(jìn)行專(zhuān)門(mén)預(yù)處理。就是在上限溫度下使電容器保持1小時(shí)，接著在試驗(yàn)用標(biāo)準(zhǔn)大氣壓及室溫下保持24小時(shí)。對(duì)于片式電容器，我們一般常用其四個(gè)常數(shù)來(lái)測(cè)試其電性能。19●電容量（C）

電容量的大小表示電容器貯存電荷的能力，一般用HP電橋測(cè)試。兩層平行金屬極板中的陶瓷介質(zhì)為什么能貯存電荷能？這是因?yàn)樘沾山橘|(zhì)具有一種特殊的物理特性：電極化（簡(jiǎn)稱(chēng)極化）。從電學(xué)角度來(lái)看一般導(dǎo)體，例如金屬和電解質(zhì)，其原子和分子對(duì)周?chē)娮拥氖`力很小，我們稱(chēng)這些電子為自由電子（或叫自由電荷）。在電場(chǎng)作用下，自由電子將沿電場(chǎng)力的方向作定向運(yùn)動(dòng)，形成電流。但在陶瓷介質(zhì)中，原子、分子中正負(fù)電荷卻以其價(jià)健或離子健的形式存在，相互間強(qiáng)烈地束縛著，我們稱(chēng)之為束縛電荷。在電場(chǎng)的作用下，這些正負(fù)電荷只能作微觀尺度上相對(duì)位移。在陶瓷介質(zhì)中，由于電荷的相對(duì)位移，在原子、分子中就產(chǎn)生了感應(yīng)偶極矩，我們稱(chēng)之為極化。在外電場(chǎng)的作用下，偶極分子將沿電場(chǎng)方向定向偏轉(zhuǎn)，從而在陶瓷介質(zhì)的表面形成相應(yīng)的感應(yīng)電荷。從而電荷就被貯存在電容器中。

20一、電容量與溫度的關(guān)系

由以上溫度特性可知，對(duì)于COG材質(zhì)電容器，其容值基本不隨溫度的變化而變化；對(duì)于X7R材質(zhì)電容器大約在40℃時(shí)其容值最大，故在一般測(cè)試條件下其容值與溫度成正比；對(duì)于Y5V材質(zhì)電容器大約在13℃時(shí)其容值最大，在故在一般測(cè)試條件下其容值與溫度成反比。COG溫度特性X7R溫度特性Y5V溫度特性21二、電容量與電壓的關(guān)系

22三、電容量與頻率的關(guān)系電容的固有頻率f=1、電容器的固有頻率隨著容值的增加而減少；2、在達(dá)到其固有頻率前，容值是隨著頻率的升高而增大；3、電容的工作頻率最好小于其固有頻率的1/3；4、在固有頻率點(diǎn)電容不再是電容而是純電阻（振蕩電路）；5、10PF------固有頻率約1.5G-------------工作頻率需小于500M10NF------固有頻率約2M-------------工作頻率需小于600K100NF-----固有頻率約幾白K------------工作頻率需小于約200K23四、電容量與時(shí)間的關(guān)系24●損耗（DF）

在外加電壓作用下，單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量，叫做電容器的損耗。理想的電容器把從電源中得到的能量，全部貯存在電容器的介質(zhì)中，不發(fā)生任何形式的能量消耗。事實(shí)上電容器在外加電壓作用下是要消耗能量的，介質(zhì)漏電流，緩慢極化（電偶極矩在電場(chǎng)作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)），氣隙電離以及極板、引出端等金屬部位的熱量使電容器溫度升高，造成電容器工作狀態(tài)不穩(wěn)定，加速電容器的老化。電容器的損耗由介質(zhì)損耗和金屬損耗兩部分組成。在低頻和中頻電壓作用下，陶瓷介質(zhì)中的電偶極矩的偏轉(zhuǎn)完全或部分能跟上電場(chǎng)的變化。因此，電容器中主要存在介質(zhì)的極化損耗和漏電損耗。在高頻電壓作用下，各種緩慢極化完全不及建立，此時(shí)極化損耗就很小，可以忽略，而電容器中的趨膚效應(yīng)使金屬部分的損耗電阻增加，因此金屬損耗成了電容器損耗的主要形式。電容器的好壞并不能單以電容器消耗能量的多少來(lái)定論。因此，一般用電容器的損耗角正切來(lái)表示。電容器的損耗角正切是指在一定頻率的正弦電壓作用下，消耗在電阻上的有功功率和貯存在電容器中的無(wú)功功率的比值。因此，損耗是一個(gè)無(wú)單位的量，即：

Tg￡=有功功率/無(wú)功功率低頻、中頻電壓下---（介質(zhì)中的電偶極矩的偏轉(zhuǎn)完全或部分能跟上電場(chǎng)的變化）----極化損耗和漏電損耗高頻電壓下---（各種緩慢極化完全不及建立）----金屬損耗25●絕緣電阻（IR）

完全不導(dǎo)電的絕緣體是沒(méi)有的，在電介質(zhì)中通?；蚨嗷蛏俅嬖谡⒇?fù)離子，這些離子在電場(chǎng)作用下定向遷移形成離子電流，我們稱(chēng)之為體內(nèi)漏電流。通常，在電容器的表面，也會(huì)或多或少地存在正負(fù)離子，這些離子在外電場(chǎng)的作用下，會(huì)發(fā)生定向遷移，形成表面漏電流。因此，電容器的漏電流是陶瓷介質(zhì)中體內(nèi)漏電流與芯片表面的漏電流兩部分組成。我們把加在介質(zhì)兩端的電壓和漏電流之比稱(chēng)之為介質(zhì)的絕緣電阻。

