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文檔簡介

Introducing

IonImplantationProcess注入工藝的基本原理所謂離子注入就是先使待摻雜的原子(或分子)電離成離子,再加速到一定的能量,使之注入到晶體中,然后經(jīng)過退火使雜質(zhì)激活,達到摻雜的目的。注入工藝的基本原理離子注入及退火過程示意。注入工藝的基本原理注入Si中的離子將形成空穴或電子，從而改變半導(dǎo)體的電性能。注入工藝的基本原理通過離子注入及其他工序作業(yè)后最終形成的MOS管及其他器件。注入機的基本組成注入機本體可分為三大部分:

1.離子源；

2.束線部分；

3.靶室及終端臺；

注入機的基本組成離子源燈絲加電后產(chǎn)生的熱電子在電磁場的作用下,獲得足夠的能量后撞擊摻雜氣體分子或原子,使之電離成離子,再經(jīng)吸極吸出,通過聚焦成為離子束,然后進入束線部分.簡單的說離子源就是產(chǎn)生有能量的離子束的地方.Sourcemagnetsettoolow在離子源上下各有一個磁場，主要是利用羅倫磁力的作用，使的產(chǎn)生的電子走弧線，這樣可以更多機會進行碰撞或得更高的電離率，但設(shè)置太低或太高都不利于電離率的提高。SOURCEMAGNET設(shè)置太低。SourcemagnetsettoohighSOURCEMAGNET設(shè)置太高。形成束流在ARCCHAMBER內(nèi)產(chǎn)生的離子，在吸極的作用下形成離子束，也就是我們通常所說的束流.抑制極作用Supply-1和Supply-2的作用；在束流有點偏的情況下通用電場力使束流通過吸極縫，達到最大的利用束流，減少束流的損耗同時抑制極還能抑制產(chǎn)生的二次電子，防止二次電子對離子源的損壞。束線部分

當離子進入束線部分后它將經(jīng)過多道處理,以使我們得到所需要的離子.主要包括1.磁分析器2.聚焦透鏡3.法拉弟杯4.后加速電極5.電子浴發(fā)生器等

磁分析器

作用：位于高壓端的磁分析器，利用不同荷質(zhì)比的離子在磁場下運動軌跡的不同將離子分離，選出所需的雜質(zhì)離子束流發(fā)散

由于束流是由很多正離子形成的，同性相撤，束流將會越來越發(fā)散，所以我們使用聚焦及在束流周圍產(chǎn)生電子來保持束流的不發(fā)散。DOSECOUNT

劑量控制示意圖。靶室及終端臺

作用：1.注入掃描

2.注入角度設(shè)定

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