光伏電鍍銅技術(shù)市場(chǎng)分析

LN型電池加速滲透，電鍍銅技術(shù)或助力“去銀”降本

1.1.長(zhǎng)期看好HJT,降低銀耗迫在眉睫

N型電池滲透加速,預(yù)計(jì)至2025年市占率接近半成。根據(jù)PVinfolink,

預(yù)計(jì)至2025年，以HJT和TOPCon為代表的N型電池市占率將接

近50%,而在2022年N型電池的市占率預(yù)計(jì)不超過(guò)10%。根據(jù)SMM

統(tǒng)計(jì)（截至2022年11月），至2023年底Topcon電池產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)

305.9GW（年新增產(chǎn)能將達(dá)至U228.5GW）；2023年HJT新增規(guī)戈ij

投產(chǎn)為61.8GW,若按照規(guī)劃全部達(dá)產(chǎn)后，2023年HJT產(chǎn)能將達(dá)到

101.2GWo

N型電池效率優(yōu)勢(shì)明顯，短期HJT、TOPCon、舊C多技術(shù)并存，中

長(zhǎng)期看好HJT。HJT電池較PERC電池的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在更高的效率上

限，自2021年9月起各廠家不斷突破HJT電池實(shí)驗(yàn)室效率上限，根

據(jù)2022年12月15日隆基綠能的公告，公司HJT電池實(shí)驗(yàn)室效率

達(dá)26.56%,至理論極限28.5%仍有不小空間。另外同屬N型電池,

HJT電池較TOPCon電池工序步驟更少，對(duì)應(yīng)良率上限更高。我們

認(rèn)為，雖然現(xiàn)階段HJT高額的設(shè)備投資造成部分廠家的觀望，伴隨

PERC效率逐漸達(dá)到瓶頸以及降本路線的逐漸落地，各廠家或加速擴(kuò)

產(chǎn)，助力HJT電池產(chǎn)能放量。

現(xiàn)階段HJT電池面臨銀漿耗量大+價(jià)格貴的問(wèn)題。根據(jù)CPIA,2021

年M6尺寸P型電池平均銀漿（正銀+背銀）耗量96.4mg/片；TOPCon

電池正面使用的銀鋁漿（95%銀）消耗量約75.1mg/片；異質(zhì)結(jié)電池

雙面低溫銀漿消耗量約190.0mg/片，異質(zhì)結(jié)電池總的銀耗量同比減

少14.9%,超過(guò)P型電池同比下降10.2%,但總耗量仍是P型電池

的2倍。

圖1:N型電池預(yù)計(jì)至2025年市占率接近50%

此外，N型電池所用銀漿國(guó)產(chǎn)化程度產(chǎn)生較大分歧，區(qū)別于P型

PERC和TOPCon電池可以使用高溫銀漿，HJT電池通常只能使用

低溫銀漿（燒結(jié)溫度250℃以下），而低溫主柵銀漿國(guó)產(chǎn)率在10%

左右，細(xì)柵用銀漿全部依賴進(jìn)口（日本京都電子、德國(guó)漢高公司、美

國(guó)杜邦公司等市占率超80%）,造成賣方溢價(jià)。另外，采用低溫銀

漿還存在印刷速度低（250-280mm/s,對(duì)比PERC350~450mm/s）

和線型寬（38?42um,對(duì)比PERC22~26um）的問(wèn)題，進(jìn)一步制約

了HJT電池的量產(chǎn)商用化。

拆解電池成本，銀漿占電池片總成本13%,占非硅成本51%。根據(jù)

SOLARZOOM新能源智庫(kù)，我們對(duì)M6尺寸N型HJT電池片成本進(jìn)

