存儲(chǔ)設(shè)備硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器第1頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3.1硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器第2頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月主要內(nèi)容硬盤(pán)概述硬盤(pán)的組成硬盤(pán)的分類硬盤(pán)的性能指標(biāo)參數(shù)硬盤(pán)的應(yīng)用第3頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月重點(diǎn)與難點(diǎn)12硬盤(pán)的組成與性能參數(shù)硬盤(pán)的應(yīng)用（選購(gòu)、安裝、測(cè)試）ThemeGalleryisaDesignDigitalContent&ContentsmalldevelopedbyGuildDesignInc.第4頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月硬盤(pán)概述1．硬盤(pán)簡(jiǎn)介硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)稱硬盤(pán)(英文是“Hard-Disk”，簡(jiǎn)稱HD)，是微機(jī)中最常使用的外部存儲(chǔ)設(shè)備，是一種存儲(chǔ)量巨大的設(shè)備。作用是存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)需要的數(shù)據(jù)和大量信息，是微機(jī)中容量最大、使用最頻繁的存儲(chǔ)設(shè)備。硬盤(pán)的存儲(chǔ)介質(zhì)是若干個(gè)剛性磁盤(pán)片，硬盤(pán)也由此得名。與CPU、主板、顯卡這一類主要依靠半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)品不同，硬盤(pán)是機(jī)械技術(shù)、材料技術(shù)、電磁技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)等多方面頂尖技術(shù)的綜合產(chǎn)品，其發(fā)展速度相對(duì)緩慢。

第5頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.硬盤(pán)的發(fā)展歷程與未來(lái)2005年開(kāi)始大量采用磁盤(pán)垂直寫(xiě)入技術(shù)

1970年到1991年，硬盤(pán)盤(pán)片的儲(chǔ)存密度以每年25%~30%的速度增長(zhǎng)

IBM的IBM350RAMAC是現(xiàn)代硬盤(pán)的雛形

日立2010年推5000G硬盤(pán)等同半個(gè)人腦存儲(chǔ)量

第6頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月1956年3月IBM推出了第一臺(tái)硬盤(pán)

1973年IBM推出了采用"溫徹斯特"技術(shù)的硬盤(pán)

1989年IBM發(fā)明了MR磁阻技術(shù)

1991年IBM推出了1GB容量的硬盤(pán)

1993年GMR(巨磁阻磁頭技術(shù))推出

第7頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月溫徹斯特技術(shù)特點(diǎn)特點(diǎn)1部件全部密封特點(diǎn)2內(nèi)部磁片固定并高速運(yùn)轉(zhuǎn)特點(diǎn)3磁片表面光滑特點(diǎn)4磁頭不與磁片直接接觸第8頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

以下是近年來(lái)關(guān)于硬盤(pán)容量和單位價(jià)格的趣味數(shù)字

1995年200MB～400MB大于4000元/GB

1996年1.2GB～2.1GB1500元～2000/GB

1998年1.2GB～2.1GB200元～250元/GB

2000年4.3GB～6.4GB40元/GB

2002年10GB～20GB20元/GB

2004年40GB～80GB6.9元/GB

2005年80GB～160GB4.5元/GB

2006年80GB～250GB3.8元/GB

2008年160GB～1.5TB0.8元/GB

第9頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月固態(tài)硬盤(pán)一種是采用閃存（FLASH芯片）作為存儲(chǔ)介質(zhì).一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。

固態(tài)硬盤(pán)（SolidStateDisk、IDEFLASHDISK）是由控制單元和存儲(chǔ)單元（FLASH芯片）組成，簡(jiǎn)單的說(shuō)就是用固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列而制成的硬盤(pán)。固態(tài)硬盤(pán)的接口規(guī)范和定義、功能及使用方法上與普通硬盤(pán)的相同，在產(chǎn)品外形和尺寸上也與普通硬盤(pán)一致。第10頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月固態(tài)硬盤(pán)的特點(diǎn)12345價(jià)格高比常規(guī)硬盤(pán)重量輕便讀寫(xiě)速度比較快

經(jīng)久耐用、防震抗摔

工作時(shí)非常安靜，沒(méi)有任何噪音

第11頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月硬盤(pán)的組成與工作原理硬盤(pán)的組成硬盤(pán)的工作原理第12頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月6.2.1硬盤(pán)的外觀