R=U/I

由上可知，電容器的絕緣電阻等于表面絕緣電阻與體內(nèi)絕緣電阻相關(guān)聯(lián)而成。因此，電容器的絕緣電阻除了同其本身所固有介質(zhì)特性有關(guān)系外，同外界環(huán)境溫度、濕度等有很大的關(guān)系。溫度對(duì)絕緣電阻的影響主要表現(xiàn)在溫度升高時(shí)，瓷介的自由離子增多，漏電流急劇增加，介質(zhì)絕緣電阻迅速降低。但防潮不好的小容量電容器表面漏電流較大，隨著溫度的升高，表面潮氣蒸發(fā)，造成表面絕緣電阻上升。濕度對(duì)電容器的電性能影響較大，會(huì)由于表面吸潮使表面絕緣電阻下降。26●耐電壓（BWV）

電容器的耐電壓性能就是指電容器的陶瓷介質(zhì)在工作狀態(tài)中能夠承受的最大電壓，即擊穿電壓，也就是電容器的極限電壓。電容器的標(biāo)稱(chēng)電壓即電容器的工作電壓，標(biāo)稱(chēng)電壓一般是相對(duì)于直流來(lái)說(shuō)的。而電容器的耐電壓通常也是相對(duì)直流來(lái)說(shuō)的，但是也有用交流來(lái)表示的。一般來(lái)說(shuō)，電容器的標(biāo)稱(chēng)電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其瓷介的耐電壓。因?yàn)?，在?shí)際工作過(guò)程中，電容器除了兩端時(shí)時(shí)要承受的直流電壓外，另外常有脈沖交流電壓存在，而這個(gè)交流電壓的峰值常常遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出工作過(guò)程中的直流電壓。因此，電容的標(biāo)稱(chēng)電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于芯片的耐電壓。比如1206B102K500N其標(biāo)稱(chēng)電壓為50V，也就是其工作電壓要低于50V，而實(shí)際上其耐電壓直流可達(dá)1200V左右，交流可達(dá)500V左右。27可靠性試驗(yàn)及失效的基本分析一、可靠性試驗(yàn)

片式電容的電性能測(cè)試后，還有一項(xiàng)十分重要的工作就是片式電容的可靠性試驗(yàn)。可靠性試驗(yàn)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)是按照國(guó)標(biāo)來(lái)進(jìn)行的，一般需做以下幾個(gè)試驗(yàn)：溫度快速變化、穩(wěn)態(tài)濕熱、高壓加速老化、低壓加速老化、端電極結(jié)合強(qiáng)度、耐焊接熱、溫度特性TC等。二、失效的基本分析

片容失效一般是由介質(zhì)擊穿和銀離子遷移造成的。1、介質(zhì)的擊穿擊穿分為三種：熱擊穿、電擊穿、局部放電。（1）熱擊穿熱擊穿是由于介質(zhì)內(nèi)熱不穩(wěn)定過(guò)程所造成的。因?yàn)?，介質(zhì)的電導(dǎo)是隨著溫度升高而增大的，電導(dǎo)的增大又使介質(zhì)發(fā)熱更加嚴(yán)重。如果散熱條件不好，介質(zhì)中電流就由于加熱作用而不穩(wěn)定地上升，直至喪失絕緣性能，介質(zhì)材料即遭到熱破壞。（2）電擊穿電擊穿的主要特征是：擊穿場(chǎng)強(qiáng)較高。在一定溫度范圍內(nèi)，介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)隨溫度升高而增大，或者變化不大。電擊穿場(chǎng)強(qiáng)是反映固體介質(zhì)承受電場(chǎng)作用能力的一種度量，是材料的特性常數(shù)之一，所以通常又稱(chēng)之為介質(zhì)的耐電強(qiáng)度（耐電性能）。（3）局部放電當(dāng)介質(zhì)中存在有氣泡時(shí)，氣泡中的局部電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到氣體或液體的擊穿強(qiáng)度時(shí)，這部分氣體或液體開(kāi)始放電，使介質(zhì)發(fā)生不貫穿電極的局部擊穿，這就是局部放電現(xiàn)象。2、銀離子的遷移在高溫、高濕、強(qiáng)直流電場(chǎng)作用下，銀離子容易遷移，這就是造成電容器失效的主要原因。28三、電容器在電路中的基本作用及常見(jiàn)的失效現(xiàn)象電容器因?yàn)榫哂小案糁蓖ń弧钡奶匦?，因此，在電路中一般用作耦合、旁路和濾波。與放大器或運(yùn)放輸入端相聯(lián)電容器的為耦合電容器；與放大器或運(yùn)放發(fā)射極相聯(lián)的電容器為旁路電容器，兩者以473和104電容為主。濾波以主頻產(chǎn)品為主。電容器在線路中常見(jiàn)的失效現(xiàn)象有：低頻產(chǎn)品漏電（絕緣低）和高頻產(chǎn)品損耗高及頻率特性關(guān)。另外是芯片的機(jī)械強(qiáng)度低，容易斷片。

29標(biāo)簽問(wèn)題對(duì)于標(biāo)簽,如客戶(hù)未提出任何要求,一律用帶有風(fēng)華標(biāo)志的新版條形碼標(biāo)簽(內(nèi)容如下);如客戶(hù)提出要求的按客戶(hù)要求打印.標(biāo)簽內(nèi)容解釋如下:

CUSTOMERP/N:客戶(hù)的型號(hào)規(guī)格

SUPPLIERCODE:供應(yīng)商代碼

P/N:產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格

QTY:數(shù)量

LOT:產(chǎn)品批號(hào)

CAP:產(chǎn)品容量

DATE:日期

INSPNO:標(biāo)簽序列號(hào)30紙帶問(wèn)題紙帶卷盤(pán)結(jié)構(gòu)PAPERTAPING

Topcovertape面膠Carriertape(paper)傳送帶Chiphole(Pocket)芯片孔Bottomtape底膠Polystyrenereel膠盤(pán)310402紙帶編帶尺寸大小

