內(nèi)存條的發(fā)展在計算機誕生初期并不存在內(nèi)存條的概念，最早的內(nèi)存是以磁芯的形式排列在線路上，每個磁芯與晶體管組成的一個雙穩(wěn)態(tài)電路作為一比特（BIT)的存儲器,每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一間的機房只能裝下不超過百k字節(jié)左右的容量。后來才出線現(xiàn)了焊接在主板上集成內(nèi)存芯片，以內(nèi)存芯片的形式為計算機的運算提供直接支持。那時的內(nèi)存芯片容量都特別小，最常見的莫過于256K×1bit、1M×4bit，雖然如此，但這相對于那時的運算任務(wù)來說卻已經(jīng)綽綽有余了。內(nèi)存條的誕生內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期，鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病，這對于計算機的發(fā)展造成了現(xiàn)實的阻礙。有鑒于此，內(nèi)存條便應(yīng)運而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計好的印刷線路板上，而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝和更換的問題徹底解決了。在80286主板發(fā)布之前，內(nèi)存并沒有被世人所重視，這個時候的內(nèi)存是直接固化在主板上，而且容量只有64～256KB，對于當(dāng)時PC所運行的工作程序來說，這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現(xiàn)，程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求，為了提高速度并擴大容量，內(nèi)存必須以獨立的封裝形式出現(xiàn)，因而誕生了“內(nèi)存條”概念。在80286主板剛推出的時候，內(nèi)存條采用了SIMM（SingleIn-lineMemoryModules，單邊接觸內(nèi)存模組）接口，容量為30pin、256kb，必須是由8片數(shù)據(jù)位和1片校驗位組成1個bank，正因如此，我們見到的30pinSIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進入民用市場一直到現(xiàn)在，搭配80286處理器的30pinSIMM內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。隨后，在1988～1990年當(dāng)中，PC技術(shù)迎來另一個發(fā)展高峰，也就是386和486時代，此時CPU已經(jīng)向16bit發(fā)展，所以30pinSIMM內(nèi)存再也無法滿足需求，其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸，所以此時72pinSIMM內(nèi)存出現(xiàn)了，72pinSIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存，內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pinSIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由于其與30pinSIMM內(nèi)存無法兼容，因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pinSIMM內(nèi)存淘汰出局了。EDODRAM（ExtendedDateOutRAM外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器）內(nèi)存，這是1991年到1995年之間盛行的內(nèi)存條，EDODRAM同F(xiàn)PMDRAM（FastPageModeRAM快速頁面模式存儲器）極其相似，它取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應(yīng)用在當(dāng)時的486及早期的Pentium電腦上。在1991年到1995年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內(nèi)存技術(shù)發(fā)展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDODRAM有72pin和168pin并存的情況，事實上EDO內(nèi)存也屬于72pinSIMM內(nèi)存的范疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO在成本和容量上有所突破，憑借著制作工藝的飛速發(fā)展，此時單條EDO內(nèi)存的容量已經(jīng)達到4～16MB。由于Pentium及更高級別的CPU數(shù)據(jù)總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDODRAM與FPMDRAM都必須成對使用。SDRAM時代自IntelCeleron系列以及AMDK6處理器以及相關(guān)的主板芯片組推出后，EDODRAM內(nèi)存性能再也無法滿足需要了，內(nèi)存技術(shù)必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構(gòu)的需求，此時內(nèi)存開始進入比較經(jīng)典的SDRAM時代。第一代SDRAM內(nèi)存為PC66規(guī)范，但很快由于Intel和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內(nèi)存很快就被PC100內(nèi)存取代，接著133MHz外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規(guī)范也以相同的方式進一步提升SDRAM的整體性能，帶寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM的帶寬為64bit，正好對應(yīng)CPU的64bit數(shù)據(jù)總線寬度，因此它只需要一條內(nèi)存便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由于其輸入輸出信號保持與系統(tǒng)外頻同步，因此速度明顯超越EDO內(nèi)存。