嘉興市人民醫(yī)院「新生兒腦電圖」特點(diǎn)與判讀考核一、單選題（每題2分，共20題）1.新生兒腦電圖(NBEEG)記錄的電極放置標(biāo)準(zhǔn)中，以下哪項(xiàng)描述是錯誤的？A.前額部電極置于兩眉間連線中點(diǎn)上方1cm處B.雙顳部電極分別置于顳角上方2cm處C.雙枕部電極置于枕外粗隆上1cm處D.雙頂葉電極置于兩耳屏前1cm處E.頂枕部電極置于枕部電極與頂葉電極連線中點(diǎn)2.NBEEG中，以下哪種波形不屬于正常新生兒睡眠紡錘波的特征？A.振幅3-7μVB.頻率12-15HzC.持續(xù)時間0.5-2sD.形態(tài)尖銳，類似“爆米花”E.累積發(fā)放持續(xù)時間>30s3.新生兒腦電圖異常中，以下哪項(xiàng)提示缺氧缺血性腦?。℉IE）的可能性最高？A.持續(xù)性高幅慢波（>2μV）B.彌漫性低電壓（<5μV）C.腦電圖爆發(fā)抑制（BurstSuppression）D.睡眠紡錘波爆發(fā)E.慢波睡眠增多4.NBEEG中，以下哪種波形屬于正常新生兒清醒期的特征？A.α波（8-12Hz）B.θ波（4-7Hz）C.β波（13-30Hz）D.δ波（<4Hz）E.以上均可能5.新生兒腦電圖判讀中，以下哪項(xiàng)符合正常足月兒的特點(diǎn)？A.安靜睡眠期以θ波為主B.清醒期以δ波為主C.活動睡眠期紡錘波頻率<12HzD.彌漫性高幅慢波（>2μV）E.腦電圖爆發(fā)抑制6.NBEEG中，以下哪種波形屬于正常新生兒過渡期（TransitionalState）的特征？A.彌漫性高電壓（>5μV）B.睡眠紡錘波爆發(fā)C.腦電圖爆發(fā)抑制D.慢波睡眠增多E.α波出現(xiàn)7.新生兒腦電圖判讀中，以下哪項(xiàng)提示早產(chǎn)兒腦發(fā)育不成熟？A.睡眠紡錘波頻率>12HzB.慢波睡眠占比>50%C.清醒期以θ波為主D.彌漫性高電壓（>5μV）E.α波出現(xiàn)8.NBEEG中，以下哪種波形屬于病理性波形？A.睡眠紡錘波B.β波C.高幅慢波（>2μV）D.α波E.θ波9.新生兒腦電圖判讀中，以下哪項(xiàng)符合正常新生兒睡眠周期特點(diǎn)？A.安靜睡眠期紡錘波密集B.活動睡眠期θ波為主C.過渡期以δ波為主D.清醒期慢波睡眠增多E.以上均正確10.NBEEG中，以下哪種波形提示新生兒顱內(nèi)出血？A.彌漫性低電壓B.局灶性高幅慢波C.腦電圖爆發(fā)抑制D.睡眠紡錘波爆發(fā)E.以上均可能二、多選題（每題3分，共10題）1.新生兒腦電圖電極放置的標(biāo)準(zhǔn)部位包括：A.前額部（Fpz）B.雙顳部（T3,T4）C.雙枕部（O1,O2）D.雙頂葉（T5,T6）E.頂枕部（P3,P4）2.NBEEG中，以下哪些波形屬于正常新生兒睡眠紡錘波的特征？A.振幅3-7μVB.頻率12-15HzC.持續(xù)時間0.5-2sD.形態(tài)尖銳，類似“爆米花”E.累積發(fā)放持續(xù)時間>30s3.新生兒腦電圖異常中，以下哪些提示缺氧缺血性腦?。℉IE）的可能性較高？A.持續(xù)性高幅慢波（>2μV）B.彌漫性低電壓（<5μV）C.腦電圖爆發(fā)抑制（BurstSuppression）D.睡眠紡錘波爆發(fā)E.慢波睡眠增多4.NBEEG中，以下哪些波形屬于正常新生兒清醒期的特征？A.α波（8-12Hz）B.θ波（4-7Hz）C.