2025年電子技術(shù)考試試卷及答案一、單項(xiàng)選擇題（本大題共20小題，每小題2分，共40分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是最符合題目要求的）1.關(guān)于PN結(jié)單向?qū)щ娦缘拿枋?，正確的是（）A.正向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)變寬，電流主要由少子漂移形成B.反向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)變窄，電流主要由多子擴(kuò)散形成C.正向偏置時(shí)，外電場削弱內(nèi)電場，多子擴(kuò)散運(yùn)動加強(qiáng)，形成較大正向電流D.反向偏置時(shí)，外電場增強(qiáng)內(nèi)電場，少子漂移運(yùn)動被抑制，反向電流為零2.某共發(fā)射極放大電路中，若靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置過低，輸入正弦信號時(shí)輸出波形將首先出現(xiàn)（）A.飽和失真（底部失真）B.截止失真（頂部失真）C.雙向失真D.交越失真3.集成運(yùn)算放大器的輸入級通常采用（）A.共射放大電路B.共集放大電路C.差分放大電路D.互補(bǔ)輸出電路4.邏輯函數(shù)F=AB+AC+BC的最簡與或表達(dá)式為（）A.AB+ACB.AB+BCC.AC+BCD.AB+AC+BC（已最簡）5.某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線顯示，當(dāng)UGS=0V時(shí)ID=5mA，UGS=-2V時(shí)ID=0，則該管為（）A.N溝道增強(qiáng)型MOS管B.N溝道耗盡型MOS管C.P溝道增強(qiáng)型MOS管D.P溝道結(jié)型場效應(yīng)管6.若要設(shè)計(jì)一個(gè)能存儲8位二進(jìn)制信息的寄存器，至少需要（）個(gè)觸發(fā)器A.2B.4C.8D.167.某RC串聯(lián)電路接于10V直流電源，電容初始電壓為0V，充電時(shí)間常數(shù)τ=RC=1ms。當(dāng)t=3ms時(shí)，電容兩端電壓約為（）A.6.3VB.8.65VC.9.5VD.10V8.組合邏輯電路的特點(diǎn)是（）A.輸出僅取決于當(dāng)前輸入，與電路原狀態(tài)無關(guān)B.輸出取決于當(dāng)前輸入和電路原狀態(tài)C.含有記憶元件D.必須由門電路和觸發(fā)器共同組成9.某放大電路的通頻帶為20Hz~20kHz，輸入信號為50Hz正弦波疊加15kHz方波，輸出信號將出現(xiàn)（）A.頻率失真（線性失真）B.非線性失真C.截止失真D.飽和失真10.555定時(shí)器構(gòu)成的多諧振蕩器中，電容C的充放電時(shí)間常數(shù)分別為（）（R1、R2為外接電阻，且R1=R2）A.(R1+R2)C和R2CB.R1C和(R1+R2)CC.(R1+R2)C和(R1+R2)CD.R1C和R2C11.衡量運(yùn)算放大器抑制溫漂能力的主要指標(biāo)是（）A.開環(huán)差模增益AudB.共模抑制比KCMRC.輸入失調(diào)電壓UIOD.輸入偏置電流IIB12.邏輯表達(dá)式A⊕B⊕A的最簡結(jié)果為（）A.AB.BC.0D.113.某正弦交流電路中，已知u=100√2sin(314t+30°)V，i=5√2sin(314t-30°)A，則該電路的功率因數(shù)為（）A.0.5B.√3/2C.1D.014.若要將方波信號轉(zhuǎn)換為三角波信號，應(yīng)選用（）A.積分運(yùn)算電路B.微分運(yùn)算電路C.滯回比較器D.乘法運(yùn)算電路15.同步RS觸發(fā)器在CP=1期間，若R=1、S=0，則輸出Q將（）A.置0B.置1C.保持原態(tài)D.不定16.某單相橋式整流電路輸入交流電壓有效值為220V，負(fù)載電阻RL=100Ω，忽略二極管壓降，輸出直流電壓平均值為（）A.99VB.198VC.220VD.242V17.數(shù)字電路中，三態(tài)門的第三種狀態(tài)是（）A.高電平B.低電平C.高阻態(tài)D.不確定態(tài)18.若要實(shí)現(xiàn)“當(dāng)A、B、C三個(gè)輸入變量中有奇數(shù)個(gè)1時(shí)輸出為1，否則為0”的邏輯功能，應(yīng)選用（）A.與非門B.或非門C.異或門D.同或門19.某放大電路的電壓增益為40dB，其電壓放大倍數(shù)為（）A.10B.100C.1000D.1000020.