第一節(jié)掃描電鏡的基本結(jié)構(gòu)及特征第二節(jié)電子束和樣品作用產(chǎn)生的各類信號分析第三節(jié)能譜儀及X射線產(chǎn)生第四節(jié)掃描電鏡成像及EDS成分分析操作掃描電子顯微鏡成像及能譜分析第一節(jié)掃描電鏡的基本結(jié)構(gòu)及特征掃描電子顯微鏡成像及能譜分析1OpticalMicroscopeScanElectronMicroscope第一節(jié)掃描電鏡的基本結(jié)構(gòu)及特征OpticalMicroscopeScanElec2樣品腔電子束系統(tǒng)SEM控制臺計算機系統(tǒng)樣品腔樣品臺樣品腔電子束系統(tǒng)SEM控制臺計算機系統(tǒng)樣品腔樣品臺3OM&SEMComparison顯微鏡類型照明源照射方式成像信息OM可見光光束在試樣上以靜止方式投射反射光/投射光SEM電子束電子束在試樣上作光柵狀掃描反射電子OM&SEMComparison顯微鏡類型照明源照射方式4PicturesofSEM注射針頭的掃描電鏡照片PicturesofSEM注射針頭的掃描電鏡照片5PicturesofSEM果蠅：不同倍率的掃描電鏡照片PicturesofSEM果蠅：6電子顯微鏡的分類工作模式：透射電子顯微鏡掃描電子顯微鏡分析功能普通型分析型應(yīng)用范圍生物樣品用電鏡材料科學(xué)用電鏡電子槍類型場離子發(fā)射（FEG）六硼化鑭LaB6鎢燈絲樣品室真空度ESEM環(huán)掃低真空普通高真空電子顯微鏡的分類工作模式：電子槍類型7電子槍亮度單位面積單位立體角的電流密度場離子發(fā)射（FEG）107–109熱場和冷場六硼化鑭LaB6106

鎢燈絲105電子槍總束流鎢燈絲–最大六硼化鑭LaB6中間場離子發(fā)射–最小電子槍電子槍亮度電子槍8★焦深大，圖像富有立體感，特別適合于表面形貌的研究★放大倍數(shù)范圍廣，從幾十倍到二三十萬倍?！镏茦雍唵?，樣品的電子損傷小這些方面優(yōu)于TEM，所以SEM成為高分子材料常用的重要剖析手段掃描電鏡的最大特點★焦深大，圖像富有立體感，特別適合于表面形貌的研究掃描電鏡的9SEM與TEM的主要區(qū)別★在原理上，SEM不是用透射電子成像，而是用二次電子和背散射電子成像。★在儀器構(gòu)造上，除了光源、真空系統(tǒng)相似外，檢測系統(tǒng)完全不同。SEM與TEM的主要區(qū)別★在原理上，SEM不是用透射電子成像10SEM的主要受到電子束直徑的限制，這里電子束直徑指的是聚焦后掃描在樣品上的照射點的尺寸。對同樣品距的二個顆粒，電子束直徑越小，越隨得到好的分辨效果。但電子束直徑越小，信噪比越小。掃描電鏡(SEM)基本概念分辨率SEM的主要受到電子束直徑的限制，這里電子束直11SEM的焦深是較好光學(xué)顯微鏡的300－600倍。焦深大意味著能使不平整性大的表面上下都能聚焦。焦深襯度表面形貌襯度原子序數(shù)襯度△F——焦深；d——電子束直徑；2a——物鏡的孔徑角SEM的焦深是較好光學(xué)顯微鏡的300－600倍。焦深襯度表面12原子序數(shù)襯度指掃描電子束入射試祥時產(chǎn)生的背散射電子、吸收電子、X射線，對微區(qū)內(nèi)原子序數(shù)的差異相當(dāng)敏感，而二次電子不敏感。襯度表面形貌襯度主要是樣品表面的凹凸(稱為表面地理)決定的。一般情況下，入射電子能從試詳表面下約5nm厚的薄層激發(fā)出二次電子。表面形貌襯度原子序數(shù)襯度原子序數(shù)襯度指掃描電子束入射試祥時產(chǎn)生的背散射電子、吸收電子13掃描電鏡(SEM)基本工作原理掃描電鏡(SEM)基本工作原理14電鏡構(gòu)造的兩個特點1、磁透鏡磁透鏡工作原理

