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文檔簡介
*繼承老師晶體的形狀文獻BaLaCuO
BiSrCuO
鉆文獻縫化學家制備各種化合物(Raveau)積累性成果物理學家重視性質(zhì)(Murer)突破性成果*合作和學習
Kroto
的話引用和知識產(chǎn)權(quán)個人交談和致謝*想和做的比例Research
Science(三思)*成績和錯誤:面心立方Fe的低溫制成鹿兒島新超導體*數(shù)量和質(zhì)量國際上發(fā)表了十篇論文,6篇是我們的科學研究的開始1962年山東大學畢業(yè)論文顯微鏡下觀察雜質(zhì)對ADP晶體生長的影響溶液放置一夜,溫度變化區(qū)間為2060℃純態(tài)ADPKClLiClCoCl2PbCl2Co(NO3)31:401:401:401:401:401:40雜質(zhì)含量均為0.1克離子/升無機材料化學的機遇和挑戰(zhàn)
五十年來無機化學家合成了成千上萬種固體化合物,而物理學家從性質(zhì)出發(fā)通過結(jié)構(gòu)選擇出重要的化合物研究其性質(zhì),取得了突破性進展,材料的電學性質(zhì)和新超導體探索即是一個重要的例子。一維的導電材料
Ir(CO)3ClA.H.Reis,V.S.Hagley,andS.W.PetersonJ.Am.Chem.Soc.99,4184(1977)新超導材料的探索
ReO3的導電性與銅相比MITLincoln實驗室的J.M.Honig
Ba(PbBi)O3
超導電性Sleight,A.W.etal.,SolidStateCommunications
17,27(1975)
La2CuO4J.M.Longo.J.Sol.State.Chem.,6,526(1973)(Ba-La)2-Cu-O4
結(jié)構(gòu)和液氮溫區(qū)電性Michel,C.Raveau,B.:Mat.Res.Bull.,20,667(1985)
BaLaCu-O超導電性J.G.BednorzandK.A.MullerPossibleHighTcSuperconductivityintheBa-La-Cu-OSystem,Z.Phys.B-CondensedMatter64,189-193(1986)Y-Ba-Cu-O超導電性
C.W.ChuPhys.Rev.Lett.58,908(1987)BiSrCuO
的18K超導電性C.Michel,B.Raveau:Z.Phys.B68(1987)421BiSrCaCuO
的80K超導電性HiroshiMAEDAetal.,ANewHigh-TcOxideSuperconductorWithoutaRareEarthElement,JapaneseJ.ApplPhys,Vol,27No.2PL209(1988)*TlBaCuO,Z.Z.Sheng,Herman最近又有激動人心的事JunNagamatsu,NorimasaNakagawaetal.,Superconductivityat39Kinmagnesiumdiboride
Nature,Vol,410,1Mar.(2001)ThePreparationandstructureofmagnesiumboride,MgB2Jones,M.&Marsh,R.,J.Am.Chem.Soc.,76,1434-1436(1954)基礎(chǔ)科學研究的評價
SCI(ScienceCitationIndex)美國科學信息研究所對科學論文建立的檢索系統(tǒng),收錄各國期刊。對于基礎(chǔ)研究的成果一般在刊物上以論文形式發(fā)表,刊物根據(jù)刊物文章的平均被引用情況分檔次,發(fā)表的論文本身也可以從被引用的次數(shù)、引用論文的刊物和作者引用時的評價,對論文的水平作出相應的評價。影響因子:期刊影響因子的一般計算方法為某期刊前兩年發(fā)表的論文在這二年被引用次數(shù)除以該刊在前兩年內(nèi)發(fā)表的論文總數(shù)。即年指標:即年指標為當年發(fā)表的論文的被引用次數(shù)除以該刊當年的論文數(shù),是表征期刊即時的反應速率。半衰期:被引半衰期是衡量期刊老化速度的一種指標,即指某一期刊論文在某年時間被引的全部次數(shù)中,較新的一半是在最近多長一段時間內(nèi)發(fā)表的,一般來說,被引半衰期長的期刊要比短的期刊影響更深遠些。1993-2001年中國科技大學發(fā)表SCI收錄論文數(shù)與其它國內(nèi)高校比較1998-2001年度中國科大和南京大學發(fā)表論文被SCI收錄及被引證篇數(shù)情況對比南大被引證數(shù)
南大SCI收錄科大被引證數(shù)
科大SCI收錄