正面

反面硬盤(pán)的正面貼著硬盤(pán)的標(biāo)簽，上面標(biāo)有硬盤(pán)的生產(chǎn)廠家、轉(zhuǎn)速、容量、工作電壓等信息，如圖所示從外觀上看，硬盤(pán)具有金屬外殼，其背面裸露著控制芯片、電阻等電子元件，如圖所示。第13頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月硬盤(pán)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)第14頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

第15頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月硬盤(pán)內(nèi)部結(jié)構(gòu)

4接口及附件.1固定面板3盤(pán)頭組件2控制電路板第16頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月盤(pán)頭組件盤(pán)頭組件(HDA，HardDiskAssembly)是構(gòu)成硬盤(pán)的核心，封裝在硬盤(pán)的凈化腔內(nèi)。包括浮動(dòng)磁頭組件、磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、盤(pán)片及主軸驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、前置讀寫(xiě)控制電路等，如圖所示。第17頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月盤(pán)頭組件結(jié)構(gòu)圖

第18頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月1.浮動(dòng)磁頭組件讀寫(xiě)磁頭傳動(dòng)桿傳動(dòng)軸.浮動(dòng)磁頭組件

PART1

PART2

PART3第19頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

第20頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月磁頭部件磁頭是硬盤(pán)技術(shù)最重要和最關(guān)鍵的一環(huán)，實(shí)際上是集成工藝制成的多個(gè)磁頭的組合，它采用了非接觸式結(jié)構(gòu)，加電后在高速旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)表面飛行，飛高間隙只有0.1μm～0.3μm，可以獲得極高的數(shù)據(jù)傳輸率。第21頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月磁頭第22頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2．磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)由音圈電機(jī)、磁頭驅(qū)動(dòng)小車(chē)組成。新型大容量硬盤(pán)還具有高效的防震動(dòng)機(jī)構(gòu)。第23頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

第24頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

第25頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3.盤(pán)片和主軸組件盤(pán)片是硬盤(pán)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的載體，盤(pán)片大都采用金屬薄膜磁盤(pán)，這種金屬薄膜比軟磁盤(pán)的不連續(xù)顆粒載體具有更高的記錄密度，同時(shí)還具有高剩磁和高矯頑力的特點(diǎn)。主軸組件包括主軸部件，如軸承和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等。液態(tài)軸承電機(jī)無(wú)磨損，壽命無(wú)限長(zhǎng)，是目前超高速硬盤(pán)的發(fā)展趨勢(shì)。第26頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月盤(pán)片當(dāng)磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)時(shí)，若磁頭都保持在一個(gè)位置上，則每個(gè)磁頭都會(huì)在磁盤(pán)表面上劃出一個(gè)圓形軌跡，這些圓形軌跡就叫磁道磁盤(pán)上的每個(gè)磁道被等分為若干個(gè)弧度，這些弧度便是磁盤(pán)的扇區(qū)磁盤(pán)通常由重疊的一組盤(pán)片構(gòu)成，每個(gè)盤(pán)片上半徑相同的磁道處于同一圓柱面上，稱之為硬盤(pán)的柱面第27頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月第28頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月盤(pán)片容量柱面扇區(qū)盤(pán)面=盤(pán)面數(shù)×柱面數(shù)×扇區(qū)數(shù)×512B容量第29頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月4．前置控制電路

前置放大電路控制磁頭感應(yīng)的信號(hào)、主軸電機(jī)調(diào)速、磁頭驅(qū)動(dòng)和伺服定位等。由于磁頭讀取的信號(hào)微弱，將放大電路密封在腔體內(nèi)可減少外來(lái)信號(hào)的干擾，提高操作指令的準(zhǔn)確性。第30頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