行拆解，部分假設(shè)略作修正:進(jìn)口低溫銀漿價(jià)格約8500-9500元/kg,

我們?nèi)°y漿價(jià)格8500元/kg,假設(shè)22年銀漿消耗量在21年基礎(chǔ)上

再下降30%左右，取135mg/片；靶材價(jià)格按2000元/kg估算；M6

尺寸硅片按6.35元/片估算，按6.89W/片折算。目前，降低銀耗的路

徑包括多主柵（MBB）技術(shù)、激光轉(zhuǎn)印技術(shù)、低溫銀漿國(guó)產(chǎn)化、銀

包銅技術(shù)和電鍍銅技術(shù)。在考慮仍使用銀粉作為原材料的路線中，銀

包銅技術(shù)（降低銀耗）、多主柵技術(shù)和激光轉(zhuǎn)印、外加銀粉國(guó)產(chǎn)化可

以實(shí)現(xiàn)并聯(lián)，預(yù)計(jì)總體降本60?70%。銀包銅技術(shù)雖然能夠降低含銀

量，但該降低有所上限，且同樣會(huì)降低部分效率（約在0.2%以內(nèi)），

從而在總效益提升上不明顯。而電鍍銅技術(shù)與上述路線并行，旨在直

接擺脫銀漿的依賴，有望在降低銀耗的同時(shí)提升效率。

1.2.電鍍銅技術(shù)有望助力HJT電池降本增效

電鍍技術(shù)是利用電化學(xué)方法在導(dǎo)電固體表面沉積一層薄金屬、合金或

復(fù)合材料的過(guò)程。電鍍銅技術(shù)屬于一種特殊的電解過(guò)程，利用電解原

理在導(dǎo)電層表面沉積銅，主要基于種子層?xùn)啪€的方法替代絲網(wǎng)印刷制

作電極，一般使用含銀的電鍍液，再用銅鍍層，從而減少銀漿用量,

或者用銅鍍層完全代替銀漿，使成本更具有競(jìng)爭(zhēng)力。銅作為銀的“替

圖13:濺射鍍膜原理

2.“種子層制備+圖形化+金屬化+后處理”四大環(huán)節(jié)構(gòu)建整套工藝

電鍍銅技術(shù)路線是對(duì)傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷環(huán)節(jié)的替代，可以分為“種子層制

備+圖形化+金屬化+后處理”四大環(huán)節(jié)。以HJT電池為例，為了實(shí)現(xiàn)

銅電鍍，即金屬化，首先需要在TCO膜之后鍍一層金屬（如銅）種

子層；再將感光膠膜（如光刻膠、油墨等）貼敷在種子層上作為圖形

化前期準(zhǔn)備，隨后采用曝光、顯影處理；再使用電鍍工藝加厚種子層；

最后再去掉掩膜及種子層；電池正反兩面均需重復(fù)此項(xiàng)操作。

涉及電鍍銅技術(shù)的廠商可以分為深耕光伏領(lǐng)域設(shè)備商的前瞻布局+細(xì)

分環(huán)節(jié)龍頭廠商的橫向拓展。目前，捷得寶、金石能源和邁為股份涉

及電鍍銅整線的布局，種子層環(huán)節(jié)布局多以電池片設(shè)備廠商為主；圖

形化環(huán)節(jié)多方案并行，各家廠商（芯基微裝、蘇大維格、帝爾激光等）

進(jìn)展不一；電鍍環(huán)節(jié)工藝主要在水平鍍（捷得寶、寶馨科技等）和垂

直鍍（東威科技等）兩大路線中抉擇。

2.1.種子層制備：PVD對(duì)工藝溫度要求較低，為目前主流方案

電鍍銅路線的第一步是種子層的制備，用來(lái)增加電鍍銅與TCO層之

間的附著力。若直接在TCO上進(jìn)行電鍍，會(huì)因?yàn)楦街κ欠兜氯A力

（鍍層和TCO間的物理接觸產(chǎn)生）而容易引起電極的脫落，而銅與

TCO的接觸特性是影響HJT電池載流子收集、附著特性及電性能提

高的重要因素，另外直接在TCO上電鍍銅是非選擇性的。為此，在

電鍍前在TCO表面沉積一層極薄的種子層（100nm）,可以改善銅

和TCO接觸及附著特征，隨后沉積圖形化的掩膜，以實(shí)現(xiàn)選擇性電

鍍。

在種子層制備方式上，包括物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積

（CVD）等。物理氣相沉積是在真空或低壓氣體放電條件下（即在等

離子體中進(jìn)行的），經(jīng)過(guò)“蒸發(fā)或?yàn)R射”后，在物體表面生成與基材料

性能完全不同的新固態(tài)涂層過(guò)程；而化學(xué)氣相沉積則是把含有構(gòu)成薄

膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入

反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過(guò)程。PVD和CVD主

要區(qū)別體現(xiàn)在工藝溫度上，目前主流方法為PVD制備。CVD對(duì)工藝

溫度要求較高（爐內(nèi)溫度在800~1000℃）,并且在高溫條件下鍍層

結(jié)合強(qiáng)度會(huì)更強(qiáng)，相比較而言，PVD對(duì)工藝溫度要求較低（500℃或

更低）。此外，PVD和CVD在適用范圍、鍍膜效果、投資成本和生

產(chǎn)周期方面各有千秋，以PVD為例，其設(shè)備投資較貴，但對(duì)應(yīng)生產(chǎn)