代號(hào)CodeW1L1DCBP1P2P0dt04020.650.201.150.208.000.203.500.051.750.102.000.052.000.054.000.101.50-0/+0.100.80Below320603，0805，1206常規(guī)尺寸產(chǎn)品的紙帶尺寸AEJ送帶孔Feedinghole芯片方穴ChippocketDCChipcapTBFGH紙帶規(guī)格papersizeABCD*EFG*HJT06031.100.201.900.208.000.203.500.051.750.104.000.102.000.104.000.101.50-0/+0.101.10Below08051.450.202.300.208.00.203.500.051.750.104.000.102.000.104.000.101.50-0/+0.101.10Below12061.800.203.400.208.000.203.500.051.750.104.000.102.000.104.000.101.50-0/+0.101.10Below33產(chǎn)品尺寸（厚度代碼）所用紙帶●厚度代碼0:T＜0.551:0.55~0.642:0.65~0.743:0.75~0.87(B料）0.75~0.84(NPO、Y5V料）4:0.88~0.94(B料）0.85~0.94(NPO、Y5V料）5:0.95~1.146:1.15~1.347:1.35~1.548:T＞1.54NPO:＜1012厚度（0.65~0.74）＞1013厚度（0.75~0.84）B料：3厚度（0.75~0.87)Y料：＜1042厚度（0.65~0.74）＞1043厚度（0.75~0.84）生產(chǎn)：NPO：0.70±0.1B料：0.85±0.15Y料：0.70±0.15類(lèi)型產(chǎn)品型號(hào)產(chǎn)品厚度所用紙帶類(lèi)型沖孔類(lèi)型紙帶0402規(guī)格T≤0.560.60紙帶1.15×0.65T＞0.560.65紙帶1.23×0.730603、0805規(guī)格T≤0.710.75紙帶0.72~0.810.87紙帶0.82~0.910.95紙帶1206及排容T＜0.920.95紙帶膠帶0805規(guī)格0.92~1.221.23~1.35面膠拉力：0.15~0.6N34

2001/2/62001/2/7CAP.150F-103m-PAC在撕帶時(shí)膠帶上粘有紙屑、纖維等雜物，從而造成生產(chǎn)掉料。主要原因與氣候有關(guān)，天氣潮濕使面膠與紙帶的粘性加強(qiáng),導(dǎo)致產(chǎn)生不良。我公司將加強(qiáng)編帶工序?qū)帋У臋z驗(yàn)，已規(guī)定每天對(duì)面膠拉力檢驗(yàn)一次。東莞THOMSON2001/6/162001/6/170603規(guī)格產(chǎn)品易拋料.由于0603規(guī)格的偏上限和偏下限的尺寸產(chǎn)品都用同一沖孔模具編帶,特別是W(T)≤0.80mm的產(chǎn)品,用1.90×1.04沖孔模具編帶,電容與方孔內(nèi)擺動(dòng)幅度大就導(dǎo)致拋料.重新做一個(gè)1.90×1.00mm的沖孔模具來(lái)匹配厚度和寬度偏小的電容.羅技電子2001.8.132001.8.170805CG681J500NT/WG8632NJ3C電容拋料,不良料為5%.電容厚度與紙帶厚度相近,加上此批貨發(fā)貨至今有一年多時(shí)間,紙帶存放若經(jīng)受潮而收縮,從而導(dǎo)致粘底膠或粘面膠現(xiàn)象.1.修改編帶工藝,對(duì)于0805的產(chǎn)品厚度≤0.71mm的均用0.75mm的紙帶編帶.2.建議客戶(hù)不宜將產(chǎn)品放置較長(zhǎng)時(shí)間.臺(tái)達(dá)電子(東莞)2001.7.282001.7.311206B332K501NT/WD7416PJ5BWD8735PJE產(chǎn)品因紙帶面膠粘性過(guò)強(qiáng),撕面膠時(shí)膠帶上粘有紙屑、纖維等雜物,導(dǎo)致材料無(wú)法倒出,造成SMT拋料率過(guò)高.經(jīng)對(duì)客戶(hù)提供的樣品分析,此批產(chǎn)品確有面膠粘性過(guò)強(qiáng)現(xiàn)象,原因是此批產(chǎn)品編帶時(shí)機(jī)臺(tái)上的壓頭溫度波動(dòng)稍大,導(dǎo)致面膠溫度偏高,與紙帶接觸粘合太緊.我公司每天都有專(zhuān)人對(duì)每臺(tái)編帶機(jī)進(jìn)行面膠的拉力檢測(cè),并有定期對(duì)所有機(jī)臺(tái)進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng).常見(jiàn)問(wèn)題分析福建莆田和達(dá)2001.7.282001.7.300805B103K500NT/WG7463PJ2A產(chǎn)品卷尾部分電容吸不出,不良率為2%.此產(chǎn)品厚度是0.71~0.75mm,我公司編帶時(shí)選用的紙帶是0.75mm,由于后來(lái)才發(fā)現(xiàn)0.75mm的紙帶實(shí)際厚度偏下限,約0.73~0.76mm,加上編帶產(chǎn)品卷尾部分紙帶彎曲半徑較小,產(chǎn)品在紙帶中受到壓迫,從而導(dǎo)致部分產(chǎn)品不容量吸出.現(xiàn)我公司已規(guī)定,對(duì)于電容厚度在0.72~0.80mm,一律選用0.85mm的紙帶編帶.35海山宏2001/8/92001/8/110805F104Z500NT批號(hào)為GABE01003G1J4（1615K）產(chǎn)品拋料。初步確定原因是粘底膠。1）作換貨處理；2）客戶(hù)提到綠色面膠粘性過(guò)強(qiáng)，已要求采購(gòu)部門(mén)尋求更好的面膠材料。3）對(duì)今后發(fā)往該客戶(hù)的產(chǎn)品改用塑膠帶密封，增強(qiáng)保存條件。OIL（EPSON）2001/12/062001/12/110603CG470J500NT/WI7960DJ4D貼片機(jī)吸料困難，引起拋料（5K電容）。初步分析原因是這批產(chǎn)品發(fā)貨至今相差一年多，如貯存環(huán)境不理想，產(chǎn)品受潮后使底膠粘性增強(qiáng)，引起拋料。1）待不良品退回再分析確切原因；2）已作換貨處理；3）建議客戶(hù)對(duì)產(chǎn)品的貯存環(huán)境能控制在最佳狀態(tài)（溫度5~40℃濕度20~70%）。實(shí)達(dá)電腦2002/3/82002/3/90603/33P電容上機(jī)卡帶吸不出來(lái)，拋料率為20%。這批產(chǎn)品我公司發(fā)貨至今已有一年多，如貯存環(huán)境濕度大、溫度高會(huì)引起底膠粘性增強(qiáng)，導(dǎo)致電容粘底膠不能吸出。由于沒(méi)有不良品，不能確認(rèn)真正原因。建議客戶(hù)：1）提供不良品，以便進(jìn)一步分析。2）確保貯存環(huán)境保持在溫度：18-25℃、濕度30-70%。中山杰士美2002/8/102002/8/120805CG180J500NTGACF00473F0J2該批產(chǎn)品難掉料。經(jīng)分析客戶(hù)寄回的兩粒樣品，出現(xiàn)難以掉料原因是編帶機(jī)壓輪壓住電容，增大電容同底膠的粘結(jié)力，以致產(chǎn)品難掉下來(lái)。已對(duì)編帶機(jī)壓輪進(jìn)行修理。捷聯(lián)電子2003/1/9編帶產(chǎn)品卷帶末端的封口粘膠脫膠，撕下時(shí)有殘余，影響貼片。2003/1/9原因是粘膠易受季節(jié)溫度和潮濕氣候影響使封口粘膠粘性增大，當(dāng)剝開(kāi)時(shí)上機(jī)使用出現(xiàn)殘余堵塞SMT機(jī)出孔槍口，導(dǎo)致吸料困難。1）

