1、第八章半導(dǎo)體表面與金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS結(jié)構(gòu))P型硅襯底，MOS結(jié)構(gòu)表面本征時(shí)，表面處費(fèi)米能級(jí)等于禁帶中央，表面處電子濃度等于空穴濃度，金屬層P半導(dǎo)體d絕緣層ρ(x)xxd+Q-Q表面層電子濃度服從波爾茲曼分布,單位面積表面電荷，所以，表面電場(chǎng)強(qiáng)度，（電場(chǎng)指向半導(dǎo)體內(nèi)）單位面積表面層電容,2、，硅半導(dǎo)體表面耗盡層寬度，3、硅半導(dǎo)體襯底，室溫300K下的歸一化平帶電容，4、理想MIS結(jié)構(gòu)不考慮功函數(shù)差、氧化層電荷和界面態(tài)，半導(dǎo)體表面強(qiáng)反型時(shí)對(duì)應(yīng)的外加電壓稱為理想MOS結(jié)構(gòu)的開(kāi)啟電壓。ρ(x)+Q-QnxEcEiEvEF5、金屬層N半導(dǎo)體d絕緣層C/C0000.20.40.60.81.0ＡＢＣVGED金屬接正，半導(dǎo)體接負(fù)為正向電壓；反之為負(fù)向電壓。堆積：平帶：耗盡：本征：弱反型：臨界強(qiáng)反型：強(qiáng)反型：深耗盡：（V）6、

固定電荷帶正電，半導(dǎo)體表面能帶下彎曲，C-V沿負(fù)電壓方向平移，考慮功函數(shù)差，平帶電壓C/C0VG0VFBVFB

假定固定表面電荷分布與氧化層厚度無(wú)關(guān)，則對(duì)不同氧化層厚度

設(shè)，則，C/C0VG0VFB1VFB1C/C0VG0VFB2VFB2

確定固定電荷面密度后，由或者求得金屬和半導(dǎo)體功函數(shù)差產(chǎn)生的平帶電壓7、(1)氧化層正電荷均勻分布金屬氧化層半導(dǎo)體０x由已知氧化層單位面積總離子數(shù)，得到(2)氧化層正電荷三角分布，金屬側(cè)最高，半導(dǎo)體側(cè)為零金屬氧化層半導(dǎo)體０x由已知氧化層單位面積總離子數(shù)，得到(3)氧化層正電荷三角分布，金屬側(cè)為零，半導(dǎo)體側(cè)最高金屬氧化層半導(dǎo)體０x由已知氧化層單位面積總離子數(shù)，得到8、（1）電子占據(jù)單能級(jí)受主型表面態(tài)的幾率，單位面積上表面態(tài)電子濃度，受主型表面態(tài)被電子占據(jù)后帶負(fù)電，單位面積負(fù)電荷密度，（2）電子占據(jù)受主型表面態(tài)能級(jí)的幾率，單位面積上受主型表面態(tài)電子濃度，受主型表面態(tài)被電子占據(jù)后帶負(fù)電，單位面積上負(fù)電荷密度，9、柵控二極管上加有反偏壓，柵極下面二極管低摻雜區(qū)（假設(shè)為P型）半導(dǎo)體表面發(fā)生臨界強(qiáng)反型時(shí)，半導(dǎo)體表面勢(shì)，忽略平帶電壓，開(kāi)啟電壓，——

單位面積半導(dǎo)體表面空間電荷密度當(dāng)反向偏壓