二影響沉淀純度的因素1共沉淀現(xiàn)象溶液中某些可溶性雜質(zhì)混雜于_第1頁
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3:46下午221．共沉淀現(xiàn)象溶液中某些可溶性雜質(zhì)混雜于沉淀中一起析出的現(xiàn)象。主要包括表面吸附、生成混晶和吸留等。二、影響沉淀純度的因素

(1)表面吸附在沉淀晶體表面的離子或分子與沉淀晶體內(nèi)部的離子或分子所處的狀況是有所不同的。例如，用過量BaCl2作沉淀劑，沉淀SO42-時：3:46下午23BaSO4晶體表面吸附示意圖Ba2+Ba2+Ba2+Cl-Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-Ba2+Ba2+Ba2+SO42-SO42-SO42-Cl-表面第一吸附層共沉淀雙電層晶格3:46下午24首先吸附溶液中與沉淀組成相同的離子雜質(zhì)離子與構(gòu)晶離子形成沉淀的溶解度越小，越易被吸附多種離子同時存在時，對于帶電荷多的離子更易被吸附吸附規(guī)律：表面吸附產(chǎn)生原因：

晶體表面靜電引力3:46下午25

減小或消除方法：洗滌沉淀，減小表面吸附適當(dāng)提高溶液溫度制備大顆粒沉淀或晶形沉淀，減小表面積溶液中雜質(zhì)濃度：濃度↑，吸附量↑沉淀表面積：晶體粒度↑、表面積↓，吸附量↓

溫度：溫度↑，吸附量↓吸附量：3:46下午26（2）包夾作用減小或消除方法：將雜質(zhì)事先分離除去例：BaSO4與PbSO4

；AgCl與AgBr同型混晶

BaSO4中混入KMnO4（粉紅色）異型混晶①形成混晶：存在與構(gòu)晶離子晶體構(gòu)型相同、離子半徑相近、電子層結(jié)構(gòu)相同的雜質(zhì)離子，沉淀時進入晶格中形成混晶。3:46下午27②包藏（吸留）沉淀速度過快，表面吸附的雜質(zhì)來不及離開沉淀表面就被隨后沉積下來的沉淀所覆蓋，包埋在沉淀內(nèi)部，這種因吸附而留在沉淀內(nèi)部的共沉淀現(xiàn)象。減少或消除方法：改變沉淀條件（沉淀劑濃度不能太大、加入速度不能太快）重結(jié)晶或陳

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