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體產(chǎn)業(yè)鏈721:15·傳感器專家網(wǎng)付斌李拓作者編輯策劃99.9999999%~99.999999999%(9~11個(gè)9)的高純多晶硅。mm (100mm)、5英寸(125mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm) 美元，2021年達(dá)16.56億美元，同比增長(zhǎng)24.04%，預(yù)計(jì)2022年可達(dá)19.22億美元。[12] 光刻機(jī)IceLake系列CPU單12英寸晶圓能切割出大約485顆芯片，這樣32nm/28nm、20nm/16nm/14nm、10nm和7nm五個(gè)主要n外，EUV光刻機(jī)ASML市占率達(dá)100%，ArFi光刻機(jī)ASML市占率達(dá)95%以上，ArF光刻機(jī)ASML市占率達(dá)87%以上，KrF光刻機(jī)ASML市占率和顯影3種設(shè)備。COTDEVOVEN元CA、邊部刻蝕機(jī) [43]相沉積法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)Oxidation)。[45]則被寡頭壟斷，美國(guó)應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、東京電子 CMP設(shè)備 CMP工藝步驟數(shù)將從10次增加至20次以上，而7nm工藝中CMP步nmCMP設(shè)備也由美[58]。也是重復(fù)次數(shù)最多的工序，包括三類工序：SEMESLAM年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備[63]硅材料料價(jià)格從2016年0.67美元/平方英寸增長(zhǎng)至2021年價(jià)格0.98美掩模版光刻膠g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、以及最先進(jìn)的EUV(<13.5nm)光刻膠。為10%，氟碳類為6%，六氟化鎢為4%，笑氣為4%，鍺烷為3%，高[87]CMP拋光液是CMP過(guò)程重要耗材，約占CMP成本的50%，主要由磨2022年全球晶圓制造用拋光液市場(chǎng)預(yù)計(jì)超20億美元，2026年可達(dá)stmanufacturingATM WaferonSubstrate，CoWoS)封裝、整合扇出型(IntegratedFan-SoIC)等；英特爾推出EMIB(2.5D)、Foveros(3D)和Co-EMIB等LevelPackage，F(xiàn)OPLP)技術(shù)。
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