中科院引文數(shù)據(jù)庫,采用等級區(qū)域?qū)⒏鞲咝T赟CI期刊上發(fā)表的論文進行統(tǒng)計,從下面圖表可看出,我校論文總數(shù)排名第4,但我校在I區(qū)的篇數(shù)占總數(shù)的57.89%比例最高(北大52.48%,清華49.32%,南大46.42%,復旦47.68%),該統(tǒng)計不僅反映各高校在SCI上發(fā)表論文的數(shù)量比,也反映了這些論文的質(zhì)量比。等級區(qū)域是中科院引文數(shù)據(jù)庫按各學科影響因子由大到小將期刊排序后分區(qū):I.56分II.19分III.11分VI.4分V.2分VI.1分總分代表體量,I、II代表水平。化學領(lǐng)域科技論文產(chǎn)出力的核心區(qū)域分布位次機構(gòu)名稱總分1中國科大21402南京大學20703北京大學20414復旦大學18305中科院化學所17576中科院上海有機化學所17277南開大學17248中科院大連化學物理所17019中科院長春應用化學所165810吉林大學1496注:2004年共有49個單位參評2001年科技論文總數(shù)按SCI人均排名(SCI篇數(shù)原取自于中國科技大學科技處)2000年高影響因子化學院與全校的論文數(shù)比較化學與材料學院與物理和材料交叉發(fā)展錢逸泰教授實驗室部分博士生畢業(yè)期間發(fā)表的SCI論文影響因子和統(tǒng)計表姓名因子和篇數(shù)單篇最高因子畢業(yè)時間謝毅29.7191023.6051996年李亞棟40.05623.6051998年王文中19.6795.9481998年俞書宏20.198133.2731998年錢雪峰7.23072.9901998年胡俊青17.91183.6952000年陸輕銥14.81283.9062000年占金華17.707115.5222000年張衛(wèi)新14.614112.9902000年蔣陽15.51576.0252001年韓兆慧15.697103.5802001年楊劍14.72963.5802001年楊晴13.77793.5862002年王春瑞13.26392.3042002年李慶12.383102.3792002年苯熱合成制納米GaN
文獻報道氮化鎵的制備方法Ga
或Ga
源和NH3的反應
2Ga+2NH31050-1100C2GaN+3H2W.C.Johnsonetal.,J.Phys.Chem.36(1932)25612)
已含有
Ga-N鍵的化合物如
Ga(C2H5)3NH3
或[H2GaNH2]3at600C在GaNJ.W.Huangetal.,Chem.Mater.7(1995)517
苯熱合成制納米GaNGaCl3+Li3NbenzeneGaN+3LiCl280-300C
YiXie,YitaiQianetal.,
Science,272(1996)1926-1927XRDpatternoftheas-preparedNanocrystallineGaN(WurtziteGaN,0RocksaltGaNWurtziteGaN:a=3.188?,c=5.170?RocksaltGaN:a=4.100?TEMphotoofnanocrystallineGaN~30nmH.Xiaetal.,PhysRev.B47,(1993)12925箭頭B:巖鹽型
GaN的[100]
方向;箭頭C:巖鹽型的[110]方向B區(qū):d200=2.040.01?C區(qū):d200=2.040.01?
a=4.080.02?納米GaN
的HRTEM照片
《Science》審稿人的評論
這篇有趣的論文報道了兩個激動人心的成果:(1)在非常低的溫度下苯熱合成了結(jié)晶GaN;(2)觀察到以前只在超高壓下才出現(xiàn)的亞穩(wěn)的立方巖鹽型相。溶劑熱合成共價非分子固體雖已知,但并非廣泛知道,如HeathJ.R.發(fā)表在《Science》1992,258,1131中的論文(注:Heath沒有指出他的合成方法是溶劑熱合成)。確實,我相信溶劑熱合成可能正是現(xiàn)在作為一種重要的固體合成技術(shù)出現(xiàn)。何況,產(chǎn)生亞穩(wěn)態(tài)固體結(jié)構(gòu)(遠離平衡態(tài))是當前極其重要的方法,例如Parkinson,B《Science》1995,270,1157的論文。本文描述了GaN巖鹽型(高壓相)在極其溫和的條件下的形成。因此,我認為本文對《Science》讀者而言處在有趣和非常有趣的邊界上。當然,該稿的前言中應更好地強調(diào)該文對低溫固體合成和對產(chǎn)生亞穩(wěn)相固體二方面的貢獻的重要性。苯熱合成GaN的工作(Science,1996,272:1926)共被引用180余次,其中半數(shù)被國際重要雜志引用苯熱合成制GaN被引用二例*哥倫比亞大學LouisBrus教授在《Science》(Vol.276,1997)的文章中引用:“Catalysismaybeinvolvedintworecentlyreportedreactions:GaNnanocrystalswiththerock-saltstructurehavebeenmadeinbenzenesolventat280Candapressureofabout50bar,conditionsfarbelowtheregionofrock-saltthermodynamicstability(12)”.(P374)*加州大學伯克利分校A.P.Alivisatos教授在《Science》(Vol.276,1997)的文章中引用:“Amuchwiderrangeofmaterialsmaythereforebemetastableinnanocrystalsthaninextendedsolids.Examplesincludehighpressurerock-saltphasesstableatambientconditionsinnanocrystallineGaNsynthesizedunderpressure(25)”.(P401)