周期更短；鍍膜可以做到更?。??5pm）,但涂層結(jié)合強(qiáng)度會(huì)更低。

表5:PVD和CVD工藝對(duì)比：目前PVD為主流

CVDPVD

化學(xué)反應(yīng)物理手段

沉積原理

可能產(chǎn)生有毒氣體環(huán)境友好_________

高溫較高溫度較低

溫度要求

高溫鍍層結(jié)合強(qiáng)度要更強(qiáng)（500C或更低）

適用范圍適用范圍廣適用場(chǎng)景有局限

涂層性合度高低

鍍膜好鍍膜略厚（10?20pm）鍍,膜較?。??5pm）

設(shè)備投資額低高

生產(chǎn)周期較長(zhǎng)較短

金石能源、拓荊科技、邁為股份、金石能源、

代表公司

北方華創(chuàng)捷佳偉創(chuàng)

種子層也起到阻擋層的作用，一般選擇導(dǎo)電性能良好的銀。以

TOPCon電池為例，晶硅電池若采用銅電極的挑戰(zhàn)在于銅在硅基內(nèi)的

擴(kuò)散速度很快，若不加以控制，會(huì)導(dǎo)致晶硅電池的失效，造成轉(zhuǎn)換效

率大幅降低，因此需要合適的擴(kuò)散阻擋層（種子層）來(lái)阻擋銅離子進(jìn)

入晶硅內(nèi)部。銀由于與銅在晶硅內(nèi)部的沉淀規(guī)律不同（在硅基內(nèi)部擴(kuò)