光學(xué)顯微鏡中的玻璃透鏡不能用于電鏡，因為它們沒有聚焦成像的能力。由于電子帶電，會與磁力線相互作用，而使電子束在線圈的下方聚焦。只要改變線圈的勵磁電流，就可以使電鏡的放大倍數(shù)連續(xù)變化。為了使磁場更集中在線周內(nèi)部也包有軟鐵制成的包鐵，稱為極靴化，極靴磁透鏡磁場被集中在上下極靴間的小空間內(nèi)，磁場強度進(jìn)一步提高。電鏡構(gòu)造的兩個特點1、磁透鏡磁透鏡工作原理光152、因為空氣會便電子強烈地散射，所以凡有電子運行的部分都要求處于高真空，要達(dá)到1.33×10－4Pa或更高。2、因為空氣會便電子強烈地散射，所以凡有電子運行的部分都要求16

一束電子射到試樣上，電子與物質(zhì)相互作用，當(dāng)電子的運動方向被改變，稱為散射。散射彈性散射非彈性散射電子只改變運動方向而電子的能量不發(fā)生變化電子的運動方向和能量都發(fā)生變化第二節(jié)電子束和樣品作用產(chǎn)生的各類信號分析散射及散射電子一束電子射到試樣上，電子與物質(zhì)相互作用，當(dāng)電17掃描電鏡原理-SEM課件18透射電子直接透射電子，以及彈性或非彈性散射的透射電子用于透射電鏡(TEM)的成像和衍射二次電子

如果入射電子撞擊樣品表面原子的外層電子，把它激發(fā)出來，就形成低能量的二次電子，在電場的作用下它可呈曲線運動，翻越障礙進(jìn)入檢測器，使表面凹凸的各個部分都能清晰成像。二次電子的強度主要與樣品表面形貌有關(guān)。二次電子和背散射電子共同用于掃描電鏡(SEM)的成像。透射電子直接透射電子，以及彈性或非彈性散射的透射電子用于透射19特征X射線如果入射電子把樣品表面原子的內(nèi)層電子撞出，被激發(fā)的空穴由高能級電子填充時，能量以電磁輻射的形式放出，就產(chǎn)生特征X射線，可用于元素分析。俄歇(Auger)電子

如果入射電子把外層電子打進(jìn)內(nèi)層，原子被激發(fā)了．為釋放能量而電離出次外層電子，叫俄歇電子。主要用于輕元素和超輕元素(除H和He)的分析，稱為俄歇電子能譜儀特征X射線如果入射電子把樣品表面原子的內(nèi)層電子撞出，被激發(fā)的20背散射電子入射電子穿達(dá)到離核很近的地方被反射，沒有能量損失；反射角的大小取決于離核的距離和原來的能量，實際上任何方向都有散射，即形成背景散射陰極熒光如果入射電子使試樣的原于內(nèi)電子發(fā)生電離，高能級的電子向低能級躍遷時發(fā)出的光波長較長(在可見光或紫外區(qū))，稱為陰極熒光，可用作光譜分析，但它通常非常微弱背散射電子入射電子穿達(dá)到離核很近的地方被反射，沒有能量損失；21~10nm:二次電子~1~2mm:背散射電子~2~5mm:X-射線/陰極熒光交互作用區(qū)一次電子束電子束-樣品交互作用區(qū)~10nm:二次電子~1~2mm:背散射電子~22同一樣品,不同能量電子束25kV15kV5kV同一樣品,不同能量電子束25kV15kV5kV23不同樣品,同一能量電子束銀碳鐵不同樣品,同一能量電子束銀碳鐵2470傾斜30傾斜0無傾斜樣品面傾斜效應(yīng)-邊緣效應(yīng)70傾斜30傾斜0無傾斜樣品面傾斜效應(yīng)-邊25X-射線的空間分辨率低原子序Z高原子序Z高加速電壓kV低加速電壓kV電子束斑大小基本不能影響分辨率而加速電壓