RiceUniversity的ValeryN.Khabashesku等在PowderSynthesisandCharacterizationofAmorphousCarbonNitride(Chem.Mater.2000,12,3264-3270)的文章中寫道:“Thechoiceofthesesyntheticrouteswasinfluencedbyknownsuccessfulpreparationofnitridesoflanthanidesandtransitionmetalsthroughsolid-statemetathesisreactionssuchasMCln
+Li3NMN+LiCl
26,27andofgalliumnitridebysolvothermalreactionofGaCl3andLi3N.28”(28)
Xie,Y.;Qian,Y.;Wang,W.;Zhang,S.;Zhang,Y.Science1996,272,1926.BeijingInstituteofTechnology的QiangFu,Chuan-BaoCao,He-SunZhu在Asolvothermalsyntheticroutetopreparepolycrystallinecarbonnitride(ChemicalPhysicsLetters1999,314,223–226)一文中寫道:“Currently,asolvothermalmethodhasbeenfoundtobeaneffectiveroutetopreparethesematerials[16–20].”(18)Y.Xie,Y.T.Qian,W.Z.Wang,etal.,Science27219961926.(19)Y.D.Li,Y.T.Qian,H.W.Liao,etal.,Science2811998246.山東大學晶體材料國家重點實驗室的高善民等“苯熱合成GaP納米微晶介質(zhì)中水氧對反應過程的影響”,《化學學報》58(6),613,2000,引用(參考文獻6)。CornellUniversity的AllenC.Ho等在ExperimentalandtheoreticalstudyofLi3Nathighpressure(PHYSICALREVIEWB1999,59,6083)一文中引用我們的文章:“Interestingly,lithiumnitridehasbeenusedbyreactingitwithgalliumchloride,GaCl3,inasolutionofbenzenetoproducenanosizedcrystalsofGaN.12”(12)Y.Xie,Y.T.Qian,W.Z.Wang,etal.,Science27219961926.J.Hu,Y.T.Qianetal.,
Chem.Phys.Lett.,351(2002)229-234I2transportingassistantroutetoGaNnanocrystalsXRDpattern,TEMandHRTMimagesoftheas-synthesizedGaNResult:apurephaseoftherocksaltGaNF.Xu,Y.Xieetal,NewJ.Chem.2003,27,565金剛石的合成文獻報道:(1)高溫高壓石墨相變制備金剛石
1300℃
石墨金剛石
5.5萬大氣壓
F.P.Bundyetal.,Nature,176,51(1955)(2)爆炸法制金剛石
N.R.Greineretal.,Nature,333,440(1988)(3)水熱法生長金剛石,800℃,1.4Kbar但需入金剛石晶種
X.-Z.Zhaoetal.,Nature,385,513(1997)(4)CVD法可用CH4或C2H2
在高溫下制金剛石膜
J.C.Angus,etal.,J.Appl.Phys.39,2915(1968)(5)高溫常壓下在Cl2/H2氣氛下立方SiC轉(zhuǎn)化為金剛石結(jié)構(gòu)的碳
SiC+2Cl21000℃SiCl4+C(金剛石)
YuryGogotsietal.,Nature,411,283(2001)金剛石的催化熱解合成Wurtz反應:(1855年)R1X+R2X+2NaR1-R2-2NaX[1]L.Finar,OrganicChemistry,Vol.1,p76.用金屬鈉還原CCl4進行Wurtz反應:碳原子間將連成三維的sp3鍵結(jié)構(gòu),即成金剛石。1)形成的黑色粉末線將瑪瑙研缽磨毛2)經(jīng)過酸洗處理后無定形碳含量減少,XRD能呈現(xiàn)出金剛石三強峰3)Raman光譜測得金剛石1332特征峰4)粉末的比重>3
CCl4+4Na700℃,Ni-CoC(diamond)+4NaCl
金剛石的XRD衍射峰金剛石的Raman光譜Areduction-pyrolysissynthesisofdiamondYadongLiandYitaiQian,Science,1998,281,246.
