關(guān)于曹遜電脈沖誘發(fā)電阻轉(zhuǎn)變特性的二元氧化物RRAM存儲_第1頁
關(guān)于曹遜電脈沖誘發(fā)電阻轉(zhuǎn)變特性的二元氧化物RRAM存儲_第2頁
關(guān)于曹遜電脈沖誘發(fā)電阻轉(zhuǎn)變特性的二元氧化物RRAM存儲_第3頁
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文檔簡介

關(guān)于曹遜“電脈沖誘發(fā)電阻轉(zhuǎn)變特性的二元氧化物RRAM存儲單元”專利的公示根據(jù)上海有關(guān)部門2010年非上海生源畢業(yè)生申請進滬材料，“畢業(yè)生在本人最高學(xué)歷學(xué)習(xí)期間獲得或申請專利的，須提交專利證書復(fù)印件或?qū)＠暾埵芾碜C明（驗原件），并須提供經(jīng)校級就業(yè)主管部門在本校網(wǎng)站上公示無異議的書面證明材料原件”之規(guī)定，現(xiàn)將曹遜同學(xué)的專利情況公示如下：

中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所申請的專利“電脈沖誘發(fā)電阻轉(zhuǎn)變特性的二元氧化物RRAM存儲單元”發(fā)明人之一為我所2010年畢業(yè)生曹遜，學(xué)號200718004022020。專利材料見附件。

公示時間：2010年4月12日至2010年4月18日附件1：附件2：

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