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文檔簡(jiǎn)介

第七章

光纖特征參數(shù)的測(cè)量前言特性參數(shù)的意義1.檢測(cè)光纖的質(zhì)量,2.不同類型的光纖的連接3.防止國外的廠家的傾銷光纖的特性參數(shù):

1.光纖的損耗系數(shù)材料的吸收損耗,

散射損耗,

彎曲損耗

2.光纖的色散系數(shù)與帶寬材料色散,

波導(dǎo)結(jié)構(gòu)色散,

模間色散

3.單模光纖截止波長(zhǎng)、模場(chǎng)半徑

4.光纖的幾何尺寸、折射率分布和NA7.2衰減測(cè)量

測(cè)量光纖的傳輸總損耗系數(shù)

衰減系數(shù)(db/km)

α(λ)=

-10log(Pout/Pin)/L常見的測(cè)定方法有:切斷法,插入損耗法、背向散射法-7.2.1注入條件與穩(wěn)態(tài)分布為什么?光纖參數(shù)測(cè)試除與光纖結(jié)構(gòu)有關(guān),還受到以下因素的影響:光源的穩(wěn)定性、耦合方式、測(cè)試條件、樣品處理、信息檢測(cè)等等1.光功率注入光纖的注入方式

a)穩(wěn)態(tài)注入(限制注入)

僅激勵(lì)損耗較低的低階模,注入光本身接近于光纖的穩(wěn)態(tài)分布

b)滿注入(全激勵(lì))

激勵(lì)所有的導(dǎo)模2.穩(wěn)態(tài)模的實(shí)現(xiàn)

a)擾模器幾何擾動(dòng)來實(shí)現(xiàn)

b)濾模器

選擇性抑制某些模式繞棒式折射液抑模圖

c)包層模剝除器

去掉一小段涂敷層,浸入等于或稍大于包層折射率的匹配液中,使包層模被剝除適當(dāng)?shù)墓怦詈舷到y(tǒng)與擾模器,濾模器及包層剝除器一起構(gòu)成“注入系統(tǒng)”

穩(wěn)態(tài)分布的判斷:

1擾模后輸出功率變化緩慢

2看光纖輸出近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)分布注意:長(zhǎng)光纖自動(dòng)能達(dá)到模式穩(wěn)態(tài)分布7.2.2切斷法先測(cè)量出整個(gè)光纖的輸出光功率P2(λ),

保持注入條件不變,切斷光纖測(cè)量2m處輸出的光功率P1(λ)光源

注入系統(tǒng)

被測(cè)光纖

探測(cè)器斬波器

參考信號(hào)鎖相放大器

12測(cè)量特點(diǎn):基準(zhǔn)測(cè)試法,屬于破壞性測(cè)量,測(cè)量精度高,誤差可低于0.1dB7.2.2插入損耗法偏置電路注入系統(tǒng)探測(cè)器放大器

光源

被測(cè)光纖

耦合接頭

12原理:用一根長(zhǎng)2m的和待測(cè)光纖完全相同的短光纖與光源耦合,校準(zhǔn)其輸出功率P1作為待測(cè)光纖的注入功率Pin

特點(diǎn):測(cè)量精度受到耦合接頭的精度和重復(fù)性影響,但測(cè)量簡(jiǎn)便是非破壞性的7.2.3背向散射法

探測(cè)器光源

分光束耦合器透鏡待測(cè)光纖大功率窄脈沖光信號(hào)注入,然后在同一端檢測(cè)沿光纖背向返回的散射光功率(主要為瑞利散射),測(cè)量散射光功率就可獲得傳輸時(shí)光的損耗信息散射光到達(dá)輸入端時(shí)的輸出功率為:R(z):反射系數(shù)P(z):光到達(dá)待測(cè)點(diǎn)z處的功率αs(x):背向散射光的單位長(zhǎng)度衰減系數(shù)αi(x):光信號(hào)沿正向傳播時(shí)單位長(zhǎng)度損耗系數(shù)Pi:輸入功率典型測(cè)量曲線:a段:由于耦合設(shè)備和光纖前端面菲涅爾反射引起的回波脈沖B段:光脈沖沿具有均勻特性的光纖段傳播時(shí)的背向散射曲線C段:光纖的高損耗區(qū)D段:光纖斷點(diǎn)E段:終端菲涅爾反射引起的回波脈沖由于Ps(L)采用了對(duì)數(shù)坐標(biāo),故其曲線的斜率就是損耗值abcde特點(diǎn):不僅可測(cè)衰減系數(shù),還能確定斷點(diǎn)、接頭位置,測(cè)量光纖長(zhǎng)度缺點(diǎn):