文章被引用30次審稿人評語
本文描述的研究,如果可重復,則不但激動人心而且很重要。因為金剛石在低的溫度(700C),低的壓力和未使用晶種的條件下被合成出來。遺憾的是,由于許多細節(jié)未被給出,只有在這些細節(jié)被補充之后本文才能發(fā)表。否則會使金剛石合成領(lǐng)域的人們感到非常吃驚。第一,對金剛石的產(chǎn)率應有一個估計。文中沒有提到是否有作為主要副產(chǎn)物的石墨狀的碳。第二,需進行密度測試并報道其數(shù)據(jù),以用來判斷是否無定形碳和金剛石同時存在。第三,必須給出一個更完整的XRD圖,據(jù)此判斷2q
約26處石墨的強峰是否出現(xiàn)。第四,應該給出Ni/Co合金的成分。第五,應該報道沒有使用催化劑的實驗結(jié)果?!?/p>
Science/TechnologyConcentrates
稻草變黃金:從CCl4制金剛石
中國科學家已經(jīng)發(fā)明了一種在比常規(guī)方法低得多的溫度下合成金剛石粉末的技術(shù),李亞棟、錢逸泰、和其在中國科技大學化學系和結(jié)構(gòu)成份分析中心的同事們在Ni-Co催化劑存在的情況下,用鈉和CCl4在700℃反應48小時形成金剛石[《Science》,281,246(1998)],這些科學家將其描述為“一個還原熱解催化合成”。他們正在尋找基于過渡金屬如:Ni,Co,Mn,Fe,Pt其它的催化劑和其它的鹵代碳氫化合物,包括六氯乙烷和四溴化碳以提高產(chǎn)率,這些研究者認為這個方法也適用于制備其它的碳化物,例如:SiC和WC。
JULY13,1998C&EN55
Science,Vol281,Aug.7,1998,p.783DangerousMixture
李亞棟、錢逸泰、廖洪維、丁軼等描述了一種用金屬鈉和CCl4反應合成金剛石的方法。這篇報道的讀者們需要注意到鈉和CCl4的混合物是極其危險的,在此之后的一段較短時間內(nèi),反應物對震動是敏感的,并且容易發(fā)生爆炸,這個反應的細節(jié)和其它文獻可以參考L.Bretherick著的《危險化學手冊》(Butterworths,London,ed.3,1985,p1317)。處理任何氯化碳,氫化物與堿金屬的混合物是需要極其小心的。
JohnC.AngusChemicalEngineeringDepartment,CaseWesternReserveUniversityCleveland,OH44106-7217,USAResponse
Angus指出CCl4和Na的混和物是危險的。我們贊同他的忠告。這個信息可以從手冊上找到(1)。手冊中給出的例子,是在一個敞開的玻璃器皿中讓較多的CCl4和Na接觸相當長的時間。在我們的報道中(2),我們進行的是一個高壓下的反應,該反應是在一個可以耐400atm的發(fā)應釜中進行的。將CCl4
和Na放入反應釜中只要幾分鐘。我們指出“適量的CCl4(5ml)和過量的金屬Na(20g)放入容積為50ml的不銹鋼反應釜中……反應釜保持在700℃48小時……”(2,p.246).
隨著反應的進行,產(chǎn)物的分子量迅速增加直到形成碳的聚集物。過量的Na加速碳的形成,這個過程不增加反應釜里的壓強。隨著反應放熱,反應釜溫度迅速升高。然而,反應釜(2.5Kg)的熱容量可以緩沖這個過程。而且,CCl4產(chǎn)生了一個臨界壓力,在283℃為45atm。所以在這個溫度范圍內(nèi),壓強不會反常的高。而且碳的聚集物的形成減緩了壓力的增加,然后到某一點后反應釜里的壓強開始降低。這個過程以后,反應釜里5ml(0.05mol)的CCl4和過量的Na的反應不是非常危險的。當然,處理整個高壓過程反應要小心。關(guān)于進行CCl4
和Na更大規(guī)模的反應是危險的,所以需要更深入的研究。
YadongLi,YitaiQianDepartmentofChemistryUniversityofScienceandTechnology
對金剛石制備的二次引用●普林斯頓大學地球科學系SubarnarekhaDe等在《EarthandPlanetaryScienceLetters》(1998,164)題為Microstructuralobservationsofpolycrystallinediamond:acontributiontothecarbonadoconund
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