改用粘性較小的封口粘膠；2）

對(duì)于粘性過(guò)大的粘膠正要求供應(yīng)商改進(jìn)。記憶科技2003/1/3編帶產(chǎn)品卷帶末端的封口粘膠脫膠，撕下時(shí)有殘余。2003/1/636青柳電子2003/2/18膠帶上殘留較多的粘膠,導(dǎo)致每卷有20個(gè)左右的元件不能正常吸取。2003/2/21原因是卷帶封口粘膠粘性過(guò)大，粘性增大的封口膠在剝開(kāi)上機(jī)時(shí)出現(xiàn)殘余脫膠，脫膠對(duì)貼片過(guò)程造成影響，吸料困難。

對(duì)發(fā)該客戶(hù)的產(chǎn)品，規(guī)定用粘性較小的封口粘膠代替原來(lái)的封口粘膠。龍昌電子2003/6/3①0603CG560J500N在超聲后死機(jī)，不良率為7%；②1206F104Z500N貼片過(guò)程面膠拉斷。2003/6/6①經(jīng)取樣品分析，發(fā)現(xiàn)部分容值變小，內(nèi)部結(jié)構(gòu)有裂紋，且觀察內(nèi)部結(jié)構(gòu)確認(rèn)非風(fēng)華產(chǎn)品。②經(jīng)調(diào)查是所用面膠粘性較強(qiáng)，與紙帶結(jié)合強(qiáng)度提高，因此在使用過(guò)程易拉斷。①建議客戶(hù)再次確認(rèn)產(chǎn)品的來(lái)源；②已將此情況反饋供應(yīng)商要求改善，同時(shí)我司對(duì)面膠的拉力每天每小時(shí)檢測(cè)一次，以防類(lèi)似情況發(fā)生。

寶麗來(lái)影像2003/8/70805F103Z500NT紙帶過(guò)硬、缺乏韌性，在經(jīng)過(guò)編帶機(jī)內(nèi)易折曲，導(dǎo)致卡在機(jī)器內(nèi)。2003/8/7經(jīng)分析這是再生紙帶，比原生紙帶硬些，與客戶(hù)的貼片機(jī)不太適應(yīng)所致。再生紙帶供其他客戶(hù)沒(méi)有不良，為滿(mǎn)足客戶(hù)要求，今后發(fā)該客戶(hù)的產(chǎn)品均用原生紙帶編帶。