1.無法控制背向散射光的模式分布

2.對(duì)光纖的非均勻性很敏感7.2基帶測(cè)量

光纖的色散使信號(hào)到達(dá)終端的時(shí)延不同,信號(hào)發(fā)生畸變或展寬,限制了傳輸容量和中繼距離傳輸系統(tǒng)中,原始信號(hào)的固有頻帶稱為基帶,輸入為激勵(lì),輸出為響應(yīng),基帶響應(yīng)可以在時(shí)域中表示為脈沖響應(yīng)h(t),也可以在頻域中表示為頻率響應(yīng)H(w),兩者之間由傅立葉變換相聯(lián)系:注入要求:滿注入,即激勵(lì)所有的傳導(dǎo)模式,7.2.1時(shí)域法以窄脈沖調(diào)制光源,采用滿注入方式激勵(lì)待測(cè)光纖,在待測(cè)光纖輸出斷測(cè)得輸出脈沖P2(t),然后在輸入斷2m處剪斷光纖測(cè)得輸入脈沖P1(t),則即輸出脈沖應(yīng)等于輸入脈沖與脈沖響應(yīng)h(t)的卷積,響應(yīng)的傅氏變換關(guān)系式為

P2(w)=H(w)P1(w)測(cè)得P1(t)和P2(t)的-3dB脈寬,由式得出相應(yīng)的rms脈寬σ1和σ2,從而求得脈沖響應(yīng)脈寬所以光纖的脈寬為-3dB脈寬(半高全寬度脈寬):脈沖發(fā)生器激光器注入系統(tǒng)光探測(cè)器取樣示波器計(jì)算機(jī)被測(cè)光纖時(shí)域法基帶展寬測(cè)量系統(tǒng)7.2.2頻域法以連續(xù)可調(diào)的正弦波調(diào)制光源,采用滿注入方式激勵(lì)光纖,在待測(cè)光纖輸出端測(cè)得輸出光頻函數(shù)P2(w),然后在距注入端約2m處剪斷光纖,測(cè)得輸入光頻函數(shù)P1(w),于是求得基帶頻響為:

H(w)=P2(w)/P1(w)根據(jù)H(w)函數(shù)曲線可以確定BT3dB的值E/O注入系統(tǒng)濾模器包模層剝除O/E頻譜分析儀數(shù)字寄存器被測(cè)光纖掃頻信號(hào)發(fā)生器跟蹤同步信號(hào)頻率計(jì)頻域法基帶展寬測(cè)量裝置7.3色散測(cè)量

色散:在光纖中傳播時(shí),不同波長(zhǎng)的光波群延時(shí)不同設(shè)色散與光纖長(zhǎng)度成正比(這是合理的),則可用單位長(zhǎng)度單位波長(zhǎng)間隔內(nèi)的平均群延時(shí)來表示色散程度,定義色散系數(shù)為:

則基帶帶寬與色散系數(shù)的關(guān)系可表示為:測(cè)量方式按光強(qiáng)度調(diào)制的波形來劃分有:相移法(正弦信號(hào)調(diào)制)脈沖延時(shí)法(脈沖調(diào)制)1相移法通過測(cè)量不同波長(zhǎng)下同一正弦調(diào)制信號(hào)的相移得出群延時(shí)與波長(zhǎng)的關(guān)系,進(jìn)而計(jì)算出色散系數(shù)的方法基本原理是:比較基帶調(diào)制信號(hào)在不同波長(zhǎng)下的相位來確定色散特性設(shè)光源的調(diào)制頻率為f(應(yīng)小于光纖的基帶帶寬),傳播長(zhǎng)度L后,波長(zhǎng)為λ2的光年個(gè)點(diǎn)月波長(zhǎng)為λ1的光的調(diào)制波形相位差滿足下式

所以延時(shí)差△t為單位長(zhǎng)度平均延時(shí)差為測(cè)出不同波長(zhǎng)下的,算出相應(yīng),并表示為:其中ABCDE由測(cè)試數(shù)據(jù)確定的常數(shù),于是得色散系數(shù)為:相移法測(cè)試裝置圖示例2.脈沖延時(shí)法測(cè)定不同波長(zhǎng)的窄光脈沖經(jīng)光纖傳輸后的延時(shí)差,直接求出色散系數(shù)7.4截止波長(zhǎng)的測(cè)量截止波長(zhǎng)λc:使最臨近基模的高階模LP11模截止的波長(zhǎng)為單模光纖的截止波長(zhǎng)光纖的截止波長(zhǎng)類型:

1.理論截止波長(zhǎng)(由光纖的折射率分布計(jì)算出)2.CCITT規(guī)定的基準(zhǔn)測(cè)試方法測(cè)得的截止波長(zhǎng)

3.光纜制造長(zhǎng)度的截止波長(zhǎng)