第31頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月工作原理初始化工作狀態(tài)當(dāng)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器加電正常工作后，利用控制電路中的單片機(jī)初始化模塊進(jìn)行初始化工作，初始化完成后主軸電機(jī)將啟動(dòng)并高速旋轉(zhuǎn)，裝載磁頭的小車(chē)機(jī)構(gòu)移動(dòng)，將浮動(dòng)磁頭置于盤(pán)片表面的00道，處于等待指令的啟動(dòng)狀態(tài)。硬盤(pán)的工作原理非常復(fù)雜，在這里我們以硬盤(pán)的一個(gè)工作流程來(lái)講述硬盤(pán)的工作原理。接收到微機(jī)系統(tǒng)傳來(lái)的指令信號(hào)時(shí)，該指令信號(hào)通過(guò)前置放大控制電路，驅(qū)動(dòng)音圈電機(jī)發(fā)出磁信號(hào)，根據(jù)感應(yīng)阻值變化的磁頭對(duì)盤(pán)片數(shù)據(jù)進(jìn)行正確定位并將接收后的數(shù)據(jù)信息解碼，然后通過(guò)放大控制電路傳輸?shù)浇涌陔娐罚答伣o主機(jī)系統(tǒng)以完成指令操作。第32頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的分類1．按盤(pán)徑尺寸分類目前的硬盤(pán)產(chǎn)品按內(nèi)部盤(pán)徑尺寸分為5.25in、3.5in、2.5in、1.8in、1in等幾種。

5.25in硬盤(pán)已經(jīng)退出市場(chǎng)；

3.5in硬盤(pán)主要用在臺(tái)式機(jī)中；

2.5in硬盤(pán)主要用在筆記本電腦中；

1.8in和1in硬盤(pán)主要用在小型筆記本電腦、PDA、MP3、CF卡中，被稱為微硬盤(pán)。第33頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

第34頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2．按接口類型分類（1）IDE接口

IDE是智能驅(qū)動(dòng)設(shè)備（IntelligentDriveElectronics）或集成驅(qū)動(dòng)設(shè)備（IntegratedDriveElectronics）的縮寫(xiě)。

IDE接口硬盤(pán)采用ATA（AdvancedTechnologyAttachment）規(guī)范，因此一般也稱IDE硬盤(pán)為ATA硬盤(pán)。第35頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月IDE接口

第36頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2000年Intel發(fā)布SATA接口技術(shù)，現(xiàn)在SATA硬盤(pán)已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)的PATA硬盤(pán)，成為市場(chǎng)上的主流。

SATA1.0數(shù)據(jù)傳輸速率的有效帶寬峰值為150MB/s。

SATA2.0標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)傳輸速率為300MB/s。

SATA3.0標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)傳輸速率為600MB/s。目前硬盤(pán)實(shí)際應(yīng)用的最新SATA版本是SATA2.5。（2）SerialATA（簡(jiǎn)稱SATA）接口第37頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月SATA接口

第38頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月（3）SCSI接口

SCSI（SmallComputerSystemInterface，小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口）最早研制于1979年，最初是為小型計(jì)算機(jī)研制的一種接口技術(shù)，但隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在它被完全移植到了普通微機(jī)上。SCSI規(guī)范發(fā)展到今天，已經(jīng)是第6代技術(shù)了，從剛創(chuàng)建的SCSI（8位）、WideSCSI（8位）、UltraWideSCSI（8位/16位）、UltraWideSCSI2（16位）、Ultra160SCSI（16位）到今天的Ultra320SCSI，數(shù)據(jù)傳輸速率從1.2MB/s發(fā)展到現(xiàn)在的320MB/s，有了質(zhì)的飛躍。SCSI硬盤(pán)同樣也發(fā)展到了第6代產(chǎn)品。第39頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月SCSI接口第40頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3．按存儲(chǔ)技術(shù)分類傳統(tǒng)的硬盤(pán)采用IBM的溫徹斯特（Winchester）技術(shù)，而新型的硬盤(pán)采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)，即固態(tài)硬盤(pán)（Solid-StateDisk，SSD）。三星電子、TDK、Sandisk、PQI、A-Data等公司通過(guò)Flash芯片制造了32GB、64GB、128GB等容量，采用IDE、SATA接口的SSD固態(tài)硬盤(pán)，這種產(chǎn)品主要用在小型筆記本電腦（UMPC）、平板電腦（TabletPC）等市場(chǎng)。第41頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月固態(tài)硬盤(pán)第42頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月6.4硬盤(pán)的主要性能指標(biāo)

容量轉(zhuǎn)速道至道時(shí)間平均潛伏期平均尋道時(shí)間14253全程訪問(wèn)時(shí)間6第43頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月6.4硬盤(pán)的主要性能指標(biāo)