無(wú)錫東強(qiáng)2003/9/16電容在SMT線上拋料為1%左右。2003/9/18分析原因紙帶沖孔不干凈，有微小紙屑留在方孔內(nèi)，貼片機(jī)的速度較快，導(dǎo)致電容吸不出而拋料。①采用原生紙帶，代替再生紙帶；②采用沖孔質(zhì)量較好的沖孔模具；③把改良后的產(chǎn)品給客戶(hù)試用。金佳電子2003/10/70603B223K500NT/NADF01969KGN拋料不良；0603CG121J500NTGADF01151CBJ面膠松。2003/10/9①分析為編帶機(jī)導(dǎo)槽有雜物頂住紙帶底部，運(yùn)行過(guò)程中底膠與芯片受壓狀態(tài)下使電容緊粘在底膠上，導(dǎo)致拋料不良；②分析為使用了不同的供應(yīng)商紙帶與不同供應(yīng)商面膠搭配，因不匹配而出現(xiàn)面膠松。拋料不良：1）規(guī)定每用完一卷紙帶，用氣管吹走紙帶槽內(nèi)的雜物；2）每開(kāi)班前須對(duì)所用的編帶機(jī)進(jìn)行全部清潔干凈；面膠松：規(guī)定今后固定紙帶與面膠之間的搭配。蘇州達(dá)方2003/11/17編帶產(chǎn)品有面膠斷裂不良。2003/11/21初步分析：①產(chǎn)品在運(yùn)輸搬運(yùn)過(guò)程受到撞擊或震動(dòng)時(shí)出現(xiàn)斷裂；②由于reel強(qiáng)度不夠，導(dǎo)致在受到撞擊或震動(dòng)時(shí)出現(xiàn)斷裂。具體原因待進(jìn)一步確認(rèn)。將此現(xiàn)象反饋給物流公司，要求在搬運(yùn)操作時(shí)避免產(chǎn)品受到過(guò)強(qiáng)的撞擊和震動(dòng)，同時(shí)反饋給供應(yīng)商，要求對(duì)發(fā)生的不良進(jìn)行分析。深圳東華2003/12/150603F104Z500NT在SMT機(jī)上有拋料；過(guò)回流焊有上錫不良。2003/12/171）分析客戶(hù)退回的樣品，造成部分產(chǎn)品在沖孔內(nèi)活動(dòng)空間過(guò)大，導(dǎo)致拋料；2）經(jīng)做相關(guān)焊接試驗(yàn)未發(fā)現(xiàn)不良，分析認(rèn)為是部分產(chǎn)品受到輕微污染所致。1）加強(qiáng)產(chǎn)品尺寸與沖孔模具尺寸的匹配性；2）規(guī)范員工操作，避免人為因素對(duì)產(chǎn)品造成的輕微污染。37建基2004/1/90603B103K500N產(chǎn)品拋料，不良率2.7%。2004/1/14原因是此批產(chǎn)品的紙帶孔有較大空間，在貼片機(jī)高速吸料時(shí)，電容在紙帶中擺動(dòng)大，高速運(yùn)作的貼片機(jī)吸咀就難以吸穩(wěn)產(chǎn)品而造成拋料。①

按2.7%的比率補(bǔ)貨給客戶(hù)；②

送5K改善品給客戶(hù)試用。鎮(zhèn)泰公司2004/1/30805E104M250NT/NADJ00897KFJ產(chǎn)品使用過(guò)程中出現(xiàn)拋料現(xiàn)象。2004/1/6分析電容粘底膠原因有：①產(chǎn)品經(jīng)過(guò)一段時(shí)間儲(chǔ)存，當(dāng)環(huán)境濕度大時(shí)，底膠產(chǎn)生了粘性；②該批產(chǎn)品使用的底膠質(zhì)量不夠好。①我司IQC對(duì)底膠加嚴(yán)檢驗(yàn)，通過(guò)將底膠處于高溫高濕的環(huán)境下檢驗(yàn)底膠的壽命；②換貨處理。鎮(zhèn)泰公司2004/7/150805E104M250NT/NAED00682KFJ產(chǎn)品使用過(guò)程出現(xiàn)拋料。2004/7/19客戶(hù)在使用過(guò)程發(fā)現(xiàn)底膠粘力不夠，有漏出現(xiàn)象，造成貼片機(jī)吸不到現(xiàn)象。分析原因有紙帶受潮、底膠質(zhì)量不穩(wěn)定、編帶過(guò)程壓頭溫度過(guò)低等。具體原因還需進(jìn)一步查詢(xún)。如客戶(hù)確實(shí)無(wú)法使用，我司將換貨處理?；葜軱G2004/7/230805B223K500N在SMT貼片出現(xiàn)20%～30%掉件。2004/7/27①面膠和膠帶撕離的拉力不均，速度時(shí)斷時(shí)續(xù)，引起膠帶震動(dòng)，容易掉件；②電容與膠帶空隙較大。①針對(duì)0805B223K，我司采取紙帶編帶發(fā)貨，待客戶(hù)確認(rèn)；②改進(jìn)編帶工藝，調(diào)整編帶機(jī)局部加熱部位，力求面膠拉力均勻一致；③適當(dāng)調(diào)整電容尺寸，使電容與膠帶孔更加匹配，防止掉件。視得安2004/8/160805B473K500NT、0805B104K500NT實(shí)際來(lái)料編帶為透明塑膠帶，貼片機(jī)難以吸起，來(lái)料要求為紙帶。2004/8/17經(jīng)查0805B473K電容編帶確為膠帶，因之前客戶(hù)沒(méi)有特殊注明，所以我司是根據(jù)實(shí)際情況來(lái)編帶；對(duì)0805B104K產(chǎn)品因提供的資料不詳，需進(jìn)一步確認(rèn)。建議客戶(hù)下訂單時(shí)注明編帶材料要求。

東莞華強(qiáng)三洋2005/1/110603CG101J500NT/GAEI04271M0J出現(xiàn)吸附不良。2005/1/15經(jīng)分析不良品發(fā)現(xiàn)紙帶使用時(shí)出現(xiàn)折痕，但比率極小，與客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的拋料率較大不符。后對(duì)我司內(nèi)部調(diào)查沒(méi)有發(fā)現(xiàn)不良情況。換貨處理。38斷裂問(wèn)題

電子線路功能故障貼片電容斷裂（C↓或漏電）片容加工過(guò)程中應(yīng)力沖擊導(dǎo)致斷裂熱應(yīng)力片容焊接工藝預(yù)熱最高焊接溫度過(guò)高（例如電烙鐵焊接等）