散的量較少），都處于硅基表面，且銀與硅在370℃的退火溫度下就

可以形成良好的硅銀合金，因此銀是作為種子層較好的材料。相比較

而言，HJT電池最外層的TCO是天然的阻擋層材料，因此HJT電池

電鍍銅工藝也可以選擇不制備種子層，但如何保證銅與TCO的有效

歐姆接觸也是問(wèn)題（TCO不耐高溫）。

2022年9月，邁為股份聯(lián)合澳大利亞金屬化技術(shù)公司SunDrive采用

邁為自主創(chuàng)新的可量產(chǎn)微晶設(shè)備技術(shù)和工藝研制的全尺寸（M6,

274.5cm2）N型晶硅異質(zhì)結(jié)電池，其轉(zhuǎn)換效率高達(dá)26.41%,而在電池

的金屬化方面，SunDrive優(yōu)化了其無(wú)種子層直接電鍍工藝，使電極

高寬比得到提升（柵線寬度可達(dá)9pm,高度7pm）。

2.2,圖形化：光刻路線和激光路線并行，主流工藝仍在探索

圖形化是電鍍銅整個(gè)工藝路線中的重要環(huán)節(jié)，主要分為光刻路線和激

光路線兩種。方案一：光刻路線（利用光學(xué)?化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、

物理刻蝕等方法，將設(shè)計(jì)好的微圖案轉(zhuǎn)移到基板表面），在基板上先

進(jìn)行薄膜沉積一涂感光材料（光刻膠、油墨等）一光刻一顯影一刻蝕

一脫膠，各環(huán)節(jié)相互影響、相互制約，其中曝光是光刻技術(shù)中最重要

的環(huán)節(jié)。

根據(jù)感光材料使用的類別，又可以分為干膜光刻和濕膜光刻。濕膜光

刻所用的光刻膠是正膠，而干膜光刻所用的光刻膠是負(fù)膠，在需要相

同的圖形時(shí)，二者采用的掩膜板是相反的。1）干膜（負(fù)膠）是一種

高分子化合物，它通過(guò)紫外線的照射后產(chǎn)生一種聚合反應(yīng)（由單體合

成聚合物的反應(yīng)過(guò)程），形成一種穩(wěn)定的物質(zhì)附著于基板表面，從而

達(dá)到阻擋電鍍和蝕刻的功能，即顯影時(shí)曝光區(qū)的光刻膠被保留。2）

濕膜（正膠）相對(duì)T膜而言，是?種感光油墨，是指對(duì)紫外線敏感，

并且能通過(guò)紫外線固化的一種油墨，即顯影時(shí)非曝光區(qū)的光刻膠被保

留。

濕膜光刻比干膜光刻多一道烘烤環(huán)節(jié)，但其性能優(yōu)異和成本低，為目

前主流路線。1）工藝上，濕膜光刻工藝簡(jiǎn)單，雖然耗時(shí)較長(zhǎng)，但光

刻效果質(zhì)量高；干膜光刻雖然沒(méi)有烘烤環(huán)節(jié)可以節(jié)省很多時(shí)間，但操

作起來(lái)比較難控制，由于沒(méi)有烘烤環(huán)節(jié)顯影過(guò)程中的顯影液會(huì)使得膠

膜吸水膨脹，出現(xiàn)膨脹溶脹現(xiàn)象，使得殘留的溶液較難處理。2）性

能上，濕膜的對(duì)比度、分辨率和反應(yīng)速度等性能指標(biāo)更加優(yōu)異，使其

應(yīng)用范圍更為廣泛。3）成本上，濕膜（油墨）的成本較干膜更低，

更適合光伏電池大規(guī)模的生產(chǎn)。

圖18:PERC電池電鍍銅實(shí)例

根據(jù)是否使用掩模版，光刻技術(shù)可以分為直寫(xiě)光刻和掩膜光刻。其中,

掩膜光刻可進(jìn)一步分為接近/接觸式光刻以及投影式光刻。1）直寫(xiě)光

刻（無(wú)掩膜光刻），是指將計(jì)算機(jī)控制的高精度光束聚焦投影至涂覆

有感光材料的基材表面，整個(gè)過(guò)程無(wú)需掩膜而直接進(jìn)行掃描曝光。直

寫(xiě)光刻根據(jù)輻射源的不同又可以分為光學(xué)直寫(xiě)光刻（激光直寫(xiě)光刻）

和帶電粒子直寫(xiě)光刻（電子束直寫(xiě)、離子束直寫(xiě)等）。2）掩膜光刻，

由光源發(fā)出的光束經(jīng)掩膜版在感光材料上成像。具體乂可分為接近、

接觸式光刻以及投影光刻。相較于接觸式光刻和接近式光刻技術(shù)，投

影式光刻技術(shù)更加先進(jìn)，通過(guò)投影的原理能夠在使用相同尺寸掩膜版

的情況下獲得更小比例的圖像，從而實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的成像。

精度高+靈活性強(qiáng)，直寫(xiě)光刻設(shè)備有望在電鍍銅圖形化環(huán)節(jié)發(fā)力。以

PCB應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)槔?）精度方面，直寫(xiě)光刻解析能力由微鏡尺寸及

成像鏡頭縮放倍率決定，避免了底片的限制與影響，可以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)

的線寬。目前直接成像技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)最高精度可達(dá)5Pm的線寬，而

使用傳統(tǒng)曝光底片（銀鹽膠片）的傳統(tǒng)曝光技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)最高精度一

般約50Pm左右。2）靈活度方面，特定型號(hào)的掩膜版使用壽命相對(duì)

較短，會(huì)加劇掩膜版投入成本，尤其是新產(chǎn)品研發(fā)成本高、周期長(zhǎng),

外加實(shí)際使用時(shí)更換底片等環(huán)節(jié)，故直寫(xiě)光刻工藝靈活度更高。值得

一提的是，直寫(xiě)光刻技術(shù)目前還受限于生產(chǎn)效率等方面問(wèn)題，如帶電

粒子直寫(xiě)光刻技術(shù)的生產(chǎn)效率較低，且在大規(guī)模生產(chǎn)中會(huì)產(chǎn)生較為嚴(yán)

重的鄰近效應(yīng)。

方案二：激光路線，包括激光開(kāi)槽和激光轉(zhuǎn)印兩種。激光開(kāi)槽在太陽(yáng)