kV和平均原子序

Z則起決定作用。X-射線的空間分辨率低原子序Z高原子序Z高加速電壓kV26信號的方向性SE信號–非直線傳播 通過探頭前加有正電壓的金屬網(wǎng)來吸引BSE信號–直線發(fā)散傳播 探頭需覆蓋面積大X-射線信號–直線發(fā)散傳播信號的方向性SE信號–非直線傳播27樣品中出來的信號電子的能量和強度050eV2kVEPESEBSEAuger頻數(shù)電子能量樣品中出來的信號電子的能量和強度050eV2kVEPES28樣品電流平衡IPCISEIBSEISC樣品ISE+IBSE+ISC=IPC樣品電流平衡IPCISEIBSEISC樣品ISE+IBS29消除荷電效應(yīng)鍍層快速掃描較低的加速電壓較小的束斑消除荷電效應(yīng)鍍層30SEM樣品室SEM樣品室31SE與BSE成象SE–主要反映邊界效應(yīng)，對充電敏感，非常小的原子序Z襯度。BSE–主要反映原子序Z襯度，無邊界效應(yīng)，不顯示充電現(xiàn)象。SE與BSE成象SE–主要反映邊界效應(yīng)，對充電敏感32第三節(jié)能譜儀及X射線產(chǎn)生第三節(jié)能譜儀及X射線產(chǎn)生33物質(zhì)受到高能粒子轟擊所發(fā)出的波長為10-5~100?的電磁輻射稱為X-ray。X-射線信號的產(chǎn)生X-ray的波長λ與能量E的關(guān)系λ=

hcEeE=hcλeh：普朗克常數(shù)6.6×10-27爾格/秒c：光速3×1010厘米/秒e：電荷4.8×10-10靜電單位物質(zhì)受到高能粒子轟擊所發(fā)出的波長為10-5~100?的電磁34X-ray的強度單位時間內(nèi)通過某一面積的X-ray光子的數(shù)量用cps表示：count-per-secondX-ray按產(chǎn)生機制分類：連續(xù)X-ray特征X-rayX-ray的強度單位時間內(nèi)通過某一面積的X-ray光子的數(shù)量35連續(xù)X-ray與特征X-ray連續(xù)X-ray：束電子與原子的原子核庫侖電場相互作用，受到庫侖電場制動，逐漸減速，同時輻射出X-ray。特征X-ray：束電子與原子相互作用，把原子的內(nèi)層電子激發(fā)出來，在原子的內(nèi)殼層上留下一個空位，這時原子處于受激狀態(tài)；緊接著發(fā)生電子躍遷，外層電子躍遷到內(nèi)層填補空位，從而使原子恢復(fù)到基態(tài)；電子躍遷的同時釋放出具有特征能量的X-ray。連續(xù)X-ray與特征X-ray連續(xù)X-ray：束電子與原子的36X-ray的性質(zhì)波粒二重性X-ray以光速傳播，在電、磁場中不發(fā)生偏轉(zhuǎn)X-ray會使氣體、液體、固體電離X-ray有散射、吸收、熒光特性X-ray可使感光材料曝光X-ray與物質(zhì)相互作用可以改變一些晶體結(jié)構(gòu)X-ray的性質(zhì)波粒二重性37電子進(jìn)入樣品后的情形一穿而過，不出信號電子進(jìn)入樣品后的情形一穿而過，不出信號38電子進(jìn)入樣品后的情形二次電子不出信號電子進(jìn)入樣品后的情形二次電子不出信號39電子進(jìn)入樣品后的情形背散射電子不出信號二次電子電子進(jìn)入樣品后的情形背散射電子不出信號二次電子40Xray電子進(jìn)入樣品后的情形可能產(chǎn)生X射線信號Xray電子進(jìn)入樣品后的情形可能產(chǎn)生X射線信號411.2.SE3.BSE4.Xray電子進(jìn)入樣品后的情形5.非彈性散射1.2.SE3.BSE4.Xray電子進(jìn)入樣品后42連續(xù)X-射線白光(連續(xù)X-射線)特征X-射線擊出電子入射電子束連續(xù)X-射線白光特征擊出電子入射電子束43Icm≈iZ平均（E0-E)/Ei：電子束流Z平均：樣品的平均原子序數(shù)E0：入射電子能量E：X-ray光子能量連續(xù)X-ray的強度隨入射電子束流增加而增加連續(xù)X-ray的強度隨能量增加而下降連續(xù)X-射線強度Icm≈iZ平均（E0-E)/Ei：電子束流Z平44特征X-射線特定元素原子釋放出的X-ray具有特定的能量/波長B、C：常數(shù)Z：原子序數(shù)λ：特征X-ray波長特征X-射線特定元素原子釋放出的X-ray具有特定的能量/波45原子的波爾模型（簡單）