機(jī)械應(yīng)力分板時(shí)的應(yīng)力特殊位置固有應(yīng)力PCB板材質(zhì)、尺寸、厚度片容與分板槽的距離與擺放片容本身脆性增加片容厚度（適用0805及以上規(guī)格的非高寬一致型電容）片容制作工藝上的優(yōu)化改進(jìn)更換電容制作陶瓷粉料調(diào)整內(nèi)部設(shè)計(jì)，使內(nèi)電極均勻分布39●PCB板設(shè)計(jì)1、墊板的設(shè)計(jì)

當(dāng)電容器被安裝在PC板上后，所使用的焊料的量（焊盤(pán)的大?。?huì)直接影響電容器的性能。因此在設(shè)計(jì)焊盤(pán)時(shí)必須考慮到以下幾點(diǎn)：（1）所用焊料的量的大小會(huì)影響芯片抗機(jī)械應(yīng)力的能力，從而可能導(dǎo)致電容器破碎或開(kāi)裂。因此在設(shè)計(jì)基板時(shí)，必須慎重考慮焊盤(pán)的大小和配置，這些對(duì)組成基板的焊料的量有著決定的作用。下圖表為所推薦使用的墊板以防止過(guò)量的焊料量(基板較大時(shí)會(huì)超出元件的端頭)

（2）

推薦使用于波峰焊接的焊盤(pán)尺寸（單位：mm）

推薦用于回流焊接的焊盤(pán)尺寸（單位：mm）

CBABChipcapacitorSolder-resistLandpatternWL

Type0603080512061210SizeL1.602.003.203.20W0.801.251.602.5A0.8~1.01.0~1.41.8~2.51.8~2.5B0.5~0.80.8~1.50.8~1.70.8~1.7C0.6~0.80.9~1.21.2~1.61.8~2.5Type0402060308051206121018122225SizeL1.001.602.003.203.204.505.70W0.500.801.251.602.503.206.30A0.45~0.550.6~0.80.8~1.21.8~2.51.8~2.52.5~3.53.7~4.7B0.40~0.500.6~0.80.6~1.20.6~1.50.6~1.51.0~1.81.0~2.3C0.45~0.550.6~0.80.9~1.61.2~2.01.8~3.22.3~3.53.5~5.5402）如果不止一個(gè)元件被連續(xù)焊接在同一基板或焊盤(pán)上時(shí)，焊盤(pán)的設(shè)計(jì)應(yīng)可以使每個(gè)元件的焊接點(diǎn)被阻焊區(qū)隔離開(kāi)。

項(xiàng)目不推薦推薦備注混合安裝SMD和引線元件避免熱應(yīng)力靠近底盤(pán)的元件的安裝避免熱應(yīng)力在已安裝元件的附近手工焊接引線元件避免熱應(yīng)力水平安裝元件避免機(jī)械應(yīng)力

Leadwireofcomponent焊絲Solder-resist阻焊區(qū)Chassis底盤(pán)Solder(forgrounding)焊接Solder-resist阻焊區(qū)Solderingiron電烙鐵Solder-resist阻焊區(qū)tSoldering-resist阻焊區(qū)Solder-resist阻焊區(qū)412、基板配置

（電容器在儀器（分割）PC板上的安裝設(shè)計(jì)）1）將電容器安裝在板上之后，芯片將承受在下一加工過(guò)程中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力（PCB的切割，板的檢驗(yàn)、其它部件的安裝，裝配到底盤(pán)、波峰焊接回流焊板，等）。出于這個(gè)原因，在設(shè)計(jì)焊盤(pán)和SMD電容器的位置時(shí)，應(yīng)注意考慮將應(yīng)力減到最低點(diǎn)。

不推薦

Notrecommended推薦

Recommended板的變形

Deflectionoftheboard

Positionthecomponentatarightangletothedirectionofthemechanicalstressesthatareanticipated

下圖示為電容器在PC板上布局好壞的例子：PC板彎曲變形時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力,應(yīng)將電容器安裝在PC板上的受影響最小的位置。將電容器安裝在切割PC板上時(shí)，電容器所受機(jī)械應(yīng)力的大小由電容器的布局而定。以下為推薦使用的布局方式：

PerforationSlitMagnitudeofstressA>B=C>D>EEDCAB板沿著接縫孔切割開(kāi)時(shí)，電容器所受機(jī)械應(yīng)力的大小因使用的方法不同而不同。以下方法按應(yīng)力從小到大進(jìn)行排列：推板、割裂、V形凹槽、接縫孔。因此，任何理想的SMD電容器的布局必須考慮到PC板的分割方法。42●自動(dòng)安裝應(yīng)考慮到的問(wèn)題如果吸拾管降低的位置超過(guò)最低限位，就會(huì)對(duì)電容器產(chǎn)生過(guò)大的壓力，從而導(dǎo)致電容器破裂。為了避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，在降低吸拾管時(shí)，要注意以下各點(diǎn)：1、在校正PC板的偏差后，應(yīng)將吸拾管的低限位調(diào)節(jié)到PC板的表面水平位置。2、吸拾壓力應(yīng)調(diào)節(jié)至1到3N之間。3、為了減少吸拾管沖擊力導(dǎo)致PC板的變形程度，支撐釘應(yīng)放在PC板的下方。下圖有吸拾管安裝較好的例子。