能電池電鍍銅中具備應(yīng)用前景，但與HJT電池工藝不兼容。由于HJT

電池的本征和摻雜非晶硅層（a-Si層）厚度均小于20nm,激光束將

造成鈍化層的嚴(yán)重?fù)p壞，使得在不影響器件性能的情況下燒灼TCO

層變得不可能。為解決上述問(wèn)題，可以通過(guò)以下方案來(lái)解決：首先在

TCO層上沉積AI2O3/a-Si疊層（a-Si層作為吸收劑應(yīng)用于激光照射,

使AI2O3薄膜IX域被燒蝕）一其次在TCO上通過(guò)激光開(kāi)槽形成電鍍

開(kāi)口一沉積種子層（鍥）一電鍍銅。由于沉積AI2O3/a?Si疊層的方

法僅適用單面電鍍，外加兩個(gè)額外工藝步驟，并不適用于雙面電鍍太

陽(yáng)能電池。

相較激光開(kāi)槽，激光誘導(dǎo)正向轉(zhuǎn)移（LIFT）可適用于HJT電池。LIFT

技術(shù)工藝流程相對(duì)簡(jiǎn)單：首先在TCO薄膜上沉積一層電介質(zhì)作為鍍

膜一將種子層正向誘導(dǎo)至太陽(yáng)能電池上一種子層通過(guò)燒制與TCO形

成良好接觸一電鍍銅。其中，無(wú)機(jī)材料的厚度通常為幾十納米，電極

形貌與較厚的有機(jī)鍍膜相比更加平滑，且可以通過(guò)調(diào)整鍍液來(lái)抑制橫

向生長(zhǎng)，從而實(shí)現(xiàn)更大的高寬比。圖形化環(huán)節(jié)光刻路線和激光路線并

行，主流工藝仍在探索。1）光刻路線方面，以芯基微裝為代表，其

直寫(xiě)光刻設(shè)備現(xiàn)階段已可應(yīng)用于電鍍銅方案，正與相關(guān)產(chǎn)業(yè)方就上述

方案在光伏領(lǐng)域的量產(chǎn)應(yīng)用進(jìn)行合作，但目前暫未形成量產(chǎn)出貨。2）

激光路線方面，以帝爾激光為代表，其電鍍工藝在前期TOPCon電

池上已實(shí)現(xiàn)較好的中試應(yīng)用，且在2022年舊C上又有更進(jìn)一步的突

破。目前'已取得電鍍銅激光設(shè)備的量產(chǎn)訂單。

圖19:TOPCon電池電鍍銅實(shí)例

2.3.金屬化：垂直鍍技術(shù)成熟但產(chǎn)量受限，水平鍍有望助力產(chǎn)能放量

垂直鍍工藝成熟但產(chǎn)能有限，難以支撐大規(guī)?；纳a(chǎn)。根據(jù)東威科

技（國(guó)內(nèi)PCB電鍍?cè)O(shè)備龍頭）招股書(shū)顯示，目前其垂直連續(xù)電鍍?cè)O(shè)

備相對(duì)成熟（在均勻性和貫孔率等關(guān)鍵指標(biāo)上表現(xiàn)良好），是PCB

下游廠商的首選。在采用垂直鍍對(duì)光伏電池進(jìn)行銅電鍍時(shí)，需要利用

陰電極夾具夾持住太陽(yáng)電池（壓針與特別設(shè)計(jì)的開(kāi)膜區(qū)域接觸）一然

后將電池浸泡在種子層為銀的鍍槽中一鍍完鎮(zhèn)后經(jīng)過(guò)清洗槽后再提

拉至水槽清洗一清洗后提拉至電鍍銅槽進(jìn)行銅電鍍一再提拉至水槽

清洗，后再提拉至錫槽鍍錫（錫的厚度約為1微米，用以防氧化，銅

較銀更容易氧化）。根據(jù)垂直鍍的工藝流程，可以發(fā)現(xiàn)受限于機(jī)械結(jié)

構(gòu)限制單槽夾持的電池片數(shù)目，以及考慮夾住硅片并進(jìn)行上下移動(dòng)的

耗時(shí)，垂直鍍路線的產(chǎn)能將受限（目前東威科技垂直鍍?cè)O(shè)備量產(chǎn)水平

約7000片/小時(shí)）c

水平鍍與垂直鍍?cè)硐嗤?，但生產(chǎn)的速度和效率要更高。水平鍍是在

垂直鍍基礎(chǔ)上發(fā)展的新穎電鍍技術(shù)，該技術(shù)需要與鍍液和輔助裝置等

實(shí)現(xiàn)良好的相互配合。與垂直鍍?cè)硐嗤?，水平鍍也必須具有陰?yáng)兩

極，通電后產(chǎn)生電極反應(yīng)使電解液主成份產(chǎn)生電離，使帶電的正離子

向電極反應(yīng)區(qū)的負(fù)相移動(dòng)；帶電的負(fù)離子向電極反應(yīng)區(qū)的正相移動(dòng)，

于是產(chǎn)生金屬沉積鍍層和放出氣體。在傳送方面，水平鍍采用鏈?zhǔn)絺?/p>

輸（滾輪旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)電池片移動(dòng)），而其中一側(cè)滾輪為導(dǎo)電材料形成電