半導(dǎo)體三極管工作在放大區(qū)的條件是（）A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏二、填空題（本大題共10小題，每空1分，共20分）21.本征半導(dǎo)體中，自由電子濃度______空穴濃度（填“大于”“等于”或“小于”）；摻雜N型半導(dǎo)體后，______為多數(shù)載流子。22.放大電路中，若希望穩(wěn)定輸出電壓并提高輸入電阻，應(yīng)引入______負(fù)反饋；若希望穩(wěn)定輸出電流并降低輸出電阻，應(yīng)引入______負(fù)反饋。23.邏輯代數(shù)中，A+AB=______，A(A+B)=______。24.正弦交流電的三要素是______、______和初相位。25.555定時(shí)器構(gòu)成施密特觸發(fā)器時(shí)，其上限觸發(fā)電平UTH=______VCC，下限觸發(fā)電平UTL=______VCC（設(shè)電源電壓為VCC）。26.集成運(yùn)放工作在線性區(qū)的條件是引入______，此時(shí)可近似認(rèn)為輸入電流為零（虛斷）和______（虛短）。27.動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）需要定期______以保持存儲信息；靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）依靠______存儲信息。28.某電路中，電感L=0.1H，接于頻率f=50Hz的正弦交流電源，其感抗XL=______Ω；若頻率變?yōu)?00Hz，感抗變?yōu)開_____Ω。29.組合邏輯電路的競爭冒險(xiǎn)是由于______引起的；消除方法包括引入選通脈沖、______或修改邏輯設(shè)計(jì)。30.串聯(lián)型穩(wěn)壓電源通常由______電路、______電路、調(diào)整管和比較放大電路組成。三、判斷題（本大題共10小題，每小題1分，共10分。正確的打“√”，錯(cuò)誤的打“×”）31.二極管的反向擊穿電壓是指其正常工作時(shí)允許的最高反向電壓，超過該值二極管一定損壞。（）32.共集電極放大電路（射極輸出器）的電壓放大倍數(shù)近似為1，因此沒有電流放大能力。（）33.邏輯函數(shù)F=AB+AC的卡諾圖化簡中，若兩個(gè)最小項(xiàng)相鄰，則可以合并為一個(gè)與項(xiàng)。（）34.電容在直流電路中相當(dāng)于開路，電感在直流電路中相當(dāng)于短路。（）35.施密特觸發(fā)器具有回差特性，可用于波形整形和幅度鑒別。（）36.同步時(shí)序邏輯電路中，所有觸發(fā)器的時(shí)鐘脈沖輸入端都接同一時(shí)鐘信號，因此狀態(tài)轉(zhuǎn)換同步。（）37.集成運(yùn)放的開環(huán)差模增益Aud越大，其線性工作范圍越寬。（）38.十進(jìn)制數(shù)25轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)是11001，轉(zhuǎn)換為十六進(jìn)制數(shù)是19H。（）39.負(fù)反饋可以消除放大電路中的非線性失真。（）40.模/數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的分辨率越高，轉(zhuǎn)換精度越高。（）四、簡答題（本大題共4小題，每小題5分，共20分）41.簡述差分放大電路抑制零點(diǎn)漂移的原理。42.說明組合邏輯電路和時(shí)序邏輯電路的主要區(qū)別，并各舉一例。43.分析共發(fā)射極放大電路中，靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不當(dāng)可能導(dǎo)致的失真類型及原因。44.畫出理想運(yùn)算放大器的符號，并說明其線性工作區(qū)的兩個(gè)重要特性。五、綜合題（本大題共2小題，每小題15分，共30分）45.設(shè)計(jì)一個(gè)4位二進(jìn)制數(shù)的數(shù)值范圍檢測電路。要求：當(dāng)輸入D3D2D1D0（D3為最高位）表示的數(shù)值在10（十進(jìn)制）到20（十進(jìn)制）之間時(shí)，輸出F=1；否則F=0。要求：（1）列出真值表（輸入包括D3D2D1D0，輸出F）；（2）寫出F的邏輯表達(dá)式并化簡；（3）用與非門實(shí)現(xiàn)該電路，畫出邏輯圖。46.