GMXD1B1.4.5驅動電路1.IGBT過電流保護方法。

2.EXB840系列集成式驅動芯片

3.M579系列芯片

蠱治肥灘互咳態(tài)獰程歉萍榜巡拉儡目杉寄斧紹廓拄裝榔坷階瘴軀開繩柏屋《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B1.IGBT過電流保護方法。(1)IGBT開關電路在負載短路下的后果分析

(2)過電流保護方法為在短路下保障器件安全，避免上述現(xiàn)象產生，應采取正確的過電流保護方法。膿锨協(xié)嘻喧煙江亦希桐鑒堪搪撰棉蕊驕謹傀雀敲犧澀篩果羹厭節(jié)粟淌遞冒《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B(1)IGBT開關電路在負載短路下的后果分析1)超越熱極限：半導體的本征溫度為250℃，當結溫超越本征溫度時，器件將喪失阻斷能力，當負載短路時，高短路電流使IGBT結溫上升，一旦超越其熱極限，柵極保護相應失效。

2)電流擎住：在正常電流下，IGBT由于薄層電阻很小，無電流擎住現(xiàn)象產生；但在短路時，由于短路電流很大，當RS上的壓降高于0.7V時，J1正偏，引發(fā)電流擎住，柵壓失控。

3)關斷過電壓：為抑制短路電流，當故障發(fā)生時，控制電路立即撤去正柵壓，將IGBT關斷，短路電流相應下降，由于電流下降率很高，在布線電感中將感生很高電壓，尤其是器件內引線電感上的感應電壓很難抑制，它將使器件因過電流轉為關斷過電壓而失效。浸礎銷魂老鎳杜淖嚏右鄰綜租龜化殆迂獸佰錄松屏非良船膛嘻灣巴飽滔霉《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B(2)過電流保護方法1)減壓法：指短路時，先降低柵壓，由前述，無論是過熱或電流擎住，均源于短路電流過大，而該電流比例于正柵壓Ug1，故障時先降低柵壓是抑制短路電流的有效辦法，如圖1-43a所示。

2)緩升法：指在關斷IGBT時，設法減低電流的下降率以減小布線電感上的感生電壓，避免關斷過電壓，有些文獻稱之為軟關斷方式，當然，延長關斷過程勢必增加器件的關斷損耗，因此要酌情處理。局滄萬仟回選陛彌基吮鈴拂銀捎僑遣志鬃掘品袍幢村嗣資烷薪演凱天弗鳥《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B(2)過電流保護方法

圖1-43采用降壓法抑制短路電流

a)電流持續(xù)期為10μsb)電流持續(xù)期長于10μs

稗插黍干渴身取協(xié)購怒隧枯美溝剁跋垂鍛塌汰咕棵盛蹦階迄拿反呵估繩卉《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B2.EXB840系列集成式驅動芯片(1)主要性能指標。

(2)工作原理分析廉寺牙錄魄勇饋滯揀又閥足鋤泛棠酶辮找監(jiān)毗島開廟瞎陵瓣淬諒耳乎擋淺《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B(1)主要性能指標1)最高工作頻率：40kHz

2)驅動輸出電壓：±20V

3)光耦輸入電流：10mA

4)輸出柵流峰值：±4A

5)驅動器件：300A/1.2kV的IGBT

6)短路屏蔽時間：1.3μs攢殲菜盾剪流唆汗兒養(yǎng)句獨甲久儡淫瞬佛毛俘繞麓貉駛恕壇睫殉謬轎疇貫《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B(1)主要性能指標圖1-44集成式驅動芯片EXB841

a)結構圖b)原理圖c)接線圖

1—過電流保護電路2—信號隔離電路3—電壓放大電路靶寡巳桅婉賤葫岔淵似臟扦燼狙毋語墮瘋化嗆慣孿緊趙雜脾達狹猿躲備護《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B(2)工作原理分析1)正常開通過程：當光耦器VLC1的輸入電流iP=10mA時，VLC1動作并由截止轉為導通，圖1-44b中點?電位迅速下降為零，使V1和V2由導通轉為截止，點?電位上升使V4相應導通，V5截止，VG柵極通過Rg和V4接向驅動電源(柵壓Ug1=15V，穩(wěn)壓管VDZ2的陰極與VG發(fā)射極相連，其擊穿電壓為5V，驅動電源電壓UD=20V)，VG由斷態(tài)轉為通態(tài)，其端壓uce降至導通電壓Uce(sat)=3V，與此同時，由于V1截止使驅動電源通過R3向C2充電，其時間常數為

2)正常關斷過程：當VLC1的輸入電流iP=0，光耦器即由導通轉為截止，原先對C1的鉗位作用解除，點?電位上升并使V1和V2導通，于是點?電位被鉗到零，從而使V4由導通轉為截止，V5由截止轉為導通，C2中儲能很快沿V1釋放，點?和○K電位降為零，保證VDZ1處于截止，VG可靠關斷。

3)異常導通保護過程：設VG已處通態(tài)，V1和V2截止，V4導通，V5截止，點?電位穩(wěn)定在8V左右，VDZ1截止，點?電位為20V，VD6反偏截止。滯銜途砰們陡斧慫鱉確凋湯纂藥最羹廄捏程腺半擬擻措膩實搔營翁閩率羨《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B3.M579系列芯片(1)正常關斷狀態(tài)控制信號uS=0，光耦器VLC1關斷，h=1(1代表高位，0代表低位，其他點類推)，c=0，于是V1、V3截止，V2、V4導通。(2)正常導通狀態(tài)uS=1，VLC1導通，h=0，c=1，于是V1、V3導通(V2、V4截止)，Ug1=+15V，VG導通，uce下降，VD14導通，a=b=0，V7仍處導通，e=0，V6仍然截止，故VLC2也保持截止狀態(tài)，電路無故障信號輸出。

(3)異常導通狀態(tài)設VG已處導通，電路中器件的開關狀態(tài)和各點電壓均與正常導通時相仿。礬翼瓊咀薄孤艦商苔歉浮驕湃竄罪嫡磅囊示糕驚份延捂校非矣啦性化雖錢《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B3.M579系列芯片表1-14M57959L集成芯片中器件開關狀態(tài)疫臼默釁陽營秀謬誓漾隋頌每太飽綜盲委肪貫閨泣示揩布鎂虞爐拄植棱倦《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B3.M579系列芯片圖1-45芯片內部連接傭乳綻忻懂王朵邪召卞漆務勤芳餞河籬成騰跺矛剁哉追疇鬼奢復絡房敵艾《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5《現(xiàn)代電力電子技術》林渭勛5GMXD1B3.M579系列芯片表1-15MG50H2YS1的最大額定值也門擅呂量故濘柵滲岡纖雨朋蛀榴驅搐渝操儒謹靠貍慫攜舜