鍍系統(tǒng)的陰電極，電池在水平傳輸過(guò)程中與陰電極滾輪保持連續(xù)的或

幾乎連續(xù)的接觸，從而實(shí)現(xiàn)銅電鍍。為此，只需要設(shè)計(jì)合適長(zhǎng)度的槽

體，提高傳輸?shù)乃俣?，即可?shí)現(xiàn)理想的單位時(shí)間產(chǎn)片量，使其滿足大

規(guī)模量產(chǎn)化需求。

水平鍍與垂直鍍實(shí)際效果差異不大，各廠商正積極研發(fā)驗(yàn)證。根據(jù)捷

得寶在2021年8月更新的水平電鍍?cè)O(shè)備數(shù)據(jù)來(lái)看，該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)

雙面同時(shí)電鍍和較佳的均勻性，產(chǎn)速以M2計(jì)算，可達(dá)6000片/小時(shí)

（目標(biāo)10000片/小時(shí)）。而目前進(jìn)展較快的羅博特科在2022年12

月26日實(shí)現(xiàn)首創(chuàng)新型異質(zhì)結(jié)電池銅電鍍?cè)O(shè)備的交付，對(duì)現(xiàn)階段在

HJT電池銅互聯(lián)技術(shù)的推進(jìn)有著里程碑的重大意義。

2.4.后處理：刻蝕+去膜，工藝難度不大

后處理主要是對(duì)感光材料和種子層的去除，工藝難度不大。在經(jīng)顯影

（圖形化）、以及鍍銅（金屬化）后，先對(duì)感光材料進(jìn)行去膜處理,

然后通過(guò)刻蝕來(lái)去除種子層，保證非鍍銅位置的TCO層能夠露出。

其中刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕干法刻蝕占比大，約占90%。

1）濕法刻蝕：用液體化學(xué)試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學(xué)的方式

去除硅片表面的材料，以集成電路工藝為例，大多是濕法化學(xué)刻蝕是

將硅片浸入化學(xué)溶劑或向硅片上噴泗刻蝕溶劑；一般適用于尺寸較大

的情況下（大于3Pm）。2）干法刻蝕：通過(guò)等離子氣與硅片發(fā)生物

理或化學(xué)反應(yīng)（或結(jié)合物理、化學(xué)兩種反應(yīng)）的方式將表面材料去除。

目前，較光刻而言，國(guó)內(nèi)刻蝕工藝和刻蝕設(shè)備比較成熟，已經(jīng)能夠達(dá)

到世界較為前列的水平，能夠達(dá)到較高的刻蝕選擇性、更好的尺寸控

制、低面比例依賴刻蝕和更低的等離子體損傷。

<12:現(xiàn)階段電械初路微頸計(jì)可以較傳線HJT佳冏印刷路段節(jié)約0.044元/W

IUT

IUTIUT

PERCTOPCon（激光斡

（絲網(wǎng)印刷）(?<?!)

?。?/p>

電池效率23.1%25.0%25.3%25.3%25.6%

電池尺寸（mm）166166166166166

電池面枳（cn^Z）276276276276276

電池功率（W/片）6.376.896.976.977.04

絲同印利銀漿找量（噸片）80110135950

銀菜僖價(jià)（元/kg,含稅）60006000850085008500

銀漿總成本（元/W,不含稅）0.070.080.150.100

電忱網(wǎng)工藝成.本（元/W）0.08

謾務(wù)折舊期（4）55555

議各投資旋（萬(wàn)元6W）2000025000400004000040000

其中：絲網(wǎng)印?設(shè)備《萬(wàn)元3000375060()060000

/GW)

新增，各投資，（萬(wàn)元/GW）300017000

設(shè)備折舊領(lǐng)（元/W）0.040.050.0X0.09O.iO

3.從成本端測(cè)算看電鍍銅路線的經(jīng)濟(jì)性

根據(jù)我們測(cè)算：僅考慮折舊+銀漿成本，1）在考慮新增設(shè)備對(duì)應(yīng)折舊

以及電鍍銅本身工藝成本的情況下，現(xiàn)階段電鍍銅路線預(yù)計(jì)可以較傳

統(tǒng)HJT絲網(wǎng)印刷路線節(jié)約0.044元/W（不考慮良率）?，F(xiàn)階段，盡

管從我們測(cè)算角度看，電鍍銅技術(shù)可以幫助HJT電池較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印