4.一個(gè)中繼段中光纖的截止波長(zhǎng)7.4.1傳導(dǎo)功率法由光纖的傳導(dǎo)功率與波長(zhǎng)的關(guān)系曲線來確定截止波長(zhǎng)

λc的方法基本原理:當(dāng)λ0>>λc時(shí),光纖中只有LP01模傳播;當(dāng)λ0接近λc時(shí),光纖中開始出現(xiàn)LP11模,由于LP11模對(duì)彎曲敏感程度比LP01模高很多,所以隨著λ0的減小,彎曲光纖中的LP11模功率的衰減要比直光纖中的大;因此,根據(jù)LP11模的功率急劇衰減的位置,就可以確定截止波長(zhǎng)

如下圖的傳導(dǎo)功率法測(cè)量裝置待測(cè)光纖(2m)打一個(gè)104mm的大圓圈,同樣參考光纖打一個(gè)半徑30mm的圓圈,當(dāng)被相同的注入條件激勵(lì)時(shí),分別測(cè)出輸出功率P1(λ0)、P2(λ0),并令兩者比值為則當(dāng)λ0>>λc時(shí),P1(λ0)≈P2(λ0),R(λ0)≈

0;當(dāng)λ0

λc時(shí),出現(xiàn)LP11模,參考光纖的小圓圈使得LP11模功率劇烈衰減,R(λ0)隨λ0的減小而劇烈增加;當(dāng)λ0<<λc時(shí),待測(cè)光纖與參考光纖中均呈現(xiàn)穩(wěn)定的雙模傳輸,故又有R(λ0)≈

0,這就形成了下圖所示的曲線7.4.2模場(chǎng)半徑法

利用模場(chǎng)半徑隨波長(zhǎng)變化的曲線來確定截止波長(zhǎng)在λ0>>λc用單模光纖作參考光纖的R(λ)曲線時(shí),ω0隨λ0的減小而呈線性減??;當(dāng)λ0≤λc時(shí),由于出現(xiàn)LP11模,且LP11驀地分布范圍要大于LP01模,故模場(chǎng)分布會(huì)突然變寬,利用這種突變即可準(zhǔn)確地測(cè)定截止波長(zhǎng)

采用橫向偏移法(相似于后面模場(chǎng)半徑的測(cè)量方法)圖7.5折射率分布的測(cè)量7.5.1折射近場(chǎng)法根據(jù)光纖折射光(輻射模)功率與折射率n(r)成正比而建立起來的測(cè)試方法θ1θfn2n2n(r)θ2如上圖所示,設(shè)光以θ1角入射,入射點(diǎn)距軸線距離為r。端面折射角為θf,在纖壁光線進(jìn)入包層,設(shè)折射角為θ2,則由廣義折射定律有式7.6.1在光纖入射端由snell定律有假定光纖處于折射率匹配液中,入射媒質(zhì)折射率近似于包層折射率相等,則計(jì)算可得探測(cè)器接收所有逸出光纖纖芯的折射功率,則有入射光源的最大孔徑角產(chǎn)生折射光的臨界角式7.6.2式7.6.3式7.6.4由式(7.6.3)則有當(dāng)入射點(diǎn)落在包層上時(shí),n(r)=n2,折射功率為Pcl代入式(7.6.5)即求得折射率分布n2(r)為:若已測(cè)得n2、P0、Pcl、P(r),可由上式求出n(r)式7.6.5式7.6.6式7.6.77.5.2近場(chǎng)掃描法當(dāng)以非相干光入射光纖端面,且各個(gè)模式均勻激勵(lì)時(shí),光纖輸出端的導(dǎo)模功率分布P(r)的變化規(guī)律和折射率分布n(r)相似:因此,在光纖輸出端近場(chǎng)沿直徑掃描測(cè)得功率分布P(r),就得到了光纖沿直徑的相對(duì)折射率變化曲線:由此還可測(cè)得折射率分布參數(shù)g近場(chǎng)掃描法精度比折射近場(chǎng)法要差一些7.6模場(chǎng)直徑的測(cè)量模場(chǎng)直徑是單模光纖的重要參數(shù),由它可導(dǎo)出等效階躍光纖(ESF)的構(gòu)成參數(shù),還可估算單模光纖的連接損耗、彎曲損耗、微彎損耗和光纖的色散值,被稱為單模光纖的萬用參數(shù)除平方律分布光纖外,其它光纖的場(chǎng)分布都不同程度的偏離高斯分布,其模場(chǎng)直徑取決于實(shí)際場(chǎng)分布與高斯分布的擬合方法。因此,單模光纖的模場(chǎng)直徑不僅隨測(cè)量方法而不同,還受模場(chǎng)直徑定義的影響。其四種定義:1.功率傳輸函數(shù)定義模場(chǎng)直徑