—X-射線的產(chǎn)生實際的譜線是更為復(fù)雜的，因為原子有多層軌道,例如L,M和N層。在EDS中L-線系譜可能高達(dá)6或7條譜。MaLbLaKaKb原子核原子的波爾模型（簡單）

—X-射線的產(chǎn)生實際的譜線是更為復(fù)46鐵的特征X-射線能級鐵的特征X-射線能級47掃描電鏡原理-SEM課件48特征X-射線分類方法根據(jù)被激發(fā)產(chǎn)生空位的核外電子層，將特征X-ray分為K、L、M、……線系；在線系中，根據(jù)躍遷前電子所在殼層分為α1、α2、β1、β2……子線系。特征X-射線分類方法根據(jù)被激發(fā)產(chǎn)生空位的核外電子層，將特征49CuKα1子線系符號元素符號線系符號特征X-射線符號組成CuKα1子線系符號元素符號線系符號特征X-射線符號組成50輕元素往往只有K系譜線元素的特征X-射線原子序數(shù)越大，產(chǎn)生的線系越多，X-ray譜線越復(fù)雜重元素電子層多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，因而特征X譜線也復(fù)雜。K，L、M系譜線會同時出現(xiàn)。輕元素往往只有K系譜線元素的特征X-射線原子序數(shù)越大，產(chǎn)生的51特征X-ray譜線的權(quán)重Ka

(1)Kb

(0.1)

La1,2(1)Lb1

(0.7)Lb2

(0.2)L

b3

(0.08)Lb4

(0.05)Lγ1

(0.08)Lγ3

(0.03)Ll(0.04)Lη(0.01)

Ma

(1)

Mb

(0.6)Mγ

(0.05)

Mζ

(0.06)MIINIV

(0.01)表示某系特征X-ray產(chǎn)生的相對幾率New!特征X-ray譜線的權(quán)重Ka(1)Kb(0.1)

La52特征X-ray的能量E：電子躍遷前后的勢能之差同一元素，不同線系的能量：EK>EL>EM>…特征X-ray的能量E：電子躍遷前后的勢能之差同一元素，不53從原子中某電子層激發(fā)一個電子所需的最小能量臨界激發(fā)能的關(guān)系是K﹥L﹥M因此，如果有K系特征譜峰就必然有L系、M系等特征X譜峰常用的加速電壓為20KV～30KV，對有些重元素有可能激發(fā)不出K系特征X-ray。特征X-射線臨界激發(fā)能從原子中某電子層激發(fā)一個電子所需的最小能量臨界激發(fā)能的關(guān)系54X-ray的色散及探測X-ray的色散-Disperse：