不可否認的是，SDRAM內(nèi)存由早期的66MHz，發(fā)展后來的100MHz、133MHz，盡管沒能徹底解決內(nèi)存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經(jīng)成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內(nèi)存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現(xiàn)了一些PC150、PC166規(guī)范的內(nèi)存。盡管SDRAMPC133內(nèi)存的帶寬可提高帶寬到1064MB/S，加上Intel已經(jīng)開始著手最新的Pentium4計劃，所以SDRAMPC133內(nèi)存不能滿足日后的發(fā)展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯(lián)合在PC市場推廣RambusDRAM內(nèi)存（稱為RDRAM內(nèi)存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于一種類RISC(ReducedInstructionSetComputing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數(shù)據(jù)的復(fù)雜性，使得整個系統(tǒng)性能得到提高。在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬于頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium4處理器，因此RambusDRAM內(nèi)存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手锏，RambusDRAM內(nèi)存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量，因此內(nèi)存帶寬相當(dāng)出色，如PC10661066MHz32bits帶寬可達到4.2GByte/sec，RambusDRAM曾一度被認為是Pentium4的絕配。盡管如此，RambusRDRAM內(nèi)存生不逢時，后來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當(dāng)時，PC600、PC700的RambusRDRAM內(nèi)存因出現(xiàn)Intel820芯片組“失誤事件”、PC800RambusRDRAM因成本過高而讓Pentium4平臺高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓RambusRDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066規(guī)范RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR內(nèi)存面前。DDR時代偵屬DD飲R砍SD醬RA甘M(斥Do桿ub培l(xiāng)e起D也at殘a謹Ra世te珍S疲DR隨AM芝)簡車稱D火DR倘，也睛就是珍“雙吼倍速紋率S星DR候AM私”的卷意思偷。D然DR上可以燒說是蜂SD姜RA蘋M的盞升級徐版本愈，嗽DD華R在頓時鐘芒信號軋上升抓沿與梳下降討沿各隨傳輸精一次皆數(shù)據(jù)墾，這碧使得貨DD冠R的情數(shù)據(jù)源傳輸沖速度褲為傳禾統(tǒng)S森DR翼AM我的兩饞倍。筑由于拳僅多求采用華了下及降緣裝信號使，因讓此并妨不會午造成泄能耗緊增加垂。至揪于定積址與用控制育信號估則與敵傳統(tǒng)狠SD芳RA洞M相是同，堅僅在稀時鐘愈上升虎緣傳匙輸。每爹DD夸R璃內(nèi)存雀是作寨為一患種在濕性能渡與成浸本之汗間折裝中的衰解決夏方案午，其參目的嚇是迅愈速建貌立起封牢固暖的市勇場空冒間，莊繼而解一步陪步在鋪頻率侵上高震歌猛俊進，憑最終莊彌補沾內(nèi)存鳴帶寬沃上的監(jiān)不足壇。第莖一代邀D諷DR須20挑0犧規(guī)范孫并沒變有得篩到普警及，悅第二性代P慧C2中66不D陷DR稠S幻RA冠M（報13壟3M里Hz理時鐘有×2壩倍數(shù)床據(jù)傳擠輸＝摸26莫6M唐Hz脆帶寬吩）是帶由P側(cè)C1衣33榴S哨DR抵AM歉內(nèi)存市所衍襲生出差的，達它將旺DD漂R袋內(nèi)存杜帶向蕉第一芬個高彈潮，乏目前贏還有渾不少月賽揚校和A蝕MD廉K量7處闊理器金都在圈采用數(shù)DD歌R2橫66頃規(guī)格慮的內(nèi)西存，冰其后戴來的告DD組R3敲33鳳內(nèi)存叮也屬卵于一豪種過蛋度，損而D貌DR爪40寬0內(nèi)伏存成情為目修前的礎(chǔ)主流鏡平臺隙選配真，雙眉通道自DD肌R4止00我內(nèi)繁存已闖經(jīng)成餐為8枯00新FS鼻B處碑理器繩搭配腿的基必本標鏡準，我隨后疼的D膛DR念53膠3列規(guī)范繼則成打為超善頻用史戶的和選擇意對象輸。酒便DD界R2虛時代娛注隨著鎮(zhèn)CP紹U碼性能都不斷緣提高焰，我穴們對放內(nèi)存密性能暗的要多求也漫逐步轟升級糟。不幼可否鑒認，樓緊緊腐依高須頻率慈提升贊帶寬給的D正DR尚遲早偏會力稱不從難心，旁因此住JE植DE辣C懂組織群很早現(xiàn)就開章始醞共釀D掛DR秩2辰標準駛，加稿上L雜GA層77隔5接化口的懶91薄5/概92輝5以扛及最祥新的悠94翼5等莫新平欲臺開檢始對驕DD棒R2興內(nèi)存失的支皂持，正所以鹽DD方R2假內(nèi)存赤將開裳始演坦義內(nèi)鼓存領(lǐng)撇域的翼今天灑。飛文DD園R2控能床夠在請10茅0M冊Hz諸的執(zhí)發(fā)信懲頻率億基礎(chǔ)妥上提猾供每蝦插腳訴最少央40存0M飛B/順s脫的帶株寬，鉤而且描其接灑口將煩運行貓于1守.8拌V鬼電壓淡上，察從而拴進一輝步降的低發(fā)沫熱量召，以莖便提謝高頻績率。需此外誠，D歪DR余2腫將融聲入C火AS狗、O要CD婦、O撿DT嗓等趟新性毯能指駱標和店中斷相指令典，提豐升內(nèi)托存帶屈寬的我利用餅率。耳從J周ED壽EC極組織頂者闡折述的演DD倆R2害標準廣來看艘，針勁對P快C等磨市場撒的D升DR除2內(nèi)揪存將舌擁有拾40窩0、翁53灰3、因6絹67發(fā)MH顧z等廁不同犧的時警鐘頻塘率。悉高端芬的D距DR撓2內(nèi)擾存將孤?lián)碛猩?0魯0、祝10福00仆MH紅z兩己種頻令率。鈔DD預(yù)R-贏II喂內(nèi)存懂將采之用2磨00嶼-、哈22殼0-頑、2蚊40逢-針久腳的同F(xiàn)B綠GA謠封裝恒形式榆。最歷初的孔DD晴R2顏內(nèi)存潛將采深用0乞.1蠶3微悼米的阿生產(chǎn)管工藝示，內(nèi)盡存顆旋粒的朝電壓據(jù)為1傭.8易V，興容量嗎密度攤為5籌12棍MB夫?；锱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