平均訪問(wèn)時(shí)間最大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率硬盤(pán)表面溫度外部數(shù)據(jù)傳輸速率高速緩存7108119平均故障間隔時(shí)間12第44頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月1.容量(Capacity)硬盤(pán)容量的單位為MB或GB。目前，主流硬盤(pán)的容量一般為80GB～2TB。影響硬盤(pán)容量的因素為單盤(pán)容量和盤(pán)片數(shù)量。

注意在計(jì)算機(jī)中1GB=1024MB，而硬盤(pán)廠家通常按照1GB=1000MB換算。第45頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.平均尋道時(shí)間(AverageSeekTime)硬盤(pán)的平均尋道時(shí)間是指硬盤(pán)的磁頭從初始位置移動(dòng)到盤(pán)面指定的磁道所需的時(shí)間，單位為ms(毫秒)，這個(gè)時(shí)間是影響硬盤(pán)內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率的重要參數(shù)。

注意硬盤(pán)讀取數(shù)據(jù)時(shí)，要經(jīng)過(guò)一個(gè)平均尋道時(shí)間和一個(gè)平均等待時(shí)間，即平均訪問(wèn)時(shí)間=平均尋道時(shí)間+平均等待時(shí)間第46頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3.轉(zhuǎn)速(RotationalSpeed)硬盤(pán)的轉(zhuǎn)速是指硬盤(pán)盤(pán)片每分鐘轉(zhuǎn)過(guò)的圈數(shù)，即硬盤(pán)內(nèi)主軸的轉(zhuǎn)動(dòng)速度，單位為r/min。一般硬盤(pán)的轉(zhuǎn)速都可達(dá)到5400r/min，目前臺(tái)式微機(jī)硬盤(pán)的主流轉(zhuǎn)速是7200r/min，有些SCSI硬盤(pán)使用了液態(tài)軸承技術(shù)，轉(zhuǎn)速可達(dá)10000～15000r/min。

第47頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月4.平均潛伏期(Averagelatency)平均潛伏期是指當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在的磁道后，等待所要的數(shù)據(jù)塊繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)(半圈或多些、或少些)到磁頭下的時(shí)間，單位為ms。

第48頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

5.道至道時(shí)間(SingleTrackSeek)道至道時(shí)間是指磁頭從一磁道轉(zhuǎn)移至相鄰的另一磁道的時(shí)間，單位為ms。6.全程訪問(wèn)時(shí)間(MaxFullSeek)全程訪問(wèn)時(shí)間是指從磁頭開(kāi)始移動(dòng)直到最后找到所需要的數(shù)據(jù)塊所用的全部時(shí)間，單位為ms。第49頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月7.平均訪問(wèn)時(shí)間(AverageAccess)平均訪問(wèn)時(shí)間是指磁頭找到指定數(shù)據(jù)的平均時(shí)間，通常為平均尋道時(shí)間和平均潛伏時(shí)間之和，單位為ms?，F(xiàn)在不少硬盤(pán)廣告中所說(shuō)的平均訪問(wèn)時(shí)間大部分都是指平均尋道時(shí)間。注意第50頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月8.高速緩存(Cache)由于CPU與硬盤(pán)之間存在著巨大的速度差異，為解決硬盤(pán)在讀寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)CPU等待的問(wèn)題，在硬盤(pán)上可以設(shè)置適當(dāng)?shù)母咚倬彺?。硬盤(pán)高速緩存用于提高硬盤(pán)的讀寫(xiě)速度，當(dāng)然容量越大越好。目前，硬盤(pán)高速緩存的容量通常為8MB、16MB和32MB。第51頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

9.內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率(MaximumInternalDataTransferRate)內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率是指磁頭到硬盤(pán)高速緩存之間的最大數(shù)據(jù)傳輸速率，也叫持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸速率(SustainedTransferRate)，單位為Mb/s，它是影響硬盤(pán)整體速度的關(guān)鍵。內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率一般取決于硬盤(pán)的盤(pán)片轉(zhuǎn)速和盤(pán)片數(shù)據(jù)線密度(指同一磁道上的數(shù)據(jù)間隔度)。注意，在這項(xiàng)指標(biāo)中常常使用Mb/s為單位。第52頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