如圖所示為某串聯(lián)型穩(wěn)壓電源電路（圖中未畫出整流濾波部分），已知穩(wěn)壓管VS的穩(wěn)定電壓UZ=6V，R1=2kΩ，R2=2kΩ，R3=1kΩ，調(diào)整管VT的發(fā)射結(jié)電壓UBE≈0.7V。（1）指出電路中各部分的作用：R4、VS、運(yùn)放A、VT；（2）分析電路穩(wěn)壓過程；（3）計(jì)算輸出電壓Uo的可調(diào)范圍。參考答案一、單項(xiàng)選擇題1.C2.B3.C4.D5.B6.C7.C8.A9.A10.A11.B12.B13.A14.A15.A16.B17.C18.C19.B20.B二、填空題21.等于；自由電子22.電壓串聯(lián)；電流并聯(lián)23.A；A24.幅值（或最大值）；頻率（或角頻率）25.2/3；1/326.深度負(fù)反饋；兩輸入端電位近似相等（或u+≈u-）27.刷新；觸發(fā)器28.31.4；62.829.門電路延遲時(shí)間差異；增加冗余項(xiàng)30.取樣；基準(zhǔn)電壓三、判斷題31.×32.×33.√34.√35.√36.√37.×38.√39.×40.√四、簡答題41.差分放大電路由兩個(gè)特性對稱的單管放大電路組成，輸入信號采用差模方式（或共模方式）。當(dāng)溫度變化等因素引起兩管集電極電流同向變化時(shí)，兩管集電極電壓也同向變化，由于輸出取兩管集電極電壓之差（雙端輸出），共模信號（漂移量）相互抵消，從而抑制零點(diǎn)漂移。42.主要區(qū)別：組合邏輯電路的輸出僅取決于當(dāng)前輸入，無記憶功能；時(shí)序邏輯電路的輸出取決于當(dāng)前輸入和電路原狀態(tài)，含記憶元件（如觸發(fā)器）。舉例：組合邏輯電路如全加器；時(shí)序邏輯電路如計(jì)數(shù)器。43.若靜態(tài)工作點(diǎn)過低（靠近截止區(qū)），輸入信號負(fù)半周時(shí)晶體管進(jìn)入截止區(qū)，輸出電壓正半周被削頂，產(chǎn)生截止失真；若靜態(tài)工作點(diǎn)過高（靠近飽和區(qū)），輸入信號正半周時(shí)晶體管進(jìn)入飽和區(qū)，輸出電壓負(fù)半周被削底，產(chǎn)生飽和失真。44.理想運(yùn)放符號：三角形，標(biāo)有同相輸入端（+）、反相輸入端（-）和輸出端（out）。線性工作區(qū)特性：①虛短：u+≈u-（兩輸入端電位近似相等）；②虛斷：i+≈i-≈0（兩輸入端電流近似為零）。五、綜合題45.（1）真值表（部分關(guān)鍵行）：|D3|D2|D1|D0|數(shù)值（十進(jìn)制）|F||-|-|-|-|-|-||0|1|0|1|5|0||1|0|1|0|10|1||1|1|0|0|12|1||1|1|1|1|15|1||1010（即D3=1,D2=0,D1=1,D0=0）到10100（但4位二進(jìn)制最大為15，故實(shí)際范圍為1010~10100中的4位部分，即1010~1111對應(yīng)10~15，而題目要求到20，需注意4位二進(jìn)制最大為15，可能題目應(yīng)為“10到15”或“5位”，此處按題目原意假設(shè)為4位，可能存在表述誤差，正確范圍應(yīng)為10（1010）到15（1111））。（2）邏輯表達(dá)式：F=D3D2D1’+D3D2D1D0’+…（需重新整理，正確化簡應(yīng)為F=D3(D2D1+D2D0+D1D0)，具體需根據(jù)真值表重新推導(dǎo)，正確化簡后F=D3(D2+D1D0)（假設(shè)數(shù)值范圍為10~15）。（3）邏輯圖：將F表達(dá)式轉(zhuǎn)換為與非形式，如F=?(?(D3D2)·?(D3D1D0))，用與非門實(shí)現(xiàn)。46.（1）各部分作用：R4為穩(wěn)壓管提供偏置電流；VS提供基準(zhǔn)電壓UZ；運(yùn)放A作為比較放大電路，將取樣電壓與基準(zhǔn)電壓比較放大；VT為調(diào)整管，通過基極電流變化調(diào)整輸出電壓。（2）穩(wěn)壓過程：當(dāng)Uo↑→取樣電壓（R2/(R1+R2+R3)Uo）↑→運(yùn)放反相端電壓↑→運(yùn)放輸出電壓↓→VT基極電流IB↓→VT管壓降UCE↑→Uo↓（恢復(fù)原值）。反之，Uo↓時(shí)過程相反。（3）輸出電壓可調(diào)范圍：當(dāng)滑動端在最上端時(shí)，取樣電壓為(R2+R3)/(R1+R2+R3)Uo≈UZ+UBE=6.7V，解得Uo_max=(R1+R2+R3)/(R2+R3)×6.7=(5kΩ/3kΩ)×6.7≈11.17V；當(dāng)滑動端在最下端時(shí)，取樣電壓為R3/(R1+R2+R3)Uo≈6.7V，解得Uo_min=(5kΩ/1kΩ)×6.7=33.5V（此處可能存在