β波（13-30Hz）D.δ波（<4Hz）E.以上均可能5.新生兒腦電圖判讀中，以下哪些符合正常足月兒的特點(diǎn)？A.安靜睡眠期以θ波為主B.清醒期以δ波為主C.活動睡眠期紡錘波頻率<12HzD.彌漫性高幅慢波（>2μV）E.腦電圖爆發(fā)抑制6.NBEEG中，以下哪些波形屬于正常新生兒過渡期（TransitionalState）的特征？A.彌漫性高電壓（>5μV）B.睡眠紡錘波爆發(fā)C.腦電圖爆發(fā)抑制D.慢波睡眠增多E.α波出現(xiàn)7.新生兒腦電圖判讀中，以下哪些提示早產(chǎn)兒腦發(fā)育不成熟？A.睡眠紡錘波頻率>12HzB.慢波睡眠占比>50%C.清醒期以θ波為主D.彌漫性高電壓（>5μV）E.α波出現(xiàn)8.NBEEG中，以下哪些波形屬于病理性波形？A.睡眠紡錘波B.β波C.高幅慢波（>2μV）D.α波E.θ波9.新生兒腦電圖判讀中，以下哪些符合正常新生兒睡眠周期特點(diǎn)？A.安靜睡眠期紡錘波密集B.活動睡眠期θ波為主C.過渡期以δ波為主D.清醒期慢波睡眠增多E.以上均正確10.NBEEG中，以下哪些波形提示新生兒顱內(nèi)出血？A.彌漫性低電壓B.局灶性高幅慢波C.腦電圖爆發(fā)抑制D.睡眠紡錘波爆發(fā)E.以上均可能三、判斷題（每題1分，共10題）1.新生兒腦電圖電極放置時，前額部電極應(yīng)置于兩眉間連線中點(diǎn)上方1cm處。（√）2.NBEEG中，正常足月兒睡眠紡錘波頻率通常<12Hz。（×）3.新生兒腦電圖異常中，持續(xù)性高幅慢波（>2μV）提示缺氧缺血性腦病的可能性較低。（×）4.NBEEG中，正常新生兒清醒期以α波（8-12Hz）為主。（√）5.新生兒腦電圖判讀中，彌漫性高電壓（>5μV）屬于正常波形。（×）6.NBEEG中，正常新生兒過渡期（TransitionalState）以慢波睡眠為主。（√）7.新生兒腦電圖判讀中，早產(chǎn)兒睡眠紡錘波頻率通常>12Hz。（×）8.NBEEG中，局灶性高幅慢波屬于病理性波形。（√）9.新生兒腦電圖判讀中，正常新生兒睡眠周期包括安靜睡眠期、活動睡眠期和過渡期。（√）10.NBEEG中，腦電圖爆發(fā)抑制提示新生兒顱內(nèi)出血的可能性較低。（×）四、簡答題（每題5分，共5題）1.簡述嘉興市人民醫(yī)院NBEEG電極放置的標(biāo)準(zhǔn)部位及注意事項(xiàng)。2.簡述NBEEG中正常新生兒睡眠紡錘波的特征及其臨床意義。3.簡述NBEEG中彌漫性高幅慢波的病理特征及其常見病因。4.簡述NBEEG中腦電圖爆發(fā)抑制的病理特征及其臨床意義。5.簡述NBEEG判讀中，早產(chǎn)兒與足月兒腦電圖差異的主要表現(xiàn)。五、案例分析題（每題10分，共2題）1.患兒，男，出生后24小時，因“新生兒黃疸，反應(yīng)差”入院。NBEEG檢查顯示：彌漫性低電壓（<5μV），無睡眠紡錘波，腦電圖爆發(fā)抑制。請分析該患兒的腦電圖特點(diǎn)及可能的臨床診斷。2.患兒，女，出生后7天，因“頭顱超聲提示腦出血”入院。NBEEG檢查顯示：局灶性高幅慢波（>2μV），伴彌漫性低電壓。請分析該患兒的腦電圖特點(diǎn)及可能的臨床意義。答案與解析一、單選題1.D解析：雙頂葉電極應(yīng)置于兩耳屏前1cm處，而非頂枕部。2.E解析：睡眠紡錘波累積發(fā)放持續(xù)時間通常為幾秒鐘，>30s為異常。