10.外部數(shù)據(jù)傳輸速率

(ExternalDataTransferRate)

通常稱為突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸速率(BurstDataTransferRate)，是指從硬盤(pán)緩沖區(qū)讀取數(shù)據(jù)的速率，常以數(shù)據(jù)接口速率代替，單位為MB/s。目前，主流硬盤(pán)普遍采用的是UltraATA66，它的最大外部數(shù)據(jù)傳輸速率為66.7MB/s。而在SCSI硬盤(pán)中，采用最新的Ultra160SCSI接口標(biāo)準(zhǔn)，其數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)160MB/s；采用光纖通道(FibreChannel)，其最大外部數(shù)據(jù)傳輸速率將可達(dá)200MB/s。第53頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

硬盤(pán)的內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率與外部數(shù)據(jù)傳輸速率的關(guān)系示意圖第54頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月11.硬盤(pán)表面溫度

(SurfaceTemperature)硬盤(pán)表面溫度是指硬盤(pán)工作時(shí)產(chǎn)生的使硬盤(pán)密封殼溫度上升的溫度。若硬盤(pán)工作時(shí)產(chǎn)生的溫度過(guò)高，將影響薄膜式磁頭(包括GMR磁頭)的數(shù)據(jù)讀取靈敏度，因此硬盤(pán)工作表面溫度較低的硬盤(pán)有更好的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)穩(wěn)定性。一般硬盤(pán)工作時(shí)，表面溫度在35～45℃之間。第55頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月12.平均故障間隔時(shí)間(MTBF)平均故障間隔時(shí)間(MeanTimeBetweenFailures，MTBF)是指硬盤(pán)從開(kāi)始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長(zhǎng)時(shí)間，單位是h(小時(shí))。一般硬盤(pán)的MTBF至少為3萬(wàn)到4萬(wàn)小時(shí)。這項(xiàng)指標(biāo)在一般的產(chǎn)品廣告或常見(jiàn)的技術(shù)特性表中并不提供，需要時(shí)可到具體生產(chǎn)該款硬盤(pán)的公司網(wǎng)站中查詢。第56頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月主流硬盤(pán)介紹目前，硬盤(pán)市場(chǎng)分別由希捷(Seagate)、邁拓(Maxtor)、西數(shù)(WesternDigital)等幾家廠商瓜分。1.希捷硬盤(pán)美國(guó)希捷(Seagate)科技公司成立于1979年，是目前全球最大的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器及相關(guān)零部件生產(chǎn)廠商。希捷的品牌標(biāo)志如圖所示。第57頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

希捷的品牌標(biāo)志第58頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2.西部數(shù)據(jù)硬盤(pán)西數(shù)(WesternDigital)是美國(guó)另一家硬盤(pán)廠商，創(chuàng)建于1970年，最初專門(mén)從事硬盤(pán)控制卡的制造，1988年后才開(kāi)始進(jìn)入硬盤(pán)制造領(lǐng)域。西數(shù)的品牌標(biāo)志如圖4-11所示。西數(shù)的品牌標(biāo)志第59頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3.東芝硬盤(pán)東芝(TOSHIBA)經(jīng)營(yíng)的產(chǎn)品種類包括東芝全線產(chǎn)品，具體到筆記本硬盤(pán)產(chǎn)品上看，目前東芝的主流筆記本硬盤(pán)已經(jīng)發(fā)展到5400r/min和8MB緩存的規(guī)格。作為閃存技術(shù)的鼻祖，東芝在筆記本硬盤(pán)緩存方面做得比較突出，從2002年就開(kāi)始推出了集成16MB緩存的筆記本硬盤(pán)。第60頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月

東芝的品牌標(biāo)志第61頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月選購(gòu)合適的硬盤(pán)