刷方案節(jié)省五分之一的成本，但就銀漿+折舊這兩塊成本而言，與

PERC和TOPCon電池比仍分別高出約0.07和0.05元/W的成本,

而這差異主要源于設(shè)備的投資總額。2）考慮良率的情況下，電鍍銅

工藝良率提升到80%左右預(yù)計(jì)和絲網(wǎng)印刷成本打平。假設(shè)絲網(wǎng)印刷

良率在98%,從折日+銀漿成本平衡角度看，對(duì)應(yīng)電鍍銅工藝良率在

80%左右（0.182/0.226x98%）；3）不考慮良率的情況下，現(xiàn)階段

電鍍銅路線成本（0.182元/W）略低于激光轉(zhuǎn)印路線成本（0.189元

/W）,具備經(jīng)濟(jì)性優(yōu)勢(shì)。

預(yù)測(cè)假設(shè)：1）采用電鍍銅路線較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷路線可以提升0.3%的

效率；2）銀漿耗量方面，假設(shè)PERC、TOPCon和HJT電池在21

年的基礎(chǔ)（表1：分別對(duì)應(yīng)96.4、145.1和190mg/片）上分別下降

約15%/25%/30%,取整近似后分別取80、110、135mg/片；高溫

和低溫銀漿售價(jià)分別取6000和8500元/kg（含稅）；3）材料費(fèi)用

（掩膜成本+藥水成本+種子層成本）取0.04元/W,運(yùn)營(yíng)費(fèi)用（人工

+水電+環(huán)保處理費(fèi)）取0.04元/W,電鍍銅工藝成本合計(jì)取0.08元/W；

4）假設(shè)絲網(wǎng)印刷設(shè)備占總投資額比重為15%,設(shè)備折舊按5年無(wú)殘

值；5）假設(shè)激光轉(zhuǎn)印方案的銀漿耗量較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案下降30%,

取95元/W,新增設(shè)備投資額取3000萬(wàn)/GW；6）我們估計(jì)新增電鍍

銅設(shè)備投資額在1.5-2億元/GW,取1.7億元/GW。

長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，電鍍銅技術(shù)較傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷方案仍具備經(jīng)濟(jì)性。在考慮電

鍍銅新增設(shè)備投資額降低、以及傳統(tǒng)絲網(wǎng)臼刷方案銀耗量降低的情況

下，我們進(jìn)一步對(duì)電鍍銅路線的成本和傳統(tǒng)方案的成本進(jìn)行靈敏度分

析（這里成本仍僅考慮折舊+銀漿）。假設(shè)方面與上述保持一致，在

假定銀漿售價(jià)（8500元/kg）以及電鍍銅工藝成本（0.08元/kg）不

變的情況下，即使銀漿耗量下降30%（對(duì)應(yīng)95mg/片），現(xiàn)階段電

鍍銅方案仍能與傳統(tǒng)方案成本打平；而當(dāng)銀漿耗量下降40%（對(duì)應(yīng)

81mg/片）時(shí)，將新增設(shè)備投資額下降30%（對(duì)應(yīng)1.2億元）時(shí)，電

鍍銅方案與傳統(tǒng)方案成本依舊可以基本打平。

<13:至2025年保守/樂(lè)觀情況下找計(jì)電依例路戰(zhàn)設(shè)備市場(chǎng)空網(wǎng)分別為I7E/43.6億元

20212O22E2023K2024E2025E

光伏新增裝機(jī)量（GW）①170218248273300

容弘比②1.1

光伏新增電池需求（CAV）③二①乂②187239272300330

8%27%41%49%

、型電池沙透率（％）④

15%40%50%60%

1974123162

、型電池新增量（GW）⑤③X④

36109150198

1%3%10%

俄輛技術(shù)使用占比（%）

2%6%

0.73.716.2

帔例"產(chǎn)規(guī)模（GW）⑦-⑤x(S)

2.29.039.6

單GW設(shè)各價(jià)值量（萬(wàn)元》8I7OOO140001IOOO

其中：PVD400035003000

■光機(jī)400030002000

電發(fā)機(jī)