將不同能量或波長的X-ray光子分開波長色散：按波長不同將其分開-波譜儀能量色散：按能量不同將其分開-能譜儀New!X-ray的色散及探測X-ray的色散-Dispers55X-射線譜線-色散-能量/強度直方圖特征X-射線譜線

將各元素的特征X-射線以能量/強度直方圖方式展現(xiàn)

X-射線譜線-色散-能量/強度直方圖特征X-射線譜線 將各元56特征X-ray的探測：探測器名稱探測器所用物質(zhì)探測效率能量分辨率閃爍體計數(shù)器閃爍體（NaI)低低正比計數(shù)器P10氣體(90%氬+10%甲烷）高低半導(dǎo)體探測器Si(Li)高高特征X-ray的探測：探測器名稱探測器所用物質(zhì)探測效率能量分57真實的K,L和M譜線(峰)真實的K,L和M譜線(峰)58按原子序數(shù)順序的K線峰的位置按原子序數(shù)順序的K線峰的位置590~10kV之間可見特征譜線(峰)K線系-Be(Z=4)到Ga(Z=31)L線系-S(Z=16)到Au(Z=79)M線系-Zr(Z=40)到最高可能出現(xiàn)的原子序號。每一個元素（Z>3）在0.1到10keV都具有至少一個可見譜線。對一些重疊狀態(tài)，可能需要在10到20keV的范圍進(jìn)行測定。0~10kV之間可見特征譜線(峰)K線系-Be60能譜儀硬件幾何參數(shù)能譜儀硬件幾何參數(shù)61硬件示意圖顯示器(MCADisplay)計算機EDAMPCI杜瓦瓶前置放大器SEM鏡筒終透鏡樣品臺樣品室探頭窗口準(zhǔn)直器FET硬件示意圖顯示器(MCADisplay)EDAMPCI杜62信號處理示意圖電子束和樣品相互作用譜解析信號處理信號檢測X-射線信號電子束信號處理示意圖電子束和樣品相互作用譜解析信號處理信號檢測X-63POLEe-E-TRAPSAMPLETOASAWINDOW(&LIGHTTRAP)OVERGRIDACTIVESi(Li)FETDEADLAYERToPREAMPCOLDFINGERhCOLLIMATORPOLEe-E-TRAPSAMPLETOASAWINDOW64探頭參數(shù)物鏡極靴取出角y采集立體角W

探頭樣品探頭參數(shù)物鏡極靴取出角y采集立體角W探頭樣品65譜的異常X-射線的吸收探頭電子束熒光X-射線交互作用區(qū)樣品背散射電子譜的異常X-射線的吸收探頭電子束熒光X-射線交互作用區(qū)樣品66X-射線信號探測的方向性ABC探頭方向樣品樣品臺表面形貌對譜的計數(shù)率和成分分析（取出角和吸收效應(yīng)）有著重大的影響。X-射線信號探測的方向性ABC探頭方向樣品樣品67BACA=較低的低能端峰B=正常C=較高的低能端峰取出角在C點最高而在A點最低。在成分均勻的同一顆粒上3個位置的3個不同的譜。X-射線信號探測的方向性BACA=較低的低能端峰取出角在C點最高在成分均勻的68傾斜的效應(yīng)(FeCO3)傾斜的效應(yīng)(FeCO3)69EDS儀器和信號檢測X-射線探頭X-射線探頭的檢測效率幾何效應(yīng)信號處理及信號處理器能量分辨率準(zhǔn)直器EDS儀器和信號檢測X-射線探頭70POLEe-E-TRAPSAMPLETOASAWINDOW(&LIGHTTRAP)OVERGRIDACTIVESi(Li)FETDEADLAYERToPREAMPCOLDFINGERhCOLLIMATORPOLEe-E-TRAPSAMPLETOASAWINDOW71X-探頭的窗口和晶體部分(Sapphire)X-射線（光子）電鏡樣品室探頭真空腔探頭窗8uBe或0.3u聚合物+,-空位，電子Si(Li)