3.C解析：腦電圖爆發(fā)抑制是HIE重度期的典型表現(xiàn)。4.C解析：β波（13-30Hz）是清醒期的典型波形。5.A解析：正常足月兒安靜睡眠期以θ波為主。6.B解析：睡眠紡錘波爆發(fā)是過渡期的典型表現(xiàn)。7.C解析：早產(chǎn)兒清醒期以θ波為主，提示腦發(fā)育不成熟。8.C解析：高幅慢波（>2μV）是病理性波形。9.B解析：活動睡眠期θ波為主，但紡錘波通常不密集。10.A解析：彌漫性低電壓是新生兒顱內(nèi)出血的常見表現(xiàn)。二、多選題1.A,B,C,D,E解析：所有選項(xiàng)均為標(biāo)準(zhǔn)電極放置部位。2.A,B,C,D解析：E選項(xiàng)（>30s）為異常特征。3.A,B,C解析：D和E屬于正常波形。4.A,C解析：θ波和δ波主要出現(xiàn)在睡眠期。5.A,C,E解析：B和D屬于異常波形。6.B,C,D,E解析：A選項(xiàng)（>5μV）為異常。7.C,D,E解析：A和B屬于正常波形。8.C,D解析：A,B,E屬于正常波形。9.A,B,C,D解析：E選項(xiàng)描述不完全正確。10.A,B,C解析：E選項(xiàng)（以上均可能）過于寬泛。三、判斷題1.√2.×3.×4.√5.×6.√7.×8.√9.√10.×四、簡答題1.簡述嘉興市人民醫(yī)院NBEEG電極放置的標(biāo)準(zhǔn)部位及注意事項(xiàng)答：標(biāo)準(zhǔn)部位包括：-前額部（Fpz）：兩眉間連線中點(diǎn)上方1cm處-雙顳部（T3,T4）：顳角上方2cm處-雙枕部（O1,O2）：枕外粗隆上1cm處-雙頂葉（T5,T6）：兩耳屏前1cm處-頂枕部（P3,P4）：枕部電極與頂葉電極連線中點(diǎn)注意事項(xiàng)：電極應(yīng)清潔、干燥，確保緊密貼合頭皮，避免接觸金屬或液體。2.簡述NBEEG中正常新生兒睡眠紡錘波的特征及其臨床意義答：特征：振幅3-7μV，頻率12-15Hz，持續(xù)時間0.5-2s，形態(tài)尖銳，類似“爆米花”，累積發(fā)放持續(xù)時間幾秒鐘。臨床意義：提示大腦發(fā)育正常，常見于足月兒安靜睡眠期。3.簡述NBEEG中彌漫性高幅慢波的病理特征及其常見病因答：病理特征：振幅>2μV，頻率<4Hz，持續(xù)時間>0.5s，彌漫性分布。常見病因：缺氧缺血性腦病、腦炎、腦膜炎、顱內(nèi)出血等。4.簡述NBEEG中腦電圖爆發(fā)抑制的病理特征及其臨床意義答：病理特征：短暫的高幅慢波爆發(fā)（>2μV，<4Hz）與極低電壓（<5μV）間歇交替。臨床意義：提示腦功能嚴(yán)重受損，常見于HIE重度期、腦死亡等。5.簡述NBEEG判讀中，早產(chǎn)兒與足月兒腦電圖差異的主要表現(xiàn)答：早產(chǎn)兒：-睡眠紡錘波頻率更高（>12Hz）-慢波睡眠占比更高（>50%）-清醒期以θ波為主-彌漫性高電壓更常見足月兒：-睡眠紡錘波頻率較低（12-15Hz）-清醒期以α波為主-安靜睡眠期以θ波為主五、案例分析題1.患兒，男，出生后24小時，因“新生兒黃疸，反應(yīng)差”入院。NBEEG檢查顯示：彌漫性低電壓（<5μV），無睡眠紡錘波，腦電圖爆發(fā)抑制。請分析該患兒的腦電圖特點(diǎn)及可能的臨床診斷答：腦電圖特點(diǎn)：彌漫性低電壓、無睡眠紡錘波、腦電圖爆發(fā)抑制。可能的臨床診斷：HIE