1．選擇盡可能大的容量硬盤(pán)的容量是非常關(guān)鍵的，大多數(shù)被淘汰的硬盤(pán)都是因?yàn)槿萘坎蛔悖荒苓m應(yīng)日益增長(zhǎng)的海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。在資金充裕的條件下，應(yīng)盡量購(gòu)買(mǎi)大容量硬盤(pán)，這是因?yàn)槿萘吭酱?，硬盤(pán)上每兆存儲(chǔ)介質(zhì)的成本就會(huì)越低，降低了使用成本。第62頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2．速度和緩存大小硬盤(pán)的轉(zhuǎn)速與其性能的提高是息息相關(guān)的，更高的主軸速度可以縮短硬盤(pán)的尋道時(shí)間并提高數(shù)據(jù)的傳輸速率，從而能夠進(jìn)一步提升硬盤(pán)的性能。當(dāng)今，轉(zhuǎn)速為7200r/min的硬盤(pán)是市場(chǎng)的主流硬盤(pán)。在性能方面，7200r/min比5400r/min有著明顯的提升，而在價(jià)格方面，前者并不比后者貴多少，因此建議用戶選擇7200r/min的硬盤(pán)。硬盤(pán)內(nèi)的高速緩存(Cache)為數(shù)據(jù)提供了緩存區(qū)，由于接口數(shù)據(jù)傳輸速率和內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸速率是不同的，因此高速緩存可作為緩沖區(qū)。緩存容量的大小與轉(zhuǎn)速一樣，與硬盤(pán)的性能有著密切的關(guān)系，大容量的緩存對(duì)硬盤(pán)性能的提高有著明顯的幫助。第63頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3．接口在選購(gòu)硬盤(pán)時(shí)還應(yīng)先了解要安裝的主板都支持哪些接口。目前市場(chǎng)上主流的主板都支持IDE接口與SATA接口。4．穩(wěn)定性硬盤(pán)的容量變大了，轉(zhuǎn)速加快了，穩(wěn)定性問(wèn)題越來(lái)越明顯，所以在選購(gòu)硬盤(pán)之前要多參考一些權(quán)威機(jī)構(gòu)的測(cè)試數(shù)據(jù)，不要選購(gòu)那些不太穩(wěn)定的硬盤(pán)。而在硬盤(pán)的數(shù)據(jù)和震動(dòng)保護(hù)方面，各個(gè)公司都有一些相關(guān)的技術(shù)給予支持，常見(jiàn)的保護(hù)措施有希捷的DS(DriveSelfTest)、西數(shù)的DataLifeguard、IBM的DFT和邁拓的ShockBlock和Maxsafe等。第64頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月5．觀察硬盤(pán)配件與防偽標(biāo)識(shí)用戶在購(gòu)買(mǎi)硬盤(pán)時(shí)應(yīng)注意不要購(gòu)買(mǎi)水貨，水貨硬盤(pán)與行貨硬盤(pán)最大的直觀區(qū)分就是有無(wú)包裝盒，此外還可以通過(guò)國(guó)內(nèi)代理商的包修標(biāo)貼和硬盤(pán)頂部的防偽標(biāo)識(shí)來(lái)確認(rèn)。6．售后服務(wù)購(gòu)買(mǎi)任何一款商品時(shí)，對(duì)售后服務(wù)一定要多加留意。對(duì)于硬盤(pán)，由于讀寫(xiě)操作比較頻繁，很容易老化，所以保修問(wèn)題更是突出。在國(guó)內(nèi)，硬盤(pán)的售后服務(wù)和質(zhì)量保障這方面各個(gè)廠商做得都不錯(cuò)。用戶購(gòu)買(mǎi)硬盤(pán)時(shí)要多加注意，千萬(wàn)不能購(gòu)買(mǎi)水貨，否則將不能得到商家的質(zhì)保。第65頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月安裝硬盤(pán)IDE接口硬盤(pán)的安裝IDE接口硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的安裝方法如下：（1）將硬盤(pán)固定在安裝架上。一般機(jī)箱都設(shè)有安裝硬盤(pán)的位置，先用專用螺釘（一般為粗絲）將硬盤(pán)固定在硬盤(pán)架上，然后將硬盤(pán)架用螺釘固定在該位置上，如圖7-14所示。安裝時(shí)，硬盤(pán)要緊固在托架上，不能晃動(dòng)，否則容易造成磁頭撞損盤(pán)面數(shù)據(jù)區(qū)，損壞硬盤(pán)。第66頁(yè)，課件共80頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月（2）連接硬盤(pán)電源線。硬盤(pán)電源插座為大的4芯電源線，顏色分