不推薦使用Notrecommended推薦使用Recommended單面安裝Single-sidedmounting

雙面安裝Double-sidedmounting

CracksSupportingpin支撐釘CracksSolderpeekingSupportingpin＊如果對(duì)位釘磨損，吸管的調(diào)整會(huì)致使電容器受到機(jī)械應(yīng)力的沖擊而缺口或開(kāi)裂。為了避免這種現(xiàn)象的發(fā)生，在對(duì)處于停止?fàn)顟B(tài)下對(duì)位釘間寬度和支撐釘進(jìn)行定期的檢查、維修、檢驗(yàn)和更換。43上海百源2001/01/052001/01/06①0805F104M500N產(chǎn)品工作一段時(shí)間后碟片掃不出；②0805CG220J500NT在2.5V電壓下工作DVD碟片掃不出；③0805CG200J500NT在2.5V電壓下工作無(wú)圖象；④片容拆下來(lái)后斷裂。分析原因有：①在焊接過(guò)程中溫度曲線設(shè)定不合理或工藝出現(xiàn)波動(dòng)所造成對(duì)電容的損傷；②上SMT機(jī)時(shí)用力過(guò)猛造成對(duì)電容的損傷；所以會(huì)引起IR下降、DF偏高現(xiàn)象。出現(xiàn)微裂紋的電容經(jīng)烙鐵的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生開(kāi)裂，所以客戶(hù)在拆電容時(shí)部分已斷裂。建議客戶(hù)適當(dāng)降低焊接溫度并加強(qiáng)預(yù)熱，盡量減少生產(chǎn)過(guò)程中的外力沖擊，以免對(duì)電容產(chǎn)生損傷。深圳馳源2001/2/52001/2/70805B102K500NT電容在生產(chǎn)過(guò)程中過(guò)波峰焊后出現(xiàn)不良，此不良品用電烙鐵輕一碰就有嚴(yán)重破裂現(xiàn)象，不良率為1%。分析是電容破裂與波峰焊接過(guò)程的熱沖擊或電容所受外力沖擊有關(guān)。建議客戶(hù)在波峰焊焊接過(guò)程和制程過(guò)程注意熱沖擊和外力沖擊的影響，以及提供不良品，我公司再作進(jìn)一步分析。湖南計(jì)算機(jī)2001/2/82001/2/130805F104M500N批號(hào)為WD7116GJ2D和0805B102K500NT批號(hào)為WF9109SJ3F電容在使用中失效，端頭焊盤(pán)易破損斷裂，失效比例分別約為2%和10%。原因是陶瓷體本身具有一定的脆性，上線路板后，過(guò)強(qiáng)或過(guò)急彎曲線路板令兩焊接點(diǎn)產(chǎn)生相反方向的機(jī)械應(yīng)力，在電容最弱的位置，一般在瓷體溫和端頭的交接點(diǎn)產(chǎn)生裂縫。建議客戶(hù)：①在工藝過(guò)程避免讓線路板遇到過(guò)強(qiáng)或過(guò)急的彎曲；②避免設(shè)計(jì)在線路板彎曲時(shí)受機(jī)械應(yīng)力高的位置；③檢查線路板的厚度是否有變化，線路板會(huì)使其在拆分過(guò)程中彎曲產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，從而引起電容受損斷裂。莆田和達(dá)2001/2/192001/2/200805B102K500NT在焊接過(guò)程斷裂.從不良品分析,外電極與瓷體結(jié)合的部位強(qiáng)度相對(duì)弱,斷裂現(xiàn)象是因芯片受機(jī)械力或熱沖擊應(yīng)力產(chǎn)生的.以下幾點(diǎn)均可產(chǎn)生此現(xiàn)象:①貼片過(guò)程受吸嘴的沖擊;②電路板變形;③端頭兩端上錫不一致,焊錫過(guò)多,會(huì)在端頭內(nèi)部產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力;④過(guò)焊錫爐前預(yù)熱不充分或錫爐溫度較高.建議客戶(hù)提供此產(chǎn)品批號(hào)和焊接工藝,供我公司對(duì)比分析,同時(shí)在焊接過(guò)程注意芯片所受機(jī)械沖擊應(yīng)力和熱沖擊應(yīng)力.44珠海再創(chuàng)通信2001/2/23

2001/2/240805B103K500NTWJ7821PJ3F產(chǎn)品在手工焊接過(guò)程中出現(xiàn)破損(6.8%).主要為電極脫落.產(chǎn)品無(wú)發(fā)現(xiàn)有客戶(hù)提到的質(zhì)量問(wèn)題,無(wú)法確定產(chǎn)品破損斷裂的原因,但如下情況常會(huì)導(dǎo)致電容破損斷裂:1.

電容焊接過(guò)程受熱不均勻、預(yù)熱不充分,電烙鐵局部過(guò)熱.2.

機(jī)械應(yīng)力使芯片產(chǎn)生裂紋:A.

電容兩端焊錫量不均勻,焊錫過(guò)多;B.

PCB板變形產(chǎn)生應(yīng)力.建議客戶(hù)提供不良品,以便我公司做進(jìn)一步的分析,同時(shí)建議客戶(hù)在使用過(guò)程中注意焊膏用量及烙鐵溫度,避免局部過(guò)熱.宏圖高科2001/3/192001/3/200805B821K500NT、0805CG151K500NT、0805B681K500NT電容焊接后出現(xiàn)斷裂.我公司做瓷體強(qiáng)度、回流焊、三次波峰焊試驗(yàn)均合格,沒(méi)有發(fā)現(xiàn)斷裂現(xiàn)象.1.

建議客戶(hù)的生產(chǎn)工藝過(guò)程盡量避免讓線路板遇到過(guò)強(qiáng)或過(guò)急的彎曲.2.