探頭晶體至前置放大器

(FET)金屬層，（85?）及Si死層-500至1000伏CaXray=3690eV/3.8eV/e-=971e-NXray=392/3.8=103e-X-探頭的窗口和晶體部分(Sapphire)X-射線探頭探72掃描電鏡原理-SEM課件73DetectorWindowSUTW,4-ply--poly/Al/poly/Al.TotalThicknessis0.34mm.Siliconsupportgridwithverticallyoriented“venetianblind”arrangement–80%transmission.DetectorWindowSUTW,4-ply--p74EDS儀器和信號檢測X-射線探頭X-射線探頭的檢測效率幾何效應(yīng)信號處理及信號處理器能量分辨率準(zhǔn)直器EDS儀器和信號檢測X-射線探頭75檢測效率-窗口的傳輸能力檢測效率-窗口的傳輸能力76不同窗口對K系X-射線的穿透率不同窗口對K系X-射線的穿透率77檢測效率-窗口的傳輸能力I/Io=e-(mrt)此處：I=最終強度Io=初始強度r=密度t=厚度m=質(zhì)量吸收系數(shù)檢測效率-窗口的傳輸能力I/Io=e-(m78質(zhì)量吸收系數(shù)0.284炭元素吸收邊或臨界激發(fā)能量(Kab)C吸收X-射線能量(keV)CKaEnergyNKaEnergy質(zhì)量吸收系數(shù)0.284炭元素吸收邊或臨界激發(fā)能量(Kab)C79譜的吸收現(xiàn)象由于樣品的吸收，背底在高能端較低。譜的吸收現(xiàn)象由于樣品的吸收，背底在高能端較低。80信號探測立體角=A/d2此處：=立體角以弧度表示A=檢測器面積，mm2d=樣品到檢測器的距離在70mm處的計數(shù)率=50mm處的1/4信號探測立體角=A/d281EDS儀器和信號檢測X-射線探頭X-射線探頭的檢測效率幾何效應(yīng)(前面已經(jīng)完成）信號處理及信號處理器能量分辨率準(zhǔn)直器EDS儀器和信號檢測X-射線探頭82前置放大器檢測器ResetFETC輸出每個X-光子50ns最終峰的測量時間為50us(1000x50ns)前置放大器檢測器ResetFETC輸出每個X-光子50ns最83一個X-光子轉(zhuǎn)換的輸出信號(或3個)v電壓(mv)時間多個X-光子彼此過于靠近時將被拒絕。較高的死時間(全部被拒絕)較低的死時間一個X-光子轉(zhuǎn)換的輸出信號(或3個)v電壓時間多個X-84計數(shù)率曲線高計數(shù)率和高死時間實際上可能導(dǎo)致較低的計數(shù)率和不良譜線，應(yīng)考慮保持適中的時間常數(shù)。010002000300040005000600070008000050001000015000200002500030000輸入計數(shù)率輸出計數(shù)率50微秒100微秒計數(shù)率曲線高計數(shù)率和高死時間實際上可能導(dǎo)致較低的計數(shù)率和不良85多道分析器多道分析器86EDS儀器和信號檢測X-射線探頭X-射線探頭的檢測效率幾何效應(yīng)信號處理及信號處理器能量分辨率準(zhǔn)直器EDS儀器和信號檢測X-射線探頭87FWHM

-

FullWidthatHalfMaximumNew!FWHM-FullWidthatHalfMax88掃描電鏡原理-SEM課件89X-射線譜線分辨率公式FWHM分辨率

∝

(N

2+2.352FEe)1/2F=fano因子=0.11E=X-射線的能量，eve=電子空穴對形成能;=3.8ev/Si；=2.96ev/GeN=FWHMoftheelectronicnoiseoftheamplificationprocessNew!X-射線譜線分辨率公式FWHM分辨率∝(N2+2.90X-射線譜線分辨率相互關(guān)系FWHMa