2.最大激發(fā)效率定義模場(chǎng)直徑

3.近場(chǎng)二階矩定義模場(chǎng)直徑

4.遠(yuǎn)場(chǎng)二階矩定義模場(chǎng)直徑CCITT建議的兩種模場(chǎng)直徑定義及測(cè)量方法7.6.1橫向偏移法

WL定義為功率傳輸函數(shù)與橫向偏移量關(guān)系曲線上最大值的1/e處所決定的半寬度,功率傳輸函數(shù)描述了兩根相同的光纖端面對(duì)接(忽略端面間隙)時(shí)光透過率與光纖橫向位移之間的關(guān)系,其數(shù)學(xué)表達(dá)式為:E(r,θ)光纖中歸一化場(chǎng)分布E(r’,θ‘)同樣的場(chǎng)在某一固定方向θd上偏移d之后的場(chǎng)分布式7.7.1由圖中的幾何關(guān)系容易求得對(duì)于圓對(duì)成光纖,其徑向場(chǎng)也為圓對(duì)稱,因此可令θd=0而不失一般性,此時(shí)式(7.7.1)簡(jiǎn)化為如果E(r)為高斯分布,則有測(cè)出T(d)曲線,即可取T(d)下降到中心最大值的1/e處對(duì)應(yīng)的橫向位移值為模場(chǎng)直徑W07.6.2傳輸場(chǎng)法根據(jù)最大激發(fā)效率定義模場(chǎng)半徑Wη

當(dāng)以場(chǎng)分布為g(r)的光源激發(fā)單模光纖時(shí),激發(fā)效率(耦合效率)η可表示為f(r)光纖的近場(chǎng)分布G(q)光源的遠(yuǎn)場(chǎng)分布F(q)光纖的遠(yuǎn)場(chǎng)分布q=sinθ/λ

0從數(shù)學(xué)上講,使η最大等效于使下式ξ最?。篺(r)與F(q)都是可測(cè)量(近場(chǎng)或遠(yuǎn)場(chǎng)光功率的平方根)因此有了四種數(shù)學(xué)上等效的方法來確定Wη:1.測(cè)出光纖的近場(chǎng)分布f(r),改變褒姒函數(shù)的WG使η為最大,此時(shí)WG即為Wη2.測(cè)出f(r),改變WG使ξ為最小,此時(shí)的WG亦為Wη3.測(cè)出光纖的遠(yuǎn)場(chǎng)分布F(q),改變WG使η為最大,此時(shí)WG為Wη4.測(cè)出F(q),改變WG使ξ為最小,亦可求得Wη7.7最大理論數(shù)值孔徑的測(cè)量光纖的數(shù)值孔徑定義為:由此即得兩種數(shù)值孔徑的測(cè)量方法:折射近場(chǎng)法與遠(yuǎn)場(chǎng)法7.8.1折射近場(chǎng)法此方法與測(cè)試折射率分布n(r)方法相同,由測(cè)得的n(r)曲線可求得n1和n2,代入上式就能得到NA的值,這種方法得到的數(shù)值孔徑通常稱為標(biāo)稱數(shù)值孔徑或最大理論數(shù)值孔徑7.7.2遠(yuǎn)場(chǎng)法光纖的輸出遠(yuǎn)場(chǎng)功率分布P(θ)與θ的關(guān)系為P(θ)遠(yuǎn)場(chǎng)輻射圖半角θ處的功率P(0)軸線處(θ=0)的功率G光纖折射率分布參數(shù)NAm

最大理論數(shù)值孔徑若設(shè)Ks為與遠(yuǎn)場(chǎng)功率分布有關(guān)的比例系數(shù):式7.8.1則式(7.8.1)化為sinθ=KsNAm這表明,遠(yuǎn)場(chǎng)輻射角的正弦值與最大理論數(shù)值孔徑成正比。表7.8.1示出了P(θ)/p(0)=5%時(shí)的Ks值G1.01.52.02.5410Ks0.8810.9460.9750.9880.9991.0001.000表7.8.1比例系數(shù)Ks值表從表中可知,若取功率下降到中心最大值的5%時(shí)的θ的正弦值作為數(shù)值孔徑,則與最大理論數(shù)值孔徑的差別在g>2時(shí)相差很小,因此可以通過測(cè)量P(θ)來確定數(shù)值孔徑,稱之為有效數(shù)值孔徑NAeff7.8高雙折射光纖拍長(zhǎng)的測(cè)量

測(cè)試方法:散射光法--通過測(cè)量散射光的偏振特性以確定光纖的拍長(zhǎng)透射光法--通過測(cè)量透射光的偏振特性與外加調(diào)制因素的關(guān)

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