請(qǐng)客戶(hù)提供焊接方式和焊接工藝.大連新時(shí)代2002/1/281206F104M500NT此規(guī)格電容用于電路板上后，有端頭脫落及斷裂現(xiàn)象。2002/1/31取電容經(jīng)做耐熱性試驗(yàn)、抗彎曲試驗(yàn)均合格，從客戶(hù)寄回不良品分析，不良品已斷裂，且裂紋整齊有規(guī)律，所以分析為電容在受到機(jī)械外應(yīng)力而斷裂。1）建議客戶(hù)在生產(chǎn)過(guò)程注意電路板彎曲使電容受機(jī)械外應(yīng)力；2）將增加芯片厚度0.75mm以上，以匹配客戶(hù)生產(chǎn)工藝?；ǘ夹枪?002/1/70805F103M500NT/GABK00616V0J2產(chǎn)品上板斷裂。2002/1/10經(jīng)到客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)了解，斷裂原因分析是由于客戶(hù)的上錫工藝比較苛刻造成：沒(méi)有進(jìn)行預(yù)熱、手工焊、40W的電烙鐵溫度達(dá)300℃以上等。建議客戶(hù)：1）

電容上錫時(shí)先點(diǎn)膠固定；2）

2）改用≤35W的電烙鐵；3）

用烙鐵上錫時(shí)最好一次成功，不宜對(duì)電容沖擊多次。蘇州三合2002/1/190603B102K、CG471J、CG151J三批產(chǎn)品上機(jī)斷裂。2002/1/21客戶(hù)退回0603B102K不良品時(shí)已斷裂，分析原因是客戶(hù)用電烙鐵上錫，焊接條件苛刻所致。建議客戶(hù)：1）改用≤35W電烙鐵，延長(zhǎng)預(yù)熱時(shí)間，并減少產(chǎn)品熱沖擊；2）提供CG471J、CG151J不良品。

大連新時(shí)代2002/1/281206F104M500NT此規(guī)格電容用于電路板上后，有端頭脫落及斷裂現(xiàn)象。2002/1/31取電容經(jīng)做耐熱性試驗(yàn)、抗彎曲試驗(yàn)均合格，從客戶(hù)寄回不良品分析，不良品已斷裂，且裂紋整齊有規(guī)律，所以分析為電容在受到機(jī)械外應(yīng)力而斷裂。1）建議客戶(hù)在生產(chǎn)過(guò)程注意電路板彎曲使電容受機(jī)械外應(yīng)力；2）將增加芯片厚度0.75mm以上，以匹配客戶(hù)生產(chǎn)工藝。45中山杰士美2002/2/270805B222產(chǎn)品上板后斷裂。2002/3/5客戶(hù)提供的不良品外電極與陶瓷體結(jié)合處已斷裂，原因是此部位的結(jié)合強(qiáng)度相對(duì)較弱，當(dāng)受到過(guò)熱沖擊或外應(yīng)力沖擊時(shí)，易使電容斷裂。1）建議客戶(hù)采用熔點(diǎn)低及橫載面積較小的錫條，以便于用40W或以下的電烙鐵能快速上錫；2）我公司將在這個(gè)月將內(nèi)提供新改良的產(chǎn)品給客戶(hù)試用。東莞普思電子2002/4/201206B103K201NT/XABD00009P0J40603B222J500NT/GABI00031ADJ4產(chǎn)品上板后出現(xiàn)斷裂。2002/4/221206B103K產(chǎn)品經(jīng)重新做耐熱沖擊、瓷體強(qiáng)度試驗(yàn)均合格，分析斷裂原因是客戶(hù)使用手工焊接溫度過(guò)高（380~420℃），2）從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，0603B222J經(jīng)斷面分析確認(rèn)非風(fēng)華產(chǎn)品。1）建議客戶(hù)選用焊接溫度在300℃以下的電烙鐵；2）請(qǐng)客戶(hù)再確認(rèn)0603B222J產(chǎn)品來(lái)源。中山嘉華2002/3/290805B562K500NT/0805B332K500NT/0805B272K500NT產(chǎn)品斷裂。2002/4/2客戶(hù)提供的不良品已斷裂，我公司取正常品做相關(guān)試驗(yàn)均合格。初步分析是客戶(hù)在焊接過(guò)程操作不當(dāng)造成斷裂。東莞普思2002/5/291206B103K201NT/0603B222J500NT斷裂。2002/5/311）客戶(hù)的焊接工藝較苛刻；2）0603B222J產(chǎn)品使用的“P”材料及1206B103K產(chǎn)品厚度不適應(yīng)客戶(hù)焊接條件。1）

0603B222J產(chǎn)品改用“AD”材料發(fā)貨；2）

增加1206B103K產(chǎn)品厚度。華昌2002/5/60805CG220J500NT/GACC00293M0J2斷裂，不良率1%。2002/5/7經(jīng)做耐焊試驗(yàn)和電烙鐵試驗(yàn)（模擬客戶(hù)試驗(yàn)條件），試驗(yàn)合格，產(chǎn)品沒(méi)有出現(xiàn)斷裂。從斷裂品形狀觀察，斷裂面相當(dāng)整齊，所以初步分析在電容受到較大的機(jī)械外應(yīng)力時(shí)，發(fā)生這種斷裂現(xiàn)象。建議客戶(hù)在使用過(guò)程注意外應(yīng)力影響，如避免因電路板彎曲、電路板分割及組裝其他零件時(shí)使電容受機(jī)械應(yīng)力。OVI2002/6/210805B471K500NT/GAAL00894P0J3上錫后斷裂。2002/6/22電容斷裂面較整齊，具有一致性，分析是1）產(chǎn)品在焊接前沒(méi)有充分預(yù)熱，使得在焊接時(shí)產(chǎn)品局部受熱，容量使瓷體受損傷；2）在焊接過(guò)程產(chǎn)品受到過(guò)熱或過(guò)猛的外應(yīng)力機(jī)械沖擊。華天陽(yáng)2002/6/190805B103K500NT產(chǎn)品上機(jī)后斷裂。2002/6/251）B料電容相對(duì)其他材質(zhì)瓷體較脆，一旦電容有機(jī)械應(yīng)力作用，這種機(jī)械應(yīng)力作用于電容二端