=

{

2.5(Ea

–Eb)+FWNMb

2}1/2E=X-射線的能量，evFWHMa=能量Ea

時分辨率FWHMb=能量Eb

時分辨率New!X-射線譜線分辨率相互關(guān)系FWHMa={2.5(E91能量分辨率與X射線能量之關(guān)系0501001502002500510152025能量,KeV能量分辨率,eV70eV噪音能量分辨率與X射線能量之關(guān)系050100150200250092EDS儀器和信號檢測X-射線探頭X-射線探頭的檢測效率幾何效應(yīng)信號處理及信號處理器能量分辨率準(zhǔn)直器EDS儀器和信號檢測X-射線探頭93準(zhǔn)直器鈹窗探頭不用磁體，BSE不能穿透具有磁體的SUTW（超薄窗）（圖中的黃色部分）以偏轉(zhuǎn)BSE假若BSE（背散射電子）到達(dá)探頭則將產(chǎn)生不規(guī)則背底—在高能量端背底的隆起New!準(zhǔn)直器鈹窗探頭不用磁體，BSE不能穿透具有磁體的SUTW（94掃描電鏡原理-SEM課件95Collimator–FrontandBackViewsCollimator–FrontandBackVi961——開啟計算機2——開啟掃描電鏡操作軟件（桌面XT圖標(biāo)）3——點擊操作軟件右方的太陽圖標(biāo)、然后點擊Vent按鈕，樣品室進(jìn)氣，等待幾分鐘以后，打開樣品室門。4、掃描電鏡成像及EDS成分分析操作裝試樣開始測試1——開啟計算機4、掃描電鏡成像及EDS成分分析操作裝試樣開974——樣品臺放樣，特別注意樣品臺的高度與樣品室黃色探頭相隔10cm左右。絕對不能撞到黃色探頭。送樣的時候注意觀察樣品室。同時觀察電腦顯示攝像圖：按F5,左鍵點擊點擊四幅圖的右下圖，如果圖像停止不動，點擊暫停圖標(biāo)如果圖像停止不動，點擊4——樣品臺放樣，特別注意樣品臺的高度與樣品室黃色探頭相隔1985——關(guān)好艙門，點擊Pump抽真空，等到軟件下方圖標(biāo)全綠，且chambervacuum小于7e10-3，可以操作機器5——關(guān)好艙門，點擊Pump抽真空，等到軟件下方圖標(biāo)全綠，且996——點擊BeamOn按鈕，下拉菜單選擇電壓30Kv、spot4.0,加高壓。6——點擊BeamOn按鈕，下拉菜單選擇電壓30Kv、s1007——按F5出現(xiàn)四幅圖，左鍵單擊右上圖。如果圖像停止不動，點擊暫停圖標(biāo)，該圖標(biāo)有激活作用從而激活圖像7——按F5出現(xiàn)四幅圖，左鍵單擊右上圖。如果圖像停止不動，點1018——再按F5，單幅圖放大。點擊標(biāo)題欄Detectors，選擇ETD（SE）二次電子成像8——再按F5，單幅圖放大。點擊標(biāo)題欄Detectors，選1029——按鍵盤加減號，對圖像進(jìn)行放大縮小。找到需要觀察的試樣及區(qū)域，鼠標(biāo)左鍵雙擊想看的位置即可。如果沒有圖像，要么太暗了，要么太亮了，需要調(diào)節(jié)對比度和亮度，左右拉，找到圖像9——按鍵盤加減號，對圖像進(jìn)行放大縮小。找到需要觀察的試樣及10310——初步調(diào)焦，首先在低倍下調(diào)焦左鍵雙擊可修改放大倍數(shù)，并回車可選擇放大倍數(shù)10——初步調(diào)焦，首先在低倍下調(diào)焦左鍵雙擊可修改放大倍數(shù)，并10411——選定一定倍數(shù)之后，點擊聚焦框，按住鼠標(biāo)右鍵，向左和右來回拖動，會發(fā)現(xiàn)有一個位置最清楚。11——選定一定倍數(shù)之