激光晶體摻釹氟化鈣激光晶體元件Lasercrystals-Nd-dopedcalciumfluoridel2023-01-13發(fā)布2023-I本文件參照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》，GB/T請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。本文件由中國(guó)材料與試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)光電材料及產(chǎn)1激光晶體摻釹氟化鈣激光晶體元件將外界提供的能量通過(guò)光學(xué)諧振腔轉(zhuǎn)化為在空間和時(shí)間上相干、具有高度平行和單色性激光的晶摻釹氟化鈣激光晶體Nd-dopedcalciumfluoride 一種激光晶體屬立方晶系，空間群為Fm3m，分子式為2摻釹氟化鈣激光晶體元件Nd-dopedcalciumfluoridecryst激光損傷閾值laserdamagethr激光照射激光晶體元件，能使其表面或內(nèi)部發(fā)生局域破壞或光學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化的最低激光功率密波前畸變wavefrontdist4技術(shù)要求4.1.1外觀質(zhì)量摻釹氟化鈣激光晶體元件應(yīng)透明無(wú)色差，無(wú)氣泡、無(wú)裂紋、4.1.2散射顆粒摻釹氟化鈣激光晶體元件在波長(zhǎng)為1064nm處，單程損耗系數(shù)應(yīng)不大于0.4%cm-1。摻釹氟化鈣激光晶體元件波前畸變PVλ=632.8nmλ=632.8nm≤0.15λ≤0.65λ4.1.5釹離子濃度偏差摻釹氟化鈣激光晶體元件中釹離子濃度偏差應(yīng)不大于0.14.2加工質(zhì)量4.3膜層mm~0.5mm45.1物理性能5.1.2.1測(cè)試儀器波長(zhǎng)為532nm的綠光激光器，功率0.1W5.1.2.2試樣5.1.2.3實(shí)驗(yàn)步驟a）將Nd:CaF2激光晶體元件放置V型槽內(nèi)，調(diào)整Nd:CaFb)用0.1W～0.5W的線光源掃描晶體內(nèi)部的散射顆粒，通過(guò)調(diào)控功率，調(diào)控光斑的大小。從側(cè)面觀察散射亮點(diǎn)即為散射顆粒,使用顯微鏡進(jìn)行觀察內(nèi)部的散射顆c)調(diào)整Nd:CaF2激光晶體元件，使激光光束從另一端入射，重復(fù)b）步驟，并記錄散射顆?？倲?shù)5.1.2.4結(jié)果D——散射顆粒密度，單位為個(gè)每立方厘米（個(gè)/cm3V——Nd:CaF2激光晶體元件體積，單位為立方厘米（cm3）5.1.4.1儀器5.1.4.2試樣通光面尺寸不小于φ10mm，厚度不小于55.1.4.3實(shí)驗(yàn)步驟5.1.4.4結(jié)果5.1.5.1儀器5.1.5.2試樣5.1.5.3實(shí)驗(yàn)步驟1）按JY/T015測(cè)定Nd:CaF2激光晶體樣品1與樣品2的釹離2）按式（2）將Nd:CaF2激光晶體樣品1與樣品2的釹離子質(zhì)量分?jǐn)?shù)（%）轉(zhuǎn)換為摩爾分?jǐn)?shù)（%）：y——Nd:CaF2激光晶體摻釹離子的質(zhì)量分?jǐn)?shù)，%。5.1.5.4結(jié)果C——Nd:CaF2激光晶體摻釹離子的摩爾分?jǐn)?shù)，用檢定合格的量具測(cè)量摻釹氟化鈣激光晶體元件外觀，公差的測(cè)試方法按GJB1525中6按照GB/T22453中規(guī)定執(zhí)行。按照GB/T22453中規(guī)定執(zhí)行。按照GB/T22453中規(guī)定執(zhí)行。5.2.6.1測(cè)試儀器5.2.6.2測(cè)試方法5.2.7倒角5.2.7.1測(cè)試儀器5.2.7.2測(cè)試方法5.3膜層脈寬為10ns~30ns，重復(fù)頻率為(10±1)Hz。每個(gè)測(cè)試點(diǎn)連續(xù)照射10個(gè)脈沖，光斑直徑為0.25b）正式生產(chǎn)后，如設(shè)備、原材料、工藝較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時(shí)；14.1.1●●24.1.2●●34.1.3●—44.1.4●●5●●6●●7●●8●●9●●●●●●●●●—8產(chǎn)品的各項(xiàng)性能要求應(yīng)符合表4的規(guī)定，若有一項(xiàng)指標(biāo)不合格